JPH06242623A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH06242623A JPH06242623A JP5053266A JP5326693A JPH06242623A JP H06242623 A JPH06242623 A JP H06242623A JP 5053266 A JP5053266 A JP 5053266A JP 5326693 A JP5326693 A JP 5326693A JP H06242623 A JPH06242623 A JP H06242623A
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous silicon
- boron
- charge injection
- injection blocking
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 暗減衰、感度、帯電性の点で優れ、得られる
コピー画像に像流れや画像ぼけを生じることがない負帯
電用電子写真感光体を提供する。 【構成】 支持体上に、少なくとも電荷注入阻止層、非
晶質ケイ素を主体とし、かつホウ素を含有する光導電層
および表面層を順次積層してなる負帯電用電子写真感光
体であって、光導電層と表面層との間に非晶質ケイ素を
主体とし、かつ５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有するか、
または伝導性を支配する元素を含まない正孔捕獲層を設
けたことを特徴とする。光導電層に含有されるホウ素の
濃度は０．０１ｐｐｍないし１０００ｐｐｍである。表
面層は、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素、非晶質
炭化ケイ素または非晶質炭素を主体として形成される。
電荷注入阻止層は、非晶質ケイ素を主体とし、第Ｖ族元
素を含有する。
コピー画像に像流れや画像ぼけを生じることがない負帯
電用電子写真感光体を提供する。 【構成】 支持体上に、少なくとも電荷注入阻止層、非
晶質ケイ素を主体とし、かつホウ素を含有する光導電層
および表面層を順次積層してなる負帯電用電子写真感光
体であって、光導電層と表面層との間に非晶質ケイ素を
主体とし、かつ５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有するか、
または伝導性を支配する元素を含まない正孔捕獲層を設
けたことを特徴とする。光導電層に含有されるホウ素の
濃度は０．０１ｐｐｍないし１０００ｐｐｍである。表
面層は、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素、非晶質
炭化ケイ素または非晶質炭素を主体として形成される。
電荷注入阻止層は、非晶質ケイ素を主体とし、第Ｖ族元
素を含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、正孔捕獲層を有する電
子写真感光体に関する。
子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、支持体上に非晶質ケイ素系感光層
を有する電子写真感光体について、種々のものが提案さ
れている。このような非晶質ケイ素質光導電層を有する
電子写真感光体は、機械的強度、凡色性、長波長感度に
優れた特性を有するものであるが、さらに電子写真特性
の改善のために、光導電層を電荷発生層と電荷輸送層と
に機能分離した機能分離型のもの、或いは、表面層を設
け、感光層にホウ素を含有させたもの等が提案されてい
る（例えば、特開昭６０−１１２０４８号公報）。とこ
ろで、従来提案されている表面層を設けた非晶質ケイ素
系感光層を有する電子写真感光体においては、非晶質ケ
イ素感光層にホウ素を添加した場合、ホウ素濃度および
その上に設ける表面層の材質や特性によっては、光発生
電荷が表面層と光導電層の界面で蓄積し、界面での横移
動を生じ、これが原因となって画像流れが生じることが
あり、電子写真感光体として満足な結果が得られない場
合があった。本発明者等は、先に、この画像流れを防止
した電子写真感光体を提案した（特開平１−１０６０７
１号公報および特開平２−１２４５７８号公報）。
を有する電子写真感光体について、種々のものが提案さ
れている。このような非晶質ケイ素質光導電層を有する
電子写真感光体は、機械的強度、凡色性、長波長感度に
優れた特性を有するものであるが、さらに電子写真特性
の改善のために、光導電層を電荷発生層と電荷輸送層と
に機能分離した機能分離型のもの、或いは、表面層を設
け、感光層にホウ素を含有させたもの等が提案されてい
る（例えば、特開昭６０−１１２０４８号公報）。とこ
ろで、従来提案されている表面層を設けた非晶質ケイ素
系感光層を有する電子写真感光体においては、非晶質ケ
イ素感光層にホウ素を添加した場合、ホウ素濃度および
その上に設ける表面層の材質や特性によっては、光発生
電荷が表面層と光導電層の界面で蓄積し、界面での横移
動を生じ、これが原因となって画像流れが生じることが
あり、電子写真感光体として満足な結果が得られない場
合があった。本発明者等は、先に、この画像流れを防止
した電子写真感光体を提案した（特開平１−１０６０７
１号公報および特開平２−１２４５７８号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に開示されている電子写真感光体は、主として正帯電
用感光体として用いる場合に適しており、そのまま負帯
電用感光体として用いた場合には、帯電性や画像流れの
点で良好な特性が得られないという問題があった。本発
明はこの様な問題点に鑑みてなされたものである。した
がって、本発明の目的は、暗減衰、感度、帯電性の点で
優れ、得られるコピー画像に像流れや画像ぼけを生じる
ことがない負帯電用電子写真感光体を提供することにあ
る。
報に開示されている電子写真感光体は、主として正帯電
用感光体として用いる場合に適しており、そのまま負帯
電用感光体として用いた場合には、帯電性や画像流れの
点で良好な特性が得られないという問題があった。本発
明はこの様な問題点に鑑みてなされたものである。した
がって、本発明の目的は、暗減衰、感度、帯電性の点で
優れ、得られるコピー画像に像流れや画像ぼけを生じる
ことがない負帯電用電子写真感光体を提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段および作用】本発明者等
は、表面層を有する負帯電用電子写真感光体において、
光導電層と表面層との間に特定の正孔捕獲層を設けるこ
とにより、画像流れを防止できることを見出だし、本発
明を完成するに至った。本発明は、支持体上に、少なく
とも電荷注入阻止層、非晶質ケイ素を主体とし、かつホ
ウ素を含有する光導電層および表面層を順次積層してな
る負帯電用電子写真感光体であって、光導電層と表面層
との間に非晶質ケイ素を主体とし、かつ５０ｐｐｍ未満
のホウ素を含有するか、または伝導性を支配する元素を
含まない正孔捕獲層を設けてなることを特徴とする。
は、表面層を有する負帯電用電子写真感光体において、
光導電層と表面層との間に特定の正孔捕獲層を設けるこ
とにより、画像流れを防止できることを見出だし、本発
明を完成するに至った。本発明は、支持体上に、少なく
とも電荷注入阻止層、非晶質ケイ素を主体とし、かつホ
ウ素を含有する光導電層および表面層を順次積層してな
る負帯電用電子写真感光体であって、光導電層と表面層
との間に非晶質ケイ素を主体とし、かつ５０ｐｐｍ未満
のホウ素を含有するか、または伝導性を支配する元素を
含まない正孔捕獲層を設けてなることを特徴とする。
【０００５】以下、本発明の負帯電用電子写真感光体に
ついて詳細に説明する。図１は、本発明の負帯電用電子
写真体の模式的断面図である。図中、１は支持体、２は
電荷注入阻止層、３は光導電層、４は正孔捕獲層、５は
表面層であり、順次積層されている。本発明の負帯電用
電子写真感光体において、支持層としては、導電性支持
体および絶縁性支持体のいずれをも用いることができる
が、絶縁性支持体を用いる場合には、少なくとも他の層
と接触する面が導電処理されていることが必要である。
導電性支持体としては、ステンレススチール、アルミニ
ウム等の金属或いは合金等があげられ、絶縁性支持体と
しては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂フィルムま
たはシート、ガラス、セラミック、紙等があげられる。
ついて詳細に説明する。図１は、本発明の負帯電用電子
写真体の模式的断面図である。図中、１は支持体、２は
電荷注入阻止層、３は光導電層、４は正孔捕獲層、５は
表面層であり、順次積層されている。本発明の負帯電用
電子写真感光体において、支持層としては、導電性支持
体および絶縁性支持体のいずれをも用いることができる
が、絶縁性支持体を用いる場合には、少なくとも他の層
と接触する面が導電処理されていることが必要である。
導電性支持体としては、ステンレススチール、アルミニ
ウム等の金属或いは合金等があげられ、絶縁性支持体と
しては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂フィルムま
たはシート、ガラス、セラミック、紙等があげられる。
【０００６】支持体上には、負帯電用の電荷注入阻止層
が設けられる。負帯電用の電荷注入阻止層は、帯電時に
基板からの正孔の注入を阻止する目的で設けられる。電
荷注入阻止層は、伝導性を支配する元素として第Ｖ族元
素を含有する非晶質ケイ素を主体として構成される。こ
の場合の第Ｖ族元素としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ等があげられる。これらのうち、第Ｖ族元素として、
Ｎを含有する窒素化非晶質ケイ素を主体とする電荷注入
阻止層およびＰを含有する非晶質ケイ素を主体とする電
荷注入阻止層は、電荷注入阻止性や製造性に優れている
ので、特に好ましい。
が設けられる。負帯電用の電荷注入阻止層は、帯電時に
基板からの正孔の注入を阻止する目的で設けられる。電
荷注入阻止層は、伝導性を支配する元素として第Ｖ族元
素を含有する非晶質ケイ素を主体として構成される。こ
の場合の第Ｖ族元素としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ等があげられる。これらのうち、第Ｖ族元素として、
Ｎを含有する窒素化非晶質ケイ素を主体とする電荷注入
阻止層およびＰを含有する非晶質ケイ素を主体とする電
荷注入阻止層は、電荷注入阻止性や製造性に優れている
ので、特に好ましい。
【０００７】窒素化非晶質ケイ素を主体としてなる電荷
注入阻止層において、ケイ素原子に対して原子比で０．
０１〜０．７以下の窒素を含む場合、高い電荷注入阻止
性と低い残留電位とが両立して、電荷注入阻止層として
一層優れた特性を有するようになる。上記原子比が０．
０１より低い場合には、負帯電時における正孔の電荷注
入阻止能が低下し、また０．７を越える場合には、電子
写真感光体の残留電位が増加する。電荷注入阻止層の膜
厚は、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．１〜５μｍの
範囲に設定される。
注入阻止層において、ケイ素原子に対して原子比で０．
０１〜０．７以下の窒素を含む場合、高い電荷注入阻止
性と低い残留電位とが両立して、電荷注入阻止層として
一層優れた特性を有するようになる。上記原子比が０．
０１より低い場合には、負帯電時における正孔の電荷注
入阻止能が低下し、また０．７を越える場合には、電子
写真感光体の残留電位が増加する。電荷注入阻止層の膜
厚は、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．１〜５μｍの
範囲に設定される。
【０００８】電荷注入阻止層の上には、光導電層が形成
される。光導電層は、非晶質ケイ素を主体とし、ホウ素
を含有してなる。光導電層に含有されるホウ素濃度は、
０．０１〜１０００ｐｐｍの範囲が好ましい。また、帯
電性等の増加のため、光導電層中にさらに炭素、酸素及
び窒素の少なくとも一つを含有させてもよい。光導電層
中に含有させるホウ素のより好ましい含有量は、光導電
層中に炭素、酸素および窒素を含まない場合には、０．
０１〜２０ｐｐｍの範囲、特に０．０１〜５ｐｐｍの範
囲である。また、光導電層中に炭素、酸素および窒素が
含まれる場合には、０．０１〜５００ｐｐｍの範囲であ
る。ホウ素濃度が０．０１ｐｐｍよりも低すぎると、ホ
ウ素の添加効果が発揮されず、また、ホウ素濃度が１０
００ｐｐｍよりも高すぎると、暗減衰が大となり、帯電
性が低下し、また光感度も低下する等の問題が生じる。
される。光導電層は、非晶質ケイ素を主体とし、ホウ素
を含有してなる。光導電層に含有されるホウ素濃度は、
０．０１〜１０００ｐｐｍの範囲が好ましい。また、帯
電性等の増加のため、光導電層中にさらに炭素、酸素及
び窒素の少なくとも一つを含有させてもよい。光導電層
中に含有させるホウ素のより好ましい含有量は、光導電
層中に炭素、酸素および窒素を含まない場合には、０．
０１〜２０ｐｐｍの範囲、特に０．０１〜５ｐｐｍの範
囲である。また、光導電層中に炭素、酸素および窒素が
含まれる場合には、０．０１〜５００ｐｐｍの範囲であ
る。ホウ素濃度が０．０１ｐｐｍよりも低すぎると、ホ
ウ素の添加効果が発揮されず、また、ホウ素濃度が１０
００ｐｐｍよりも高すぎると、暗減衰が大となり、帯電
性が低下し、また光感度も低下する等の問題が生じる。
【０００９】非晶質ケイ素膜中のホウ素濃度は、二次イ
オン質量分析計を用いて、ケイ素とホウ素の量を測定す
ることによって算出することができる。その場合、他の
定量方法を併用することが望ましい。併用する方法とし
ては、非晶質ケイ素膜をアルカリ液に溶解し、ＩＰＣ発
光分析（誘導結合プラズマ発光分析）で定量する方法が
あり、この方法で測定した気相中のホウ素濃度と膜中の
ホウ素濃度の関係は、２：１であって、０．０１から１
０００ｐｐｍの範囲まで、この関係には変化がなかっ
た。光導電層中には、長波長感度の増感のためゲルマニ
ウム等の元素を加えてもよい。光導電層の膜厚は、１〜
１００μｍの範囲で設定される。
オン質量分析計を用いて、ケイ素とホウ素の量を測定す
ることによって算出することができる。その場合、他の
定量方法を併用することが望ましい。併用する方法とし
ては、非晶質ケイ素膜をアルカリ液に溶解し、ＩＰＣ発
光分析（誘導結合プラズマ発光分析）で定量する方法が
あり、この方法で測定した気相中のホウ素濃度と膜中の
ホウ素濃度の関係は、２：１であって、０．０１から１
０００ｐｐｍの範囲まで、この関係には変化がなかっ
た。光導電層中には、長波長感度の増感のためゲルマニ
ウム等の元素を加えてもよい。光導電層の膜厚は、１〜
１００μｍの範囲で設定される。
【００１０】光導電層と表面層との間には、正孔捕獲層
が形成される。正孔捕獲層は、伝導性を支配する元素を
含まない、いわゆるノンドーピングの非晶質ケイ素を主
体として構成される。また、正孔捕獲層は、０を越えて
５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有する非晶質ケイ素を主体
として構成されていてもよい。その場合のホウ素濃度
は、光導電層のホウ素濃度よりも低く設定される。正孔
捕捉層が存在しないと、負帯電することにより、光発生
電荷のうちの正孔が光導電層と表面層との界面に蓄積さ
れ、電界効果により、その界面で横移動を生じ、画像流
れを引き起こす現象があらわれるが、正孔捕捉層を設け
ると、正孔を捕獲して正孔の横移動を妨げるように作用
する。正孔捕獲層の膜厚は、０．０１〜５μｍの範囲に
設定される。
が形成される。正孔捕獲層は、伝導性を支配する元素を
含まない、いわゆるノンドーピングの非晶質ケイ素を主
体として構成される。また、正孔捕獲層は、０を越えて
５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有する非晶質ケイ素を主体
として構成されていてもよい。その場合のホウ素濃度
は、光導電層のホウ素濃度よりも低く設定される。正孔
捕捉層が存在しないと、負帯電することにより、光発生
電荷のうちの正孔が光導電層と表面層との界面に蓄積さ
れ、電界効果により、その界面で横移動を生じ、画像流
れを引き起こす現象があらわれるが、正孔捕捉層を設け
ると、正孔を捕獲して正孔の横移動を妨げるように作用
する。正孔捕獲層の膜厚は、０．０１〜５μｍの範囲に
設定される。
【００１１】正孔捕獲層の上には表面層が形成される。
表面層は、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素、非晶
質炭化ケイ素、または非晶質炭素を主体とする層の少な
くとも一つから構成される。感度、残留電位、解像度、
帯電時の電荷保持性および機械的強度の調整のために、
窒素、酸素或いは炭素の濃度が表面に向かって高くなる
ように濃度勾配を設けてもよい。また、表面層には、抵
抗制御のために、第III 族または第Ｖ族元素を添加して
もよい。表面層の膜厚は、０．１〜１０μｍ、好ましく
は０．１〜５μｍの範囲に設定される。
表面層は、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化ケイ素、非晶
質炭化ケイ素、または非晶質炭素を主体とする層の少な
くとも一つから構成される。感度、残留電位、解像度、
帯電時の電荷保持性および機械的強度の調整のために、
窒素、酸素或いは炭素の濃度が表面に向かって高くなる
ように濃度勾配を設けてもよい。また、表面層には、抵
抗制御のために、第III 族または第Ｖ族元素を添加して
もよい。表面層の膜厚は、０．１〜１０μｍ、好ましく
は０．１〜５μｍの範囲に設定される。
【００１２】本発明の負帯電用電子写真感光体は、支持
体の上に、上記電荷注入阻止層、光導電層、正孔捕獲層
および表面層を順次形成することによって製造すること
ができるが、これらの層は、グロー放電分解法、スパッ
タリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等に
よって形成することができる。これらの膜形成法は、目
的に応じて適宜選択されるが、プラズマＣＶＤ法によっ
てシラン（ＳｉＨ4 ）ガス等をグロー放電分解する方法
を採用するのが好ましい。
体の上に、上記電荷注入阻止層、光導電層、正孔捕獲層
および表面層を順次形成することによって製造すること
ができるが、これらの層は、グロー放電分解法、スパッ
タリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等に
よって形成することができる。これらの膜形成法は、目
的に応じて適宜選択されるが、プラズマＣＶＤ法によっ
てシラン（ＳｉＨ4 ）ガス等をグロー放電分解する方法
を採用するのが好ましい。
【００１３】以下、プラズマＣＶＤ法により膜形成を行
う場合について説明する。非晶質ケイ素を主体とする層
を作成するための原料ガスとしては、ＳｉＨ4 の他に、
Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ等を用
いることができるが、これらは必要に応じて、水素、ヘ
リウム、アルゴン、ネオン等のキャリアガスと共に使用
される。光導電層の作成に際しては、原料ガス中にジボ
ラン（Ｂ2 Ｈ6 ）等を混入させる必要があるが、ジボラ
ンの混合量は、形成される非晶質ケイ素光導電層が、
０．０１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍのホウ素を含有するよ
うに適宜定めることができる。
う場合について説明する。非晶質ケイ素を主体とする層
を作成するための原料ガスとしては、ＳｉＨ4 の他に、
Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 、ＳｉＨ3 Ｆ等を用
いることができるが、これらは必要に応じて、水素、ヘ
リウム、アルゴン、ネオン等のキャリアガスと共に使用
される。光導電層の作成に際しては、原料ガス中にジボ
ラン（Ｂ2 Ｈ6 ）等を混入させる必要があるが、ジボラ
ンの混合量は、形成される非晶質ケイ素光導電層が、
０．０１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍのホウ素を含有するよ
うに適宜定めることができる。
【００１４】光導電層中には、さらに、炭素、酸素及び
窒素等の含有させてもよいが、炭素を含有させるための
原料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペ
ンタン等の一般式Ｃn Ｈ2n+2で示されるパラフィン系炭
化水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等
の一般式Ｃn Ｈ2nで示されるオレフィン系炭化水素、ア
セチレン、アリレン、ブチン等のＣn Ｈ2n-2で示される
アセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化水素類；シクロプ
ロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロブタン、シクロペンテン、
シクロヘキセン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族炭
化水素化合物があげられる。さらに上記炭化水素は、ハ
ロゲン置換体であってもよい。例えば、４塩化炭素、ク
ロロホルム、４フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロ
ロトリフルオロメタン、ジクロロフルオロメタン、ブロ
モトリフルオロメタン、フルオロエタン、パーフルオロ
プロパン等を用いることができる。
窒素等の含有させてもよいが、炭素を含有させるための
原料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペ
ンタン等の一般式Ｃn Ｈ2n+2で示されるパラフィン系炭
化水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等
の一般式Ｃn Ｈ2nで示されるオレフィン系炭化水素、ア
セチレン、アリレン、ブチン等のＣn Ｈ2n-2で示される
アセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化水素類；シクロプ
ロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロブタン、シクロペンテン、
シクロヘキセン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族炭
化水素化合物があげられる。さらに上記炭化水素は、ハ
ロゲン置換体であってもよい。例えば、４塩化炭素、ク
ロロホルム、４フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロ
ロトリフルオロメタン、ジクロロフルオロメタン、ブロ
モトリフルオロメタン、フルオロエタン、パーフルオロ
プロパン等を用いることができる。
【００１５】酸素を含有させるための原料としては、例
えば、酸素、（Ｏ2 ）、オゾン（Ｏ 3 ）、一酸化炭素
（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、一酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、三二酸化窒素（Ｎ
2 Ｏ3 ）、四二酸化窒素（Ｎ2 Ｏ4 ）、五二酸化窒素
（Ｎ2 Ｏ5 ）、三酸化窒素（ＮＯ3 ）、テトラメトキシ
シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 ）、テトラエトキシシラン
（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ2 ）4 ）等のガスを用いることができ
る。
えば、酸素、（Ｏ2 ）、オゾン（Ｏ 3 ）、一酸化炭素
（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、一酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、三二酸化窒素（Ｎ
2 Ｏ3 ）、四二酸化窒素（Ｎ2 Ｏ4 ）、五二酸化窒素
（Ｎ2 Ｏ5 ）、三酸化窒素（ＮＯ3 ）、テトラメトキシ
シラン（Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 ）、テトラエトキシシラン
（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ2 ）4 ）等のガスを用いることができ
る。
【００１６】窒素を含有させるための原料としては、例
えば、窒素ガス（Ｎ2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、ヒド
ラジン（ＮＨ2 ＮＨ2 ）、アジ化水素（ＨＮ3 ）、アジ
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｎ3 ）等のガス状の、またはガ
ス化し得るものをあげることができる。
えば、窒素ガス（Ｎ2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、ヒド
ラジン（ＮＨ2 ＮＨ2 ）、アジ化水素（ＨＮ3 ）、アジ
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｎ3 ）等のガス状の、またはガ
ス化し得るものをあげることができる。
【００１７】ゲルマニウムを添加する場合の原料として
は、ＧｅＨ4 、Ｇｅ2 Ｈ6 、Ｇｅ3Ｈ8 、Ｇｅ4 Ｈ10、
Ｇｅ5 Ｈ12、ＧｅＦ4 、ＧｅＣｌ4 等があげられる。
は、ＧｅＨ4 、Ｇｅ2 Ｈ6 、Ｇｅ3Ｈ8 、Ｇｅ4 Ｈ10、
Ｇｅ5 Ｈ12、ＧｅＦ4 、ＧｅＣｌ4 等があげられる。
【００１８】電荷注入阻止層には、第Ｖ族元素を含有さ
せるが、原料としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等の
元素を含むものを使用する。具体的には、例えば、窒素
ガス（Ｎ2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、ヒドラジン（Ｎ
Ｈ2 ＮＨ2 ）、アジ化水素（ＨＮ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）、Ｐ2 Ｈ4 、ＰＦ3 、ＰＣｌ3 等があげられる。
せるが、原料としては、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等の
元素を含むものを使用する。具体的には、例えば、窒素
ガス（Ｎ2 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、ヒドラジン（Ｎ
Ｈ2 ＮＨ2 ）、アジ化水素（ＨＮ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）、Ｐ2 Ｈ4 、ＰＦ3 、ＰＣｌ3 等があげられる。
【００１９】本発明において、正孔捕獲層の形成は、光
導電層の形成の場合と同様にして行われるが、伝導性を
支配する元素を含まない、いわゆるノンドーピングの非
晶質ケイ素を主体としてなる場合には、ホウ素等の伝導
性を支配する元素を含むガスを全く使用しないで形成す
ればよい。５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有する非晶質ケ
イ素を主体としてなる場合には、光導電層の形成の場合
と同様に、ジボランガス等を使用すればよい。
導電層の形成の場合と同様にして行われるが、伝導性を
支配する元素を含まない、いわゆるノンドーピングの非
晶質ケイ素を主体としてなる場合には、ホウ素等の伝導
性を支配する元素を含むガスを全く使用しないで形成す
ればよい。５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有する非晶質ケ
イ素を主体としてなる場合には、光導電層の形成の場合
と同様に、ジボランガス等を使用すればよい。
【００２０】表面層は、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸化
ケイ素、非晶質炭化ケイ素または非晶質炭素を主体とす
る層の少なくとも一つから構成されるが、非晶質窒化ケ
イ素を主体とする層を形成する場合は、上記非晶質ケイ
素を主体とする層に使用するシラン等のケイ素化合物の
ガスと共に、上記した窒素を含有させるための原料を使
用すればよい。非晶質酸化ケイ素を主体とする層を形成
する場合は、上記シラン等のケイ素化合物のガスと共
に、上記した酸素を含有させるための原料を使用すれば
よい。非晶質炭化ケイ素を主体とする層を形成する場合
は、上記シラン等のケイ素化合物のガスと共に、上記し
た炭素を含有させるための原料を使用すればよい。ま
た、非晶質炭素を主体とする層を形成する場合には、上
記した炭素を含有させるための原料を使用すればよい。
表面層にさらに第III 族または第Ｖ族の元素を添加する
場合には、例えば、ジボラン、ホスフィン等を使用すれ
ばよい。
ケイ素、非晶質炭化ケイ素または非晶質炭素を主体とす
る層の少なくとも一つから構成されるが、非晶質窒化ケ
イ素を主体とする層を形成する場合は、上記非晶質ケイ
素を主体とする層に使用するシラン等のケイ素化合物の
ガスと共に、上記した窒素を含有させるための原料を使
用すればよい。非晶質酸化ケイ素を主体とする層を形成
する場合は、上記シラン等のケイ素化合物のガスと共
に、上記した酸素を含有させるための原料を使用すれば
よい。非晶質炭化ケイ素を主体とする層を形成する場合
は、上記シラン等のケイ素化合物のガスと共に、上記し
た炭素を含有させるための原料を使用すればよい。ま
た、非晶質炭素を主体とする層を形成する場合には、上
記した炭素を含有させるための原料を使用すればよい。
表面層にさらに第III 族または第Ｖ族の元素を添加する
場合には、例えば、ジボラン、ホスフィン等を使用すれ
ばよい。
【００２１】これらの層の成膜条件は、交流放電の場合
を例にとると、周波数５０Ｈｚ〜５ＧＨｚ、反応器内圧
１０-4〜５Ｔｏｒｒ、放電電力１０〜２０００Ｗ、支持
体温度３０〜３００℃の範囲で適宜設定される。また、
各層の膜厚は、放電時間の調整により適宜設定すること
ができる。
を例にとると、周波数５０Ｈｚ〜５ＧＨｚ、反応器内圧
１０-4〜５Ｔｏｒｒ、放電電力１０〜２０００Ｗ、支持
体温度３０〜３００℃の範囲で適宜設定される。また、
各層の膜厚は、放電時間の調整により適宜設定すること
ができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。 実施例１ 円筒状支持体への成膜が可能な容量結合型プラズマＣＶ
Ｄ装置を用い、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス及び
アンモニアガスの混合体をグロー放電分解することによ
り、円筒状アルミニウム支持体上に、約０．５μｍの膜
厚を有する窒素化非晶質ケイ素からなる電荷注入阻止層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。
Ｄ装置を用い、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス及び
アンモニアガスの混合体をグロー放電分解することによ
り、円筒状アルミニウム支持体上に、約０．５μｍの膜
厚を有する窒素化非晶質ケイ素からなる電荷注入阻止層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。
【００２３】１００％シランガス流量：１００ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された電荷注入阻止層のケイ素原子に対する窒素原
子の原子数比は、０．２であった。
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された電荷注入阻止層のケイ素原子に対する窒素原
子の原子数比は、０．２であった。
【００２４】電荷注入阻止層を形成した後、反応器内に
シランガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導
入してグロー放電分解を行うことにより、電荷注入阻止
層上に約２０μｍの膜厚を有する光導電層を形成した。
その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：４ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された光導電層のホウ素含有量は０．１ｐｐｍであ
った。
シランガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導
入してグロー放電分解を行うことにより、電荷注入阻止
層上に約２０μｍの膜厚を有する光導電層を形成した。
その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：４ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された光導電層のホウ素含有量は０．１ｐｐｍであ
った。
【００２５】光導電層を形成した後、反応器内にシラン
ガスおよび水素ガスの混合体を導入してグロー放電分解
を行うことにより、光導電層上に約１μｍの膜厚を有す
るノンドーピングの非晶質ケイ素からなる正孔捕獲層を
形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
ガスおよび水素ガスの混合体を導入してグロー放電分解
を行うことにより、光導電層上に約１μｍの膜厚を有す
るノンドーピングの非晶質ケイ素からなる正孔捕獲層を
形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
【００２６】正孔捕獲層を形成した後、反応器内を十分
排気し、次いでにシランガス、水素ガス及びアンモニア
ガスの混合体を導入してグロー放電分解を行うことによ
り、正孔捕獲層上に約０．３μｍの膜厚を有する表面層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２５ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
排気し、次いでにシランガス、水素ガス及びアンモニア
ガスの混合体を導入してグロー放電分解を行うことによ
り、正孔捕獲層上に約０．３μｍの膜厚を有する表面層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２５ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
【００２７】得られた電子写真感光体を、温度２０℃、
相対湿度１５％において表面電位−５００Ｖに帯電し、
像露光して感度を調べたところ、半減露光量Ｅ50は、波
長６５０ｎｍにおいて３ｅｒｇ／ｃｍ2 であり、残留電
位は−５０Ｖであった。また、得られた画像は優れた解
像度を有していた（７ ｌｐ／ｍｍ）。
相対湿度１５％において表面電位−５００Ｖに帯電し、
像露光して感度を調べたところ、半減露光量Ｅ50は、波
長６５０ｎｍにおいて３ｅｒｇ／ｃｍ2 であり、残留電
位は−５０Ｖであった。また、得られた画像は優れた解
像度を有していた（７ ｌｐ／ｍｍ）。
【００２８】比較例１ 実施例１における正孔捕獲層を形成させない以外は、実
施例１と全く同様にして電子写真感光体を作成した。し
たがって、得られた電子写真感光体は、アルミニウム支
持体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を有す
るものであった。この電子写真感光体を実施例１と同様
の方法および条件で画像評価を行った。その結果、得ら
れた画像は、画像ボケが生じ、解像度は、３ ｌｐ／ｍ
ｍで悪いものであった。
施例１と全く同様にして電子写真感光体を作成した。し
たがって、得られた電子写真感光体は、アルミニウム支
持体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を有す
るものであった。この電子写真感光体を実施例１と同様
の方法および条件で画像評価を行った。その結果、得ら
れた画像は、画像ボケが生じ、解像度は、３ ｌｐ／ｍ
ｍで悪いものであった。
【００２９】実施例２ 円筒状支持体への成膜が可能な容量結合型プラズマＣＶ
Ｄ装置を用い、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス及び
ホスフィン（ＰＨ3 ）ガスの混合体をグロー放電分解す
ることにより、円筒状アルミニウム支持体上に、約２μ
ｍの膜厚を有するリン含有非晶質ケイ素からなる電荷注
入阻止層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０００ｐｐｍホスフィンガス流量：４０ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
Ｄ装置を用い、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス及び
ホスフィン（ＰＨ3 ）ガスの混合体をグロー放電分解す
ることにより、円筒状アルミニウム支持体上に、約２μ
ｍの膜厚を有するリン含有非晶質ケイ素からなる電荷注
入阻止層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであ
った。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：６０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０００ｐｐｍホスフィンガス流量：４０ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
【００３０】電荷注入阻止層を形成した後、反応器内に
シランガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導
入してグロー放電分解を行うことにより、電荷注入阻止
層上に約２０μｍの膜厚を有する光導電層を形成した。
その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：８ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された光導電層のホウ素含有量は０．２ｐｐｍであ
った。
シランガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導
入してグロー放電分解を行うことにより、電荷注入阻止
層上に約２０μｍの膜厚を有する光導電層を形成した。
その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：８ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：０．８Ｔｏｒｒ 放電電力：２００Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された光導電層のホウ素含有量は０．２ｐｐｍであ
った。
【００３１】光導電層を形成した後、反応器内にシラン
ガスおよび水素ガスの混合体を導入してグロー放電分解
を行うことにより、光導電層上に約１μｍの膜厚を有す
るノンドーピングの非晶質ケイ素からなる正孔捕獲層を
形成した。その際の成膜条件は実施例１と同様であっ
た。正孔捕獲層を形成した後、実施例１と全く同様の条
件で窒素化非晶質ケイ素表面層を形成した。
ガスおよび水素ガスの混合体を導入してグロー放電分解
を行うことにより、光導電層上に約１μｍの膜厚を有す
るノンドーピングの非晶質ケイ素からなる正孔捕獲層を
形成した。その際の成膜条件は実施例１と同様であっ
た。正孔捕獲層を形成した後、実施例１と全く同様の条
件で窒素化非晶質ケイ素表面層を形成した。
【００３２】得られた電子写真感光体を、温度２０℃、
相対湿度１５％において表面電位−５００Ｖに帯電し、
像露光して感度を調べたところ、半減露光量Ｅ50は、波
長６５０ｎｍにおいて２．８ｅｒｇ／ｃｍ2 であり、残
留電位は−１５Ｖであった。また、得られた画像は優れ
た解像度を有していた（７ ｌｐ／ｍｍ）。
相対湿度１５％において表面電位−５００Ｖに帯電し、
像露光して感度を調べたところ、半減露光量Ｅ50は、波
長６５０ｎｍにおいて２．８ｅｒｇ／ｃｍ2 であり、残
留電位は−１５Ｖであった。また、得られた画像は優れ
た解像度を有していた（７ ｌｐ／ｍｍ）。
【００３３】比較例２ 実施例２における正孔捕獲層を形成させない以外は、実
施例２と全く同様にして電子写真感光体を作成した。し
たがって、得られた電子写真感光体は、アルミニウム支
持体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を有す
るものであった。この電子写真感光体を実施例１と同様
の方法および条件で画像評価を行った。その結果、得ら
れた画像は、画像ボケが生じ、解像度は、２ ｌｐ／ｍ
ｍで悪いものであった。
施例２と全く同様にして電子写真感光体を作成した。し
たがって、得られた電子写真感光体は、アルミニウム支
持体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を有す
るものであった。この電子写真感光体を実施例１と同様
の方法および条件で画像評価を行った。その結果、得ら
れた画像は、画像ボケが生じ、解像度は、２ ｌｐ／ｍ
ｍで悪いものであった。
【００３４】実施例３ 円筒状支持体への成膜が可能な容量結合型プラズマＣＶ
Ｄ装置を用い、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス及び
アンモニアガスの混合体をグロー放電分解することによ
り、円筒状アルミニウム支持体上に、約０．５μｍの膜
厚を有する窒素化非晶質ケイ素からなる電荷注入阻止層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。
Ｄ装置を用い、シラン（ＳｉＨ4 ）ガス、水素ガス及び
アンモニアガスの混合体をグロー放電分解することによ
り、円筒状アルミニウム支持体上に、約０．５μｍの膜
厚を有する窒素化非晶質ケイ素からなる電荷注入阻止層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。
【００３５】１００％シランガス流量：１００ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された電荷注入阻止層のケイ素原子に対する窒素原
子の原子数比は、０．２であった。
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された電荷注入阻止層のケイ素原子に対する窒素原
子の原子数比は、０．２であった。
【００３６】電荷注入阻止層を形成した後、反応器内に
シランガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導
入してグロー放電分解を行うことにより、電荷注入阻止
層上に約２０μｍの膜厚を有する光導電層を形成した。
その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１００ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された光導電層のホウ素含有量は２．５ｐｐｍであ
った。
シランガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導
入してグロー放電分解を行うことにより、電荷注入阻止
層上に約２０μｍの膜厚を有する光導電層を形成した。
その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１００ｃｍ3 ／
ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された光導電層のホウ素含有量は２．５ｐｐｍであ
った。
【００３７】光導電層を形成した後、反応器内にシラン
ガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導入して
グロー放電分解を行うことにより、光導電層上に約１μ
ｍの膜厚を有するボロンドーピングの非晶質ケイ素から
なる正孔捕獲層を形成した。形成された正孔捕獲層のホ
ウ素含有量は０．０５ｐｐｍであった。その際の成膜条
件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
ガス、ジボランガスおよび水素ガスの混合体を導入して
グロー放電分解を行うことにより、光導電層上に約１μ
ｍの膜厚を有するボロンドーピングの非晶質ケイ素から
なる正孔捕獲層を形成した。形成された正孔捕獲層のホ
ウ素含有量は０．０５ｐｐｍであった。その際の成膜条
件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２００ｃｍ3 ／ｍｉｎ １０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２ｃｍ3 ／ｍｉ
ｎ １００％水素ガス流量：１００ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
【００３８】正孔捕獲層を形成した後、反応器内を十分
排気し、次いでシランガス、水素ガス及びアンモニアガ
スの混合体を導入してグロー放電分解を行うことによ
り、正孔捕獲層上に約０．３μｍの膜厚を有する表面層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２５ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
排気し、次いでシランガス、水素ガス及びアンモニアガ
スの混合体を導入してグロー放電分解を行うことによ
り、正孔捕獲層上に約０．３μｍの膜厚を有する表面層
を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 １００％シランガス流量：２５ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％水素ガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ １００％アンモニアガス流量：１５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ 反応器内圧：１．０Ｔｏｒｒ 放電電力：２５０Ｗ 放電周波数：１３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃
【００３９】得られた電子写真感光体を、温度２０℃、
相対湿度１５％において表面電位−５００Ｖに帯電し、
像露光して感度を調べたところ、半減露光量Ｅ50は、波
長６５０ｎｍにおいて３．２ｅｒｇ／ｃｍ2 であり、残
留電位は−５３Ｖであった。また、得られた画像は優れ
た解像度を有していた（７ ｌｐ／ｍｍ）。
相対湿度１５％において表面電位−５００Ｖに帯電し、
像露光して感度を調べたところ、半減露光量Ｅ50は、波
長６５０ｎｍにおいて３．２ｅｒｇ／ｃｍ2 であり、残
留電位は−５３Ｖであった。また、得られた画像は優れ
た解像度を有していた（７ ｌｐ／ｍｍ）。
【００４０】比較例３ 実施例３における正孔捕獲層を形成させない以外は、実
施例３と全く同様にして電子写真感光体を作成した。し
たがって、得られた電子写真感光体は、アルミニウム支
持体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を有す
るものであった。この電子写真感光体を実施例１と同様
の方法および条件で画像評価を行った。その結果、得ら
れた画像は、画像ボケが生じ、解像度は、３ ｌｐ／ｍ
ｍで悪いものであった。
施例３と全く同様にして電子写真感光体を作成した。し
たがって、得られた電子写真感光体は、アルミニウム支
持体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面層を有す
るものであった。この電子写真感光体を実施例１と同様
の方法および条件で画像評価を行った。その結果、得ら
れた画像は、画像ボケが生じ、解像度は、３ ｌｐ／ｍ
ｍで悪いものであった。
【００４１】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、上記のよう
に、光導電層と表面層との間に非晶質ケイ素を主体とし
てなり、かつ５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有するか、ま
たは伝導性を支配する元素を含まない正孔捕獲層を設け
たから、負帯電用感光体として、暗減衰、感度、帯電性
の点で優れた電子写真特性を有し、また、得られるコピ
ー画像に像流れや画像ボケを生じることがない。
に、光導電層と表面層との間に非晶質ケイ素を主体とし
てなり、かつ５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有するか、ま
たは伝導性を支配する元素を含まない正孔捕獲層を設け
たから、負帯電用感光体として、暗減衰、感度、帯電性
の点で優れた電子写真特性を有し、また、得られるコピ
ー画像に像流れや画像ボケを生じることがない。
【図１】 本発明の電子写真感光体の模式的断面図であ
る。
る。
１…支持体、２…電荷注入阻止層、３…光導電層、４…
正孔捕獲層、５…表面層。
正孔捕獲層、５…表面層。
フロントページの続き (72)発明者 東 武敏 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 (72)発明者 八木 茂 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 支持体上に、少なくとも電荷注入阻止
層、非晶質ケイ素を主体とし、かつホウ素を含有する光
導電層および表面層を順次積層してなる電子写真感光体
において、光導電層と表面層との間に非晶質ケイ素を主
体とし、かつ５０ｐｐｍ未満のホウ素を含有するか、ま
たは伝導性を支配する元素を含まない正孔捕獲層を設け
てなることを特徴とする負帯電用電子写真感光体。 - 【請求項２】 光導電層に含有されるホウ素の濃度が
０．０１ｐｐｍないし１０００ｐｐｍであることを特徴
とする請求項１記載の負帯電用電子写真感光体。 - 【請求項３】 光導電層が炭素、酸素および窒素の少な
くとも一つを含有することを特徴とする請求項１記載の
負帯電用電子写真感光体。 - 【請求項４】 表面層が、非晶質窒化ケイ素、非晶質酸
化ケイ素、非晶質炭化ケイ素または非晶質炭素を主体と
する層の少なくとも一つからなることを特徴とする請求
項１記載の負帯電用電子写真感光体。 - 【請求項５】 電荷注入阻止層が、非晶質ケイ素を主体
とし、かつ伝導性を支配する元素として、第Ｖ族元素を
含有することを特徴とする請求項１記載の負帯電用電子
写真感光体。 - 【請求項６】 電荷注入阻止層が、第Ｖ族元素として窒
素を含有する窒素化非晶質ケイ素を主体としてなること
を特徴とする請求項１記載の負帯電用電子写真感光体。 - 【請求項７】 電荷注入阻止層における窒素の含有量
が、ケイ素に対して原子比で０．０１ないし０．７であ
ることを特徴とする請求項６記載の負帯電用電子写真感
光体。 - 【請求項８】 電荷注入阻止層が、第Ｖ族元素としてリ
ンを含有する非晶質ケイ素を主体としてなることを特徴
とする請求項１記載の負帯電用電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053266A JPH06242623A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 電子写真感光体 |
| US08/464,466 US5556729A (en) | 1993-02-19 | 1995-06-05 | Negatively chargeable electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5053266A JPH06242623A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06242623A true JPH06242623A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12937966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5053266A Pending JPH06242623A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5556729A (ja) |
| JP (1) | JPH06242623A (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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- 1993-02-19 JP JP5053266A patent/JPH06242623A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-05 US US08/464,466 patent/US5556729A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
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