JP2929862B2 - 電子写真感光体および電子写真方法 - Google Patents
電子写真感光体および電子写真方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
電子写真感光体およびそれを用いる電子写真法に関す
る。
電子写真感光体およびそれを用いる電子写真法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】現在最も一般に行われている電子写真法
では、帯電にコロトロン、スコロトロンなどのコロナ放
電を利用している。しかしながら、コロナ放電を用いた
場合、放電生成物による画像ぼけ、画像喪失等の欠陥画
像をはじめ、オゾンの発生による変質および環境への影
響等問題がある。近年、水素化アモルファスシリコン感
光体が表面硬度、高感度、耐久性に優れた長寿命感光体
として提案されているが、比誘電率がセレン感光体や有
機感光体に比べて大きいため、帯電に要する電流が大き
く、コロナ放電による帯電の場合にはオゾンの発生や高
湿時に画像ぼけが発生する等の問題があった。このため
コロナ放電の代わりにローラー帯電等の接触帯電法の使
用が提案されているが(特開昭63−210864号、
64−29875号公報、特開平2−203359号公
報)が、依然として、帯電が不十分であった。さらにま
た、接触帯電器としてゴムローラーを用いた場合、水素
化アモルファスシリコン感光体は硬度が高いため、ゴム
ローラーが磨耗して経時変化が生じ、長寿命感光体の帯
電方法としては信頼性に欠けたものであった。
では、帯電にコロトロン、スコロトロンなどのコロナ放
電を利用している。しかしながら、コロナ放電を用いた
場合、放電生成物による画像ぼけ、画像喪失等の欠陥画
像をはじめ、オゾンの発生による変質および環境への影
響等問題がある。近年、水素化アモルファスシリコン感
光体が表面硬度、高感度、耐久性に優れた長寿命感光体
として提案されているが、比誘電率がセレン感光体や有
機感光体に比べて大きいため、帯電に要する電流が大き
く、コロナ放電による帯電の場合にはオゾンの発生や高
湿時に画像ぼけが発生する等の問題があった。このため
コロナ放電の代わりにローラー帯電等の接触帯電法の使
用が提案されているが(特開昭63−210864号、
64−29875号公報、特開平2−203359号公
報)が、依然として、帯電が不十分であった。さらにま
た、接触帯電器としてゴムローラーを用いた場合、水素
化アモルファスシリコン感光体は硬度が高いため、ゴム
ローラーが磨耗して経時変化が生じ、長寿命感光体の帯
電方法としては信頼性に欠けたものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の技術
における上記のような問題点に鑑みてなされたものであ
って、接触帯電法によって、高湿時でも十分な帯電を行
うことができると共に、長期間にわたり安定してコピー
操作を行うことが可能な電子写真感光体を提供すること
を目的とするものである。本発明の他の目的は、オゾン
の発生がなく、高信頼でかつ高速適性があり、長寿命の
電子写真法を提供することにある。本発明の他の目的
は、従来の電子写真法の要素を簡略化し、小型化および
省エネルギーを実現することができる電子写真法を提供
することにある。本発明のさらに他の目的は、高湿時で
も画像ぼけの無い高品質のプリントを提供する画像形成
法を提供することにある。
における上記のような問題点に鑑みてなされたものであ
って、接触帯電法によって、高湿時でも十分な帯電を行
うことができると共に、長期間にわたり安定してコピー
操作を行うことが可能な電子写真感光体を提供すること
を目的とするものである。本発明の他の目的は、オゾン
の発生がなく、高信頼でかつ高速適性があり、長寿命の
電子写真法を提供することにある。本発明の他の目的
は、従来の電子写真法の要素を簡略化し、小型化および
省エネルギーを実現することができる電子写真法を提供
することにある。本発明のさらに他の目的は、高湿時で
も画像ぼけの無い高品質のプリントを提供する画像形成
法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、感光体の表面
に電荷トラップ層と電荷注入層を積層して設けることに
より、機械的にも化学的にも安定な感光体が得られ、接
触帯電によって十分安定した帯電を行うことができると
いう知見に基づいてなされたものである。本発明の電子
写真感光体は、導電性基体上に、少なくとも、アモルフ
ァスシリコンからなる光導電層を設け、その上に、帯電
極性と同極性の電荷を注入させるための電荷注入層およ
びその電荷をトラップさせるための電荷トラップ層を、
電荷トラップ層および電荷注入層の順に設けたものであ
って、第1の電子写真感光体は、上記電荷注入層が少な
くとも第III 族元素を含むアモルファスシリコンまたは
アモルファスカーボンからなり、電荷トラップ層が炭
素、窒素、酸素および第V族元素から選択された少なく
とも一種を含有するアモルファスシリコンまたはアモル
ファスカーボンからなることを特徴とする帯電極性が正
帯電性の電子写真感光体であり、第2の電子写真感光体
は、上記電荷注入層が少なくとも第V族元素を含むアモ
ルファスシリコンまたはアモルファスカーボンからな
り、電荷トラップ層が炭素、窒素、酸素および第III 族
元素から選択された少なくとも一種を含有するアモルフ
ァスシリコンまたはアモルファスカーボンからなること
を特徴とする帯電極性が負帯電性である電子写真感光体
である。本発明の電子写真法は、上記の電子写真感光体
を帯電し、像露光し、現像し、定着する工程を含むもの
であって、金属帯電器を電子写真感光体表面に接触さ
せ、外部より電荷を供給して帯電させることを特徴とす
る。本発明において、金属帯電器は、クリーニングブレ
ードであってもよい。
に電荷トラップ層と電荷注入層を積層して設けることに
より、機械的にも化学的にも安定な感光体が得られ、接
触帯電によって十分安定した帯電を行うことができると
いう知見に基づいてなされたものである。本発明の電子
写真感光体は、導電性基体上に、少なくとも、アモルフ
ァスシリコンからなる光導電層を設け、その上に、帯電
極性と同極性の電荷を注入させるための電荷注入層およ
びその電荷をトラップさせるための電荷トラップ層を、
電荷トラップ層および電荷注入層の順に設けたものであ
って、第1の電子写真感光体は、上記電荷注入層が少な
くとも第III 族元素を含むアモルファスシリコンまたは
アモルファスカーボンからなり、電荷トラップ層が炭
素、窒素、酸素および第V族元素から選択された少なく
とも一種を含有するアモルファスシリコンまたはアモル
ファスカーボンからなることを特徴とする帯電極性が正
帯電性の電子写真感光体であり、第2の電子写真感光体
は、上記電荷注入層が少なくとも第V族元素を含むアモ
ルファスシリコンまたはアモルファスカーボンからな
り、電荷トラップ層が炭素、窒素、酸素および第III 族
元素から選択された少なくとも一種を含有するアモルフ
ァスシリコンまたはアモルファスカーボンからなること
を特徴とする帯電極性が負帯電性である電子写真感光体
である。本発明の電子写真法は、上記の電子写真感光体
を帯電し、像露光し、現像し、定着する工程を含むもの
であって、金属帯電器を電子写真感光体表面に接触さ
せ、外部より電荷を供給して帯電させることを特徴とす
る。本発明において、金属帯電器は、クリーニングブレ
ードであってもよい。
【0005】以下、本発明を図面を参照して説明する。
図1ないし図3は、本発明の電子写真感光体の模式的断
面図であって、導電性支持体1の上に、アモルファスシ
リコンを主体とする光導電層2および電荷トラップ層3
と電荷注入層4が積層された構造を有している。図2に
おいては、導電性支持体1と光導電層2との間にさらに
電荷注入阻止層5が設けられており、また、電荷トラッ
プ層3が3つの層7〜9よりなる積層構造を有してい
る。図3においては、導電性支持体1と電荷注入阻止層
5との間に補助層6が設けられている。
図1ないし図3は、本発明の電子写真感光体の模式的断
面図であって、導電性支持体1の上に、アモルファスシ
リコンを主体とする光導電層2および電荷トラップ層3
と電荷注入層4が積層された構造を有している。図2に
おいては、導電性支持体1と光導電層2との間にさらに
電荷注入阻止層5が設けられており、また、電荷トラッ
プ層3が3つの層7〜9よりなる積層構造を有してい
る。図3においては、導電性支持体1と電荷注入阻止層
5との間に補助層6が設けられている。
【0006】本発明において、導電性支持体としては、
アルミニウム、ステンレススチール、ニッケル、クロム
等の金属およびその合金があげられ、また、導電化処理
を施した絶縁性基体よりなるものであってもよい。絶縁
性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド等
の高分子フィルム又はシート、ガラス、セラミック等が
あげられ、その少なくとも他の層と接触する面は、導電
化処理が施される。導電化処理は、上記金属あるいは、
金、銀、銅等を蒸着、スパッター、イオンプレーティン
グ法によって成膜することによって行なうことができ
る。本発明において、導電性支持体は、一般にオーステ
ナイト系ステンレス鋼と称されるCr−Ni含有鋼で形
成されているものを用いることができ、さらにまた、こ
れらオーステナイト系ステンレス鋼よりなる導電性支持
体の表面に、少なくとも、モリブデン、クロム、マンガ
ン、タングステンまたはチタンを主成分とする導電層を
形成させたものが好ましく使用される。これらの導電層
は、メッキ、スパッタリングまたは蒸着によって形成す
ることができる。本発明における導電性支持体は、ま
た、アルミニウム基板の上にクロム、チタン、タングス
テンまたはモリブデンを主成分として形成された導電層
を有するものを用いることができる。さらにまた、モリ
ブデン、タングステンまたはチタンから構成される導電
性支持体を用いることもできる。導電性支持体は、厚さ
0.5〜50mm、好ましくは1〜20mmの範囲のも
のが使用される。
アルミニウム、ステンレススチール、ニッケル、クロム
等の金属およびその合金があげられ、また、導電化処理
を施した絶縁性基体よりなるものであってもよい。絶縁
性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド等
の高分子フィルム又はシート、ガラス、セラミック等が
あげられ、その少なくとも他の層と接触する面は、導電
化処理が施される。導電化処理は、上記金属あるいは、
金、銀、銅等を蒸着、スパッター、イオンプレーティン
グ法によって成膜することによって行なうことができ
る。本発明において、導電性支持体は、一般にオーステ
ナイト系ステンレス鋼と称されるCr−Ni含有鋼で形
成されているものを用いることができ、さらにまた、こ
れらオーステナイト系ステンレス鋼よりなる導電性支持
体の表面に、少なくとも、モリブデン、クロム、マンガ
ン、タングステンまたはチタンを主成分とする導電層を
形成させたものが好ましく使用される。これらの導電層
は、メッキ、スパッタリングまたは蒸着によって形成す
ることができる。本発明における導電性支持体は、ま
た、アルミニウム基板の上にクロム、チタン、タングス
テンまたはモリブデンを主成分として形成された導電層
を有するものを用いることができる。さらにまた、モリ
ブデン、タングステンまたはチタンから構成される導電
性支持体を用いることもできる。導電性支持体は、厚さ
0.5〜50mm、好ましくは1〜20mmの範囲のも
のが使用される。
【0007】本発明において、導電性支持体は、その表
面が研磨されているものを用いてもよい。すなわち、バ
フ研磨、砥石研磨等により、研磨剤の粗さを粗粒から微
粒に変えながら、繰り返し実施することにより平滑にし
たものを用いることができる。表面の粗さは、RS で2
Sから0.02Sの範囲であり、好ましくは0.5Sか
ら0.03Sの範囲のものを用いることができる。表面
は、完全鏡面であっても、また細い筋により、くもり状
になっていてもよいが、全体としては平滑であって、旋
盤切削においては、切削ピッチの境界面に凸状部が残留
していないことが必要である。
面が研磨されているものを用いてもよい。すなわち、バ
フ研磨、砥石研磨等により、研磨剤の粗さを粗粒から微
粒に変えながら、繰り返し実施することにより平滑にし
たものを用いることができる。表面の粗さは、RS で2
Sから0.02Sの範囲であり、好ましくは0.5Sか
ら0.03Sの範囲のものを用いることができる。表面
は、完全鏡面であっても、また細い筋により、くもり状
になっていてもよいが、全体としては平滑であって、旋
盤切削においては、切削ピッチの境界面に凸状部が残留
していないことが必要である。
【0008】導電性支持体の上には、所望により電荷注
入阻止層が設けられる。電荷注入阻止層は、第III 族元
素または第V族元素が添加されたアモルファスシリコン
またはアモルファスカーボンよりなる。添加物として第
III 族元素を用いるか、或いは第V族元素を用いるか
は、感光体の帯電極性によって決められる。電荷注入阻
止層には、第III 族元素または第V族元素に加えて、さ
らに窒素、酸素、炭素およびハロゲンの少なくともいず
れか1つを含有させてもよい。
入阻止層が設けられる。電荷注入阻止層は、第III 族元
素または第V族元素が添加されたアモルファスシリコン
またはアモルファスカーボンよりなる。添加物として第
III 族元素を用いるか、或いは第V族元素を用いるか
は、感光体の帯電極性によって決められる。電荷注入阻
止層には、第III 族元素または第V族元素に加えて、さ
らに窒素、酸素、炭素およびハロゲンの少なくともいず
れか1つを含有させてもよい。
【0009】さらにまた、電荷注入層と導電性支持体と
の間には、接着層として作用する補助層を設けてもよ
い。補助層は、例えば、窒素、炭素、酸素の元素のうち
少なくとも一種を含有するアモルファスシリコンよりな
ることができる。膜厚は0.01〜5μm、好ましくは
0.1〜1μmの範囲である。
の間には、接着層として作用する補助層を設けてもよ
い。補助層は、例えば、窒素、炭素、酸素の元素のうち
少なくとも一種を含有するアモルファスシリコンよりな
ることができる。膜厚は0.01〜5μm、好ましくは
0.1〜1μmの範囲である。
【0010】光導電層は、水素および/またはハロゲン
を含有するアモルファスシリコンを主体として形成され
る。膜厚は1〜10μmの範囲が好ましい。水素および
/またはハロゲンの含有量は3〜40原子%の範囲であ
る。光導電層には、導電性を制御する不純物元素とし
て、第III 族元素を含有させるのが好ましい。その添加
量は感光体の帯電符号、必要な分光感度によって決定さ
れ、0.01〜1000ppmの範囲で用いられる。ア
モルファスシリコンを主体とするこの光導電層には、帯
電性の向上、暗減衰の低減、感度の向上等の目的で、さ
らに窒素、炭素、酸素等の元素を添加することが可能で
ある。また、この光導電層には、GeおよびSnの少な
くとも一つが含有されていてもよい。本発明において、
この光導電層は、電荷発生層と電荷輸送層との二種類か
ら構成されていてもよい。
を含有するアモルファスシリコンを主体として形成され
る。膜厚は1〜10μmの範囲が好ましい。水素および
/またはハロゲンの含有量は3〜40原子%の範囲であ
る。光導電層には、導電性を制御する不純物元素とし
て、第III 族元素を含有させるのが好ましい。その添加
量は感光体の帯電符号、必要な分光感度によって決定さ
れ、0.01〜1000ppmの範囲で用いられる。ア
モルファスシリコンを主体とするこの光導電層には、帯
電性の向上、暗減衰の低減、感度の向上等の目的で、さ
らに窒素、炭素、酸素等の元素を添加することが可能で
ある。また、この光導電層には、GeおよびSnの少な
くとも一つが含有されていてもよい。本発明において、
この光導電層は、電荷発生層と電荷輸送層との二種類か
ら構成されていてもよい。
【0011】光導電層の上に形成する電荷トラップ層
は、炭素、窒素、酸素および第III 族または第V族元素
から選択された少なくとも一種を含有するアモルファス
シリコンまたはアモルファスカーボンから構成される。
は、炭素、窒素、酸素および第III 族または第V族元素
から選択された少なくとも一種を含有するアモルファス
シリコンまたはアモルファスカーボンから構成される。
【0012】電荷トラップ層が、アモルファスシリコン
を主体とする場合、アモルファスシリコンには3〜40
原子%の水素および/またはハロゲンが含まれていても
よい。また、アモルファスカーボンを主体とする場合、
アモルファスカーボンには5〜50原子%の水素および
/またはハロゲンが含まれていてもよい。なお、アモル
ファスカーボンの場合、膜中に含まれる多量の水素或い
はハロゲンは、膜中に鎖状の−CH2 −結合、−CF2
−結合或いは−CH3 結合を増加させ、結果として膜の
硬度を損なうことになるため、膜中の水素およびハロゲ
ンの量は50原子%以下にすることが必要である。
を主体とする場合、アモルファスシリコンには3〜40
原子%の水素および/またはハロゲンが含まれていても
よい。また、アモルファスカーボンを主体とする場合、
アモルファスカーボンには5〜50原子%の水素および
/またはハロゲンが含まれていてもよい。なお、アモル
ファスカーボンの場合、膜中に含まれる多量の水素或い
はハロゲンは、膜中に鎖状の−CH2 −結合、−CF2
−結合或いは−CH3 結合を増加させ、結果として膜の
硬度を損なうことになるため、膜中の水素およびハロゲ
ンの量は50原子%以下にすることが必要である。
【0013】電荷トラップ層が、第III 族または第V族
元素を含有する場合には、第III 族または第V族元素は
感光体の帯電極性に応じて選択し、感光体が正帯電性の
場合には第V族元素を、また負帯電性の場合には第III
族元素を含有させる。第V族元素の量は0.01ppm
から1000ppmの範囲で、また第III 族元素の量は
5ppmから10000ppmの範囲で膜厚に応じて適
宜設定される。電荷トラップ層の膜厚は、0.01μm
から10μm、好ましくは0.1μmから5μmであ
る。
元素を含有する場合には、第III 族または第V族元素は
感光体の帯電極性に応じて選択し、感光体が正帯電性の
場合には第V族元素を、また負帯電性の場合には第III
族元素を含有させる。第V族元素の量は0.01ppm
から1000ppmの範囲で、また第III 族元素の量は
5ppmから10000ppmの範囲で膜厚に応じて適
宜設定される。電荷トラップ層の膜厚は、0.01μm
から10μm、好ましくは0.1μmから5μmであ
る。
【0014】電荷トラップ層におけるトラップ密度の制
御のためには、炭素、酸素、窒素のうち少なくとも一種
を含有させるのが有効である。これら元素の含有量は、
炭素の場合1ppmから99.9atom%、酸素の場
合1ppmから60atom%、窒素の場合1ppmか
ら60atom%である。
御のためには、炭素、酸素、窒素のうち少なくとも一種
を含有させるのが有効である。これら元素の含有量は、
炭素の場合1ppmから99.9atom%、酸素の場
合1ppmから60atom%、窒素の場合1ppmか
ら60atom%である。
【0015】電荷トラップ層の上に設ける電荷注入層
は、第III 族元素または第V族元素を含むアモルファス
シリコンまたはアモルファスカーボンから構成される。
電荷注入層が、アモルファスシリコンを主体とする場
合、アモルファスシリコンには3〜40原子%の水素あ
るいは/およびハロゲンが含まれていてもよい。また、
アモルファスカーボンを主体とする場合、アモルファス
カーボンには5〜50原子%の水素あるいは/およびハ
ロゲンが含まれいてもよい。なお、アモルファスカーボ
ンの場合、膜中に含まれる多量の水素或いはハロゲン
は、膜中に鎖状の−CH2 −結合、−CF2 −結合或い
は−CH3 結合を増加させ、結果として膜の硬度を損な
うことになるため、膜中の水素およびハロゲンの量は5
0原子%以下であることが必要である。
は、第III 族元素または第V族元素を含むアモルファス
シリコンまたはアモルファスカーボンから構成される。
電荷注入層が、アモルファスシリコンを主体とする場
合、アモルファスシリコンには3〜40原子%の水素あ
るいは/およびハロゲンが含まれていてもよい。また、
アモルファスカーボンを主体とする場合、アモルファス
カーボンには5〜50原子%の水素あるいは/およびハ
ロゲンが含まれいてもよい。なお、アモルファスカーボ
ンの場合、膜中に含まれる多量の水素或いはハロゲン
は、膜中に鎖状の−CH2 −結合、−CF2 −結合或い
は−CH3 結合を増加させ、結果として膜の硬度を損な
うことになるため、膜中の水素およびハロゲンの量は5
0原子%以下であることが必要である。
【0016】第III 族および第V族元素に関しては、感
光体の帯電極性に応じて選択し、感光体が正帯電性の場
合には第III 族元素を、負帯電性の場合にはV族元素を
含有させる。第III 族元素の量は、0.1ppmから1
00ppm、第V族元素の量は0.01ppmから10
000ppmである。また、電荷注入層には、電荷注入
性の制御、表面硬度の向上等の目的で、窒素、酸素、炭
素の1種またはそれ以上を含有させてもよい。窒素を含
有させる場合は1ppmから20atom%である。電
荷注入層の膜厚は、0.01μmから10μm好ましく
は0.1μmから5μmである。
光体の帯電極性に応じて選択し、感光体が正帯電性の場
合には第III 族元素を、負帯電性の場合にはV族元素を
含有させる。第III 族元素の量は、0.1ppmから1
00ppm、第V族元素の量は0.01ppmから10
000ppmである。また、電荷注入層には、電荷注入
性の制御、表面硬度の向上等の目的で、窒素、酸素、炭
素の1種またはそれ以上を含有させてもよい。窒素を含
有させる場合は1ppmから20atom%である。電
荷注入層の膜厚は、0.01μmから10μm好ましく
は0.1μmから5μmである。
【0017】本発明において、電荷トラップ層または電
荷注入層は、上記した第III 族元素または第V族元素、
窒素、酸素および炭素のいずれかを一つ以上含有するア
モルファスシリコンよりなる二つ以上の層よりなってい
てもよく、また、水素および/またはハロゲンを含有す
るアモルファス炭素よりなる層が積層されて形成されて
いてもよい。図2は、電荷注入層4と電荷トラップ層7
〜9との積層構造を有する構成となっている場合を示
す。
荷注入層は、上記した第III 族元素または第V族元素、
窒素、酸素および炭素のいずれかを一つ以上含有するア
モルファスシリコンよりなる二つ以上の層よりなってい
てもよく、また、水素および/またはハロゲンを含有す
るアモルファス炭素よりなる層が積層されて形成されて
いてもよい。図2は、電荷注入層4と電荷トラップ層7
〜9との積層構造を有する構成となっている場合を示
す。
【0018】なお、図2に示すように電荷トラップ層が
複数層形成されている場合においては、各層は、次のよ
うな構成を有しているのが好ましい。すなわち、第1の
層7は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度が、ケイ素原子
に対する原子比として0.1〜1.0の範囲にあり、膜
厚が0.01〜0.1μmの範囲にあり、また、第2の
層8は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度が、ケイ素原子
に対する原子比として0.1〜1.0の範囲にあり、膜
厚が0.05〜1μmの範囲にあり、さらに第3の層9
は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度が、第2の層8にお
けるものよりも高く、ケイ素原子に対する原子比として
0.5〜1.3の範囲にあり、膜厚が0.01〜0.1
μmの範囲にあるのが好ましい。
複数層形成されている場合においては、各層は、次のよ
うな構成を有しているのが好ましい。すなわち、第1の
層7は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度が、ケイ素原子
に対する原子比として0.1〜1.0の範囲にあり、膜
厚が0.01〜0.1μmの範囲にあり、また、第2の
層8は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度が、ケイ素原子
に対する原子比として0.1〜1.0の範囲にあり、膜
厚が0.05〜1μmの範囲にあり、さらに第3の層9
は、炭素、酸素或いは窒素原子濃度が、第2の層8にお
けるものよりも高く、ケイ素原子に対する原子比として
0.5〜1.3の範囲にあり、膜厚が0.01〜0.1
μmの範囲にあるのが好ましい。
【0019】次に、導電性支持体上に、上記各層を形成
する方法について説明する。導電性支持体上記形成する
各層は、いずれもプラズマCVD法によるグロー放電分
解法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真
空蒸着法等の手段によって形成することができる。その
際、原料ガスとしては、光導電層、電荷注入阻止層およ
び補助層の場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスが用い
られ、また、電荷トラップ層および電荷注入層の場合
は、ケイ素原子を含む主原料ガス、または炭化水素また
はそのハロゲン置換体を含む主原料ガスが用いられる。
する方法について説明する。導電性支持体上記形成する
各層は、いずれもプラズマCVD法によるグロー放電分
解法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真
空蒸着法等の手段によって形成することができる。その
際、原料ガスとしては、光導電層、電荷注入阻止層およ
び補助層の場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスが用い
られ、また、電荷トラップ層および電荷注入層の場合
は、ケイ素原子を含む主原料ガス、または炭化水素また
はそのハロゲン置換体を含む主原料ガスが用いられる。
【0020】グロー放電分解法の場合を例にとって、そ
の製造法を示すと、次のようになる。原料ガスとして、
上記主原料ガスを用い、それに必要な添加物元素を含む
原料ガスを加えて混合ガスとする。その場合、必要に応
じて、水素、または、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の
不活性ガスをキャリアガスとして併用することができ
る。グロー放電分解は、直流および交流放電のいずれを
採用してもよく、成膜条件としては、周波数0〜5GH
z、反応器内圧10-5〜10Torr(0.001〜1
333Pa)、放電電力10〜3000Wであり、ま
た、支持体温度は30〜400℃の範囲で適宜設定する
ことができる。膜厚は、放電時間の調整により適宜設定
することができる。
の製造法を示すと、次のようになる。原料ガスとして、
上記主原料ガスを用い、それに必要な添加物元素を含む
原料ガスを加えて混合ガスとする。その場合、必要に応
じて、水素、または、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の
不活性ガスをキャリアガスとして併用することができ
る。グロー放電分解は、直流および交流放電のいずれを
採用してもよく、成膜条件としては、周波数0〜5GH
z、反応器内圧10-5〜10Torr(0.001〜1
333Pa)、放電電力10〜3000Wであり、ま
た、支持体温度は30〜400℃の範囲で適宜設定する
ことができる。膜厚は、放電時間の調整により適宜設定
することができる。
【0021】アモルファスシリコンからなる層を形成す
る場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスとしては、シラ
ン類、特にSiH4 および/またはSi2 H6 が使用さ
れる。また、窒素、酸素および炭素を含有させるための
原料ガスとして、例えば次のものが使用できる。すなわ
ち、窒素を含む原料ガスとして、N2 単体ガス、N
H3 、N2 H4 、HN3 等の水素化窒素化合物のガスを
用いることができ、炭素を含む原料ガスとして、メタ
ン、エタン、プロパン、アセチレンのような炭化水素、
CF4 、C2 F6 のようなハロゲン化炭化水素を用いる
ことができ、さらに、酸素を含む原料ガスとして、
O2 、N2 O、CO、CO2 等を用いることができる。
る場合は、ケイ素原子を含む主原料ガスとしては、シラ
ン類、特にSiH4 および/またはSi2 H6 が使用さ
れる。また、窒素、酸素および炭素を含有させるための
原料ガスとして、例えば次のものが使用できる。すなわ
ち、窒素を含む原料ガスとして、N2 単体ガス、N
H3 、N2 H4 、HN3 等の水素化窒素化合物のガスを
用いることができ、炭素を含む原料ガスとして、メタ
ン、エタン、プロパン、アセチレンのような炭化水素、
CF4 、C2 F6 のようなハロゲン化炭化水素を用いる
ことができ、さらに、酸素を含む原料ガスとして、
O2 、N2 O、CO、CO2 等を用いることができる。
【0022】第III 族元素を含む原料ガスとしては、典
型的にはジボラン(B2 H6 )があげられ、その他Al
H3 等も使用できる。また、第V族元素ガスを含む原料
ガスとしては、典型的には(PH3 )が用いられる。
型的にはジボラン(B2 H6 )があげられ、その他Al
H3 等も使用できる。また、第V族元素ガスを含む原料
ガスとしては、典型的には(PH3 )が用いられる。
【0023】アモルファスカーボンより構成される膜を
形成するために使用できる原料としては次のものがあげ
られる。主体となる炭素の原料としては、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン、ペンタン等の一般式Cn H2n+2
で示されるパラフィン系炭化水素、エチレン、プロピレ
ン、ブチレン、ペンテン等の一般式Cn H2nで示される
オレフィン系炭化水素、アセチレン、アリレン、ブチン
等の一般式Cn H2n-2で示されるアセチレン系炭化水素
等の脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロブタン、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の脂環
式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタリ
ン、アントラセン等の芳香族炭化水素、或いはそれらの
置換体があげられる。これらの炭化水素化合物は、枝分
れ構造があってもよく、また、ハロゲン置換体であって
もよい。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、四フッ化
炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフルオロメタ
ン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモトリフルオロメ
タン、パーフルオロエタン、パーフルオロプロパン等の
ハロゲン化炭化水素を用いることができる。以上列記し
た炭素の原料は、常温でガス状であっても、固体状或い
は液状であってもよく、固体状或いは液状である場合に
は、気化して用いられる。
形成するために使用できる原料としては次のものがあげ
られる。主体となる炭素の原料としては、メタン、エタ
ン、プロパン、ブタン、ペンタン等の一般式Cn H2n+2
で示されるパラフィン系炭化水素、エチレン、プロピレ
ン、ブチレン、ペンテン等の一般式Cn H2nで示される
オレフィン系炭化水素、アセチレン、アリレン、ブチン
等の一般式Cn H2n-2で示されるアセチレン系炭化水素
等の脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロブタン、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の脂環
式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタリ
ン、アントラセン等の芳香族炭化水素、或いはそれらの
置換体があげられる。これらの炭化水素化合物は、枝分
れ構造があってもよく、また、ハロゲン置換体であって
もよい。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、四フッ化
炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフルオロメタ
ン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモトリフルオロメ
タン、パーフルオロエタン、パーフルオロプロパン等の
ハロゲン化炭化水素を用いることができる。以上列記し
た炭素の原料は、常温でガス状であっても、固体状或い
は液状であってもよく、固体状或いは液状である場合に
は、気化して用いられる。
【0024】次に、本発明の電子写真法について説明す
る。図4は、本発明を実施するための電子写真装置の概
略の構成図であって、本発明は次のように行われる。す
なわち、上記アモルファスシリコンを主体とする光導電
層を有する感光体ドラム10の感光体表面に、電源11
によって電圧を印加した金属帯電器12により帯電させ
た後、光学系を通した原稿像、レーザー、LED等の画
像入力装置13からの光によって露光し、静電潜像を形
成させる。形成された静電潜像は、現像器14によっ
て、トナーを用いて可視化され、トナー像に変換され
る。この場合、現像は、磁気ブラシ法を用いることがで
きる。形成されたトナー像は、圧力転写或いは静電転写
器15によって、用紙16に転写させる。転写後の感光
体表面に残留したトナーは、ブレードを用いたクリーナ
ー機構17により除去され、そして感光体表面に僅かに
残った電荷は、除電光器18により消去される。転写さ
れたトナー像は、定着装置19によって定着される。
る。図4は、本発明を実施するための電子写真装置の概
略の構成図であって、本発明は次のように行われる。す
なわち、上記アモルファスシリコンを主体とする光導電
層を有する感光体ドラム10の感光体表面に、電源11
によって電圧を印加した金属帯電器12により帯電させ
た後、光学系を通した原稿像、レーザー、LED等の画
像入力装置13からの光によって露光し、静電潜像を形
成させる。形成された静電潜像は、現像器14によっ
て、トナーを用いて可視化され、トナー像に変換され
る。この場合、現像は、磁気ブラシ法を用いることがで
きる。形成されたトナー像は、圧力転写或いは静電転写
器15によって、用紙16に転写させる。転写後の感光
体表面に残留したトナーは、ブレードを用いたクリーナ
ー機構17により除去され、そして感光体表面に僅かに
残った電荷は、除電光器18により消去される。転写さ
れたトナー像は、定着装置19によって定着される。
【0025】また、図5は他の電子写真装置の概略の構
成図であって、この場合、金属帯電器12がクリーニン
グブレードとしても作用するようになっている。また、
転写定着は、転写定着ロール20を感光体表面に対して
圧力を付与することによって行われるようになってい
る。この図に示される場合には、電子写真法の要素を簡
略化し、小型化、省エネルギー化の点で有利である。
成図であって、この場合、金属帯電器12がクリーニン
グブレードとしても作用するようになっている。また、
転写定着は、転写定着ロール20を感光体表面に対して
圧力を付与することによって行われるようになってい
る。この図に示される場合には、電子写真法の要素を簡
略化し、小型化、省エネルギー化の点で有利である。
【0026】本発明において、金属帯電器に用いられる
ブレードとしては、種々の金属よりなるものを使用する
ことができるが、中でも、アルミニウム、鉄、ニッケ
ル、ステンレス鋼、タングステン、モリブデン、チタン
等よりなるものが好ましく使用できる。さらに電子写真
感光体に接触する部分を炭素、窒素、酸素、第III 族あ
るいは第V族元素の少なくとも1種を含み、かつ水素お
よび/またはハロゲンを含むアモルファスシリコンある
いはアモルファスカーボンにより被覆されていてもよ
い。この場合には、感光体にピンホールがあっても、そ
れによる電源電圧の変動を防ぐ効果がある。また、金属
ブレードの摩耗を低減する効果がある。本発明におい
て、金属帯電器には、外部から電圧が印加されるように
構成されている。電圧は、一般に50〜2000Vの範
囲が採用できる。
ブレードとしては、種々の金属よりなるものを使用する
ことができるが、中でも、アルミニウム、鉄、ニッケ
ル、ステンレス鋼、タングステン、モリブデン、チタン
等よりなるものが好ましく使用できる。さらに電子写真
感光体に接触する部分を炭素、窒素、酸素、第III 族あ
るいは第V族元素の少なくとも1種を含み、かつ水素お
よび/またはハロゲンを含むアモルファスシリコンある
いはアモルファスカーボンにより被覆されていてもよ
い。この場合には、感光体にピンホールがあっても、そ
れによる電源電圧の変動を防ぐ効果がある。また、金属
ブレードの摩耗を低減する効果がある。本発明におい
て、金属帯電器には、外部から電圧が印加されるように
構成されている。電圧は、一般に50〜2000Vの範
囲が採用できる。
【0027】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例を示し
て、さらに詳細に説明する。 実施例1 支持体として、厚さ4mmRmax 0.05μmの表面粗
度のAl製円筒状基体を使用し、その上にp型の電荷注
入阻止層、光導電層、および2つの層からなり、合計厚
さ0.5μmのSiNx よりなる電荷トラップ層と、膜
厚2μmのp型の電荷注入層を順次設けたアモルファス
シリコン感光体を作製した。
て、さらに詳細に説明する。 実施例1 支持体として、厚さ4mmRmax 0.05μmの表面粗
度のAl製円筒状基体を使用し、その上にp型の電荷注
入阻止層、光導電層、および2つの層からなり、合計厚
さ0.5μmのSiNx よりなる電荷トラップ層と、膜
厚2μmのp型の電荷注入層を順次設けたアモルファス
シリコン感光体を作製した。
【0028】反応器内を十分に排気し、次いで、シラン
ガス、水素ガスおよびジボランガスの混合ガスを導入し
て、グロー放電分解することにより、上記円筒状基体上
に、膜厚2μmの電荷注入阻止層を形成した。その際の
成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:90cm3 /min 200ppm水素希釈ジボランガス流量:90cm3 /
min 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:200W 放電時間:60min 放電周波数:13.56MHz 支持体温度:250℃ (なお、以下において、各層の製造条件における放電周
波数および支持体温度は、上記の値に固定した。)
ガス、水素ガスおよびジボランガスの混合ガスを導入し
て、グロー放電分解することにより、上記円筒状基体上
に、膜厚2μmの電荷注入阻止層を形成した。その際の
成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:90cm3 /min 200ppm水素希釈ジボランガス流量:90cm3 /
min 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:200W 放電時間:60min 放電周波数:13.56MHz 支持体温度:250℃ (なお、以下において、各層の製造条件における放電周
波数および支持体温度は、上記の値に固定した。)
【0029】電荷注入阻止層作製の後、反応器内を十分
に排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およびジボ
ランガスの混合体を導入して、グロー放電分解すること
により、電荷注入阻止層の上に、膜厚20μmの光導電
層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:162cm3 /min 20ppm水素希釈ジボランガス流量:18cm3 /m
in 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:300W 放電時間:200min
に排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およびジボ
ランガスの混合体を導入して、グロー放電分解すること
により、電荷注入阻止層の上に、膜厚20μmの光導電
層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:162cm3 /min 20ppm水素希釈ジボランガス流量:18cm3 /m
in 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:300W 放電時間:200min
【0030】光導電層作製の後、反応器内を十分に排気
し、次いで、シランガス、水素ガス、およびアンモニア
ガスの混合体を導入して、グロー放電分解することによ
り、光導電層の上に、膜厚0.15μmの第1の電荷ト
ラップ層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであ
った。 100%シランガス流量:20cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:30cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:30min
し、次いで、シランガス、水素ガス、およびアンモニア
ガスの混合体を導入して、グロー放電分解することによ
り、光導電層の上に、膜厚0.15μmの第1の電荷ト
ラップ層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであ
った。 100%シランガス流量:20cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:30cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:30min
【0031】第1の電荷トラップ層作製の後、反応器内
を十分に排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およ
びアンモニアガスの混合体を導入して、グロー放電分解
することにより、第1の電荷トラップ層の上に、膜厚
0.25μmの第2の電荷トラップ層を形成した。その
際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:24cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:36cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:40min
を十分に排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およ
びアンモニアガスの混合体を導入して、グロー放電分解
することにより、第1の電荷トラップ層の上に、膜厚
0.25μmの第2の電荷トラップ層を形成した。その
際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:24cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:36cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:40min
【0032】第2の中間層作製の後、反応器内を十分に
排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およびシボラ
ンガスの混合体を導入して、グロー放電分解することに
より、第2の電荷トラップ層の上に、膜厚0.1μmの
電荷注入層を形成した。その際の成膜条件は次の通りで
あった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:90cm3 /min 200%ppm水素希釈シボランガス流量:150cm
3 /min 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:200W 放電時間:20min
排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およびシボラ
ンガスの混合体を導入して、グロー放電分解することに
より、第2の電荷トラップ層の上に、膜厚0.1μmの
電荷注入層を形成した。その際の成膜条件は次の通りで
あった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:90cm3 /min 200%ppm水素希釈シボランガス流量:150cm
3 /min 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:200W 放電時間:20min
【0033】上記のようにして作製された電子写真感光
体を、図4に示されるプリンターに組み込み、毎分40
枚で画像作製を行った。12の金属帯電器としては、厚
さ0.5mmの先端が研磨された鋼鉄製のブレードを用
い、それに400Vの電圧を印加した。また、現像剤と
して1成分現像剤を使用し、磁気ブラシ現像を行った。
得られた画像は鮮明であり、しかもカブリはまったく認
められなかった。
体を、図4に示されるプリンターに組み込み、毎分40
枚で画像作製を行った。12の金属帯電器としては、厚
さ0.5mmの先端が研磨された鋼鉄製のブレードを用
い、それに400Vの電圧を印加した。また、現像剤と
して1成分現像剤を使用し、磁気ブラシ現像を行った。
得られた画像は鮮明であり、しかもカブリはまったく認
められなかった。
【0034】実施例2 実施例1と同じ支持体の上にn型の電荷注入阻止層、光
導電層および膜厚0.1μmのp型の電荷トラップ層
と、膜厚1μmのn型の電荷注入層を順次設けたアモル
ファスシリコン感光体を作製した。その際の成膜条件は
次の通りであった。 100%シランガス流量:20cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:20cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:30min
導電層および膜厚0.1μmのp型の電荷トラップ層
と、膜厚1μmのn型の電荷注入層を順次設けたアモル
ファスシリコン感光体を作製した。その際の成膜条件は
次の通りであった。 100%シランガス流量:20cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:20cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:30min
【0035】電荷注入阻止層作製の後、反応器内を十分
に排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およびジボ
ランガスの混合体を導入して、グロー放電分解すること
により、電荷注入阻止層の上に、膜厚20μmの光導電
層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:162cm3 /min 20ppm水素希釈ジボランガス流量:18cm3 /m
in 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:300W 放電時間:200min
に排気し、次いで、シランガス、水素ガス、およびジボ
ランガスの混合体を導入して、グロー放電分解すること
により、電荷注入阻止層の上に、膜厚20μmの光導電
層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 100%水素ガス流量:162cm3 /min 20ppm水素希釈ジボランガス流量:18cm3 /m
in 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:300W 放電時間:200min
【0036】光導電層作製の後、反応器内を十分に排気
し、次いで、シランガス、水素ガス、およびアンモニア
ガスの混合体を導入して、グロー放電分解することによ
り、光導電層の上に、膜厚1μmの電荷トラップ層を形
成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 200ppm水素希釈シボランガス流量:180cm3
/min 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:200W 放電時間:10min
し、次いで、シランガス、水素ガス、およびアンモニア
ガスの混合体を導入して、グロー放電分解することによ
り、光導電層の上に、膜厚1μmの電荷トラップ層を形
成した。その際の成膜条件は次の通りであった。 100%シランガス流量:180cm3 /min 200ppm水素希釈シボランガス流量:180cm3
/min 反応器内圧:1.0Torr 放電電力:200W 放電時間:10min
【0037】次いで、シランガス、水素ガス、およびア
ンモニアガスの混合体を導入して、グロー放電分解する
ことにより、光導電層の上に、膜厚1.0μmの電荷注
入層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであっ
た。 100%シランガス流量:40cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:20cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:30min
ンモニアガスの混合体を導入して、グロー放電分解する
ことにより、光導電層の上に、膜厚1.0μmの電荷注
入層を形成した。その際の成膜条件は次の通りであっ
た。 100%シランガス流量:40cm3 /min 100%水素ガス流量:180cm3 /min 100%アンモニアガス流量:20cm3 /min 反応器内圧:0.5Torr 放電電力:50W 放電時間:30min
【0038】この電子写真感光体を用い、金属帯電器に
印加する電圧を−400Vにした点および現像剤の極性
を変えた点を除いて、実施例1と同じ方法で画像試験を
行なった。得られた画像は鮮明であり、しかもカブリは
認められなかった。
印加する電圧を−400Vにした点および現像剤の極性
を変えた点を除いて、実施例1と同じ方法で画像試験を
行なった。得られた画像は鮮明であり、しかもカブリは
認められなかった。
【0039】実施例3 実施例2と同じ電子写真感光体を、図5に示す構造のプ
リンターに組み込み、毎分40枚で画像作製を行なっ
た。金属帯電器兼クリーナーとして、実施例1と同じ鋼
鉄製のブレードを使用した。金属帯電器には−400V
を印加した。100,000枚の画像試験の結果、感光
体表面にはトナーや添加物の付着は認められず、帯電も
安定していた。得られた画像は鮮明であった。
リンターに組み込み、毎分40枚で画像作製を行なっ
た。金属帯電器兼クリーナーとして、実施例1と同じ鋼
鉄製のブレードを使用した。金属帯電器には−400V
を印加した。100,000枚の画像試験の結果、感光
体表面にはトナーや添加物の付着は認められず、帯電も
安定していた。得られた画像は鮮明であった。
【0040】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、上記のよう
にアモルファスシリコンからなる光導電層の上に、上記
特定の組成を有する電荷トラップ層および電荷注入層を
設けてなるものであって、金属帯電器を用いて接触帯電
法により、高湿時でも画像ぼけのない高品質のプリント
が得られる。また、本発明の電子写真感光体を用いる電
子写真法は、オゾンの発生がなく、高信頼でかつ高速適
性があり、長寿命である。また、従来の電子写真法の要
素を簡略化し、小型省エネルギーを実現することができ
る。
にアモルファスシリコンからなる光導電層の上に、上記
特定の組成を有する電荷トラップ層および電荷注入層を
設けてなるものであって、金属帯電器を用いて接触帯電
法により、高湿時でも画像ぼけのない高品質のプリント
が得られる。また、本発明の電子写真感光体を用いる電
子写真法は、オゾンの発生がなく、高信頼でかつ高速適
性があり、長寿命である。また、従来の電子写真法の要
素を簡略化し、小型省エネルギーを実現することができ
る。
【図1】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断面
図。
図。
【図2】 本発明の電子写真感光体の他の一例の模式的
断面図。
断面図。
【図3】 本発明の電子写真感光体の他の一例の模式的
断面図。
断面図。
【図4】 本発明を実施するための電子写真装置の一例
の概略構成図。
の概略構成図。
【図5】 本発明を実施するための電子写真装置の他の
一例の概略構成図。
一例の概略構成図。
1…導電性支持体、2…光導電層、3…電荷トラップ
層、4…電荷注入層、5…電荷注入阻止層、6…補助
層、10…感光体ドラム、11…電源、12…金属帯電
器、13…画像入力装置、14…現像器、15…静電転
写器、16…用紙、17…クリーナー機構、18…除電
光器、19…定着装置、20…転写定着ロール。
層、4…電荷注入層、5…電荷注入阻止層、6…補助
層、10…感光体ドラム、11…電源、12…金属帯電
器、13…画像入力装置、14…現像器、15…静電転
写器、16…用紙、17…クリーナー機構、18…除電
光器、19…定着装置、20…転写定着ロール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03G 5/08 331 G03G 5/08 331 333 333 334 334 335 335 336 336 15/02 101 15/02 101 (56)参考文献 特開 平2−173657(JP,A) 特開 昭62−28758(JP,A) 特開 平1−321440(JP,A) 特開 昭60−112048(JP,A) 特開 昭60−147756(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G03G 5/08 301
Claims (9)
- 【請求項1】 導電性基体上に、少なくとも、アモルフ
ァスシリコンからなる光導電層を設けた電子写真感光体
において、該光導電層上に、帯電極性と同極性の電荷を
注入させるための電荷注入層およびその電荷をトラップ
させるための電荷トラップ層を、電荷トラップ層および
電荷注入層の順に設けてなり、該電荷注入層が少なくと
も第III 族元素を含むアモルファスシリコンまたはアモ
ルファスカーボンからなり、電荷トラップ層が炭素、窒
素、酸素および第V族元素から選択された少なくとも一
種を含有するアモルファスシリコンまたはアモルファス
カーボンからなることを特徴とする帯電極性が正帯電性
である電子写真感光体。 - 【請求項2】 導電性基体と光導電層との間に、帯電極
性と反対の極性の電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層
を設けたことを特徴とする請求項1記載の電子写真感光
体。 - 【請求項3】 導電性基体と光導電層の間に、第III 族
元素の少なくとも一種および/または炭素、窒素および
酸素から選択された少なくとも一種を含有するアモルフ
ァスシリコンまたはアモルファスカーボンからなる電荷
注入阻止層を設けたことを特徴とする請求項1記載の電
子写真感光体。 - 【請求項4】 導電性基体上に、少なくとも、アモルフ
ァスシリコンからなる光導電層を設けた電子写真感光体
において、該光導電層上に、帯電極性と同極性の電荷を
注入させるための電荷注入層およびその電荷をトラップ
させるための電荷トラップ層を、電荷トラップ層および
電荷注入層の順に設けてなり、該電荷注入層が少なくと
も第V族元素を含むアモルファスシリコンまたはアモル
ファスカーボンからなり、電荷トラップ層が炭素、窒
素、酸素および第III 族元素から選択された少なくとも
一種を含有するアモルファスシリコンまたはアモルファ
スカーボンからなることを特徴とする帯電極性が負帯電
性である電子写真感光体。 - 【請求項5】 導電性基体と光導電層との間に、帯電極
性と反対の極性の電荷の注入を阻止する電荷注入阻止層
を設けたことを特徴とする請求項4記載の電子写真感光
体。 - 【請求項6】 導電性基体と光導電層の間に、第V族元
素の少なくとも一種および/または炭素、窒素および酸
素から選択された少なくとも一種を含有するアモルファ
スシリコンまたはアモルファスカーボンからなる電荷注
入阻止層を設けたことを特徴とする請求項4記載の電子
写真感光体。 - 【請求項7】 請求項1または請求項4記載の電子写真
感光体を帯電し、像露光し、現像し、定着する工程を含
む電子写真法において、金属帯電器を電子写真感光体表
面に接触させ、外部より電荷を供給して帯電させること
を特徴とする電子写真法。 - 【請求項8】 金属帯電器における電子写真感光体と接
触する部分が、炭素、窒素、酸素、第III 族および第V
族元素から選択された少なくとも一種を含み、かつ水素
および/またはハロゲンを含有するアモルファスシリコ
ンまたはアモルファスカーボンにより被覆されているこ
とを特徴とする請求項7記載の電子写真法。 - 【請求項9】 金属帯電器がクリーニングブレードであ
る請求項7記載の電子写真法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25757292A JP2929862B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子写真感光体および電子写真方法 |
US08/113,100 US5464721A (en) | 1992-09-02 | 1993-08-30 | Amorphous silicon photoreceptor and electrophotographic process using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25757292A JP2929862B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子写真感光体および電子写真方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0683090A JPH0683090A (ja) | 1994-03-25 |
JP2929862B2 true JP2929862B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=17308140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25757292A Expired - Lifetime JP2929862B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 電子写真感光体および電子写真方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2929862B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5252775A (en) * | 1990-02-17 | 1993-10-12 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Automatically up-dated apparatus for generating music |
DE60229461D1 (de) | 2001-04-24 | 2008-12-04 | Canon Kk | Negativ-aufladbares elektrophotographisches Element |
EP1388761B1 (en) | 2002-08-09 | 2006-10-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP25757292A patent/JP2929862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0683090A (ja) | 1994-03-25 |
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