JPS62149486A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素子として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーサーにより光古き込みが可能なこ
とが要請される。

一方、特開昭５９−　１１４２４８号および同８４２４
９号には、熱安定性のよい特定構造のジエン化合物の塩
を含有する打機被膜が開示され、こわらの有機板１１！
２が半導体レーザー輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱
するので、レーザーエネルギーによりピットを形成する
いわゆるヒートモード記録が実施できることを開示して
いる。しかし、記録媒体の表面に物理的なピットを形成
して記録を実施する場合には、初期の記録層の表面が十
分に平滑であると同時に記録後においても記録媒体の表
面に傷を付けないよう十分な注意が必要となるとともに
、高密度で高速記録を実施することは比較的困難である
。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいは航記ジエン化合物の塩等がバ
インダー中に分散してなるものであり、記録層内におけ
るこれら化合物の配向はランダムであり、そのため場所
によって光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程
度が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ず
しも適しているとはいえなかった。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜からなるＡ層と、下記一
般式（１）または（２）で表わされる化合物の一種以上
を含有してなる単分子膜またはその累積膜からなるＢ層
とが積層されてなり、かつＡ層とＢ層とのＪ９介而を−
Ｔｈｌト有ｌトルる記録層を有することを特徴とする。

一般式（１） 一般式（２） （式中、Ｒ１はアルキル基、置換基を存してもよいフェ
ニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ２およびＲ６は、
隣接した二つの−にｌ＋＝［ｌ；１１−基と共役二重結
合系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表
わし、Ｒ３およびＲ７は、置換基を有してもよいフェニ
ル基またはナフチル基を表わし、Ｒ４はアルコキシ基を
表わし、Ｒ１′はアルキル基を表わし、　Ａはアニオン
残基を表す。） 本発明に用いる親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物（以下、Ｄへ化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のＣ：Ｃ−Ｃ＝（：官能基間
において１．４−付加重合反応が可能な化合物であり、
代表的にはド記一般式％式％） （式中、×は、親水性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） て表わされる化合物が挙げられる。

Ｆ記ＤＡ化合物における親水性基×としては、例えばカ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属基しくはアミン塩が挙げられる。

疎水性部位を形成するＩｆ（Ｃｌ１２）、−表わされる
アルキル基としては炭素原子数が１〜３０の長鎖アルキ
ル基が好ましい。また、ｎ＋ｍとしては　１〜３０の整
数が好ましい。

−・方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）
で表わされる化合物（以下、ジエン化合物塩と略称する
）は、　７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを付し、
この波長の赤外光により発熱する化合物である。

このジエン化合物塩につきより具体的に説明すると、一
般式（１）および（２）中、Ｒ１はメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル
基、置換基を有してもよいフェニル基またはスチリル基
を表わす。ここで置換基としてはメトキシ、エトキシ、
ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等のハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
等のアルキル基、ニトロ基があげられる。Ｒ２およびＲ
６は、ｐ−フェニレン、１．４−ナフチレン等の隣接し
た二つの一〇Ｈ＝Ｃ）１−基と共役二重結合系を形成す
る置換基を有してもよいアリーレン基を表わす。ここで
置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、
メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等
のアルコキシ基があげられる。

Ｒ３およびＲ７は置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わす。置換基としてはジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ
、ジフェニルアミノ、フェニルアミノ、フェニルベンジ
ルアミノ、フェニルエチルアミノ等の置換アミノ基、モ
ルホリノ、ピペリジニル、ピロリジノ等の環状アミノ基
、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があ
げられる。Ｒ４はメトキシ、エトキシ、ブトキシ等のア
ルコキシ基を表わす。Ｒ５はメチル、エチル、プロピル
、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基を表
わす。Ａはアニオン残基で、例えば［ＩＦｐ、Ｃ心、Ｃ
Ｆ３Ｃ豚ＰＦ？、札ｉ、Ｐ、Ｃｌ５Ｏ色Ｃ１１３Ｓ灘ｃ
２Ｈ，ｓｏｐ　ｃ３Ｈ７ＳＯ錫Ｃ４Ｈ９５Ｏ鱈ｃ５Ｈ，
、５ｏｐｅ　　　　　　ｅ　　　　　　ｅ Ｃ６Ｈ１３Ｓ０３、ＣＨ３にｌＩＣｌＳＯ３，ＣｌＣｌ
−１２ＣＨ２ＳＯ３、ｅ　　　ｅ　Ｇ。

味）ＣＩ−５０３、＋（：Ｈ２ＳＯ３、１１２艷、ｅＯ
３ＳＣＨ２ｓｏｐ、ｅＯ３ＳＣＨ２Ｃ１１，Ｓ灘ｅ０３
ＳＣＨ２［１：ｌｌ、ＣＨ２Ｃｌ１．ＣＨ２Ｃｌ１．Ｓ
ｇ　　、ｅ０３ＳＣ８２Ｃ１１，−０−ＣＩｌ、Ｃｌ−
１２ＳＯ３、このジエン化合物の具体例を以下に例示す
る。

本発明の光記録媒体の代表的な構成を第１図および第２
図に例示する。第１図の例では、Ｊ、ζ板ＩＦに前記ジ
エン化合物塩５を含有１−る単分子膜である８層４か形
成され、そのトに前記りへ化合物の累積度２の単分子累
積膜からなるＡ層３が積層され、さらにその上にジエン
化合物塩５を含有する単分子膜の８層４が形成され、こ
れら三層により記録層２が構成されている。すなわち、
この光記録媒体は、Ａ層とＢ層との接合面を二つ有して
いる。図において、６は有機担体分子を示し、この打機
担体分子およびＤへ化合物中の矩形部分は疎水性部分、
丸部分は親水性部分を表わしている。第２図の例は、基
板１上に、Ａ層３と８層４との組み合せが五目繰り返し
て積層されて記録層２が構成され、したがって、記録層
２はＡ層とＢ層との接合面を九つ打している。Ａ層３と
８層４との積層順序はこれらの図に示される態様に限定
されず、基板１との接合面あるいは記録層２の表面に存
在する層は、Ａ層、Ｂ層のいづれであってもよい。また
、必要に応じて、例えば記録層２上に透明な保護層等の
他の層を設けることもできる。

記録層２の膜厚は、特に限定されないが、Ａ層３および
８層４を併せた単分子層の累積度が４００程度までのも
のが実用上好ましい。

本発明の光記録媒体の基板１としては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。

基板１−１１に、Ｄへ化合物の単分子膜または県分子累
積膜からなるＡ層３を形成するには、例えば■。

Ｌａｎｇｍｕｉｒらの開発したラングミュア・プロジェ
ット法（以丁、ＬＢ法と略）が用いられる。ＬＢ法は、
分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子において、
両者のバランス（両親媒性のバランス）が適度に保たれ
ているとき、この分子は水面上で親木基を丁に向けた単
分子の層になることを利用して単分子膜または単分子層
の累積した膜を作成する方法である。水面上のｍ分子層
は二次元系の特徴をもつ。分子がまばらに散開している
ときは、一分子当り面積Ａと表面圧ｎとの間に二次元理
想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成り立ち、“気体ＩＩ！２”となる。ここに、ｋはポ
ルツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくす
れば分子間相互作用が強まり二次元固体の“凝縮膜（ま
たは固体膜）”になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表
面へ一層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、Ｄへ化合物の筆分子膜または単分子
累積膜は、例えば次のようにして製造される。まずＤＡ
化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水相上
に展開し、これら化合物を１１！２状に展開させた展開
層を形成する。次にこの展開層が水相トを自由に拡散し
て拡がりすぎないように仕切板（または浮子）を設けて
展開層の面積を制限してＤへ化合物の集合状態を制御し
、その集合状態に比例した表面圧■を得る。この仕切板
を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合状態を制御
し、表面圧を徐々にト昇させ、累積膜の製造に適する表
面圧ｎを設定することかできる。この表面圧を維持しな
がら静かに清浄な基板あるいは表面にＢ層が形成された
基板を垂直に上ドさせることにより、Ｄ式化合物の単分
子膜が基板上あるいはＢ層上に移しとられる。四分予成
はこのようにして製造されるが、単分子層累積１反は、
前記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の単分子
層累積膜が形成される。

単分子膜を基板上に移すには、ト述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法が採用できる。水
平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる方法
で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて
単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述した垂
直浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親水性である
基板を水中から引きＦげると、一層目はＯＡ化合物の親
水基が基板側に向いた単分子層が基板上に形成される。

基板を上下させると、各行程ごとに一層ずつ単分子膜が
積層されていく。成膜分子の向きが引Ｅげ行程と浸漬行
程で逆になるので、この方法によると、各層間は親水Ｊ
、こと親水基、疎水基と疎水基か向かい合うＹ型膜が形
成される。

これに対し、水モ付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、ＤＡ化合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板りに形成される。この方法では、累
積しても、ＤＡ化合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたＸ型膜が形成され
る。反対に全ての層において親木基が基板側に向いた累
積膜はＺ型１１ＴＡと呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

ｒｐ分子層を基板Ｆに移す方法は、これらに限定される
わけではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロール
から水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る
。また、前述した親水基、疎水基の基板への向きは原則
であり、基板の表面処理等によって変えることもできる
。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面とコロイ
ド」４９８〜５０７頁、丸善刊、に記載されている。

なお、ＯＡ化合物の単分子膜または単分子累積膜からな
るＡ層３は、ＯＡ化合物単独よりなる膜であることが好
ましいが、少量の添加剤化合物を含む膜であってもよい
。

一方、ジエン化合物塩５は両親媒性物質ではないので、
単独ではしＢ法によっては単分子１１％を形成すること
はできない。しかし、例えばステアリン酸、アラギジン
酸などの高級脂肪酸のような両親媒性のバランスの適度
に保たれた有機高分子を担体弁ｔとして任意の比率で混
合使用することによりＬＢ法を適用することができる。

すなわち、少なくとも一つの化合物において両親媒性の
バランスが保たれていれば、水面ヒに単分子層か形成さ
れ、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、結局全
体として分子秩序性のある単分子層が形成されるからで
ある。

１７たがって、ジエン化合物ｍ　５１ｉ１坤の単分子１
１＋Ｑまたはその累積膜を形成することは困難であるが
、ジエン化合物塩５を含有する単分子膜またはその累積
膜である８層４は、両親媒性物質を併用することにより
ＬＢ法で容易に形成することができる。

この手法を採用することにより、Ａ層３と８層４が交互
に累積積層された膜はＬＢ法により容易に形成すること
ができ、このような累積膜は異種の分ｔの累積積層が含
まれるので、以Ｆ、ヘテロ累積膜と称する。

このようなヘテロ累積膜は、先に第１図および第２図に
も例示したが、例えば以下のような態様で形成すること
ができる。

■奇数番目の層が０＾化合物の単分子膜で、偶数番目の
層がジエン化合物塩を含有する低分子１漠であるヘテロ
累積膜、 ■累積度２のＤ式化合物の単分子累積１反と累積度６の
ジエン化合物塩を含有するｉｌｉ分子累積膜との積層が
交互に何回か繰り返されたヘテロ累積膜、 ■Ｄ八へ合物の単分子＋１５４またはその累積膜とジエ
ン化合物塩を含有する単分子膜またはその累積膜とが任
息な非周期的な順序で積層されたベテロ累積膜、 このようにして、基板上に形成されるペテロ累積膜は、
高密度で高度な秩序性を有しているので、場所による光
吸収のバラツキは極めて小さい。したがって、このよう
な膜によって記録層を構成することにより、ＤＡ化合物
とジエン化合物塩との機能に応じた光記録、熱的記録の
可能な高密度、高解像度の記録機能を有する記録媒体が
得られる。

なお、ト述したようにして形成されたＤ式化合物。

の単分子膜またはその累積膜からなるＡ層３は、紫外線
を照射することにより、単分子膜またはその累積膜と、
して形成されたＤ式化合物が重合したものであってもよ
い。

本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことが可能であるが、以下に光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する゛ト導体レーザーによる記録の機構につき
簡略に説明する。

Ｄ式化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層
に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体化
合物へと変化する。この重合は紫外線の照射等によって
起り、単に熱エネルギーを加えるたけでは生じない。こ
の重合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎｍに最大吸収
波長を存するようになり、青色乃至暗色へと変化する。

この重合に基つく色相の変化は不可逆変化であり、一度
青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明膜へとは戻ら
ない。また、この青色乃至暗色へ変化したポリアセチレ
ン誘導体化合物を約５０℃以上に加熱すると今度は約５
４０ｎｍに最大吸収波長を仔するようになり、赤色膜へ
と変化する。この変化も不可逆変化である。

したがって、本発明の光記録媒体を用いた光記録は次の
ような機構により実施される。

先ず本発明の記録媒体の記録層全体に紫外線を照射する
と記録層中のＤＡ化合物が重合しポリアセチレン誘導体
化合物へ変化することにより、記録層２は青色乃至暗色
の膜へと変化する。次いで、この記録媒体の所定の位置
に情報信号に応じて点滅する波長８００〜８５０ｎｍの
半導体レーザービーム７を照射すると、ポリアセチレン
誘導体化合物はこのレーザービーム７を吸収しないが、
第３ａ図に示されるように、８層４中のジエン化合物塩
５はこのレーザービーム７を吸収し発熱する（発熱部位
を８で示した。）このジエン化合物塩４の発熱が各層の
接合面を介してＡ層３のポリアセチレン誘導体化合物に
伝わり、赤色へと変化する。かくして、第３ｂ図に示さ
れるように、人力情報に応じて記録層上の記録部位９の
色変化による光記録が実施される。

〔発明の効果〕

本発明の光記録媒体の効果を以下に列挙する。

（１）記録層中のＤ式化合物およびジエン化合物塩がそ
れぞれ（混合）昨分予成またはその累積膜として形成さ
れているので、記録層は高密度で高度な秩序性を有して
おり、したがって高密度で均質な記録が可能である。

（２）記録層が輻射線吸収層と感熱変色層との接合面を
皿板１打するペテロ膜として形成されているので、伝熱
効率が高く極めて高感度である。

（３）大面積の支持体に対しても高度に均質な記録層を
安価に製造することが可能である。

（４）記録層が８００〜８５０ｒ＋ｍの波長域の赤外線
を吸収し発熱するジエン化合物塩を含有しているので、
　８００〜８５０ｎｍの波長域の赤外線を放射する小型
軽量の半導体レーザーを用いた記録が可能である。

（５）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。

〔実ｈ’ｃｉ例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ （静化合物屯分子−膜の作製） 一般式Ｃｌ２Ｈ２ＳＣ三Ｃ−Ｃ三Ｃ−ＣＢＨ，６−Ｇｏ
叶て表わされるジアセチレン誘導体化合物をクロロホル
ムにＩｘｌＯ−３モル／１の濃度で溶解した溶液を、ｐ
Ｈか（ｉ、５で塩化カドミニウム濃度がｌＸｌ０−’モ
ル／ｌの水相にに展開した。溶媒のクロロホルムを除去
した後、表面圧を一定に保ちながら、十分に清浄し、表
面が親水性となっているガラス基板（既にジエン化合物
塩を含有する羊分予成から構成される累積膜等が形成さ
れている場合を含む）を、水面を横切る方向にト下速度
１．０ｃｍ／分で静かに所定の回数−トドさせ（途中、
乾燥工程を実施する）、Ｄ＾化合物の単分子膜を基板上
に移しとり、単分子−膜またはｆ１１分子累積膜を形成
した。

〔ジエン化合物塩を含有する単分子膜の作製〕前記の化
合物／ａｌで表わされるジエン化合物塩１ｆｆｉ川部と
アラキシン酸２爪量部をクロロホルムに　ｌＸｌ０−３
モル／ｌの濃度で溶解した溶液を、ｐｌ＋か６．５で塩
化カドミニウム濃度か　ｌＸｌ０−３モル／ｌの水相上
に展開した。溶媒のクロロホルムを除去した後、表面圧
を一定に保ちなから、１分に清浄し、表面か親水性とな
っているガラス基板（既にＤＡ化合物の単分子膜から構
成される累積膜等が形成されている場合を含む）を、水
面を横切る方向に上ｆ速度１　、０ｃｍ／分で静かに所
定の回数ＦＦさせ（途中、乾燥工程を実施する）、ジエ
ン化合物塩を含有する単分子膜を基板上に移しとり、単
分子膜または単分子累積膜を形成した。

〔ペテロ累積膜の作製〕

−Ｆ記した、ＤＡ化合物単小分膜およびジエン化合物塩
を含有する単分子膜の作製プロセスを基本として、これ
らの操作を適宜組合せて実施することにより　８種のへ
テロ累積膜をガラス基板上に作製した。このようにして
作製したベテロ累積ＩＩ！２（光記録媒体）を第１表に
示した。なお、光記録媒体の構成を示す記号、番号の意
味を下記に例示する。

■Ｇ　／　２０ＤＥ／　６０Ｄ八／２０ＤＥカラス基板
（Ｇ）ｌに、累積度２０のジエン化合物塩を含有する単
分子累積膜→累積度６０のＤＡ化合物の単分子累積膜→
累積度２０のジエン化合物塩を含有する単分子累積膜、
の順で積層して構成された光記録媒体。

■Ｇ／ｆｏｘ　　（２ＤＥ／　　６Ｄ八）カラス基板（
Ｇ）ヒに、累積度２のジエン化合物塩を含有する単分子
累積膜と累積度６のＤへ化合物の単分子累積膜との積層
の組合せか、１０回繰り返され積層して構成された光記
録媒体。

比較例１ カラス基板上にＤＡ化合物の４１層の単分子累積膜のみ
を形成した記録媒体を作製した。

比較例２ カラス基板上にスパッタリンク法により、膜厚１５００
人の［；ｄ−Ｔｂ−Ｆｃによる輻射線吸収層を設けた。

この基板の輻射線吸収層上に、４１層の単分子累積膜を
形成した光記録媒体を作製した。

記録試験１ 実施例１および比較例１．２で作成した光記録媒体に２
５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青
色膜にした。次に出力３ｍＷ、波長８３０ｎｍ、ビーム
径１μｍの半導体レーザービームを人力情報にしたがい
、各光記録媒体表面の所定位置に照射（照射時間２００
ｎｓ／ヒツト）シ、青色の記録層上に赤色の記録画像を
形成した。

この記録結果の評価を第１表に示した。評価は画像解像
度および画像濃度の良否により判定し、特に良好なもの
を◎、良好なものを○、記録ができないあるいは不良な
ものを×とした。また、記録感度は、同じ出力でレーサ
ービームの照射時間を変更したときに、判読可能な変色
記録を実施するのに必要な最小照射時間で評価した。

第１表 比較例３ 前記の化合物遂４て表わされるチオジエン化合物塩３１
［ｊ　’−：に部とニトロセルロース　Ｈ１量部とを塩
化メチレン２０屯ｌＩ七部に溶解した溶液を塗布液とし
調整した。この塗布液をスピナー塗布機に装着したガラ
ス製のディスク基板（厚さ　１　、５ｍｍ、直径２００
ｍｍ　）の中央部に少量滴丁した後、所定の回転数て所
定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し、基
板上の乾燥後の塗膜の厚みか１０００人の光記録媒体を
作成した。

一記録試験２ 比較例３の記録媒体について、紫外線照射を実施せずに
直接半導体レーザービームを入力情報にしたがい、記録
試験１と同じ出力で光記録媒体表面の所定位置に照射時
間を種々変更して記録層表面上に照射（照射時間５００
ｎｓ〜５μｓ／Ｉビツト）し、ビットを形成することに
よる記録を実施した。顕微鏡で観察した結果、この光記
録媒体においては、一つのピットを明瞭に形成するには
４μｓ以北の照射時間を要することが判明した。

実施例２ 一般式Ｃｌ２Ｈ２５−Ｃミ（ニーＣ＝Ｃ−Ｃ３Ｈ１６−
Ｇｏ叶で表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
一般式ＣＢＨ１７−ＣＥ（ニーＣ＝Ｃ−Ｃ２）（４−（
：００１１で表わされるジアセチレン誘導体化合物を用
いたことを除いては、実施例１と同様の方法により光記
録媒体を作成した。

実施例３〜７ 化合物Ａ、　ｌで表わされるジエン化合物塩に代え、化
合物Ａ／ｌＬ３、８．１２．１５および２０で表わされ
るジエン化合物塩をそれぞれ用いたことを除いては実施
例１と同様の方法により実施例１の試料番号４と同じ層
構成の光記録媒体を作成した。

記録試験３ 実施例２〜８で作成した光記録媒体を用いて、記録試験
１と同様にして記録試験を実施した。この記録結果の評
価を第２表に示した。

第２表

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の光記録媒体の構成を例
示する模式断面図である。第３ａ図および第３ｂ図は、
本発明の光記録媒体を用いた記録の一態様を例示する模
式断面図である。 １：基板　　　　　　２：記録層 ３：Ａ層（ジアセチレン誘導体化合物含有層）４：８層
　　　　　　５ニジ工ン化合物塩６：仔機担体分子　　
７：レーザービーム８：発熱部位 ９：赤色変色部位（記録部位）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
   からなるＡ層と、下記一般式（１）または（２）で表わ
   される化合物の一種以上を含有してなる単分子膜または
   その累積膜からなるＢ層とが積層されてなり、かつＡ層
   とＢ層との接合面を二以上有してなる記録層を有するこ
   とを特徴とする光記録媒体。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有してもよいフ
   ェニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾
   ６は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
   し、Ｒ＾３およびＲ＾７は、置換基を有してもよいフェ
   ニル基またはナフチル基を表わし、Ｒ＾４はアルコキシ
   基を表わし、Ｒ＾５はアルキル基を表し、Ａはアニオン
   残基を表す。） ２）記録層が、Ａ層とＢ層とが周期的に積層されて構成
   されたものである特許請求の範囲第１項記載の光記録媒
   体。