JPS62145058A - 4−メルカプトベンゾニトリル類の製造方法および新規な4−メルカプトベンゾニトリル類 - Google Patents
4−メルカプトベンゾニトリル類の製造方法および新規な4−メルカプトベンゾニトリル類Info
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- JPS62145058A JPS62145058A JP61284447A JP28444786A JPS62145058A JP S62145058 A JPS62145058 A JP S62145058A JP 61284447 A JP61284447 A JP 61284447A JP 28444786 A JP28444786 A JP 28444786A JP S62145058 A JPS62145058 A JP S62145058A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C323/00—Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、4−ハロゲノベンゾニトリル類から4−メル
カプトベンゾニトリル類を製造する方法および新規な4
−メルカプトベンゾニトリル類に関するものである。
カプトベンゾニトリル類を製造する方法および新規な4
−メルカプトベンゾニトリル類に関するものである。
これまでは、未置換の4−メルカプトベンゾニトリルだ
けが知られていた。これは、4−アミノベンゾニトリル
をジアゾ化し、その後キサントゲン酸カリウム溶液と反
応させ、そして反応生成物を鹸化することにより、製造
できる(ドイツ公開明細書2.905.992参照、収
率46%)。
けが知られていた。これは、4−アミノベンゾニトリル
をジアゾ化し、その後キサントゲン酸カリウム溶液と反
応させ、そして反応生成物を鹸化することにより、製造
できる(ドイツ公開明細書2.905.992参照、収
率46%)。
その他、それは液体アンモニアの存在下における4−ク
ロロベンゾニトリルと硫化水素ナトリウムの反応中にも
少量で生成する(日本化学会誌(4)、766−770
頁(1972)参照、収。
ロロベンゾニトリルと硫化水素ナトリウムの反応中にも
少量で生成する(日本化学会誌(4)、766−770
頁(1972)参照、収。
率23%、主な生成物:4−クロロ−チオベンズアミド
、その他の生成物:4−メルカプトチオベンズアミド)
。
、その他の生成物:4−メルカプトチオベンズアミド)
。
4−メルカプトベンゾニトリルをある種のシクロヘキサ
ン誘導体類と反応させることができる。
ン誘導体類と反応させることができる。
それにより製造される生成物類は、表示部品の製造用の
ネマチック性の液体結晶性生成物類として適している(
ドイツ公開明細書2 、905 、992参照)。
ネマチック性の液体結晶性生成物類として適している(
ドイツ公開明細書2 、905 、992参照)。
従って、4−メルカプトベンゾニトリルを簡単にしかも
良好な収率で製造できるような方法が要望されている。
良好な収率で製造できるような方法が要望されている。
今、式(I)
[式中、
R1,R2,R3およびR4は、互いに独立して、各場
′合とも水素、ハロゲン、シアニド、任意に置換されて
いてもよい低級アルキルまたは任意に置換されていても
よい低級アルコキシを表わす] の4−メルカプトベンゾニトリル類の製造方法にバ3
’4 [式中、 R,−R4は式(1)に対して示されている意味を有し
、そして Xはハロゲン原子を表わす] の4−ハロゲノベンゾニトリル類を不活性溶媒の存在下
で硫化ナトリウムまたは硫化水素ナトリウムと反応させ
、そして次に酸性化させることを特徴とする方法を見出
した。
′合とも水素、ハロゲン、シアニド、任意に置換されて
いてもよい低級アルキルまたは任意に置換されていても
よい低級アルコキシを表わす] の4−メルカプトベンゾニトリル類の製造方法にバ3
’4 [式中、 R,−R4は式(1)に対して示されている意味を有し
、そして Xはハロゲン原子を表わす] の4−ハロゲノベンゾニトリル類を不活性溶媒の存在下
で硫化ナトリウムまたは硫化水素ナトリウムと反応させ
、そして次に酸性化させることを特徴とする方法を見出
した。
式(I)および(II )においてR,、R2、R3お
よび/またはR4がハロゲンを示す場合には、これは例
えば弗素、塩素または臭素であることができる。ハロゲ
ンはこの場合好適には塩素を表わす0式(I)および(
II )においてR1、R2,R3および/またはR4
が任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは低級
アルコキシを示す場合には、例えば未置換のもしくは置
換されたc、−C6−アルキル基がこの中に存在でき、
適当な置換基の例は1個以上のハロゲン原子、特に弗素
原子、である。任意に置換されていてもよい低級アルキ
ル基および低級アルコキシ基は好適には、未置換のもし
くは1〜3個の弗素原子により置換されているCm−c
4−アルキル基を含有している。メチルおよびトリフル
オロメチルがここでは特に好適である。
よび/またはR4がハロゲンを示す場合には、これは例
えば弗素、塩素または臭素であることができる。ハロゲ
ンはこの場合好適には塩素を表わす0式(I)および(
II )においてR1、R2,R3および/またはR4
が任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは低級
アルコキシを示す場合には、例えば未置換のもしくは置
換されたc、−C6−アルキル基がこの中に存在でき、
適当な置換基の例は1個以上のハロゲン原子、特に弗素
原子、である。任意に置換されていてもよい低級アルキ
ル基および低級アルコキシ基は好適には、未置換のもし
くは1〜3個の弗素原子により置換されているCm−c
4−アルキル基を含有している。メチルおよびトリフル
オロメチルがここでは特に好適である。
好適には、式(I)および(II )においてR1,R
2,R3およびR4のうちの3個は水素を表わし、そし
てこれらの基の第4番目は水素、ハロゲン、シアニド、
任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは任意に
置換されていてもよい低級アルコキシを表わす。
2,R3およびR4のうちの3個は水素を表わし、そし
てこれらの基の第4番目は水素、ハロゲン、シアニド、
任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは任意に
置換されていてもよい低級アルコキシを表わす。
式(II)において、Xは好適には弗素、塩素または臭
素、特に好適には塩素、を表わす。
素、特に好適には塩素、を表わす。
特に、4−メルカプトベンゾニトリル、4−メルカプト
−5−フルオロベンゾニトリル、4−メルカプト−5−
クロロベンゾニトリル、4−メルカプト−5−ブロモベ
ンゾニトリル、4−メルカプト−5−メチルベンゾニト
リル、4−メルーカブト−5−)リフルオロメチルベン
ゾニトリル、2−クロロ−4−メルカプトベンゾニトリ
ル、2−トリフルオロメチル−4−メルカプトベンゾニ
トリルおよび2−シアノ−4−メルカプトベンゾニトリ
ルが例えば適当な4−クロロ−ベンゾニトリル類から本
発明に従う方法により製造できる。
−5−フルオロベンゾニトリル、4−メルカプト−5−
クロロベンゾニトリル、4−メルカプト−5−ブロモベ
ンゾニトリル、4−メルカプト−5−メチルベンゾニト
リル、4−メルーカブト−5−)リフルオロメチルベン
ゾニトリル、2−クロロ−4−メルカプトベンゾニトリ
ル、2−トリフルオロメチル−4−メルカプトベンゾニ
トリルおよび2−シアノ−4−メルカプトベンゾニトリ
ルが例えば適当な4−クロロ−ベンゾニトリル類から本
発明に従う方法により製造できる。
本発明に従う方法で使用される式(II)の化合物類は
公知であるかまたはそれ自体は公知である簡単な方法で
対応するカルボン酸類から製造できる。
公知であるかまたはそれ自体は公知である簡単な方法で
対応するカルボン酸類から製造できる。
硫化ナトリウムは例えば純粋な形で使用することもでき
、または市販のままですなわち結晶水および/または少
量の不純物類(例えば多硫化物類および/またはチオ硫
酸塩類)を含有している形状で使用することもできる。
、または市販のままですなわち結晶水および/または少
量の不純物類(例えば多硫化物類および/またはチオ硫
酸塩類)を含有している形状で使用することもできる。
硫化水素ナトリウムも同様に純粋な形でまたは工業用製
品状で使用できる。含水硫化ナトリウムまたは硫化水素
ナトリウノ・を使用する時には、式(II)の化合物類
の添加前に、例えば不活性気体を硫化ナトリウムまたは
硫化水素ナトリウムと不活性有機溶媒の混合物中に高温
において通すことにより水を除去することが有利である
。1モルの式(II )の化合物当たり例えば0.8〜
1.5モルの硫化すトリウムを使用できる。この量は好
適には1.05〜1.2モルである。1モルの式(II
)の化合物当たり例えば2〜4モルの硫化水素ナトリ
ウムを使用できる。この量は好適には2.5〜3モルで
ある。硫化ナトリウムの使用が好ましい。
品状で使用できる。含水硫化ナトリウムまたは硫化水素
ナトリウノ・を使用する時には、式(II)の化合物類
の添加前に、例えば不活性気体を硫化ナトリウムまたは
硫化水素ナトリウムと不活性有機溶媒の混合物中に高温
において通すことにより水を除去することが有利である
。1モルの式(II )の化合物当たり例えば0.8〜
1.5モルの硫化すトリウムを使用できる。この量は好
適には1.05〜1.2モルである。1モルの式(II
)の化合物当たり例えば2〜4モルの硫化水素ナトリ
ウムを使用できる。この量は好適には2.5〜3モルで
ある。硫化ナトリウムの使用が好ましい。
本発明に従う方法用の適当な不活性有機溶媒類の例は、
N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ヘキサ
メチル燐酸トリアミド、ジメチルアセトアミドおよびN
−メチルカプロラクタム、または他のN、N−二置換さ
れた開鎖もしくは環式カルボキサミド類である。数種の
溶媒類を使用することもできる。N−メチルピロリドン
が好ましい。溶媒または溶媒類は好適には、反応混合物
を容易に攪拌できるような量で、使用される。
N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ヘキサ
メチル燐酸トリアミド、ジメチルアセトアミドおよびN
−メチルカプロラクタム、または他のN、N−二置換さ
れた開鎖もしくは環式カルボキサミド類である。数種の
溶媒類を使用することもできる。N−メチルピロリドン
が好ましい。溶媒または溶媒類は好適には、反応混合物
を容易に攪拌できるような量で、使用される。
本発明に従う反応は大気圧において実施できるが、減圧
または加圧下でも実施できる。大気圧またはわずかな加
圧、例えば1〜5バールの範囲の圧力、が好適である。
または加圧下でも実施できる。大気圧またはわずかな加
圧、例えば1〜5バールの範囲の圧力、が好適である。
本発明に従う反応用に適している温度は例えば90〜1
80°Cのものである。120〜160℃の温度が好適
である。
80°Cのものである。120〜160℃の温度が好適
である。
一般に、反応は1〜lO時間後に完了する。混合物を次
に、例えば鉱酸水溶液を使用して、好適には5%強度塩
酸ないし濃塩酸を使用して、酸性化する。ここで酸の量
は例えば、酸の添加後に3より低い、好適にはO〜2の
、pHが生じるように、調節できる。酸性化は例えば−
10〜+50℃の範囲の温度において実施でき、0〜2
0°Cの範囲の温度がここでは好ましい。
に、例えば鉱酸水溶液を使用して、好適には5%強度塩
酸ないし濃塩酸を使用して、酸性化する。ここで酸の量
は例えば、酸の添加後に3より低い、好適にはO〜2の
、pHが生じるように、調節できる。酸性化は例えば−
10〜+50℃の範囲の温度において実施でき、0〜2
0°Cの範囲の温度がここでは好ましい。
溶媒は好適には4−ハロゲノベンゾニトリルと硫化ナト
リウムまたは硫化水素ナトリウムとの反応の反応混合物
から(例えば蒸留により)除去され、残った残渣を水中
に加え、そして次にまだ存在している残渣を酸性化の開
始前に濾過により除去する。
リウムまたは硫化水素ナトリウムとの反応の反応混合物
から(例えば蒸留により)除去され、残った残渣を水中
に加え、そして次にまだ存在している残渣を酸性化の開
始前に濾過により除去する。
酸性化の後に、製造された式(I)の4−メルカプトベ
ンゾニトリルは特にこの間に20℃より低い温度が保た
れる時には結晶化し、そしてそれを例えば遠心または癌
過により分離できる。例えばこの方法で単離された式(
I)の4−メルカプトベンゾニトリルを例えば塩化メチ
レンの如き溶媒に加え、活性炭を加え、短時間後にこれ
を濾別し、濾液を例えば硫酸マグネシウムの添加により
乾燥し、そして次に蒸留することにより、特に純度の高
い生成物類が得られる。
ンゾニトリルは特にこの間に20℃より低い温度が保た
れる時には結晶化し、そしてそれを例えば遠心または癌
過により分離できる。例えばこの方法で単離された式(
I)の4−メルカプトベンゾニトリルを例えば塩化メチ
レンの如き溶媒に加え、活性炭を加え、短時間後にこれ
を濾別し、濾液を例えば硫酸マグネシウムの添加により
乾燥し、そして次に蒸留することにより、特に純度の高
い生成物類が得られる。
本発明に従う方法は式(I)の4−メルカプトベンゾニ
トリルを良好な収率で与える。これらは一般に理論値の
80%以上である。不活性溶媒の代わりの液体アンモニ
アの存在下における4−クロロベンゾニトリルと硫化水
素ナトリウムとの反応ではニトリル基はチオアミド基に
転化され易くそして少量の4−メルカプトベンゾニトリ
ルだけが得られるため、このことは全く予期されなかっ
た結果である(日本化学会誌(4)、7667770百
(1972’)参照)。
トリルを良好な収率で与える。これらは一般に理論値の
80%以上である。不活性溶媒の代わりの液体アンモニ
アの存在下における4−クロロベンゾニトリルと硫化水
素ナトリウムとの反応ではニトリル基はチオアミド基に
転化され易くそして少量の4−メルカプトベンゾニトリ
ルだけが得られるため、このことは全く予期されなかっ
た結果である(日本化学会誌(4)、7667770百
(1972’)参照)。
式(III)
[式中、
R5,R6,R7およびR8は、互いに独立して、各場
合とも水素、)\ロゲン、シアニド、任意に置換されて
いてもよい低級アルキルまたは任意に置換されていても
よい低級アルコキシを表わし、これらの基の少なくとも
1個は水素以外の意味を有するコ の新規な4−メルカプトベンゾニトリル類も見出した。
合とも水素、)\ロゲン、シアニド、任意に置換されて
いてもよい低級アルキルまたは任意に置換されていても
よい低級アルコキシを表わし、これらの基の少なくとも
1個は水素以外の意味を有するコ の新規な4−メルカプトベンゾニトリル類も見出した。
式(III)においてR5,R6,R7および/または
R8がハロゲンを示す場合には、これは例えば弗素、塩
素または臭素であることができる。この場合、ハロゲン
は好適には塩素を表わす。式%式% R8が任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは
低級アルコキシを示す場合には、例えば未置換のもしく
は置換されたc、−C6−アルキル基がこの中に存在で
き、適当な置換基の例は1個以上のハロゲン原子、特に
弗素原子、である。任意に置換されていてもよい低級ア
ルキル基および低級アルコキシ基は好適には、未置換の
もしくは1〜3個の弗素原子により置換されているC1
−04−アルキル基を含有している。メチルおよびトリ
フルオロメチルがここでは特に好適である。
R8がハロゲンを示す場合には、これは例えば弗素、塩
素または臭素であることができる。この場合、ハロゲン
は好適には塩素を表わす。式%式% R8が任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは
低級アルコキシを示す場合には、例えば未置換のもしく
は置換されたc、−C6−アルキル基がこの中に存在で
き、適当な置換基の例は1個以上のハロゲン原子、特に
弗素原子、である。任意に置換されていてもよい低級ア
ルキル基および低級アルコキシ基は好適には、未置換の
もしくは1〜3個の弗素原子により置換されているC1
−04−アルキル基を含有している。メチルおよびトリ
フルオロメチルがここでは特に好適である。
好適には、式(III)中(7)Rs 、 Rs 、R
y オヨびR8のうちの3個は水素を表わし、そしてこ
れらの基の第4番目はハロゲン、シアニド、任意に置換
されていてもよい低級アルキルまたは任意に置換されて
いてもよい低級アルコキシを表わす。
y オヨびR8のうちの3個は水素を表わし、そしてこ
れらの基の第4番目はハロゲン、シアニド、任意に置換
されていてもよい低級アルキルまたは任意に置換されて
いてもよい低級アルコキシを表わす。
特に好適な式(m)の新規な4−メルカプトベンゾニト
リル類は、4−メルカプト−5−フルオロベンゾニトリ
ル、4−メルカプト−5−クロロベンゾニトリル、4−
メルカプト−5−ブロモベンゾニトリル、4−メルカプ
ト−5−メチルベンゾニトリル、4−メルカプト−5−
トリフルオロメチルベンゾニトリル プトベンゾニトリル、2−メチル−4−メルカプトベン
ゾニトリル、2−トリフルオロメチル−4−メルカプト
ベンゾニトリルおよび2−シアノ−4−メルカプトベン
ゾニトリルである。
リル類は、4−メルカプト−5−フルオロベンゾニトリ
ル、4−メルカプト−5−クロロベンゾニトリル、4−
メルカプト−5−ブロモベンゾニトリル、4−メルカプ
ト−5−メチルベンゾニトリル、4−メルカプト−5−
トリフルオロメチルベンゾニトリル プトベンゾニトリル、2−メチル−4−メルカプトベン
ゾニトリル、2−トリフルオロメチル−4−メルカプト
ベンゾニトリルおよび2−シアノ−4−メルカプトベン
ゾニトリルである。
本発明に従う式(III)の新規な4−メルカプトベン
ゾニトリル類は上記の如くして製造できる。
ゾニトリル類は上記の如くして製造できる。
新規な4−メルカプトベンゾニトリル類は最初“に記さ
れている未置換の4−メルカプトベンゾニトリルと同じ
方法で使用できる。
れている未置換の4−メルカプトベンゾニトリルと同じ
方法で使用できる。
しかしながら、式(III)の新規な4−メルカプトベ
ンゾニトリル類を酸類用の結合剤の存在下でそして適宜
希釈剤の存在下で30〜150℃において式(IV) [式中、 R9.RloおよびR11は、互いに独立して、各場合
ともハロゲン、アルキル、任意に置換されていてもよい
アルコキシ、ハロゲノアルキル、アルケニルまたは任意
に置換されていてもよいアミンを表わすか、或いはR9
およびRloまたはRloおよびIhtが一緒になって
3−〜6ー員の縮合炭素環式環を表わし、ここで基R9
、RloおよびR11のうちの少なくとも1個はアルキ
ルまたは3−〜6ー員の炭素環式環の一部を表わし、Z
は窒素原子またはCH基を表わし、モしてHalは塩素
または臭素を表わす] のピリ(ミ)ジン誘導体類と反応させることもでき、そ
して式(V) [式中、 R5,R6.R7.R8.R9.R+。、R11および
Zは上記の意味を有する]のピリ(ミ)ジル−チオベン
ゾニトリル類がこのようにして得られる。
ンゾニトリル類を酸類用の結合剤の存在下でそして適宜
希釈剤の存在下で30〜150℃において式(IV) [式中、 R9.RloおよびR11は、互いに独立して、各場合
ともハロゲン、アルキル、任意に置換されていてもよい
アルコキシ、ハロゲノアルキル、アルケニルまたは任意
に置換されていてもよいアミンを表わすか、或いはR9
およびRloまたはRloおよびIhtが一緒になって
3−〜6ー員の縮合炭素環式環を表わし、ここで基R9
、RloおよびR11のうちの少なくとも1個はアルキ
ルまたは3−〜6ー員の炭素環式環の一部を表わし、Z
は窒素原子またはCH基を表わし、モしてHalは塩素
または臭素を表わす] のピリ(ミ)ジン誘導体類と反応させることもでき、そ
して式(V) [式中、 R5,R6.R7.R8.R9.R+。、R11および
Zは上記の意味を有する]のピリ(ミ)ジル−チオベン
ゾニトリル類がこのようにして得られる。
対応するカルボン酸類は式(V)の化合物類から一般的
な方法によるCN基の鹸化により製造でき,そして式(
VI) [式中、 R5,R6,R7.Re.R9.R1 o、R1 tお
よびZは上記の意味を有し、そしてR12はハロゲン、
−o−so2−アリールまたは O 一OーCーOーアルキル基を表わす] の化合物類はこれらのカルボン酸類またはそれらの全屈
もしくは第三級アンモニウム塩類からそれ自体は公知で
ある方法で、無機酸ハライド類、アリールスルホニルク
ロライド類またはアルキルクロロカーボネート類を使用
して、適宜m類用の結合剤および/または希釈剤の存在
下で、0〜100°Cにおいて製造できる。
な方法によるCN基の鹸化により製造でき,そして式(
VI) [式中、 R5,R6,R7.Re.R9.R1 o、R1 tお
よびZは上記の意味を有し、そしてR12はハロゲン、
−o−so2−アリールまたは O 一OーCーOーアルキル基を表わす] の化合物類はこれらのカルボン酸類またはそれらの全屈
もしくは第三級アンモニウム塩類からそれ自体は公知で
ある方法で、無機酸ハライド類、アリールスルホニルク
ロライド類またはアルキルクロロカーボネート類を使用
して、適宜m類用の結合剤および/または希釈剤の存在
下で、0〜100°Cにおいて製造できる。
式(■)
[式中、
R5,R6,R7,R8,R9,R10、RIl、RI
3.ZおよびYは上記の意味を有する] の化合物類は式(Vl)の化合物類から、適宜酸類用の
結合剤および/または希釈剤の存在下で、式%式%() [式中、 Yは酸素、硫黄、または基−N−もしくは−N−のうち
の一方を表わし、 −RI S ここでRI4は水素または各場合とも任意に置換されて
いてもよいアルキルもしくはアルケニルを示し、そして RISは水素または各場合とも任意に置換されていても
よいアルキルもしくはアルケニルを示し、そして R13は任意に置換されていでもよい飽和もしくは不飽
和のアルキルを表わす] の化合物類と反応させることにより製造できる。
3.ZおよびYは上記の意味を有する] の化合物類は式(Vl)の化合物類から、適宜酸類用の
結合剤および/または希釈剤の存在下で、式%式%() [式中、 Yは酸素、硫黄、または基−N−もしくは−N−のうち
の一方を表わし、 −RI S ここでRI4は水素または各場合とも任意に置換されて
いてもよいアルキルもしくはアルケニルを示し、そして RISは水素または各場合とも任意に置換されていても
よいアルキルもしくはアルケニルを示し、そして R13は任意に置換されていでもよい飽和もしくは不飽
和のアルキルを表わす] の化合物類と反応させることにより製造できる。
式([)の化合物類は除草剤性、特に選択的な除草剤性
、を有し、そしてさらに植物生長調節性質も有する。
、を有し、そしてさらに植物生長調節性質も有する。
驚くべきことに、式(■)の化合物類は当技術の現状か
ら公知でありそして化学的およびそれらの活性に関して
同様な化合物類であるピリジルおよびピリミジルエーテ
ル類並びにチオエーテル類より顕著に改良された有害植
物類に対する総合的除草剤活性を示す。さらに、式(■
)の化合物類は植物生長調節活性も示す。
ら公知でありそして化学的およびそれらの活性に関して
同様な化合物類であるピリジルおよびピリミジルエーテ
ル類並びにチオエーテル類より顕著に改良された有害植
物類に対する総合的除草剤活性を示す。さらに、式(■
)の化合物類は植物生長調節活性も示す。
27.7g(0,21モル)の硫化ナトリウムX3H2
0を200m1のN−メチルピロリドンと混合し、そし
て160°Cにおいて窒素を使用して脱水した。混合物
を次に140℃に冷却し、そして27.5g(0,2モ
ル)の4−クロロベンゾニトリルを加えた。160℃に
おける3時間の反応時間後に、N−メチルピロリドンを
蒸留により除去し、残渣を250 m lの水中に加え
、濾過し、そして温度を冷却により20°C以下に保ち
なから濾液を10%強度塩酸水溶液を使用してpH1に
調節した。混合物を次に吸引濾過し、il!過残渣を塩
化メチレン中に加え、活性炭を加え、混合物を再び濾過
し、濾液を硫酸マグネシウム上で乾燥し、濃縮し、そし
て蒸留した。0.1ミリバールにおける88〜90℃の
沸点および48〜50℃の融点を有する23g(理論値
の8″5%)の純粋な4−メルカプトベンゾニトリルが
この方法で得られた。
0を200m1のN−メチルピロリドンと混合し、そし
て160°Cにおいて窒素を使用して脱水した。混合物
を次に140℃に冷却し、そして27.5g(0,2モ
ル)の4−クロロベンゾニトリルを加えた。160℃に
おける3時間の反応時間後に、N−メチルピロリドンを
蒸留により除去し、残渣を250 m lの水中に加え
、濾過し、そして温度を冷却により20°C以下に保ち
なから濾液を10%強度塩酸水溶液を使用してpH1に
調節した。混合物を次に吸引濾過し、il!過残渣を塩
化メチレン中に加え、活性炭を加え、混合物を再び濾過
し、濾液を硫酸マグネシウム上で乾燥し、濃縮し、そし
て蒸留した。0.1ミリバールにおける88〜90℃の
沸点および48〜50℃の融点を有する23g(理論値
の8″5%)の純粋な4−メルカプトベンゾニトリルが
この方法で得られた。
Xム且ヱニl
実施例1に記されている工程を実施したが、置換された
4−クロロベンゾニトリル類を使用した。各場合に使用
した4−クロロベンゾニトリル類、単離された反応生成
物類およびこれらを同定するデータを表1に示す。
4−クロロベンゾニトリル類を使用した。各場合に使用
した4−クロロベンゾニトリル類、単離された反応生成
物類およびこれらを同定するデータを表1に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、 R_1、R_2、R_3およびR_4は、互いに独立し
て、各場合とも水素、ハロゲン、シアニ ド、任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは任
意に置換されていてもよい低級アルコキシを表わす] の4−メルカプトベンゾニトリル類の製造方法において
、式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、 R_1−R_4は式( I )に対して示されている意味
を有し、そして Xはハロゲン原子を表わす] の4−ハロゲノベンゾニトリル類を不活性有機溶媒の存
在下で硫化ナトリウムまたは硫化水素ナトリウムと反応
させ、そして次に酸性化させることを特徴とする方法。 2)式( I )および(II)において基R_1、R_2
、R_3および/またはR_4が水素、弗素、塩素、臭
素、シアニド、任意にハロゲン原子により置換されてい
てもよいC_1−C_6−アルキル基、または任意にハ
ロゲン原子により置換されていてもよいC_1−C_6
−アルコキシ基を表わすことを特徴とする、特許請求の
範囲第1項記載の方法。 3)式( I )および(II)において基R_1、R_2
、R_3およびR_4のうちの3個が水素を表わし、そ
してこれらの基の第4番目が水素、ハロゲン、シアニド
、任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは任意
に置換されていてもよい低級アルコキシを表わすことを
特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方法。 4)N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチル燐酸トリアミド、ジメチルアセトアミドおよ
び/またはN−メチルカプロラクタムを溶媒として使用
することを特徴とする、特許請求の範囲第1〜3項の何
れかに記載の方法。 5)1モルの式(II)の化合物当たり0.8〜1.5モ
ルの硫化ナトリウムまたは2〜4モルの硫化水素ナトリ
ウムを使用することを特徴とする、特許請求の範囲第1
〜4項の何れかに記載の方法。 6)3より低いpHを与えるのに充分な酸を用いて酸性
化を行なうことを特徴とする、特許請求の範囲第1〜5
項の何れかに記載の方法。 7)式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) [式中、 R_5、R_6、R_7およびR_8は、互いに独立し
て、各場合とも水素、ハロゲン、シアニ ド、任意に置換されていてもよい低級アルキルまたは任
意に置換されていてもよい低級アルコキシを表わし、こ
れらの基の少なくとも1個は水素以外の意味を有する] の新規な4−メルカプトベンゾニトリル類。 8)式(III)においてR_5、R_6、R_7および
/またはR_8が水素、弗素、塩素、臭素、シアニド、
任意にハロゲン原子により置換されていてもよいC_1
−C_6−アルキル基、または任意にハロゲン原子によ
り置換されていてもよいC_1−C_6も1個が水素以
外の意味を有することを特徴とする、特許請求の範囲第
7項記載の新規な4−メルカプトベンゾニトリル類。 9)それらが4−メルカプト−5−フルオロベンゾニト
リル、4−メルカプト−5−クロロベンゾニトリル、4
−メルカプト−5−プロモベンゾニトリル、4−メルカ
プト−5−メチルベンゾニトリル、4−メルカプト−5
−トリフルオロメチルベンゾニトリル、2−クロロ−4
−メルカプトベンゾニトリル、2−メチル−4−メルカ
プトベンゾニトリル、2−トリフルオロメチル−4−メ
ルカプトベンゾニトリルまたは2−シアノ−4−メルカ
プトベンゾニトリルであることを特徴とする、特許請求
の範囲第7および8項の何れかに記載の新規な4−メル
カプトベンゾニトリル類。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3543036.2 | 1985-12-05 | ||
DE19853543036 DE3543036A1 (de) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | Verfahren zur herstellung von 4-mercaptobenzonitrilen und neue 4-mercaptobenzonitrile |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62145058A true JPS62145058A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=6287728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61284447A Pending JPS62145058A (ja) | 1985-12-05 | 1986-12-01 | 4−メルカプトベンゾニトリル類の製造方法および新規な4−メルカプトベンゾニトリル類 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0224849B1 (ja) |
JP (1) | JPS62145058A (ja) |
DE (2) | DE3543036A1 (ja) |
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IE63544B1 (en) * | 1988-10-18 | 1995-05-17 | Fournier Ind & Sante | Novel Beta-d-phenylthioxylosides their method of preparation and their use in therapy |
FR2638749B1 (fr) * | 1988-10-18 | 1993-10-15 | Fournier Innovation Synergie | Nouveaux (beta)-d-phenyl-thioxylosides, leur procede de preparation et leur utilisation en therapeutique |
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---|---|---|---|---|
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AU7622874A (en) * | 1973-12-12 | 1976-06-10 | Diamond Shamrock Corp | Benzenes pesticidal organosulfur derivatives of tetrachlorodicyano |
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JPS60163857A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Hitachi Ltd | 2−フルオロ−4−チオベンゾニトリルの合成方法 |
JPH0641454B2 (ja) * | 1985-02-27 | 1994-06-01 | 日産化学工業株式会社 | ピリダジノン誘導体 |
-
1985
- 1985-12-05 DE DE19853543036 patent/DE3543036A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-11-25 EP EP86116337A patent/EP0224849B1/de not_active Expired
- 1986-11-25 DE DE8686116337T patent/DE3662097D1/de not_active Expired
- 1986-12-01 JP JP61284447A patent/JPS62145058A/ja active Pending
- 1986-12-04 US US06/937,935 patent/US4841089A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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---|---|
DE3662097D1 (en) | 1989-03-23 |
EP0224849B1 (de) | 1989-02-15 |
EP0224849A1 (de) | 1987-06-10 |
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US4841089A (en) | 1989-06-20 |
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