JPS62141960A - 故障検出装置 - Google Patents
故障検出装置Info
- Publication number
- JPS62141960A JPS62141960A JP60282405A JP28240585A JPS62141960A JP S62141960 A JPS62141960 A JP S62141960A JP 60282405 A JP60282405 A JP 60282405A JP 28240585 A JP28240585 A JP 28240585A JP S62141960 A JPS62141960 A JP S62141960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- signal
- circuit
- transistor
- failure detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
- H02H7/10—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers
- H02H7/12—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for converters; for rectifiers for static converters or rectifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
- H02M1/092—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08124—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in thyristor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/105—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in thyristor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、自己消弧形素子を？！数個直列接続して構成
される電力変換装置の素子故障検出装置に関する。
される電力変換装置の素子故障検出装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
自己消弧形素子（ここでは、ゲートターンオフサイリス
タ（ＧＴＯ）を例に説明する）を複数個直列接続して構
成されるインバータ装置において、素子故障を検出し電
位の互いに異なる故障検出信号を、低電位の制御回路へ
伝送する従来の故１１ｉ１検出回路を第４図に示す。
タ（ＧＴＯ）を例に説明する）を複数個直列接続して構
成されるインバータ装置において、素子故障を検出し電
位の互いに異なる故障検出信号を、低電位の制御回路へ
伝送する従来の故１１ｉ１検出回路を第４図に示す。
ＧＴＯ素子１〜４は、各々、素子故障検出回路６１〜６
４ （ＧＴＯのゲート・カソード間のインピーダンスが
正常時と異常時で変化することを利用し検出する回路で
ある。）を備えている。
４ （ＧＴＯのゲート・カソード間のインピーダンスが
正常時と異常時で変化することを利用し検出する回路で
ある。）を備えている。
第４図に記載された素子故障検出回路６１〜Ｇ４を第５
図のブロック図を参照して説明する。第５図（ａ ＞は
素子故障検出回路を示すブロック図、（１））はその動
作を説明するタイムチャートを示す。第４図と同一ある
いは、同相当部分には同一符号を付してその説明を省略
する。図示しないオフゲートパルス信号により駆動され
る１−ランジスタＱ！を介して、素子故障検出回路６１
に入力される信号ＳＡの立ち上り時点ｔｏより、設定さ
れた時刻Ｔｄ経過後、判定パルスＳ８は、パルス幅Ｔｗ
としてバッファ回路６１Ｆより出力される。
図のブロック図を参照して説明する。第５図（ａ ＞は
素子故障検出回路を示すブロック図、（１））はその動
作を説明するタイムチャートを示す。第４図と同一ある
いは、同相当部分には同一符号を付してその説明を省略
する。図示しないオフゲートパルス信号により駆動され
る１−ランジスタＱ！を介して、素子故障検出回路６１
に入力される信号ＳＡの立ち上り時点ｔｏより、設定さ
れた時刻Ｔｄ経過後、判定パルスＳ８は、パルス幅Ｔｗ
としてバッファ回路６１Ｆより出力される。
ＧＴＯのゲート・カソード間に発生する逆電圧は、ツェ
ナーダイオード６１Ｃ、フォトカプラ６１Ｂ１抵抗６１
ａを介して、絶縁された検出信号としてＮＯＴ回路６１
ｄより、波形整形され、Ｓｏの信号となる。ＧＴＯが正
常な場合、検出信号Ｓ０は第５図（ｂ）に示すように、
時刻ｔｏより「１Ｊ→「０」に変化する。従って上記の
ように所定の時刻ｔｄ後の判定パルスＳ８が出力されて
もＮＡＮＤ回路６１Ｇの出力は「０」のままである。も
し、素子が異常になった場合、ＧＴＯのゲート・カソー
ド間逆電圧検出信号Ｓｏは、時刻ｔｏより点線で示すよ
うにＮＪのままである。この時のＧＴＯのゲート・カソ
ード間の逆電圧波形の一例を第５図（ｂ ）のＶＱＫ波
形点線部で示す。従って、ｔｏより［ｄ経過後、出力さ
れた判定パルス＄６と、ＳｏのＮＡＮＤ回路出力Ｓｃは
、第５図（ｂ）Ｓｃの点線波形のように、故障検出信号
を発し、フリップフロップ ６１Ｈをセットする。フリ
ップフロップ６１Ｈの出力は、抵抗６１１を介して、１
〜ランジスタロ１Ｊのベースを駆動し、トランジスタ６
１Ｊのオンにより、抵抗６１Ｋ、発光ダイオード８１を
駆動し、ライトガイド１０１を介して、低圧制御回路へ
故障信号を伝送する。第４図において素子故障を検出す
ると故障検出信号は第５図で説明した通り発光素子８１
〜８４、ライトガイド１０１〜１０４、受光素子９１〜
９４、低電位の制御回路１７へ光伝送される。素子故障
検出回路６１〜６４は、互いに電位の異なる位置に設け
られる。そのため、素子故障回路６１〜６４は、低電位
の電源１１５より、各々絶縁変圧器１１１〜１１４を介
して電力が供給される。インバータ装置がより高圧化、
大容量化されると、１アームの素子直列数も増加し、装
置全体の素子数も増加する。同時に素子故障検出回路の
光伝送系も増加するという欠点があった。
ナーダイオード６１Ｃ、フォトカプラ６１Ｂ１抵抗６１
ａを介して、絶縁された検出信号としてＮＯＴ回路６１
ｄより、波形整形され、Ｓｏの信号となる。ＧＴＯが正
常な場合、検出信号Ｓ０は第５図（ｂ）に示すように、
時刻ｔｏより「１Ｊ→「０」に変化する。従って上記の
ように所定の時刻ｔｄ後の判定パルスＳ８が出力されて
もＮＡＮＤ回路６１Ｇの出力は「０」のままである。も
し、素子が異常になった場合、ＧＴＯのゲート・カソー
ド間逆電圧検出信号Ｓｏは、時刻ｔｏより点線で示すよ
うにＮＪのままである。この時のＧＴＯのゲート・カソ
ード間の逆電圧波形の一例を第５図（ｂ ）のＶＱＫ波
形点線部で示す。従って、ｔｏより［ｄ経過後、出力さ
れた判定パルス＄６と、ＳｏのＮＡＮＤ回路出力Ｓｃは
、第５図（ｂ）Ｓｃの点線波形のように、故障検出信号
を発し、フリップフロップ ６１Ｈをセットする。フリ
ップフロップ６１Ｈの出力は、抵抗６１１を介して、１
〜ランジスタロ１Ｊのベースを駆動し、トランジスタ６
１Ｊのオンにより、抵抗６１Ｋ、発光ダイオード８１を
駆動し、ライトガイド１０１を介して、低圧制御回路へ
故障信号を伝送する。第４図において素子故障を検出す
ると故障検出信号は第５図で説明した通り発光素子８１
〜８４、ライトガイド１０１〜１０４、受光素子９１〜
９４、低電位の制御回路１７へ光伝送される。素子故障
検出回路６１〜６４は、互いに電位の異なる位置に設け
られる。そのため、素子故障回路６１〜６４は、低電位
の電源１１５より、各々絶縁変圧器１１１〜１１４を介
して電力が供給される。インバータ装置がより高圧化、
大容量化されると、１アームの素子直列数も増加し、装
置全体の素子数も増加する。同時に素子故障検出回路の
光伝送系も増加するという欠点があった。
［発明の目的〕
本発明は前述の点に化みなされたものであって、１アー
ムに対し１本のライトガイドを設けることにより、１つ
のアームを構成する素子のいずれかが故障しても、その
故障信号を低圧側に伝送することが出来る故障検出装置
を提供することを目的とする。
ムに対し１本のライトガイドを設けることにより、１つ
のアームを構成する素子のいずれかが故障しても、その
故障信号を低圧側に伝送することが出来る故障検出装置
を提供することを目的とする。
［発明の概要］
本発明は上記目的を達成するために、１アームを構成す
る素子のいずれかに故障が発生しても、該故障を順次伝
送可能にするために、各素子毎に光絶縁素子（フォトカ
プラ）を設け、故障信号を伝送出来るようにしたもので
ある。
る素子のいずれかに故障が発生しても、該故障を順次伝
送可能にするために、各素子毎に光絶縁素子（フォトカ
プラ）を設け、故障信号を伝送出来るようにしたもので
ある。
［発明の実施例コ
第１図は本発明の一実施例を示す。第４図と同一あるい
は同相当部分には同一符号を付してその説明を省略する
。素子数１１ｉ検出回′ｎ１６１〜６４を含む光絶縁回
路１１〜１４及び光信号回路１５は高電位部にある。発
光素子８、ライトガイド１０、受光素子９は高電位部の
信号を低電位にある光−電気変換回路１６を介して、制
御回路１７へ光伝送する。光絶縁回路１１〜１４は、光
絶縁素子２１〜２４、抵抗３１〜３４．７１〜７４、ト
ランジスタ４１〜４４．５１〜５４より構成される。
は同相当部分には同一符号を付してその説明を省略する
。素子数１１ｉ検出回′ｎ１６１〜６４を含む光絶縁回
路１１〜１４及び光信号回路１５は高電位部にある。発
光素子８、ライトガイド１０、受光素子９は高電位部の
信号を低電位にある光−電気変換回路１６を介して、制
御回路１７へ光伝送する。光絶縁回路１１〜１４は、光
絶縁素子２１〜２４、抵抗３１〜３４．７１〜７４、ト
ランジスタ４１〜４４．５１〜５４より構成される。
光信号駆動回路１５は光絶縁素子２５、抵抗３５゜７５
、トランジスタ４５より構成される。光−電気変換回路
１６は、抵抗２６，７６、トランジスタ４６、ＩＣゲー
ト８６より構成される。
、トランジスタ４５より構成される。光−電気変換回路
１６は、抵抗２６，７６、トランジスタ４６、ＩＣゲー
ト８６より構成される。
次に、第１図を参照して、本発明の詳細な説明する。Ｇ
Ｔ○素子１が故障したと仮定する。素子故障検出回路６
１で故障を検出すると、検出回路６１は、ＧＴＯｌのゲ
ートどブロックするとともに、トランジスタ５１にベー
ス信号を供給し、トランジスタ５１はオンする。トラン
ジスタ５１がオンすることにより、次段の光絶縁回路１
２内の光絶縁素子２２に光駆動電流が抵抗７１を介して
供給される。光絶縁回路１２では、光絶縁素子２２が光
駆動されることにより、トランジスタ４２に抵抗３２を
介してベース電流が供給されオンする。
Ｔ○素子１が故障したと仮定する。素子故障検出回路６
１で故障を検出すると、検出回路６１は、ＧＴＯｌのゲ
ートどブロックするとともに、トランジスタ５１にベー
ス信号を供給し、トランジスタ５１はオンする。トラン
ジスタ５１がオンすることにより、次段の光絶縁回路１
２内の光絶縁素子２２に光駆動電流が抵抗７１を介して
供給される。光絶縁回路１２では、光絶縁素子２２が光
駆動されることにより、トランジスタ４２に抵抗３２を
介してベース電流が供給されオンする。
トランジスタ４２がオンすることにより、次段の光絶縁
回路１３内の光絶縁素子２３に、抵抗７２を介して光駆
動電流が供給される。
回路１３内の光絶縁素子２３に、抵抗７２を介して光駆
動電流が供給される。
以下同様に、光絶縁回路１３内のトランジスタ４３がオ
ンすることにより、光絶縁回路１４内の光絶縁素子２４
が光駆動され、トランジスタ４４がオンする。トランジ
スタ４４がオンするごとにより、光駆動回路１５内の光
絶縁素子２５が光駆動され、抵抗３５を介してトランジ
スタ４５へベース電流を供給する。トランジスタ４５が
オンすることにより発光素子８は抵抗７５を介して、光
駆動電流が供給され、ライトガイド１０へ光信号を出力
する。ライトガイド１０を通って伝送された光信号は受
光素子９を光駆動し、光−電気変換回路１６内のトラン
ジスタ４６へ抵抗２６を介してベース電流を供給する。
ンすることにより、光絶縁回路１４内の光絶縁素子２４
が光駆動され、トランジスタ４４がオンする。トランジ
スタ４４がオンするごとにより、光駆動回路１５内の光
絶縁素子２５が光駆動され、抵抗３５を介してトランジ
スタ４５へベース電流を供給する。トランジスタ４５が
オンすることにより発光素子８は抵抗７５を介して、光
駆動電流が供給され、ライトガイド１０へ光信号を出力
する。ライトガイド１０を通って伝送された光信号は受
光素子９を光駆動し、光−電気変換回路１６内のトラン
ジスタ４６へ抵抗２６を介してベース電流を供給する。
光−電気変換回路１６の出力は、制御回路１７へ故障信
号を供給する。
号を供給する。
以上のように構成した故障検出回路によれば、光絶縁素
子２１〜２４は互いに、ＧＴＯ素子１〜４の各々１個分
の電位を絶縁する耐圧を有ずればよく、又、従来、各Ｇ
ＴＯ素子毎に必要であった電気−光−電気の伝送回路も
、ＧＴＯを複数個直列接続した１アームに１回路膜けれ
ばよく、従来に比して大幅に低減できる。
子２１〜２４は互いに、ＧＴＯ素子１〜４の各々１個分
の電位を絶縁する耐圧を有ずればよく、又、従来、各Ｇ
ＴＯ素子毎に必要であった電気−光−電気の伝送回路も
、ＧＴＯを複数個直列接続した１アームに１回路膜けれ
ばよく、従来に比して大幅に低減できる。
前述の説明は、直列接続された場合を例として説明した
が、並列接続の場合も同様に実施出来ることは説明する
までもなく明らかである。
が、並列接続の場合も同様に実施出来ることは説明する
までもなく明らかである。
又、各光絶縁回路１１〜１４内において、故障信号の論
理和をとる回路は、第２図に示すようにＩＣ６１１を用
いて構成し、光絶縁素子２１の駆動による信号をトラン
ジスタ４１と抵抗３１１でレベル変換し、素子故障検出
回路６１の出力とｌ０６１１で論理和をとってもよい。
理和をとる回路は、第２図に示すようにＩＣ６１１を用
いて構成し、光絶縁素子２１の駆動による信号をトラン
ジスタ４１と抵抗３１１でレベル変換し、素子故障検出
回路６１の出力とｌ０６１１で論理和をとってもよい。
ＩＣ６１１の出力は、抵抗７１１を介してトランジスタ
５１にベース電流を供給し、次段の光絶縁回路１２の光
絶縁素子２２を光駆動する。
５１にベース電流を供給し、次段の光絶縁回路１２の光
絶縁素子２２を光駆動する。
一方、光絶縁回路間の伝送方法も、１１から１４へ伝送
する以外に、第３図（ａ ）に示すように、１４から１
１へ伝送するように構成してもよく、第３図（ｂ）に示
すように１１→１２→１３と伝送し、１４→１３から伝
送された信号と、１３で論理和をとるように構成して、
伝送遅れ時間を低減するようにしてもよい。
する以外に、第３図（ａ ）に示すように、１４から１
１へ伝送するように構成してもよく、第３図（ｂ）に示
すように１１→１２→１３と伝送し、１４→１３から伝
送された信号と、１３で論理和をとるように構成して、
伝送遅れ時間を低減するようにしてもよい。
なお、光絶縁回路としてフォト・カブラを用いたが、ラ
イトガイドなどを用いた他の手段でももちろ／υよい。
イトガイドなどを用いた他の手段でももちろ／υよい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、各々の故障信号を
高′電位部で論理和をとりながら、順次伝送することに
より、複数個の素子の故障検出を１アームに対して１個
の電気−光一電気伝送回路を用いればよく、光伝送系が
大幅に低減できる効果の多大な故障検出装置を提供する
ことができる。
高′電位部で論理和をとりながら、順次伝送することに
より、複数個の素子の故障検出を１アームに対して１個
の電気−光一電気伝送回路を用いればよく、光伝送系が
大幅に低減できる効果の多大な故障検出装置を提供する
ことができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成図、第２図及び
第３図＜ａ）、（ｂ）は本発明のそれぞれ異なる池の実
施例を示す構成図、第４図は従来装置の実施例を示す構
成図、第５図（ａ）、（ｔ＋）は第４図の故障検出回路
の動作を説明するための詳細図及び動作波形図である。 １〜４・・・ＧＴＯ１１１〜１４・・・光絶縁回路、８
１〜８４・・・発光素子、９１〜９４・・・受光素子、
１０１〜１０４・・・ライトガイド、１１１〜１１４・
・・絶縁変圧器、６１〜６４・・・素子故障検出回路、
１７・・・制御回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１因 第４図 第５図
第３図＜ａ）、（ｂ）は本発明のそれぞれ異なる池の実
施例を示す構成図、第４図は従来装置の実施例を示す構
成図、第５図（ａ）、（ｔ＋）は第４図の故障検出回路
の動作を説明するための詳細図及び動作波形図である。 １〜４・・・ＧＴＯ１１１〜１４・・・光絶縁回路、８
１〜８４・・・発光素子、９１〜９４・・・受光素子、
１０１〜１０４・・・ライトガイド、１１１〜１１４・
・・絶縁変圧器、６１〜６４・・・素子故障検出回路、
１７・・・制御回路。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１因 第４図 第５図
Claims (1)
- アームを構成する素子が複数個の半導体素子で構成され
る変換装置の素子故障を低圧側にて検知し得るようにし
た故障検出装置において、各アームにそれぞれ素子に対
応して設けられる複数国の素子故障検出回路及び該素子
故障検出回路によつて付勢される複数個の第１のスイッ
チング素子と、各素子に対応して設けられる入力電気信
号を光信号に変換し更に出力電気信号に変換するフォト
カプラ等の光絶縁素子と、各素子に対応して設けられ前
記光絶縁素子の出力電気信号によって付勢される第２の
スイッチング素子と、１つのアームに共通に設けられ少
なくとも電気信号を光信号に変換する電気−光変換回路
と、該回路の光信号を低圧側に故障信号として伝送する
ライトガイドとから成り、前記光絶縁素子の入力電気信
号を自己以外の素子に対応して設けられている前記第１
又は第２のスイッチング素子を介して与えるようにした
ことを特徴とする故障検出装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282405A JPS62141960A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 故障検出装置 |
| EP86117188A EP0226174B1 (en) | 1985-12-16 | 1986-12-10 | Fault detector apparatus |
| DE8686117188T DE3684420D1 (de) | 1985-12-16 | 1986-12-10 | Fehlerdetektor. |
| US06/941,836 US4747036A (en) | 1985-12-16 | 1986-12-15 | Fault detector apparatus having serial fault-detection signal path |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282405A JPS62141960A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 故障検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141960A true JPS62141960A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17651979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60282405A Pending JPS62141960A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 故障検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4747036A (ja) |
| EP (1) | EP0226174B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62141960A (ja) |
| DE (1) | DE3684420D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5309346A (en) * | 1991-09-16 | 1994-05-03 | Westinghouse Electric Corp. | Transmission line fault current dynamic inverter control |
| DE9301023U1 (de) † | 1993-01-26 | 1993-05-19 | Electromatic Industri A/S, Hadsten | Halbleiterrelais |
| JP3434556B2 (ja) * | 1994-01-10 | 2003-08-11 | 富士通株式会社 | 信号線切替え回路 |
| US5579215A (en) * | 1994-09-08 | 1996-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power conversion device with snubber energy regenerating circuit |
| US6926437B2 (en) * | 2002-09-10 | 2005-08-09 | Gerhardt Van Drie | Gravity powered mixer system |
| TW588499B (en) * | 2002-12-30 | 2004-05-21 | Ind Tech Res Inst | Programmable photocoupler-isolated wide band modulator fore high voltage power supply |
| CN103326590B (zh) * | 2013-07-08 | 2015-06-10 | 荣信电力电子股份有限公司 | 控制动力半导体器件构成串联阀组的电源装置 |
| US10928435B2 (en) | 2019-07-15 | 2021-02-23 | The Boeing Company | Electrical fault detector and method of use |
| CN110474550B (zh) * | 2019-08-21 | 2020-11-10 | 阳光电源股份有限公司 | 一种飞跨电容型npc三电平拓扑 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1521349A (fr) * | 1966-08-23 | 1968-04-19 | Comp Generale Electricite | Perfectionnements aux dispositifs de commande de thyristors en série, notamment dans le cas de colonnes, comportant un grand nombre de thyristors en série, alimentéessous haute tension |
| SE364412B (ja) * | 1972-06-21 | 1974-02-18 | Asea Ab | |
| SE364826B (ja) * | 1972-07-10 | 1974-03-04 | Asea Ab | |
| US4384248A (en) * | 1979-06-22 | 1983-05-17 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for detecting shortcircuit in arm of GTO inverter |
| JPS56136023A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Toshiba Corp | Pulse amplifying circuit |
| JPS5725162A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-09 | Fuji Electric Co Ltd | Antiparallel thyristor firing device by light auxiliary thyristor |
| DE3227901C2 (de) * | 1982-07-26 | 1985-01-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Zündschaltung für in Reihe geschaltete Thyristoren |
| JPS5932319A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-21 | 富士電機株式会社 | サイリスタスイツチ故障監視方式 |
| US4597038A (en) * | 1984-07-26 | 1986-06-24 | Westinghouse Electric Corp. | Switching overlap protection by control gate impedance monitoring |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60282405A patent/JPS62141960A/ja active Pending
-
1986
- 1986-12-10 DE DE8686117188T patent/DE3684420D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-10 EP EP86117188A patent/EP0226174B1/en not_active Expired
- 1986-12-15 US US06/941,836 patent/US4747036A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0226174A3 (en) | 1988-08-31 |
| EP0226174B1 (en) | 1992-03-18 |
| EP0226174A2 (en) | 1987-06-24 |
| DE3684420D1 (de) | 1992-04-23 |
| US4747036A (en) | 1988-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9748831B2 (en) | Power conversion device and method for transmitting protection signal using the same | |
| CN101542885B (zh) | 高压输电***中的冗余电流阀控制 | |
| JP6030224B2 (ja) | 通信プロトコル | |
| KR101661937B1 (ko) | 반도체 디바이스 제어에서의 개선된 신뢰도 | |
| JPS6337575B2 (ja) | ||
| JP2974469B2 (ja) | 信号伝送回路 | |
| JPS62141960A (ja) | 故障検出装置 | |
| CN111355428A (zh) | 安全转矩关断电路及其应用的电机控制*** | |
| US4597038A (en) | Switching overlap protection by control gate impedance monitoring | |
| US4365164A (en) | Vital contact isolation circuit | |
| JP2008236994A (ja) | 半導体電力変換装置の故障検出装置 | |
| JPH10285909A (ja) | 電源自給式のゲート回路 | |
| US5170334A (en) | Bypass-pair control apparatus for thyristor bridge | |
| KR102485425B1 (ko) | 파워 디바이스 제어 시스템 | |
| JPH09148987A (ja) | 光学繊維伝送システム | |
| CN113037058A (zh) | SiC功率器件驱动装置和牵引*** | |
| KR940003771B1 (ko) | 복수의 조명기구를 원격제어하는 시스템 | |
| JP2666939B2 (ja) | 半導体スイツチング素子の駆動回路 | |
| JP2011066984A (ja) | 自励式電力変換装置及びそのゲートタイミング調整方法 | |
| JPH01235413A (ja) | 静電誘導サイリスタ回路の異常検出回路 | |
| JPH01194857A (ja) | ベース駆動回路 | |
| KR0120771Y1 (ko) | 인버터 암의 쇼트 방지장치 | |
| JPH05191966A (ja) | 電力設備用半導体駆動素子制御装置 | |
| JP2024031449A (ja) | 電力変換装置及び電力変換装置の制御方法 | |
| JPS63257327A (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路 |