JPS62136230A - ドライエツチング排ガスの処理方法 - Google Patents
ドライエツチング排ガスの処理方法Info
- Publication number
- JPS62136230A JPS62136230A JP60277363A JP27736385A JPS62136230A JP S62136230 A JPS62136230 A JP S62136230A JP 60277363 A JP60277363 A JP 60277363A JP 27736385 A JP27736385 A JP 27736385A JP S62136230 A JPS62136230 A JP S62136230A
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- JP
- Japan
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- dry etching
- exhaust gas
- gas
- etching exhaust
- sulfite
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野コ
本発明は主としてフッ素系ガスを用いるドライエツチン
グ排ガスの処理方法に関する。
グ排ガスの処理方法に関する。
[従来の技術]
近年集積回路の微細化の要求は高まるはかりで−1のエ
ツチング工程はドライエツチング化の方向にあり、半導
体素子材料であるP −St 、5t3N4、SiO□
のエツチングも% HF% NH4F等の水溶液によ
るウェットエツチングから、フッ素系ガスを用いるドラ
イエツチングが採用されるようになってきた。
ツチング工程はドライエツチング化の方向にあり、半導
体素子材料であるP −St 、5t3N4、SiO□
のエツチングも% HF% NH4F等の水溶液によ
るウェットエツチングから、フッ素系ガスを用いるドラ
イエツチングが採用されるようになってきた。
ドライエツチングに用いられるフッ素系ガスとしては、
CF4、C2F6、C3F8、CCjF 3、CCl2
F3、CCt3Fs CBrF3、SF6 等があ
げられ、これらガスは単独或いは二種以上の混合ガスと
して用いられたり、さらに02 、H2s N2、C2
0等のガスを添加した混合ガスとして用いられる。ドラ
イエツチングに使用されたこれらのガスは、装置円でプ
ラズマ化されるため化学反応によって変化し、殆んどの
場合檀々な毒性ガスおよび安全上問題となるガスを含ん
で排出される。
CF4、C2F6、C3F8、CCjF 3、CCl2
F3、CCt3Fs CBrF3、SF6 等があ
げられ、これらガスは単独或いは二種以上の混合ガスと
して用いられたり、さらに02 、H2s N2、C2
0等のガスを添加した混合ガスとして用いられる。ドラ
イエツチングに使用されたこれらのガスは、装置円でプ
ラズマ化されるため化学反応によって変化し、殆んどの
場合檀々な毒性ガスおよび安全上問題となるガスを含ん
で排出される。
これらガスとしては、F2、COF2、叩、SiF
SF N0% NO2,03などがあり、4
% 4 % このうち安全上も問題となるガスとしては、プラスチッ
ク材料およびパラフィン系オイルと反応するNQX、、
03、F2#である。特にNOxはパラフィン系オイル
と反応して硼酸エステル叫爆発性化合物を生成Tる。
SF N0% NO2,03などがあり、4
% 4 % このうち安全上も問題となるガスとしては、プラスチッ
ク材料およびパラフィン系オイルと反応するNQX、、
03、F2#である。特にNOxはパラフィン系オイル
と反応して硼酸エステル叫爆発性化合物を生成Tる。
しかし、従来上記排ガスの処理は、水洗浄によル[−が
行なわれているのみで、排ガス成分に適した効果的な処
理法は全く検討されていないのが実情である。
行なわれているのみで、排ガス成分に適した効果的な処
理法は全く検討されていないのが実情である。
除去を必要とする排ガス成分は、大別するとゴ、SiF
COF2、SF4 等の酸性ガスと、4 ゝ 03、F2、NOx等の酸化性ガスとに分類され、その
処理法としては、吸着法、気相触媒反応法、湿式法等が
ある。しかし、排ガス成分を、JMt、た場脅、吸着法
は危険物質が@縮されるため安全上採用し難く、気相触
媒反応法は費用がかがシ経済性の面で難点がある。
COF2、SF4 等の酸性ガスと、4 ゝ 03、F2、NOx等の酸化性ガスとに分類され、その
処理法としては、吸着法、気相触媒反応法、湿式法等が
ある。しかし、排ガス成分を、JMt、た場脅、吸着法
は危険物質が@縮されるため安全上採用し難く、気相触
媒反応法は費用がかがシ経済性の面で難点がある。
そのため、本発明者等は湿式法について鋭意研究を重ね
た結果、アルカリ洗浄または水洗浄によっては酸性ガス
のみが除去され、酸化性ガスの効果的な除去が行なわれ
ないが、亜硫酸塩が酸化性ガスの除去に極めて肩効なこ
とを知見した。
た結果、アルカリ洗浄または水洗浄によっては酸性ガス
のみが除去され、酸化性ガスの効果的な除去が行なわれ
ないが、亜硫酸塩が酸化性ガスの除去に極めて肩効なこ
とを知見した。
本発明は上記の知見に基づいて開発されたもので、湿式
法によって酸性ガスおよび酸化性ガスを共に除去するド
ライエツチング排ガスの処理方法を提供することを目的
とする。
法によって酸性ガスおよび酸化性ガスを共に除去するド
ライエツチング排ガスの処理方法を提供することを目的
とする。
〔問題点を解決するための手段]
本発明は上記の目的を達成するためになされたもので、
その要旨は、フッ素系ガスを用いるドライエツチング排
ガスの処理方法において、ドライエツチング排ガスを亜
硫酸塩水溶液にアンモニア水、炭酸アンモニウム、重炭
酸アンモニウムのうちの1種または2種以上を加えた混
合水溶液で洗浄す乞ドライエツチング排ガスの処理方法
にある。
その要旨は、フッ素系ガスを用いるドライエツチング排
ガスの処理方法において、ドライエツチング排ガスを亜
硫酸塩水溶液にアンモニア水、炭酸アンモニウム、重炭
酸アンモニウムのうちの1種または2種以上を加えた混
合水溶液で洗浄す乞ドライエツチング排ガスの処理方法
にある。
[発明の臭体的栴成および作用]
以下本発明の詳細な説明する。
本発明の方法においては、洗浄液としてアルカリ水溶液
と亜硫酸水溶液とを混合して用いるが、半導体工場では
アルカリ金M1アルカリ土類金属が忌避されるため、ア
ルカリ源としてアンモニア水または炭酸アンモニウムが
使用される。ま九、亜硫酸塩としては、アルカリ金属、
アルカリ土類金属以外の亜硫酸塩が用いられるが、特に
亜硫酸アンモニウムが好ましい。
と亜硫酸水溶液とを混合して用いるが、半導体工場では
アルカリ金M1アルカリ土類金属が忌避されるため、ア
ルカリ源としてアンモニア水または炭酸アンモニウムが
使用される。ま九、亜硫酸塩としては、アルカリ金属、
アルカリ土類金属以外の亜硫酸塩が用いられるが、特に
亜硫酸アンモニウムが好ましい。
1汎、OH% (NH,)2Co3、N)I4HCO
,を含んだ(N)i4)2803 水溶液は、−5以上
、好ましくは7〜9にルM整ぢれる。龜度は排ガス成分
によって異なシ、条件により803″″−議度=0.1
〜2 mob/ハCO3−−: 0.1 〜2 n
o L / 1. MH40H二 0.1〜1 m
oL / L の範囲にF1贅される。この範囲は厳密
なものではないが、うすすぎると、吸収保有量が少な過
ぎ、纏過ぎると、吸収生成物の紬度が高くlシ好ましく
ない、また、洗浄温度は、低いと吸収反応速記が遅(好
ましぐないが、室温以上であれば問題はない。
,を含んだ(N)i4)2803 水溶液は、−5以上
、好ましくは7〜9にルM整ぢれる。龜度は排ガス成分
によって異なシ、条件により803″″−議度=0.1
〜2 mob/ハCO3−−: 0.1 〜2 n
o L / 1. MH40H二 0.1〜1 m
oL / L の範囲にF1贅される。この範囲は厳密
なものではないが、うすすぎると、吸収保有量が少な過
ぎ、纏過ぎると、吸収生成物の紬度が高くlシ好ましく
ない、また、洗浄温度は、低いと吸収反応速記が遅(好
ましぐないが、室温以上であれば問題はない。
上記排ガス成分のうち酸性ガス、例えば)IP%81F
COF2、SF4、SOF等は混合洗浄液中のア
ルカリと(11〜(5)に示す反応式に従って反応除去
される。
COF2、SF4、SOF等は混合洗浄液中のア
ルカリと(11〜(5)に示す反応式に従って反応除去
される。
(NH4)2Co3+2HP→2 NH4F’+H2
CO3・・・・・・・・・・・・1llQCN)14)
2G03+3SiF4+H2O−2(団、)2sty、
+5i((II) 4+2IZ2CO3・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・(2)4NH40)1+cO)’−(に、)2
CO3+2旧、F’+2)120・・・・・・(31S
F4+(NH,)2Co3→2Nl(4F+SOF 2
+CO□ ・・・・・・・・・(412(NU、、)2
Co3+5OF2− (Nf(4)2So3+ 2NH
4F +2C09・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・(5)ま念、酸化性ガス、例
えばNOx、、F2.03 等は亜硫酸アンモニウム
と(61〜(8)に示す式に従って反応除去される。
CO3・・・・・・・・・・・・1llQCN)14)
2G03+3SiF4+H2O−2(団、)2sty、
+5i((II) 4+2IZ2CO3・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・(2)4NH40)1+cO)’−(に、)2
CO3+2旧、F’+2)120・・・・・・(31S
F4+(NH,)2Co3→2Nl(4F+SOF 2
+CO□ ・・・・・・・・・(412(NU、、)2
Co3+5OF2− (Nf(4)2So3+ 2NH
4F +2C09・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・(5)ま念、酸化性ガス、例
えばNOx、、F2.03 等は亜硫酸アンモニウム
と(61〜(8)に示す式に従って反応除去される。
2(NH4)2S03+NO2+3H20−2NH(8
03NH4)2+3(NH4)2S04+4NH40H
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・(6)(NH4)2S03+F2+H,,0
−(NH4)2So4+2HF −・・−・(7)(N
FI4)2So3+O,−(NH4)2So4+O□・
・・・・・・・・・・・・・・(8)したがって、アン
モニア水、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウムの1
種又は2m以上を含む亜硫酸塩水が液によって洗浄する
ことによシ、ドライエツチング排ガス中に含まれる酸性
或いは酸化性の毒性首たは安全上問題となるガス成分が
、一段の洗浄によって除去することが出来る。
03NH4)2+3(NH4)2S04+4NH40H
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・(6)(NH4)2S03+F2+H,,0
−(NH4)2So4+2HF −・・−・(7)(N
FI4)2So3+O,−(NH4)2So4+O□・
・・・・・・・・・・・・・・(8)したがって、アン
モニア水、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウムの1
種又は2m以上を含む亜硫酸塩水が液によって洗浄する
ことによシ、ドライエツチング排ガス中に含まれる酸性
或いは酸化性の毒性首たは安全上問題となるガス成分が
、一段の洗浄によって除去することが出来る。
次に葵施例を示して本発明の詳細な説明する。
口実施例1〕
CF :2901nt/min、 O□: 240
−/min。
−/min。
N2 : 40 me / minを供給しているド
ライエツチング装置より排出されるガス組成を分析した
ととろ、No2 : 1450ppms O3:1
300.ppm5iF : 6500 ppm で
あった。カスハ、N2によって希釈されてbpガス量は
、2.5 L / minである。
ライエツチング装置より排出されるガス組成を分析した
ととろ、No2 : 1450ppms O3:1
300.ppm5iF : 6500 ppm で
あった。カスハ、N2によって希釈されてbpガス量は
、2.5 L / minである。
このガスを、直径:15Qsua、高さ:600鵡の充
填塔に導入し、塔頂より(NH4)2SOa: 1 m
ol/L(NH4)2C03:0.5mot/1%rH
: 8の水溶液を5t/m1rtLr:の速度で供給し
て、向流によって上記排ガスを洗浄したところ、出口ガ
ス中のN)2: 2 ppm。
填塔に導入し、塔頂より(NH4)2SOa: 1 m
ol/L(NH4)2C03:0.5mot/1%rH
: 8の水溶液を5t/m1rtLr:の速度で供給し
て、向流によって上記排ガスを洗浄したところ、出口ガ
ス中のN)2: 2 ppm。
C):5ppm 以下、SiF’4: 1 ppm以
下であつた。
下であつた。
〔実施例2〕
CF4 ’ 150 ml/ min −02: 1
5 ml/ Lを供給しているドライエツチング装置よ
り排出されるガス組成を分析したところ、Fθ:450
’9pm−03: 50(jppm、SiF : 34
00ppmであった。ガス量はN25よって希釈されて
おυ21/min である。このガスを、径: l
5 QIJL、高さ500uの充填塔に導き塔頂よ!D
(NH4)2So3:1、5 mot / As (
NH4)2Co、: 0.5 mob/l。
5 ml/ Lを供給しているドライエツチング装置よ
り排出されるガス組成を分析したところ、Fθ:450
’9pm−03: 50(jppm、SiF : 34
00ppmであった。ガス量はN25よって希釈されて
おυ21/min である。このガスを、径: l
5 QIJL、高さ500uの充填塔に導き塔頂よ!D
(NH4)2So3:1、5 mot / As (
NH4)2Co、: 0.5 mob/l。
−(ニアの水溶液を51 / min の速度で供給
し、向流で洗浄したところ、出口ガス中のF2: 2
ppm以下、03:5ppm 以下、Sin’4:
11)pm 以下であった。
し、向流で洗浄したところ、出口ガス中のF2: 2
ppm以下、03:5ppm 以下、Sin’4:
11)pm 以下であった。
〔効果コ
以上述べたように本発明の方法は、フッ素系ガスを用い
るドライエツチング排ガス中の毒性或いは安全上問題と
なる酸性および酸化性ガスを、一段の洗浄によって除去
することが出来るので、半導体製造における環境汚染を
、容易、かつ安価に防とし得る優れた方法である。
るドライエツチング排ガス中の毒性或いは安全上問題と
なる酸性および酸化性ガスを、一段の洗浄によって除去
することが出来るので、半導体製造における環境汚染を
、容易、かつ安価に防とし得る優れた方法である。
Claims (1)
- フッ素系ガスを用いるドライエッチング排ガスの処理方
法において、ドライエッチング排ガスを亜硫酸塩水溶液
にアンモニア水、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウ
ムのうちの1種または2種以上を加えた混合水溶液で洗
浄することを特徴とするドライエッチング排ガスの処理
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277363A JPS62136230A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ドライエツチング排ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277363A JPS62136230A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ドライエツチング排ガスの処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62136230A true JPS62136230A (ja) | 1987-06-19 |
JPH0149532B2 JPH0149532B2 (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=17582479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60277363A Granted JPS62136230A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | ドライエツチング排ガスの処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62136230A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999061132A1 (en) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for point-of-use abatement of fluorocompounds |
WO2000035573A1 (en) * | 1998-12-15 | 2000-06-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for point-of-use treatment of effluent gas streams |
WO2002016012A1 (fr) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Picosil | Procede d'epuration des effluents gazeux fluores |
US6759018B1 (en) | 1997-05-16 | 2004-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for point-of-use treatment of effluent gas streams |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60277363A patent/JPS62136230A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6759018B1 (en) | 1997-05-16 | 2004-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for point-of-use treatment of effluent gas streams |
WO1999061132A1 (en) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for point-of-use abatement of fluorocompounds |
WO2000035573A1 (en) * | 1998-12-15 | 2000-06-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for point-of-use treatment of effluent gas streams |
WO2002016012A1 (fr) * | 2000-08-24 | 2002-02-28 | Picosil | Procede d'epuration des effluents gazeux fluores |
FR2813205A1 (fr) * | 2000-08-24 | 2002-03-01 | Picosil | Procede d'epuration des effluents gazeux fluores |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0149532B2 (ja) | 1989-10-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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