JPH0517879Y2 - - Google Patents
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- JPH0517879Y2 JPH0517879Y2 JP16288688U JP16288688U JPH0517879Y2 JP H0517879 Y2 JPH0517879 Y2 JP H0517879Y2 JP 16288688 U JP16288688 U JP 16288688U JP 16288688 U JP16288688 U JP 16288688U JP H0517879 Y2 JPH0517879 Y2 JP H0517879Y2
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- wafers
- boat
- load lock
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- reactor
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
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- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は拡散、減圧CVD装置等の半導体製造
装置に関する。
装置に関する。
〔従来の技術とその課題〕
従来は拡散、減圧CVDとも各炉単独で膜生成
を行なつていた。このため、連続して異なつた生
成膜を必要とする場合でも一度ウエーハを大気中
に取り出してその後、他の炉に入れるとというこ
とが必要であつた。このため、大気中の酸素との
反応による自然酸化膜が、異なる生成膜の間に形
成され、最近の高集積デバイスにおいて悪影響を
及ぼすという課題がある。
を行なつていた。このため、連続して異なつた生
成膜を必要とする場合でも一度ウエーハを大気中
に取り出してその後、他の炉に入れるとというこ
とが必要であつた。このため、大気中の酸素との
反応による自然酸化膜が、異なる生成膜の間に形
成され、最近の高集積デバイスにおいて悪影響を
及ぼすという課題がある。
また、この自然酸化膜低減のためにウエーハ一
枚ごとに処理する枚葉式のマルチチヤンバタイプ
があるがスループツトが悪い等の課題がある。
枚ごとに処理する枚葉式のマルチチヤンバタイプ
があるがスループツトが悪い等の課題がある。
本考案は上記の課題を解決するためになされた
ものであつて、半導体製造プロセス、特に拡散、
減圧CVDプロセスにおいて、一度に多数枚のウ
エーハに自然酸化膜を形成することなく異なる膜
を生成することができる半導体製造装置を提供し
ようとするものである。
ものであつて、半導体製造プロセス、特に拡散、
減圧CVDプロセスにおいて、一度に多数枚のウ
エーハに自然酸化膜を形成することなく異なる膜
を生成することができる半導体製造装置を提供し
ようとするものである。
即ち、本考案装置は図示のように多数枚のウエ
ーハ12に一度に各炉毎に異なる膜を生成する複
数台の反応炉16a,16b……と、これらの反
応炉16a,16b……にそれぞれ多数枚のウエ
ーハ12をセツトしたボート11を搬入出する移
動手段17を備えた複数のロードロツク室1a,
1b……と、多数のウエーハ12を収納するカセ
ツト3及びこのカセツト3からボート11へこの
ボート11から他のボート11へ自由にウエーハ
12を移載するウエーハ移載機2を収容した1つ
のロードロツク予備室18と、上記各反応炉16
a,16b……とロードロツク室1a,1b……
との間及び各ロードロツク室1a,1b……とロ
ードロツク予備室18との間にそれぞれ設けられ
たゲートバルブ10a,10b……及び4a,4
b……と、上記各ロードロツク室1a,1b……
及び1つのロードロツク予備室18にそれぞれ備
えられた排気装置15とよりなる構成としたもの
である。
ーハ12に一度に各炉毎に異なる膜を生成する複
数台の反応炉16a,16b……と、これらの反
応炉16a,16b……にそれぞれ多数枚のウエ
ーハ12をセツトしたボート11を搬入出する移
動手段17を備えた複数のロードロツク室1a,
1b……と、多数のウエーハ12を収納するカセ
ツト3及びこのカセツト3からボート11へこの
ボート11から他のボート11へ自由にウエーハ
12を移載するウエーハ移載機2を収容した1つ
のロードロツク予備室18と、上記各反応炉16
a,16b……とロードロツク室1a,1b……
との間及び各ロードロツク室1a,1b……とロ
ードロツク予備室18との間にそれぞれ設けられ
たゲートバルブ10a,10b……及び4a,4
b……と、上記各ロードロツク室1a,1b……
及び1つのロードロツク予備室18にそれぞれ備
えられた排気装置15とよりなる構成としたもの
である。
ロードロツク予備室18及びロードロツク室1
a,1b……内を排気装置15により真空または
N2ガス等で置換することにより大気と完全に遮
断することができる。カセツト3から未処理ウエ
ーハ12をウエーハ移載機2により取り出し、こ
の未処理ウエーハ12をロードロツク予備室18
から例えばゲートバルブ4bを開いてロードロツ
ク室1b内のボート11上に移す。以下同様にし
てカセツト3から全ての未処理ウエーハ12をロ
ードロツク室1b内のボート11上に移す。この
間、反応炉16b内を排気装置15により排気し
つつ反応ガスを供給し、ヒータ5により炉内を加
熱しておく。
a,1b……内を排気装置15により真空または
N2ガス等で置換することにより大気と完全に遮
断することができる。カセツト3から未処理ウエ
ーハ12をウエーハ移載機2により取り出し、こ
の未処理ウエーハ12をロードロツク予備室18
から例えばゲートバルブ4bを開いてロードロツ
ク室1b内のボート11上に移す。以下同様にし
てカセツト3から全ての未処理ウエーハ12をロ
ードロツク室1b内のボート11上に移す。この
間、反応炉16b内を排気装置15により排気し
つつ反応ガスを供給し、ヒータ5により炉内を加
熱しておく。
そしてゲートバルブ10bを開いてロードロツ
ク室1b内のボート11を移動手段17により反
応炉16b内に搬入し、ゲートバルブ10bを閉
じてボート11上の多数枚の未処理ウエーハ12
上に所望の膜を生成する。膜生成後、上記とは逆
の過程を経て反応炉16b内よりロードロツク室
1b内に所望の膜を生成された多数枚の第1回処
理済みウエーハ12を保持したボート11を移
し、ゲートバルブ10bを閉じて再びゲートバル
ブ4bを開き、ロードロツク室1b内のボート1
1に保持された多数枚の第1回処理済みウエーハ
12をウエーハ移載機2により、1枚ずつ取り出
し、この第1回処理済みウエーハ12をゲートバ
ルブ4cを開いてロードロツク室1c内のボート
11上に移す。以下同様にしてロードロツク室1
b内のボート11に保持された全ての第1回処理
済みウエーハ12をロードロツク室1c内のボー
ト11上に移す。この間、反応炉16c内を排気
装置15により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒ
ータ5により炉内を加熱しておく。
ク室1b内のボート11を移動手段17により反
応炉16b内に搬入し、ゲートバルブ10bを閉
じてボート11上の多数枚の未処理ウエーハ12
上に所望の膜を生成する。膜生成後、上記とは逆
の過程を経て反応炉16b内よりロードロツク室
1b内に所望の膜を生成された多数枚の第1回処
理済みウエーハ12を保持したボート11を移
し、ゲートバルブ10bを閉じて再びゲートバル
ブ4bを開き、ロードロツク室1b内のボート1
1に保持された多数枚の第1回処理済みウエーハ
12をウエーハ移載機2により、1枚ずつ取り出
し、この第1回処理済みウエーハ12をゲートバ
ルブ4cを開いてロードロツク室1c内のボート
11上に移す。以下同様にしてロードロツク室1
b内のボート11に保持された全ての第1回処理
済みウエーハ12をロードロツク室1c内のボー
ト11上に移す。この間、反応炉16c内を排気
装置15により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒ
ータ5により炉内を加熱しておく。
そしてゲートバルブ10cを開いてロードロツ
ク室1c内のボート11を移動手段17により反
応炉16c内に搬入し、上記と同様にしてボート
11上の多数枚の第1回処理済みウエーハ12上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉16c内よりロードロツク室1c
内に多数枚の第2回処理済みウエーハ12を保持
したボート11を移し、更にこのボート11に保
持された多数枚の第2回処理済みウエーハ12を
ウエーハ移載機2により1枚ずつ取り出し、この
第2回処理済みウエーハ12を全てロードロツク
室1a内のボート11上に移し、上記と同様に反
応炉16a内に搬入して当該第2回処理済みウエ
ーハ12上に更に異なる膜を生成する。
ク室1c内のボート11を移動手段17により反
応炉16c内に搬入し、上記と同様にしてボート
11上の多数枚の第1回処理済みウエーハ12上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉16c内よりロードロツク室1c
内に多数枚の第2回処理済みウエーハ12を保持
したボート11を移し、更にこのボート11に保
持された多数枚の第2回処理済みウエーハ12を
ウエーハ移載機2により1枚ずつ取り出し、この
第2回処理済みウエーハ12を全てロードロツク
室1a内のボート11上に移し、上記と同様に反
応炉16a内に搬入して当該第2回処理済みウエ
ーハ12上に更に異なる膜を生成する。
このようにして多数枚のウエーハ12に空気に
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ12を空になつたカセツト3に戻すことに
なる。
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ12を空になつたカセツト3に戻すことに
なる。
以下図面に基づいて本考案の実施例を説明す
る。
る。
第1図は本考案装置の一実施例の構成を示す簡
略平面図、第2図はその簡略正断面図である。
略平面図、第2図はその簡略正断面図である。
図中、16a,16b,16cは多数枚のウエ
ーハ12に一度の各炉毎に異なる膜を生成する3
台の反応炉、1a,1b,1cはこれらの反応炉
16a〜16cにそれぞれ多数枚のウエーハ12
をセツトした石英ボート11を搬入出する移動手
段17を備えた3つのロードロツク室である。1
3はボート11を支える石英キヤツプ、14は移
動手段17の受板で、石英キヤツプ13を支える
ものである。
ーハ12に一度の各炉毎に異なる膜を生成する3
台の反応炉、1a,1b,1cはこれらの反応炉
16a〜16cにそれぞれ多数枚のウエーハ12
をセツトした石英ボート11を搬入出する移動手
段17を備えた3つのロードロツク室である。1
3はボート11を支える石英キヤツプ、14は移
動手段17の受板で、石英キヤツプ13を支える
ものである。
反応炉16a〜16cはヒータ5、石英反応管
6、石英インナーチユーブ7、炉口フランジ8及
びOリング9とよりなる。移動手段17は従来公
知のものでよい。18は多数枚のウエーハ12を
収納するカセツト3及びこのカセツト3からボー
ト11へ、このボート11から他のボート11へ
自由にウエーハ12を移載するウエーハ移載機2
を収容した1つのロードロツク予備室で、この周
辺に3台の反応炉16a〜16cとロードロツク
室1a〜1cが配設されている。ウエーハ移載機
2は公知のものを使用すればよい。
6、石英インナーチユーブ7、炉口フランジ8及
びOリング9とよりなる。移動手段17は従来公
知のものでよい。18は多数枚のウエーハ12を
収納するカセツト3及びこのカセツト3からボー
ト11へ、このボート11から他のボート11へ
自由にウエーハ12を移載するウエーハ移載機2
を収容した1つのロードロツク予備室で、この周
辺に3台の反応炉16a〜16cとロードロツク
室1a〜1cが配設されている。ウエーハ移載機
2は公知のものを使用すればよい。
10a〜10cはそれぞれ各反応炉16a〜1
6cとロードロツク室1a〜1cとの間に設けら
れたゲートバルブ、4a〜4cはそれぞれ各ロー
ドロツク室1a〜1cとロードロツク予備室18
との間に設けられたゲートバルブ、15は各ロー
ドロツク室1a〜1c及び1つのロードロツク予
備室18にそれぞれ備えられた真空ポンプであ
る。各反応炉16a〜16cにも真空ポンプ15
が設けられていることは勿論であり、図示してい
ない反応ガスの注入口及び排気口も設けらている
ことは当然である。
6cとロードロツク室1a〜1cとの間に設けら
れたゲートバルブ、4a〜4cはそれぞれ各ロー
ドロツク室1a〜1cとロードロツク予備室18
との間に設けられたゲートバルブ、15は各ロー
ドロツク室1a〜1c及び1つのロードロツク予
備室18にそれぞれ備えられた真空ポンプであ
る。各反応炉16a〜16cにも真空ポンプ15
が設けられていることは勿論であり、図示してい
ない反応ガスの注入口及び排気口も設けらている
ことは当然である。
上記の構成において、ロードロツク予備室18
及びロードロツク室1a〜1c……内を真空ポン
プ15により真空にまたはN2ガス等で置換する
ことにより大気と完全に遮断することができる。
カセツト3から未処理ウエーハ12をウエーハ移
載機2により取り出し、この未処理ウエーハ12
をロードロツク予備室18から例えばゲートバル
ブ4bを開いてロードロツク室1b内のボート1
1上に移す。以下同様にしてカセツト3から全て
の未処理ウエーハ12をロードロツク室1b内の
ボート11上に移す。この間、反応炉16b内を
真空ポンプ15により排気しつつ反応ガスを供給
し、ヒータ5により反応管6及びインナーチユー
ブ7内を加熱しておく。
及びロードロツク室1a〜1c……内を真空ポン
プ15により真空にまたはN2ガス等で置換する
ことにより大気と完全に遮断することができる。
カセツト3から未処理ウエーハ12をウエーハ移
載機2により取り出し、この未処理ウエーハ12
をロードロツク予備室18から例えばゲートバル
ブ4bを開いてロードロツク室1b内のボート1
1上に移す。以下同様にしてカセツト3から全て
の未処理ウエーハ12をロードロツク室1b内の
ボート11上に移す。この間、反応炉16b内を
真空ポンプ15により排気しつつ反応ガスを供給
し、ヒータ5により反応管6及びインナーチユー
ブ7内を加熱しておく。
そしてゲートバルブ10bを開いてロードロツ
ク室1b内のボート11を移動手段17により反
応炉16bのインナーチユーブ7内に搬入し、ゲ
ートバルブ10bを閉じてボート11上の多数枚
の未処理ウエーハ12上に所望の膜を生成する。
膜生成後、上記とは逆の過程を経て反応炉16b
のインナーチユーブ7内よりロードロツク室1b
内に所望の膜の生成された多数枚の第1回処理済
みウエーハ12を保持したボート11を移し、ゲ
ートバルブ10bを閉じて再びゲートバルブ4b
を開き、ロードロツク室1b内のボート11に保
持された多数枚の第1回処理済みウエーハ12を
ウエーハ移載機2により、1枚ずつ取り出し、こ
の第1回処理済みウエーハ12をゲートバルブ4
cを開いてロードロツク室1c内のボート11上
に移す。以下同様にしてロードロツク室1b内の
ボート11に保持された全ての第1回処理済みウ
エーハ12をロードロツク室1c内のボート11
上に移す。この間、反応炉16c内を真空ポンプ
15により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒータ
5により反応管6及びインナーチユーブ7内を加
熱しておく。
ク室1b内のボート11を移動手段17により反
応炉16bのインナーチユーブ7内に搬入し、ゲ
ートバルブ10bを閉じてボート11上の多数枚
の未処理ウエーハ12上に所望の膜を生成する。
膜生成後、上記とは逆の過程を経て反応炉16b
のインナーチユーブ7内よりロードロツク室1b
内に所望の膜の生成された多数枚の第1回処理済
みウエーハ12を保持したボート11を移し、ゲ
ートバルブ10bを閉じて再びゲートバルブ4b
を開き、ロードロツク室1b内のボート11に保
持された多数枚の第1回処理済みウエーハ12を
ウエーハ移載機2により、1枚ずつ取り出し、こ
の第1回処理済みウエーハ12をゲートバルブ4
cを開いてロードロツク室1c内のボート11上
に移す。以下同様にしてロードロツク室1b内の
ボート11に保持された全ての第1回処理済みウ
エーハ12をロードロツク室1c内のボート11
上に移す。この間、反応炉16c内を真空ポンプ
15により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒータ
5により反応管6及びインナーチユーブ7内を加
熱しておく。
そしてゲートバルブ10cを開いてロードロツ
ク室1c内のボート11を移動手段17により反
応炉16c内に搬入し、上記と同様にしてボート
11上の多数枚の第1回処理済みウエーハ12上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉16c内よりロードロツク室1c
内に多数枚の第2回処理済みウエーハ12を保持
したボート11を移し、更にこのボート11に保
持された多数枚の第2回処理済みウエーハ12を
ウエーハ移載機2により1枚ずつ取り出し、この
第2回処理済みウエーハ12を全てロードロツク
室1a内のボート11上に移し、上記と同様に反
応炉16a内に搬入して当該第2回処理済みウエ
ーハ12上に更に異なる膜を生成する。
ク室1c内のボート11を移動手段17により反
応炉16c内に搬入し、上記と同様にしてボート
11上の多数枚の第1回処理済みウエーハ12上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉16c内よりロードロツク室1c
内に多数枚の第2回処理済みウエーハ12を保持
したボート11を移し、更にこのボート11に保
持された多数枚の第2回処理済みウエーハ12を
ウエーハ移載機2により1枚ずつ取り出し、この
第2回処理済みウエーハ12を全てロードロツク
室1a内のボート11上に移し、上記と同様に反
応炉16a内に搬入して当該第2回処理済みウエ
ーハ12上に更に異なる膜を生成する。
このようにして多数枚のウエーハ12に空気に
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ12が空になつたカセツト3に戻すことに
なる。本実施例では1度に50〜150枚のウエーハ
12に膜を生成することができ、スループツトが
向上する。カセツト3はロードロツク予備室18
より取り出せばよい。
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ12が空になつたカセツト3に戻すことに
なる。本実施例では1度に50〜150枚のウエーハ
12に膜を生成することができ、スループツトが
向上する。カセツト3はロードロツク予備室18
より取り出せばよい。
〔考案の効果)
上述のように本考案によれば、1つのロードロ
ツク予備室18内のカセツト3から未処理ウエー
ハ12を取り出して複数のロードロツク室1a,
1b……の1つのロードロツク室内のボート11
に移し、この多数枚の未処理ウエーハ12を保持
したボート11を複数台の反応炉16a,16b
……のうちの1台の反応炉内に搬入して多数枚の
未処理ウエーハ12に膜を生成し、この膜の生成
された多数枚のウエーハ12を保持したボート1
1を当該反応炉からロードロツク室内に戻し、こ
のロードロツク室内のボート11から他のロード
ロツク室内のボート11へロードロツク予備室1
8のウエーハ移載機2により移載し、他のロード
ロツク室内のボート11を他の反応炉内に搬入し
て上記とは異なる膜を、多数枚のウエーハ12の
生成膜上に生成し、以下このようにして多数枚の
ウエーハ12に一度に異なる膜を次々に生成する
ことができ、しかもウエーハ12の移載は真空中
あるいはN2ガス等の雰囲気中で行われるので、
空気にさらされることがなく行うことができるか
ら、生成膜上に自然酸化膜が形成されることがな
いばかりでなく、一度に多数枚のウエーハ12に
成膜処理することができるのでスループツトを向
上することができる。
ツク予備室18内のカセツト3から未処理ウエー
ハ12を取り出して複数のロードロツク室1a,
1b……の1つのロードロツク室内のボート11
に移し、この多数枚の未処理ウエーハ12を保持
したボート11を複数台の反応炉16a,16b
……のうちの1台の反応炉内に搬入して多数枚の
未処理ウエーハ12に膜を生成し、この膜の生成
された多数枚のウエーハ12を保持したボート1
1を当該反応炉からロードロツク室内に戻し、こ
のロードロツク室内のボート11から他のロード
ロツク室内のボート11へロードロツク予備室1
8のウエーハ移載機2により移載し、他のロード
ロツク室内のボート11を他の反応炉内に搬入し
て上記とは異なる膜を、多数枚のウエーハ12の
生成膜上に生成し、以下このようにして多数枚の
ウエーハ12に一度に異なる膜を次々に生成する
ことができ、しかもウエーハ12の移載は真空中
あるいはN2ガス等の雰囲気中で行われるので、
空気にさらされることがなく行うことができるか
ら、生成膜上に自然酸化膜が形成されることがな
いばかりでなく、一度に多数枚のウエーハ12に
成膜処理することができるのでスループツトを向
上することができる。
第1図は本考案装置の一実施例の構成を示す簡
略平面図、第2図はその簡略正断面図である。 1a,1b,1c……ロードロツク室、2……
ウエーハ移載機、3……カセツト、4a,4b,
4c……ゲートバルブ、10a,10b,10c
……ゲートバルブ、11……(石英)ボート、1
2……ウエーハ、15……排気装置(真空ポン
プ)、16a,16b,16c……反応炉、17
……移動手段、18……ロードロツク予備室。
略平面図、第2図はその簡略正断面図である。 1a,1b,1c……ロードロツク室、2……
ウエーハ移載機、3……カセツト、4a,4b,
4c……ゲートバルブ、10a,10b,10c
……ゲートバルブ、11……(石英)ボート、1
2……ウエーハ、15……排気装置(真空ポン
プ)、16a,16b,16c……反応炉、17
……移動手段、18……ロードロツク予備室。
Claims (1)
- 多数枚のウエハー12に一度に各炉毎に異なる
膜を生成する複数台の反応炉16a,16b……
と、これらの反応炉16a,16b……にそれぞ
れ多数枚のウエーハ12をセツトしたボート11
を搬入出する移動手段17を備えた複数のロード
ロツク室1a,1b……と、多数のウエーハ12
を収納するカセツト3及びこのカセツト3からボ
ート11へこのボート11から他のボート11へ
自由にウエーハ12を移動するウエーハ移載機2
を収容した1つのロードロツク予備室18と、上
記各反応炉16a,16b……とロードロツク室
1a,1b……との間及び各ロードロツク室1
a,1b……とロードロツク予備室18との間に
それぞれ設けられたゲートバルブ10a,10b
……及び4a,4b……と、上記各ロードロツク
室1a,1b……及び1つのロードロツク予備室
18にそれぞれ備えた排気装置15とよりなるバ
ツチ形マルチロードロツク式半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16288688U JPH0517879Y2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP16288688U JPH0517879Y2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 |
Publications (2)
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Family
ID=31447121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP16288688U Expired - Lifetime JPH0517879Y2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 |
Country Status (1)
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- 1988-12-14 JP JP16288688U patent/JPH0517879Y2/ja not_active Expired - Lifetime
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