JPH0517879Y2 - - Google Patents
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- JPH0517879Y2 JPH0517879Y2 JP16288688U JP16288688U JPH0517879Y2 JP H0517879 Y2 JPH0517879 Y2 JP H0517879Y2 JP 16288688 U JP16288688 U JP 16288688U JP 16288688 U JP16288688 U JP 16288688U JP H0517879 Y2 JPH0517879 Y2 JP H0517879Y2
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- Japan
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- wafers
- boat
- load lock
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- reactor
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Links
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
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- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は拡散、減圧CVD装置等の半導体製造
装置に関する。
装置に関する。
〔従来の技術とその課題〕
従来は拡散、減圧CVDとも各炉単独で膜生成
を行なつていた。このため、連続して異なつた生
成膜を必要とする場合でも一度ウエーハを大気中
に取り出してその後、他の炉に入れるとというこ
とが必要であつた。このため、大気中の酸素との
反応による自然酸化膜が、異なる生成膜の間に形
成され、最近の高集積デバイスにおいて悪影響を
及ぼすという課題がある。
を行なつていた。このため、連続して異なつた生
成膜を必要とする場合でも一度ウエーハを大気中
に取り出してその後、他の炉に入れるとというこ
とが必要であつた。このため、大気中の酸素との
反応による自然酸化膜が、異なる生成膜の間に形
成され、最近の高集積デバイスにおいて悪影響を
及ぼすという課題がある。
また、この自然酸化膜低減のためにウエーハ一
枚ごとに処理する枚葉式のマルチチヤンバタイプ
があるがスループツトが悪い等の課題がある。
枚ごとに処理する枚葉式のマルチチヤンバタイプ
があるがスループツトが悪い等の課題がある。
本考案は上記の課題を解決するためになされた
ものであつて、半導体製造プロセス、特に拡散、
減圧CVDプロセスにおいて、一度に多数枚のウ
エーハに自然酸化膜を形成することなく異なる膜
を生成することができる半導体製造装置を提供し
ようとするものである。
ものであつて、半導体製造プロセス、特に拡散、
減圧CVDプロセスにおいて、一度に多数枚のウ
エーハに自然酸化膜を形成することなく異なる膜
を生成することができる半導体製造装置を提供し
ようとするものである。
即ち、本考案装置は図示のように多数枚のウエ
ーハ１２に一度に各炉毎に異なる膜を生成する複
数台の反応炉１６ａ，１６ｂ……と、これらの反
応炉１６ａ，１６ｂ……にそれぞれ多数枚のウエ
ーハ１２をセツトしたボート１１を搬入出する移
動手段１７を備えた複数のロードロツク室１ａ，
１ｂ……と、多数のウエーハ１２を収納するカセ
ツト３及びこのカセツト３からボート１１へこの
ボート１１から他のボート１１へ自由にウエーハ
１２を移載するウエーハ移載機２を収容した１つ
のロードロツク予備室１８と、上記各反応炉１６
ａ，１６ｂ……とロードロツク室１ａ，１ｂ……
との間及び各ロードロツク室１ａ，１ｂ……とロ
ードロツク予備室１８との間にそれぞれ設けられ
たゲートバルブ１０ａ，１０ｂ……及び４ａ，４
ｂ……と、上記各ロードロツク室１ａ，１ｂ……
及び１つのロードロツク予備室１８にそれぞれ備
えられた排気装置１５とよりなる構成としたもの
である。
ーハ１２に一度に各炉毎に異なる膜を生成する複
数台の反応炉１６ａ，１６ｂ……と、これらの反
応炉１６ａ，１６ｂ……にそれぞれ多数枚のウエ
ーハ１２をセツトしたボート１１を搬入出する移
動手段１７を備えた複数のロードロツク室１ａ，
１ｂ……と、多数のウエーハ１２を収納するカセ
ツト３及びこのカセツト３からボート１１へこの
ボート１１から他のボート１１へ自由にウエーハ
１２を移載するウエーハ移載機２を収容した１つ
のロードロツク予備室１８と、上記各反応炉１６
ａ，１６ｂ……とロードロツク室１ａ，１ｂ……
との間及び各ロードロツク室１ａ，１ｂ……とロ
ードロツク予備室１８との間にそれぞれ設けられ
たゲートバルブ１０ａ，１０ｂ……及び４ａ，４
ｂ……と、上記各ロードロツク室１ａ，１ｂ……
及び１つのロードロツク予備室１８にそれぞれ備
えられた排気装置１５とよりなる構成としたもの
である。
ロードロツク予備室１８及びロードロツク室１
ａ，１ｂ……内を排気装置１５により真空または
N2ガス等で置換することにより大気と完全に遮
断することができる。カセツト３から未処理ウエ
ーハ１２をウエーハ移載機２により取り出し、こ
の未処理ウエーハ１２をロードロツク予備室１８
から例えばゲートバルブ４ｂを開いてロードロツ
ク室１ｂ内のボート１１上に移す。以下同様にし
てカセツト３から全ての未処理ウエーハ１２をロ
ードロツク室１ｂ内のボート１１上に移す。この
間、反応炉１６ｂ内を排気装置１５により排気し
つつ反応ガスを供給し、ヒータ５により炉内を加
熱しておく。
ａ，１ｂ……内を排気装置１５により真空または
N2ガス等で置換することにより大気と完全に遮
断することができる。カセツト３から未処理ウエ
ーハ１２をウエーハ移載機２により取り出し、こ
の未処理ウエーハ１２をロードロツク予備室１８
から例えばゲートバルブ４ｂを開いてロードロツ
ク室１ｂ内のボート１１上に移す。以下同様にし
てカセツト３から全ての未処理ウエーハ１２をロ
ードロツク室１ｂ内のボート１１上に移す。この
間、反応炉１６ｂ内を排気装置１５により排気し
つつ反応ガスを供給し、ヒータ５により炉内を加
熱しておく。
そしてゲートバルブ１０ｂを開いてロードロツ
ク室１ｂ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｂ内に搬入し、ゲートバルブ１０ｂを閉
じてボート１１上の多数枚の未処理ウエーハ１２
上に所望の膜を生成する。膜生成後、上記とは逆
の過程を経て反応炉１６ｂ内よりロードロツク室
１ｂ内に所望の膜を生成された多数枚の第１回処
理済みウエーハ１２を保持したボート１１を移
し、ゲートバルブ１０ｂを閉じて再びゲートバル
ブ４ｂを開き、ロードロツク室１ｂ内のボート１
１に保持された多数枚の第１回処理済みウエーハ
１２をウエーハ移載機２により、１枚ずつ取り出
し、この第１回処理済みウエーハ１２をゲートバ
ルブ４ｃを開いてロードロツク室１ｃ内のボート
１１上に移す。以下同様にしてロードロツク室１
ｂ内のボート１１に保持された全ての第１回処理
済みウエーハ１２をロードロツク室１ｃ内のボー
ト１１上に移す。この間、反応炉１６ｃ内を排気
装置１５により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒ
ータ５により炉内を加熱しておく。
ク室１ｂ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｂ内に搬入し、ゲートバルブ１０ｂを閉
じてボート１１上の多数枚の未処理ウエーハ１２
上に所望の膜を生成する。膜生成後、上記とは逆
の過程を経て反応炉１６ｂ内よりロードロツク室
１ｂ内に所望の膜を生成された多数枚の第１回処
理済みウエーハ１２を保持したボート１１を移
し、ゲートバルブ１０ｂを閉じて再びゲートバル
ブ４ｂを開き、ロードロツク室１ｂ内のボート１
１に保持された多数枚の第１回処理済みウエーハ
１２をウエーハ移載機２により、１枚ずつ取り出
し、この第１回処理済みウエーハ１２をゲートバ
ルブ４ｃを開いてロードロツク室１ｃ内のボート
１１上に移す。以下同様にしてロードロツク室１
ｂ内のボート１１に保持された全ての第１回処理
済みウエーハ１２をロードロツク室１ｃ内のボー
ト１１上に移す。この間、反応炉１６ｃ内を排気
装置１５により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒ
ータ５により炉内を加熱しておく。
そしてゲートバルブ１０ｃを開いてロードロツ
ク室１ｃ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｃ内に搬入し、上記と同様にしてボート
１１上の多数枚の第１回処理済みウエーハ１２上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉１６ｃ内よりロードロツク室１ｃ
内に多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を保持
したボート１１を移し、更にこのボート１１に保
持された多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を
ウエーハ移載機２により１枚ずつ取り出し、この
第２回処理済みウエーハ１２を全てロードロツク
室１ａ内のボート１１上に移し、上記と同様に反
応炉１６ａ内に搬入して当該第２回処理済みウエ
ーハ１２上に更に異なる膜を生成する。
ク室１ｃ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｃ内に搬入し、上記と同様にしてボート
１１上の多数枚の第１回処理済みウエーハ１２上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉１６ｃ内よりロードロツク室１ｃ
内に多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を保持
したボート１１を移し、更にこのボート１１に保
持された多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を
ウエーハ移載機２により１枚ずつ取り出し、この
第２回処理済みウエーハ１２を全てロードロツク
室１ａ内のボート１１上に移し、上記と同様に反
応炉１６ａ内に搬入して当該第２回処理済みウエ
ーハ１２上に更に異なる膜を生成する。
このようにして多数枚のウエーハ１２に空気に
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ１２を空になつたカセツト３に戻すことに
なる。
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ１２を空になつたカセツト３に戻すことに
なる。
以下図面に基づいて本考案の実施例を説明す
る。
る。
第１図は本考案装置の一実施例の構成を示す簡
略平面図、第２図はその簡略正断面図である。
略平面図、第２図はその簡略正断面図である。
図中、１６ａ，１６ｂ，１６ｃは多数枚のウエ
ーハ１２に一度の各炉毎に異なる膜を生成する３
台の反応炉、１ａ，１ｂ，１ｃはこれらの反応炉
１６ａ〜１６ｃにそれぞれ多数枚のウエーハ１２
をセツトした石英ボート１１を搬入出する移動手
段１７を備えた３つのロードロツク室である。１
３はボート１１を支える石英キヤツプ、１４は移
動手段１７の受板で、石英キヤツプ１３を支える
ものである。
ーハ１２に一度の各炉毎に異なる膜を生成する３
台の反応炉、１ａ，１ｂ，１ｃはこれらの反応炉
１６ａ〜１６ｃにそれぞれ多数枚のウエーハ１２
をセツトした石英ボート１１を搬入出する移動手
段１７を備えた３つのロードロツク室である。１
３はボート１１を支える石英キヤツプ、１４は移
動手段１７の受板で、石英キヤツプ１３を支える
ものである。
反応炉１６ａ〜１６ｃはヒータ５、石英反応管
６、石英インナーチユーブ７、炉口フランジ８及
びＯリング９とよりなる。移動手段１７は従来公
知のものでよい。１８は多数枚のウエーハ１２を
収納するカセツト３及びこのカセツト３からボー
ト１１へ、このボート１１から他のボート１１へ
自由にウエーハ１２を移載するウエーハ移載機２
を収容した１つのロードロツク予備室で、この周
辺に３台の反応炉１６ａ〜１６ｃとロードロツク
室１ａ〜１ｃが配設されている。ウエーハ移載機
２は公知のものを使用すればよい。
６、石英インナーチユーブ７、炉口フランジ８及
びＯリング９とよりなる。移動手段１７は従来公
知のものでよい。１８は多数枚のウエーハ１２を
収納するカセツト３及びこのカセツト３からボー
ト１１へ、このボート１１から他のボート１１へ
自由にウエーハ１２を移載するウエーハ移載機２
を収容した１つのロードロツク予備室で、この周
辺に３台の反応炉１６ａ〜１６ｃとロードロツク
室１ａ〜１ｃが配設されている。ウエーハ移載機
２は公知のものを使用すればよい。
１０ａ〜１０ｃはそれぞれ各反応炉１６ａ〜１
６ｃとロードロツク室１ａ〜１ｃとの間に設けら
れたゲートバルブ、４ａ〜４ｃはそれぞれ各ロー
ドロツク室１ａ〜１ｃとロードロツク予備室１８
との間に設けられたゲートバルブ、１５は各ロー
ドロツク室１ａ〜１ｃ及び１つのロードロツク予
備室１８にそれぞれ備えられた真空ポンプであ
る。各反応炉１６ａ〜１６ｃにも真空ポンプ１５
が設けられていることは勿論であり、図示してい
ない反応ガスの注入口及び排気口も設けらている
ことは当然である。
６ｃとロードロツク室１ａ〜１ｃとの間に設けら
れたゲートバルブ、４ａ〜４ｃはそれぞれ各ロー
ドロツク室１ａ〜１ｃとロードロツク予備室１８
との間に設けられたゲートバルブ、１５は各ロー
ドロツク室１ａ〜１ｃ及び１つのロードロツク予
備室１８にそれぞれ備えられた真空ポンプであ
る。各反応炉１６ａ〜１６ｃにも真空ポンプ１５
が設けられていることは勿論であり、図示してい
ない反応ガスの注入口及び排気口も設けらている
ことは当然である。
上記の構成において、ロードロツク予備室１８
及びロードロツク室１ａ〜１ｃ……内を真空ポン
プ１５により真空にまたはN2ガス等で置換する
ことにより大気と完全に遮断することができる。
カセツト３から未処理ウエーハ１２をウエーハ移
載機２により取り出し、この未処理ウエーハ１２
をロードロツク予備室１８から例えばゲートバル
ブ４ｂを開いてロードロツク室１ｂ内のボート１
１上に移す。以下同様にしてカセツト３から全て
の未処理ウエーハ１２をロードロツク室１ｂ内の
ボート１１上に移す。この間、反応炉１６ｂ内を
真空ポンプ１５により排気しつつ反応ガスを供給
し、ヒータ５により反応管６及びインナーチユー
ブ７内を加熱しておく。
及びロードロツク室１ａ〜１ｃ……内を真空ポン
プ１５により真空にまたはN2ガス等で置換する
ことにより大気と完全に遮断することができる。
カセツト３から未処理ウエーハ１２をウエーハ移
載機２により取り出し、この未処理ウエーハ１２
をロードロツク予備室１８から例えばゲートバル
ブ４ｂを開いてロードロツク室１ｂ内のボート１
１上に移す。以下同様にしてカセツト３から全て
の未処理ウエーハ１２をロードロツク室１ｂ内の
ボート１１上に移す。この間、反応炉１６ｂ内を
真空ポンプ１５により排気しつつ反応ガスを供給
し、ヒータ５により反応管６及びインナーチユー
ブ７内を加熱しておく。
そしてゲートバルブ１０ｂを開いてロードロツ
ク室１ｂ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｂのインナーチユーブ７内に搬入し、ゲ
ートバルブ１０ｂを閉じてボート１１上の多数枚
の未処理ウエーハ１２上に所望の膜を生成する。
膜生成後、上記とは逆の過程を経て反応炉１６ｂ
のインナーチユーブ７内よりロードロツク室１ｂ
内に所望の膜の生成された多数枚の第１回処理済
みウエーハ１２を保持したボート１１を移し、ゲ
ートバルブ１０ｂを閉じて再びゲートバルブ４ｂ
を開き、ロードロツク室１ｂ内のボート１１に保
持された多数枚の第１回処理済みウエーハ１２を
ウエーハ移載機２により、１枚ずつ取り出し、こ
の第１回処理済みウエーハ１２をゲートバルブ４
ｃを開いてロードロツク室１ｃ内のボート１１上
に移す。以下同様にしてロードロツク室１ｂ内の
ボート１１に保持された全ての第１回処理済みウ
エーハ１２をロードロツク室１ｃ内のボート１１
上に移す。この間、反応炉１６ｃ内を真空ポンプ
１５により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒータ
５により反応管６及びインナーチユーブ７内を加
熱しておく。
ク室１ｂ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｂのインナーチユーブ７内に搬入し、ゲ
ートバルブ１０ｂを閉じてボート１１上の多数枚
の未処理ウエーハ１２上に所望の膜を生成する。
膜生成後、上記とは逆の過程を経て反応炉１６ｂ
のインナーチユーブ７内よりロードロツク室１ｂ
内に所望の膜の生成された多数枚の第１回処理済
みウエーハ１２を保持したボート１１を移し、ゲ
ートバルブ１０ｂを閉じて再びゲートバルブ４ｂ
を開き、ロードロツク室１ｂ内のボート１１に保
持された多数枚の第１回処理済みウエーハ１２を
ウエーハ移載機２により、１枚ずつ取り出し、こ
の第１回処理済みウエーハ１２をゲートバルブ４
ｃを開いてロードロツク室１ｃ内のボート１１上
に移す。以下同様にしてロードロツク室１ｂ内の
ボート１１に保持された全ての第１回処理済みウ
エーハ１２をロードロツク室１ｃ内のボート１１
上に移す。この間、反応炉１６ｃ内を真空ポンプ
１５により排気しつつ反応ガスを供給し、ヒータ
５により反応管６及びインナーチユーブ７内を加
熱しておく。
そしてゲートバルブ１０ｃを開いてロードロツ
ク室１ｃ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｃ内に搬入し、上記と同様にしてボート
１１上の多数枚の第１回処理済みウエーハ１２上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉１６ｃ内よりロードロツク室１ｃ
内に多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を保持
したボート１１を移し、更にこのボート１１に保
持された多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を
ウエーハ移載機２により１枚ずつ取り出し、この
第２回処理済みウエーハ１２を全てロードロツク
室１ａ内のボート１１上に移し、上記と同様に反
応炉１６ａ内に搬入して当該第２回処理済みウエ
ーハ１２上に更に異なる膜を生成する。
ク室１ｃ内のボート１１を移動手段１７により反
応炉１６ｃ内に搬入し、上記と同様にしてボート
１１上の多数枚の第１回処理済みウエーハ１２上
に上記とは異なる膜を生成する。膜生成後、上記
と同様に反応炉１６ｃ内よりロードロツク室１ｃ
内に多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を保持
したボート１１を移し、更にこのボート１１に保
持された多数枚の第２回処理済みウエーハ１２を
ウエーハ移載機２により１枚ずつ取り出し、この
第２回処理済みウエーハ１２を全てロードロツク
室１ａ内のボート１１上に移し、上記と同様に反
応炉１６ａ内に搬入して当該第２回処理済みウエ
ーハ１２上に更に異なる膜を生成する。
このようにして多数枚のウエーハ１２に空気に
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ１２が空になつたカセツト３に戻すことに
なる。本実施例では１度に50〜150枚のウエーハ
１２に膜を生成することができ、スループツトが
向上する。カセツト３はロードロツク予備室１８
より取り出せばよい。
さらされることなく一度に異なる膜を次々に生成
することができる。所定の膜生成後、多数枚のウ
エーハ１２が空になつたカセツト３に戻すことに
なる。本実施例では１度に50〜150枚のウエーハ
１２に膜を生成することができ、スループツトが
向上する。カセツト３はロードロツク予備室１８
より取り出せばよい。
〔考案の効果）
上述のように本考案によれば、１つのロードロ
ツク予備室１８内のカセツト３から未処理ウエー
ハ１２を取り出して複数のロードロツク室１ａ，
１ｂ……の１つのロードロツク室内のボート１１
に移し、この多数枚の未処理ウエーハ１２を保持
したボート１１を複数台の反応炉１６ａ，１６ｂ
……のうちの１台の反応炉内に搬入して多数枚の
未処理ウエーハ１２に膜を生成し、この膜の生成
された多数枚のウエーハ１２を保持したボート１
１を当該反応炉からロードロツク室内に戻し、こ
のロードロツク室内のボート１１から他のロード
ロツク室内のボート１１へロードロツク予備室１
８のウエーハ移載機２により移載し、他のロード
ロツク室内のボート１１を他の反応炉内に搬入し
て上記とは異なる膜を、多数枚のウエーハ１２の
生成膜上に生成し、以下このようにして多数枚の
ウエーハ１２に一度に異なる膜を次々に生成する
ことができ、しかもウエーハ１２の移載は真空中
あるいはN2ガス等の雰囲気中で行われるので、
空気にさらされることがなく行うことができるか
ら、生成膜上に自然酸化膜が形成されることがな
いばかりでなく、一度に多数枚のウエーハ１２に
成膜処理することができるのでスループツトを向
上することができる。
ツク予備室１８内のカセツト３から未処理ウエー
ハ１２を取り出して複数のロードロツク室１ａ，
１ｂ……の１つのロードロツク室内のボート１１
に移し、この多数枚の未処理ウエーハ１２を保持
したボート１１を複数台の反応炉１６ａ，１６ｂ
……のうちの１台の反応炉内に搬入して多数枚の
未処理ウエーハ１２に膜を生成し、この膜の生成
された多数枚のウエーハ１２を保持したボート１
１を当該反応炉からロードロツク室内に戻し、こ
のロードロツク室内のボート１１から他のロード
ロツク室内のボート１１へロードロツク予備室１
８のウエーハ移載機２により移載し、他のロード
ロツク室内のボート１１を他の反応炉内に搬入し
て上記とは異なる膜を、多数枚のウエーハ１２の
生成膜上に生成し、以下このようにして多数枚の
ウエーハ１２に一度に異なる膜を次々に生成する
ことができ、しかもウエーハ１２の移載は真空中
あるいはN2ガス等の雰囲気中で行われるので、
空気にさらされることがなく行うことができるか
ら、生成膜上に自然酸化膜が形成されることがな
いばかりでなく、一度に多数枚のウエーハ１２に
成膜処理することができるのでスループツトを向
上することができる。
第１図は本考案装置の一実施例の構成を示す簡
略平面図、第２図はその簡略正断面図である。 １ａ，１ｂ，１ｃ……ロードロツク室、２……
ウエーハ移載機、３……カセツト、４ａ，４ｂ，
４ｃ……ゲートバルブ、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ
……ゲートバルブ、１１……（石英）ボート、１
２……ウエーハ、１５……排気装置（真空ポン
プ）、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ……反応炉、１７
……移動手段、１８……ロードロツク予備室。
略平面図、第２図はその簡略正断面図である。 １ａ，１ｂ，１ｃ……ロードロツク室、２……
ウエーハ移載機、３……カセツト、４ａ，４ｂ，
４ｃ……ゲートバルブ、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ
……ゲートバルブ、１１……（石英）ボート、１
２……ウエーハ、１５……排気装置（真空ポン
プ）、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ……反応炉、１７
……移動手段、１８……ロードロツク予備室。
Claims (1)
- 多数枚のウエハー１２に一度に各炉毎に異なる
膜を生成する複数台の反応炉１６ａ，１６ｂ……
と、これらの反応炉１６ａ，１６ｂ……にそれぞ
れ多数枚のウエーハ１２をセツトしたボート１１
を搬入出する移動手段１７を備えた複数のロード
ロツク室１ａ，１ｂ……と、多数のウエーハ１２
を収納するカセツト３及びこのカセツト３からボ
ート１１へこのボート１１から他のボート１１へ
自由にウエーハ１２を移動するウエーハ移載機２
を収容した１つのロードロツク予備室１８と、上
記各反応炉１６ａ，１６ｂ……とロードロツク室
１ａ，１ｂ……との間及び各ロードロツク室１
ａ，１ｂ……とロードロツク予備室１８との間に
それぞれ設けられたゲートバルブ１０ａ，１０ｂ
……及び４ａ，４ｂ……と、上記各ロードロツク
室１ａ，１ｂ……及び１つのロードロツク予備室
１８にそれぞれ備えた排気装置１５とよりなるバ
ツチ形マルチロードロツク式半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16288688U JPH0517879Y2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16288688U JPH0517879Y2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282032U JPH0282032U (ja) | 1990-06-25 |
| JPH0517879Y2 true JPH0517879Y2 (ja) | 1993-05-13 |
Family
ID=31447121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16288688U Expired - Lifetime JPH0517879Y2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0517879Y2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-12-14 JP JP16288688U patent/JPH0517879Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0282032U (ja) | 1990-06-25 |
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