JPS62130578A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents

半導体レ−ザ駆動回路

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Publication number
JPS62130578A
JPS62130578A JP27072885A JP27072885A JPS62130578A JP S62130578 A JPS62130578 A JP S62130578A JP 27072885 A JP27072885 A JP 27072885A JP 27072885 A JP27072885 A JP 27072885A JP S62130578 A JPS62130578 A JP S62130578A
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JP
Japan
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semiconductor laser
converter
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Pending
Application number
JP27072885A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihisa Igaki
井垣 佳久
Yasushi Tomita
靖 富田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP27072885A priority Critical patent/JPS62130578A/ja
Publication of JPS62130578A publication Critical patent/JPS62130578A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06808Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、半導体レーザ駆動回路に関する。
渡米技米 一般に、レーザダイオード等の半導体レーザを使用する
装置においては、半導体レーザの出力を所望の設定値に
制御しなければならない場合がある。
そこで、往来は例えば半導体レーザの出力をフォトダイ
オードで検出して、この検出結果を固定基準値と比較し
、この比較結果に応じて半導体レーザに供給する電流を
制御するようにしている。
しかしながら、このようにして半導体レーザの出力を制
御するのでは、半導体レーザの出力を一つの値にしか制
御することができないという不都合がある。
目   的 この発明は上記の点に鑑みてなされた+Jのであり、容
易に所要の出力に制御できるようにすることを目的とす
る。
41  +逸 この発明は上記の目的を達成するため、半導体レーザに
流れる電流を検出する一方、設定値データをD/A変換
するD/A変換器を備え、電流検出値とD/A変換器か
らの設定値との比較結果に応じて半導体レーザに供給す
る電流を制御するようにしたものである。
以下、この発明の一実施例に基づいて具体的に説明する
図はこの発明の一実施例を示す回路図である。
半導体レーザとしてのレーザダイオード1に流れる′屯
流工を抵抗2によって電圧■に変換し、この抵抗2の両
端間電圧Vを利得+Aのアンプ3によって増幅して出力
する。
一方、D/A変換器4によって図示しないマイクロコン
ピュータ等から送られてくる8ビツトのデジタルデータ
である設定値データをD/A変換して、設定値をアナロ
グデータに変換する。
そして、コンパレータ(COM) 5によってアンプ3
からのレーザダイオード1に流れる電流の検出値とD/
A変換器4からの設定値とを比較する。
このコンパレータ5の出力をオペアンプoP及び抵抗R
,,R,からなろインバートアンプ(反転増幅器)6に
よって増幅し、このインバートアンプ日の出力をレーザ
ダイオード1に供給する′電流を制御するトランジスタ
7のベース電圧として供給している。
なお、そのインバートアンプ6のオペアンプOPにはオ
フセット値を与えるための可変抵抗器8を抵抗Sを介し
て接続している。
また、レーザダイオード1には、発光制御信号に応じて
レーザダイオード1の発光及び発光停止を制御するため
のスイッチとしてのFET I Qを並列に接続してい
る。
次に、このように構成したこの実施例の作用について説
明する。
レーザダイオード1を駆動する電流■が抵抗2を流れる
ことによって抵抗2の抵抗値をRとしたときIRの電圧
降下を生じ、抵抗2の両端に電圧Vが発生する。この電
圧■はアンプ3によって+A倍されて、この電圧■・A
がコンパレータ5の一端に入力される。
一方、コンパレータ5の他端にはデジタルデータである
設定値をD/A変換器4でD/A変換したアナログデー
タである設定値電圧が入力されている。
そして、このコンパレータ5の出力がインバートアンプ
6で増幅されてトランジスタ7のベース電圧として印加
されている。
ここで、D/A変換器4に入力される設定値が変化して
D/A変換器4から出力される設定値電圧が増加したと
すると、コンパレータ5の出力が子方向に変化し、した
がってインバートアンプ6の出力は一方向に変化してト
ランジスタ7がオンする方向に動き、レーザダイオード
1に供給する駆rJl電流Iが増加する。
それによって、抵抗2に流れる電流Iが増加してその両
端間電圧Vが増加し、この電圧Vがアンプ3で+A倍さ
れてコンパレータ5の一端に入力される。
このとき、アンプ3からの電圧V−AがD/A変換器4
からの設定値電圧よりも大きければ、コンパレータ5の
出力が一方向に変化し、インバートアンプ日の出力が子
方向に変化してトランジスタ7がオフ状態する方向に動
き、レーザダイオード1に供給するlψ勅電流■が減少
する。
このようにして、レーザダイオード1に供給される駆動
T6.流Iは、D/A変換器4がら出力される設定値電
圧をV A l *動電流を1.抵抗2の抵抗値をR,
アンプ3の利得をAとしたとき、I=V^/RA となる。
したがって、レーザダイオード1に供給する駆動電流、
すなわちレーザダイオード1の発光量をD/A変換器の
分解能に比例して制御することができる。
このように、この半導体レーザ駆動回路は、半導体レー
ザに流れる電流を検出する一方、デジタルデータの設定
値データをD/A変換するD/A変換器を備え、電流検
出値とD/A変換器からの設定値との比較結果に応じて
半導体レーザに供給する電流を制御するので、D/A変
換器に与える設定値データを変更するだけで容易に所要
の出力に制御することができる。
また、半導体レーザの出力を最少の部品構成でD/A変
換器の分解能に比例して制御することができると共に、
回路自身がD/A変換器に設定値を与えることによって
スタンドアロンで駆動することができる。
さらに、回路構成が最少であるために系の応答が速く、
更に系がフィードバック構成であるために半導体レーザ
に過電流が流れ続けることを防ぐことができる。
夕1 以上説明したように、この発明によれば、容易に所要の
出力に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例を示すブロック図である。 1・・レーザダイオード 2・・・抵抗3・・・アンプ
      4・・・D/A変換器5・・・コンパレー
タ   6・・・インバートアンプ7・・・トランジス

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体レーザに流れる電流を検出する電流検出手段
    と、設定値データをD/A変換するD/A変換器と、前
    記電流検出手段の検出値とD/A変換器からの設定値と
    の比較結果に応じて前記半導体レーザに供給する電流を
    制御する供給電流制御手段とを備えたことを特徴とする
    半導体レーザ駆動回路。
JP27072885A 1985-12-03 1985-12-03 半導体レ−ザ駆動回路 Pending JPS62130578A (ja)

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JP27072885A JPS62130578A (ja) 1985-12-03 1985-12-03 半導体レ−ザ駆動回路

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JP27072885A JPS62130578A (ja) 1985-12-03 1985-12-03 半導体レ−ザ駆動回路

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JPS62130578A true JPS62130578A (ja) 1987-06-12

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ID=17490127

Family Applications (1)

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JP27072885A Pending JPS62130578A (ja) 1985-12-03 1985-12-03 半導体レ−ザ駆動回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5317578A (en) * 1991-09-26 1994-05-31 Sharp Kabushiki Kaisha Laser light output control apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821386A (ja) * 1981-07-30 1983-02-08 Fujitsu Ltd 半導体レ−ザ制御装置
JPS58107692A (ja) * 1981-12-21 1983-06-27 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 半導体レ−ザの保護方法

Patent Citations (2)

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