JPS5821386A - 半導体レ−ザ制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザ制御装置Info
- Publication number
- JPS5821386A JPS5821386A JP11971981A JP11971981A JPS5821386A JP S5821386 A JPS5821386 A JP S5821386A JP 11971981 A JP11971981 A JP 11971981A JP 11971981 A JP11971981 A JP 11971981A JP S5821386 A JPS5821386 A JP S5821386A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- semiconductor laser
- register
- monitor
- rvb
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザの出力を一定に保ち、かつ半導体
レーザの動作点及び劣化状態ｔ？ｌＫ把握することが可
能な半導体レーザ制御装置に関する。
レーザの動作点及び劣化状態ｔ？ｌＫ把握することが可
能な半導体レーザ制御装置に関する。
第１図は半導体レーザの出力特性である。本図において
縦軸Ｐは光出力、横軸工ｆは順方向電流。
縦軸Ｐは光出力、横軸工ｆは順方向電流。
破線は劣化時の特性管示す◎
半導体レーザは順方向電滝工ｆがしきい値管越えると急
峻に順方向電流が増加し発光！開始する。
峻に順方向電流が増加し発光！開始する。
前記しきい値は温度あるいは素子の経時変化により破線
で示すように変動する大め一定の光出力を得るためＫは
半導体レーザに流すバイアス電流を変化させなければな
らない〇 その丸め従来、光出力の一部をフィードバックして、こ
れｔ規準値と比較してバイアス電流管制御する方法がと
られている。しかしながらヒの様な方法では半導体レー
ザの動作点や劣化状態を知ることは不可能であシ、装置
の保守上、不便である。
で示すように変動する大め一定の光出力を得るためＫは
半導体レーザに流すバイアス電流を変化させなければな
らない〇 その丸め従来、光出力の一部をフィードバックして、こ
れｔ規準値と比較してバイアス電流管制御する方法がと
られている。しかしながらヒの様な方法では半導体レー
ザの動作点や劣化状態を知ることは不可能であシ、装置
の保守上、不便である。
本発明は上記の問題点上解消し、半導体レーザの出力音
一定に保ち、かつその劣化状態を表示可能な半導体レー
ザ制御装置ｔＩＩ供することを目的とし、半導体レーザ
の出力管モニタするモニタ囲路、初期調整時において規
定の出力を得た時のモニタ出力、該半導体レーザのバイ
アスレベル、単位出力変化Ｋｌ！するバイアス変化量上
記憶する記憶回路、該半導体レーザ【一定期間オン状態
にしモニタ出力と該記憶回路に記憶されているモニタ出
力管比較し両者が一致するようにバイアスレベルの制御
を行なう制御回路、制御後のバイアスレベルを表示する
表示回路より成ること’ｔｏ黴とするものである。
一定に保ち、かつその劣化状態を表示可能な半導体レー
ザ制御装置ｔＩＩ供することを目的とし、半導体レーザ
の出力管モニタするモニタ囲路、初期調整時において規
定の出力を得た時のモニタ出力、該半導体レーザのバイ
アスレベル、単位出力変化Ｋｌ！するバイアス変化量上
記憶する記憶回路、該半導体レーザ【一定期間オン状態
にしモニタ出力と該記憶回路に記憶されているモニタ出
力管比較し両者が一致するようにバイアスレベルの制御
を行なう制御回路、制御後のバイアスレベルを表示する
表示回路より成ること’ｔｏ黴とするものである。
以下間管用いて本発明の詳細な説明する〇第２図は初期
調整時の出力特性、第３図は本発明の一実施例である。
調整時の出力特性、第３図は本発明の一実施例である。
第２．３図においてＰｍはモニタ出力ＰｍＯ，ＶＢ□は
それぞれ規定の出力を得た時のモニタ出力、バイアス電
圧、ΔｖＢは一定出力変化に要するバイアス電圧の変化
ｌＭＰＵはマ１クロプロセッサ、ＯＭＰｑ比較器Ｄ８Ｆ
は表示回路＊ Ｄ／ＡＳ 、 Ｄ／Ａ＠はＤ／Ａ変換器
、ＬＡＤは半導体レーザ、Ｍは受光素子、ＲｖＢ、ＲＰ
ｍ、Ｒはレジスタであり、ＲＶＢ、ＲＰｍはバイアス設
定用。
それぞれ規定の出力を得た時のモニタ出力、バイアス電
圧、ΔｖＢは一定出力変化に要するバイアス電圧の変化
ｌＭＰＵはマ１クロプロセッサ、ＯＭＰｑ比較器Ｄ８Ｆ
は表示回路＊ Ｄ／ＡＳ 、 Ｄ／Ａ＠はＤ／Ａ変換器
、ＬＡＤは半導体レーザ、Ｍは受光素子、ＲｖＢ、ＲＰ
ｍ、Ｒはレジスタであり、ＲＶＢ、ＲＰｍはバイアス設
定用。
出力モニタ用、Ｒは初期調整時のデータ記憶用に使用さ
れる。
れる。
本発明は初期調整時、例えば装置の出荷時に得九基準デ
ータ管もとに出力の安定化をはかるものである。従って
初期調整時に第２図の様な出力特性が得られたとすると
、規定の出力を得た時の七二タ出力Ｐｍｏ、ｖＢｏ一定
出力変化に要するバイアス電圧の変化ΔｖＢがレジスタ
ＲＫ設定される。
ータ管もとに出力の安定化をはかるものである。従って
初期調整時に第２図の様な出力特性が得られたとすると
、規定の出力を得た時の七二タ出力Ｐｍｏ、ｖＢｏ一定
出力変化に要するバイアス電圧の変化ΔｖＢがレジスタ
ＲＫ設定される。
バイブスレベルの制御は、一定の期間半導体Ｖ−ザｔ−
ＯＮ状態にして制御を行なう・例えばレーザプリンタの
場合には紙送りの期間等に行なう。
ＯＮ状態にして制御を行なう・例えばレーザプリンタの
場合には紙送りの期間等に行なう。
すなわち装置の電＃ｏＮｗ＃にはレジスタＲに記憶され
ているＶＢＯがレジスタＲＶＢ Ｋセットされる。制
御期間になるとマづクロプロセラ？ＭＰυはレジスタＲ
Ｐｍ ｔ−以下の様に操作して半導体レーザＬＤの出力
管モニタする。
ているＶＢＯがレジスタＲＶＢ Ｋセットされる。制
御期間になるとマづクロプロセラ？ＭＰυはレジスタＲ
Ｐｍ ｔ−以下の様に操作して半導体レーザＬＤの出力
管モニタする。
まずマ１クロプロセッサＭＰυはレジスタＲＰｍの最上
位ビット（Ｍ２Ｒ）ｌｏｌｉｌｃする。レジスタＲＰｍ
にセットされた値はＤ／Ａ変換器Ｄ／り。
位ビット（Ｍ２Ｒ）ｌｏｌｉｌｃする。レジスタＲＰｍ
にセットされた値はＤ／Ａ変換器Ｄ／り。
によＱＤ／Ａ変換され比較器ｏＭＰにおいて受光素子Ｍ
からのモニタ出力Ｐｍと比較される。マ１クロプロセッ
サＭＰＵは比較器ＯＭＦの出力ｔ−試み取り、レジスタ
ＲＰｍの値（Ｐ ｍである時は、レジスタＲＩ’ｍ（０
Ｍ８ＢＩＯ１ｉにし九ママ次の桁ＩＯＨにし、レジスタ
ＲＰｍの値） Ｐ ｍである時はＭＳＢＩＯＦＦにして
次の桁’ＩＯＮとする０この操作管下位のビットに向か
って、順次繰り返す□ことＫより、モ二り出力Ｐｍの近
似値がレジスタＲＰｍにセットされるととＫなる〇 上記の動作によυマイクロプロセッサＭＰＵｑモニタ出
力Ｐｍ知り、基準出力ＰｍＯとの差を求める。その差が
例えば５×ΔｖＢであれば現在レジスタＲＶＢにセット
されている値に５×ΔＶ１３を加えた値をセットし、Ｐ
ｍとＰｍｏの差が小さければΔＶＢｔ−加えた値をレジ
スタＲＶＢにセットし、再びモニタを行なう。この動作
ｔ−Ｐ ｍとｐｍｏがほぼ一致する壕で１例えばグｌＰ
ｍ−Ｐｍ０ｌ矛〈ΔＰｍ （ΔＰｍ許容誤差）になる
まで繰り返す。
からのモニタ出力Ｐｍと比較される。マ１クロプロセッ
サＭＰＵは比較器ＯＭＦの出力ｔ−試み取り、レジスタ
ＲＰｍの値（Ｐ ｍである時は、レジスタＲＩ’ｍ（０
Ｍ８ＢＩＯ１ｉにし九ママ次の桁ＩＯＨにし、レジスタ
ＲＰｍの値） Ｐ ｍである時はＭＳＢＩＯＦＦにして
次の桁’ＩＯＮとする０この操作管下位のビットに向か
って、順次繰り返す□ことＫより、モ二り出力Ｐｍの近
似値がレジスタＲＰｍにセットされるととＫなる〇 上記の動作によυマイクロプロセッサＭＰＵｑモニタ出
力Ｐｍ知り、基準出力ＰｍＯとの差を求める。その差が
例えば５×ΔｖＢであれば現在レジスタＲＶＢにセット
されている値に５×ΔＶ１３を加えた値をセットし、Ｐ
ｍとＰｍｏの差が小さければΔＶＢｔ−加えた値をレジ
スタＲＶＢにセットし、再びモニタを行なう。この動作
ｔ−Ｐ ｍとｐｍｏがほぼ一致する壕で１例えばグｌＰ
ｍ−Ｐｍ０ｌ矛〈ΔＰｍ （ΔＰｍ許容誤差）になる
まで繰り返す。
上記操作が終了した時点でレジスタＲＶＢにセットされ
ている値が表示回路ＤＢＰＩＣ表示され、切起調整時か
らのバイアス電圧の変化、すなわち半導体レーザの劣化
の度合を知ることができ、半導体レーザの寿命に達する
前に素子の交換環の保守を行なうことが可能となり、装
置のトラブル管未然に防ぐことができる０ なお本実施例では、動作時のバイアス電圧ＶＢのみ會表
示したが、初期調整時のバイアス電圧ｖｎｏも同時に表
示してもよい□を九初−整時のバイアス電圧ｖＢｏと動
作時のバイアス電圧の差をマイクロプロセッサＭＰＵで
求め、その差が一定値以上罠なったら警告灯を点灯する
ようにしてもよい◎ 以上説明したように本発明によれば半導体レーザの出力
ｔ？ｌＫ一定に保ち、かつ半導体レーザの状態’ｔＮＫ
把握できるので半導体レーザの組み込まれる装置のトラ
ブル！未然に防止するヒとが可能となり、装置の保守に
非常に有効である。
ている値が表示回路ＤＢＰＩＣ表示され、切起調整時か
らのバイアス電圧の変化、すなわち半導体レーザの劣化
の度合を知ることができ、半導体レーザの寿命に達する
前に素子の交換環の保守を行なうことが可能となり、装
置のトラブル管未然に防ぐことができる０ なお本実施例では、動作時のバイアス電圧ＶＢのみ會表
示したが、初期調整時のバイアス電圧ｖｎｏも同時に表
示してもよい□を九初−整時のバイアス電圧ｖＢｏと動
作時のバイアス電圧の差をマイクロプロセッサＭＰＵで
求め、その差が一定値以上罠なったら警告灯を点灯する
ようにしてもよい◎ 以上説明したように本発明によれば半導体レーザの出力
ｔ？ｌＫ一定に保ち、かつ半導体レーザの状態’ｔＮＫ
把握できるので半導体レーザの組み込まれる装置のトラ
ブル！未然に防止するヒとが可能となり、装置の保守に
非常に有効である。
ｆｇｘ図は半導体レーザの出力特性、第２図は初期調整
時の出力特性、第３図は本発明の一実施例である。 Ｐｍ・・・モニタ出力、Ｐｍｏ、ＶＢ□・・・初期調整
時□に規定の出力聖書た時のモニタ出力、バイアス電圧
、ΔｖＢは一定出力変化に要するバイアス電圧の変化、
ＭＰＵはマイクロプロセッサ、ＯＭＰＦｉ比較器、ＤＳ
Ｆは表示回路、Ｄ／ム８．Ｄ／ム。 ・・・Ｄ／Ａ変換器、ＬＤ・・・半導体レーザ、Ｍ・・
・受光素子、ＲＶＢ、ＲＰｍ、Ｒ・・・レジスタゴ５１
；・ イ １や忙ｌ 簿ｚ８
時の出力特性、第３図は本発明の一実施例である。 Ｐｍ・・・モニタ出力、Ｐｍｏ、ＶＢ□・・・初期調整
時□に規定の出力聖書た時のモニタ出力、バイアス電圧
、ΔｖＢは一定出力変化に要するバイアス電圧の変化、
ＭＰＵはマイクロプロセッサ、ＯＭＰＦｉ比較器、ＤＳ
Ｆは表示回路、Ｄ／ム８．Ｄ／ム。 ・・・Ｄ／Ａ変換器、ＬＤ・・・半導体レーザ、Ｍ・・
・受光素子、ＲＶＢ、ＲＰｍ、Ｒ・・・レジスタゴ５１
；・ イ １や忙ｌ 簿ｚ８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザの出力管モニタするモニタ回路。 初期調整時において規定の出力を得た時のモ二り出力、
該半導体レーザのバイアスレベル、単位出力変化に要す
るバイアス変化量を記憶する記憶回路、該半導体レーザ
を一定期間オン状態にしモニタ出力と該記憶回路に記憶
されているモニタ出力を比較し両者が一致するようにバ
イアスレベルの制御を行なう制御囲路、少なくとも制御
後のバイアスレベル管表示する表示囲路より成ること！
特徴とする半導体レーザ制御装置〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11971981A JPS5821386A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 半導体レ−ザ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11971981A JPS5821386A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 半導体レ−ザ制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821386A true JPS5821386A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14768417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11971981A Pending JPS5821386A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 半導体レ−ザ制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821386A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225482A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レ−ザの駆動装置 |
| JPS62130578A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS62130579A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPH01302788A (ja) * | 1987-04-13 | 1989-12-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ駆動方式 |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP11971981A patent/JPS5821386A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225482A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レ−ザの駆動装置 |
| JPS62130578A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS62130579A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPH01302788A (ja) * | 1987-04-13 | 1989-12-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ駆動方式 |
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