JPS62128134A - 半導体ウエハの表面検査装置 - Google Patents
半導体ウエハの表面検査装置Info
- Publication number
- JPS62128134A JPS62128134A JP26745885A JP26745885A JPS62128134A JP S62128134 A JPS62128134 A JP S62128134A JP 26745885 A JP26745885 A JP 26745885A JP 26745885 A JP26745885 A JP 26745885A JP S62128134 A JPS62128134 A JP S62128134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- inspecting
- stage
- inspection
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C発明の技術分野〕
この発明は、半導体集積回路の製造過程において、半導
体ウェハの表面欠陥の有無を調べる表面検査装置の改良
に関する。
体ウェハの表面欠陥の有無を調べる表面検査装置の改良
に関する。
[発明の技術的背景とその問題点1
半導体集積回路の製造過程において、ウェハ上に7オト
レジストを塗布し、これにマスクパターンを露光するフ
ォトリソグラフィー、現像工程でウェハの表面検査を行
なう。ウェハ上に集積回路を形成するためには平均して
10〜20回の異なる現像工程を通るが、それぞれの現
像工程においてウェハの表面検査が必要である。この表
面検査は集積回路の歩留り向上のために重要なものの1
つである。最近では目視検査のウェハの表面検査に代り
、光電的に自動検査している。
レジストを塗布し、これにマスクパターンを露光するフ
ォトリソグラフィー、現像工程でウェハの表面検査を行
なう。ウェハ上に集積回路を形成するためには平均して
10〜20回の異なる現像工程を通るが、それぞれの現
像工程においてウェハの表面検査が必要である。この表
面検査は集積回路の歩留り向上のために重要なものの1
つである。最近では目視検査のウェハの表面検査に代り
、光電的に自動検査している。
ウェハの表面を自動検査するには、ウェハ表面に所定方
向・角度で検査光を照射し、また所定方向・所定角度か
ら顕微鏡カメラで撮影する。カメラの映像信号出力を画
像認識の手法で処理し、ウェハ表面のゴミ・キズやレジ
スト膜のむらなどの表面異常や、あるいはマスクパター
ンの位置ずれやフォーカスずれなど有無を検出する。
向・角度で検査光を照射し、また所定方向・所定角度か
ら顕微鏡カメラで撮影する。カメラの映像信号出力を画
像認識の手法で処理し、ウェハ表面のゴミ・キズやレジ
スト膜のむらなどの表面異常や、あるいはマスクパター
ンの位置ずれやフォーカスずれなど有無を検出する。
従来の5A置においては、ウェハ・カセットに収納され
たウェハをハンドリング装置で順番に取り出し、取り出
されたウェハをアライメント装置にて位置決めし、ウェ
ハのオリエンテーションフラットの位置を原点位置に合
わせる。次に原点位置に位置合わせされたウェハを上述
した構成の検査ステージに移送する。検査ステージには
ウェハを回転して位置決めする手段(回転ステージ)を
有しており、原点位置にオリエンチーシコンフラットを
合わされたウェハを回転し、検査項目に応じて決められ
た角度位置にオリエンテーションフラットの位置を合わ
せる。その状態で検査を行なう。
たウェハをハンドリング装置で順番に取り出し、取り出
されたウェハをアライメント装置にて位置決めし、ウェ
ハのオリエンテーションフラットの位置を原点位置に合
わせる。次に原点位置に位置合わせされたウェハを上述
した構成の検査ステージに移送する。検査ステージには
ウェハを回転して位置決めする手段(回転ステージ)を
有しており、原点位置にオリエンチーシコンフラットを
合わされたウェハを回転し、検査項目に応じて決められ
た角度位置にオリエンテーションフラットの位置を合わ
せる。その状態で検査を行なう。
検査流のウェハは次段へ送られ、検査結果の良否に応じ
て別々のウェハ・カセットに格納される。
て別々のウェハ・カセットに格納される。
上述した従来の装置においては、ウェハを回転させてオ
リエンテーションフラットの位置を合わせる機能部が、
上記原点位置に合わせるためのアライメント装置と、上
記検査位置に合わせる検査ステージとの2箇所に設けら
れていた。この2箇所でウェハの回転位置決めを行なっ
ているため、その分だけ処理速度が長くなっている。ま
た2箇所に回転位置決めの機能部を設けているため、全
体として構成が複雑で高価なものになっていた。
リエンテーションフラットの位置を合わせる機能部が、
上記原点位置に合わせるためのアライメント装置と、上
記検査位置に合わせる検査ステージとの2箇所に設けら
れていた。この2箇所でウェハの回転位置決めを行なっ
ているため、その分だけ処理速度が長くなっている。ま
た2箇所に回転位置決めの機能部を設けているため、全
体として構成が複雑で高価なものになっていた。
また検査ステージでウェハの回転位置決めと検査の両方
を行なうことは、その分だけ検査時間が圧縮され、信頼
性の高い検査を行ない難くなる。
を行なうことは、その分だけ検査時間が圧縮され、信頼
性の高い検査を行ない難くなる。
[発明の目的]
この発明は上述した従来の問題点に鑑みなされたもので
、その目的は、ウェハの回転位置決め機能部を1箇所に
して構成を簡単にし、処理速度を向上させるとともに信
頼性の高い検査を行なえるようにした半導体ウェハの表
面検査装置を提供することにある。
、その目的は、ウェハの回転位置決め機能部を1箇所に
して構成を簡単にし、処理速度を向上させるとともに信
頼性の高い検査を行なえるようにした半導体ウェハの表
面検査装置を提供することにある。
[発明の概要]
この発明に係る半導体ウェハの表面検査装置は、ウェハ
・カセットに収納されたウェハを順番に取り出す取り出
し手段と、取り出されたウェハのオリエンテーションフ
ラットの位置を基準にして該ウェハを指令された角度位
置に位置決めして次段に移送する位置決め手段と、位置
決めされて移送されて来るウェハを受けてその表面欠陥
の有無を調べて次段へ移送する検査手段と、検査されて
移送されて来るウェハを検査結果の良否に応じて分けて
ウェハ・カセットに格納する格納手段と、これら各手段
の動作シーケンスを制御するとともに上記位置決め手段
に対して上記角度位置の指令値を与える制御手段とを備
えたものである。
・カセットに収納されたウェハを順番に取り出す取り出
し手段と、取り出されたウェハのオリエンテーションフ
ラットの位置を基準にして該ウェハを指令された角度位
置に位置決めして次段に移送する位置決め手段と、位置
決めされて移送されて来るウェハを受けてその表面欠陥
の有無を調べて次段へ移送する検査手段と、検査されて
移送されて来るウェハを検査結果の良否に応じて分けて
ウェハ・カセットに格納する格納手段と、これら各手段
の動作シーケンスを制御するとともに上記位置決め手段
に対して上記角度位置の指令値を与える制御手段とを備
えたものである。
[発明の実施例コ
第1図はこの発明の一実施例装置の構成を示すブロック
図で、第2図はその作用説明図である。
図で、第2図はその作用説明図である。
検査に供されるウェハWはウェハ・カセット1に多数積
層収納されている。取り出し装置2は、ウェハWの裏面
に真空吸着するピックアップユニットを持ったハンドリ
ング装置で、カセット1からウェハWを1枚づつ取り出
す。取り出されたウェハWは搬送装置3によって次段の
アライメント装置4に移送される。
層収納されている。取り出し装置2は、ウェハWの裏面
に真空吸着するピックアップユニットを持ったハンドリ
ング装置で、カセット1からウェハWを1枚づつ取り出
す。取り出されたウェハWは搬送装置3によって次段の
アライメント装置4に移送される。
アライメント装置4は位置決めステージを有し、そのス
テージを水平方向に位置調整できるとともに水平面内で
回転位置決めもできるようになっている。
テージを水平方向に位置調整できるとともに水平面内で
回転位置決めもできるようになっている。
第3図にアライメント装置4の1ザイクルの動作を示し
ている。まず前段から移送されてきたウェハWを受取り
、ステージにセットする。次にそのウェハWのオリエン
テーションフラットを予め一定に決められている原点位
置に合わせる。次に後述のように制御装置11から与え
られた指令角度だけ回転ステージを回転させ、ウェハW
のオリエンテーションフラットを検査位置に合わせる。
ている。まず前段から移送されてきたウェハWを受取り
、ステージにセットする。次にそのウェハWのオリエン
テーションフラットを予め一定に決められている原点位
置に合わせる。次に後述のように制御装置11から与え
られた指令角度だけ回転ステージを回転させ、ウェハW
のオリエンテーションフラットを検査位置に合わせる。
そして搬送装置5によって次段の検査装置6へ移送する
。
。
検査装置6のステージは従来と異なり、回転位置決めの
機能を有しておらず、固定ステージあるいは単純なXY
ステージからなっている。搬送装置5からは、アライメ
ント装置4にて検査項目に適合した検査位置にオリエン
テーションフラットを合せた状態で、ウェハWが移送さ
れてくる。このウェハWが検査ステージにセットされ、
第2図に示すように、光源14からウェハWの表面に検
査光が照射されると共に顕微鏡カメラ15でウェハWの
表面が撮影される。カメラ15の映像信号出力が検査装
置6の画像処理プロセッサによって処理され、所定の検
査項目における表面欠陥の有無が判定される。その判定
結果および検査測定値等の情報が制御装置11に伝送さ
れ、表示器13によって表示される。
機能を有しておらず、固定ステージあるいは単純なXY
ステージからなっている。搬送装置5からは、アライメ
ント装置4にて検査項目に適合した検査位置にオリエン
テーションフラットを合せた状態で、ウェハWが移送さ
れてくる。このウェハWが検査ステージにセットされ、
第2図に示すように、光源14からウェハWの表面に検
査光が照射されると共に顕微鏡カメラ15でウェハWの
表面が撮影される。カメラ15の映像信号出力が検査装
置6の画像処理プロセッサによって処理され、所定の検
査項目における表面欠陥の有無が判定される。その判定
結果および検査測定値等の情報が制御装置11に伝送さ
れ、表示器13によって表示される。
検査5A置6で検査を終了したウェハWは搬送装置7に
よって次段の格納装置8に移送される。格納装置8は、
各ウェハの検査結果の判定データを制御装置11から受
取り、良品ウェハWをカセット9に格納し、不良品ウェ
ハWをカセット10に格納する。なお、良品、不良品の
いずれかは最初のカセット1に格納してもよい。
よって次段の格納装置8に移送される。格納装置8は、
各ウェハの検査結果の判定データを制御装置11から受
取り、良品ウェハWをカセット9に格納し、不良品ウェ
ハWをカセット10に格納する。なお、良品、不良品の
いずれかは最初のカセット1に格納してもよい。
制御装置11は上述した各部による一連の動作シーケン
スを制御するとともに、キーボード12から検査項目が
入力されると、その検査項目用の検査位置(オリエンテ
ーションフラットの原点位置からの回転角度)情報をア
ライメント装置4に与える。アライメント装置4はこの
情報を受けて、オリエンテーションフラットを原点位置
に合せた復に更に検査位置に合わせる回転位置決めを行
なう。
スを制御するとともに、キーボード12から検査項目が
入力されると、その検査項目用の検査位置(オリエンテ
ーションフラットの原点位置からの回転角度)情報をア
ライメント装置4に与える。アライメント装置4はこの
情報を受けて、オリエンテーションフラットを原点位置
に合せた復に更に検査位置に合わせる回転位置決めを行
なう。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように、この発明に係る半導体ウェ
ハの表面検査装置にあっては、検査ステージにてはウェ
ハの回転位置決めを行なわず、その前段の位置決めステ
ージにおいてウェハを検査位置に合せ、その状態で検査
ステージに移送する構成としたので、検査ステージの構
成が簡略され、コストダウンが図れる。また検査ステー
ジにてウェハの位置決めを行ない、その後検査を行なう
という従来の装置に比べ、予め検査位置に合されたウェ
ハが送られてくるので処理時間が短縮されると共に、そ
の分だけ十分な検査時間を取ることができ、検査の信頼
性をも向上させることができる。
ハの表面検査装置にあっては、検査ステージにてはウェ
ハの回転位置決めを行なわず、その前段の位置決めステ
ージにおいてウェハを検査位置に合せ、その状態で検査
ステージに移送する構成としたので、検査ステージの構
成が簡略され、コストダウンが図れる。また検査ステー
ジにてウェハの位置決めを行ない、その後検査を行なう
という従来の装置に比べ、予め検査位置に合されたウェ
ハが送られてくるので処理時間が短縮されると共に、そ
の分だけ十分な検査時間を取ることができ、検査の信頼
性をも向上させることができる。
第1図はこの発明の一実施例装置の全体構成を示すブロ
ック図、第2図は同上装置の作用説明図、第3図は同上
装置におけるアライメント装置の1サイクルの動作を示
すフローチャートである。 1・・・ウェハ・カセット 2・・・取出し装置4
・・・アライメント装置 6・・・検査装置8・・
・格納装置 3.5.7・・・搬送装置 9.10・・・ウェハ・カセット 11・・・制御装置 12・・・キーボード1
3・・・表示器 第212 第3図 手続ネ市正書(自発) 昭和61([b月13 日 特許庁長官 宇 賀 通 部 殿1、事件の表示 特願昭60−267/158号 2、発明の名称 #導体ウェハの表面検査装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所(居所) 神奈川県用崎市幸区堀用町72番地氏名
(名称) (307)株式会ネ1 東 芝代表者
渡 里 杉 −部 4、代 理 人 郵便番号 105住 所
東京都港区虎ノ門1丁目2番3号虎ノ門第−ビル5階 電話 東京(504) 3075 (代) 〜
氏名 弁理士(6834)三好 保男 。 6、補正の対象 (1) 図面 7、補正の内容 (1) 図面の第2図を別紙のように補正覆る。 8、添付書類の目録 (1)図面(第2図)
1通以上 第2図
ック図、第2図は同上装置の作用説明図、第3図は同上
装置におけるアライメント装置の1サイクルの動作を示
すフローチャートである。 1・・・ウェハ・カセット 2・・・取出し装置4
・・・アライメント装置 6・・・検査装置8・・
・格納装置 3.5.7・・・搬送装置 9.10・・・ウェハ・カセット 11・・・制御装置 12・・・キーボード1
3・・・表示器 第212 第3図 手続ネ市正書(自発) 昭和61([b月13 日 特許庁長官 宇 賀 通 部 殿1、事件の表示 特願昭60−267/158号 2、発明の名称 #導体ウェハの表面検査装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所(居所) 神奈川県用崎市幸区堀用町72番地氏名
(名称) (307)株式会ネ1 東 芝代表者
渡 里 杉 −部 4、代 理 人 郵便番号 105住 所
東京都港区虎ノ門1丁目2番3号虎ノ門第−ビル5階 電話 東京(504) 3075 (代) 〜
氏名 弁理士(6834)三好 保男 。 6、補正の対象 (1) 図面 7、補正の内容 (1) 図面の第2図を別紙のように補正覆る。 8、添付書類の目録 (1)図面(第2図)
1通以上 第2図
Claims (1)
- (1)ウェハ・カセットに収納されたウェハを順番に取
り出す取り出し手段と、取り出されたウェハのオリエン
テーションフラットの位置を基準にして該ウェハを指令
された角度位置に位置決めして次段に移送する位置決め
手段と、位置決めされて移送されて来るウェハを受けて
その表面欠陥の有無を調べて次段へ移送する検査手段と
、検査されて移送されて来るウェハを検査結果の良否に
応じて分けてウェハ・カセットに格納する格納手段と、
これら各手段の動作シーケンスを制御するとともに上記
位置決め手段に対して上記角度位置の指令値を与える制
御手段とを備えた半導体ウェハの表面検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26745885A JPS62128134A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体ウエハの表面検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26745885A JPS62128134A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体ウエハの表面検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62128134A true JPS62128134A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17445118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26745885A Pending JPS62128134A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体ウエハの表面検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62128134A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1079584C (zh) * | 1995-07-19 | 2002-02-20 | 现代电子产业株式会社 | 用于半导体器件缺陷调查试验片的制造方法 |
US6923077B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for wafer backside inspection |
JP2009150910A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Lasertec Corp | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、光学式走査装置、半導体デバイス製造方法 |
TWI397966B (zh) * | 2006-06-27 | 2013-06-01 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 探測器之控制方法及控制程式 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP26745885A patent/JPS62128134A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1079584C (zh) * | 1995-07-19 | 2002-02-20 | 现代电子产业株式会社 | 用于半导体器件缺陷调查试验片的制造方法 |
US6923077B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for wafer backside inspection |
TWI397966B (zh) * | 2006-06-27 | 2013-06-01 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 探測器之控制方法及控制程式 |
JP2009150910A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Lasertec Corp | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、光学式走査装置、半導体デバイス製造方法 |
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