JPS62122157A - 光半導体用ヒ−トシンクの電極構造 - Google Patents

光半導体用ヒ−トシンクの電極構造

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JPS62122157A
JPS62122157A JP60263272A JP26327285A JPS62122157A JP S62122157 A JPS62122157 A JP S62122157A JP 60263272 A JP60263272 A JP 60263272A JP 26327285 A JP26327285 A JP 26327285A JP S62122157 A JPS62122157 A JP S62122157A
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JP
Japan
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heat sink
plated layer
layer
plating layer
thickness
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JP60263272A
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English (en)
Inventor
Naotaka Otsuka
尚孝 大塚
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は光半導体用ヒートシンクの電極構造に関するも
のである。
〈発明の概要〉 ヒートシンクのＮｉメッキ上に０．０５〜０．５μｍ厚
のＡｕメッキ層を被覆し、光半導体チップのダイボンド
の際の濡れ性を高め、ダイボンドはがれの防止、熱抵抵
抗の減少を図る。
〈従来の技術〉 光半導体素子、特に半導体レーザは第２図に示すように
、表面がＮｉメッキされた銅等のヒートシンク１の上に
、ＩｎやＡｕＳｉ等のろう材２を介してチップ３をダイ
ボンドしている０このとき、ヒートシンク１表面のＮｉ
メッキ層４とＩｎやＡｕＳ　ｉ等のろう材２とは反応し
にくいため、チップはがれや熱抵抗の上昇が見られる０
これを防ぐため、第３図のように、Ｎｉメッキ層４の上
にさらにＭｏ層５とＡｕ層６等を蒸着により形成するこ
とが提案されている。ＭＯ層５は、Ｎｉメッキ層４と蒸
着によるＡｕ層６との接着力を強化するために入れられ
たものである。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところで、Ｍｏ層５やＡｕ層６の形成蒔、美観上の点か
ら、チップ３をダイボンドするヒートシンク１の上面の
みに蒸着して、他の部分は全く蒸着されないようにカバ
ーをしている。カバーの方法としては、ダイボンド面（
ヒートシンク１の上面）が露出するようなホルダーに、
ヒートシンク１を１個づつセットしており、かなりの工
数が必要で作業性に難があった。
本発明は上記点を解消した光半導体用ヒートシンクの電
極構造を提供することを目的とするものである。
〈問題点を解決するための手段〉 Ｎｉメッキされたヒートシンクの表面に０．０５乃至０
．５０μｍ厚のＡｕメッキ層を被覆した構造とする。
〈作　用〉 Ａｕメッキ層ではその形成時、一度に大量のヒートシン
クに厚さも均一なＡｕを付着させることが可能で、かつ
蒸着法に比べてヒートシンクにくまなく作着するので、
ヒートシンク全体にＡｕメッキしても美観上の問題がな
く、工数の低減が図れた。また、Ａｕメッキ層は直接Ｎ
ｉメッキ層に形成しても相互間の接着力は強固で、蒸着
法によるＭｏ層の形成を不要にできる。
さらに、Ａｕメッキ層の厚さを０．０５乃至０．５０μ
ｍとすることにより、信頼性でも問題がなく良好な結果
が得られることが確められた。
〈実施例〉 第１図に本発明の一実施例を示す。銅等のヒートシンク
１上には従来と同様、Ｎｉメッキ層４が形成されている
。本案ではこのＮｉメッキ層４の上にさらにＡｕメッキ
層１１を形成する。Ａｕメッキ層１１の被覆はヒートシ
ンクｌの全体で、厚さは０．０５乃至０，５０μｍの範
囲である。半導体レーザ等のチップ３はＩｎやＡｕＳｉ
等のろう材２を介してヒートシンク１の上面部にダイボ
ンドされる０ 上記のような構造で、Ｎｉメッキ層４を形成したヒート
シンク１を所要のＡｕメッキ溶液に浸漬するだけであり
、１度で大量に処理できる。しかも、ヒートシンク１の
全体をメッキすることについても何ら支障がなく簡単で
ある。また、Ｎｉ　メッキ層４とＡｕメッキ層１１の接
着力は強固で、従来のようなＭｏ層５の形成は不要にで
きる。
さらに、Ａｕメッキ層１１の厚さを０．０５乃至０．５
０μｍとすることで、信頼性でも問題がなく、良好な結
果が得られることが実験的に確められた。
厚さが０．５０μｍ以上である場合、熱抵抗の上昇によ
る素子特性の劣化が認められた。これはマウント後に起
きる、ろう材２（例えばＩｎ）とＡｕメッキ層１１（Ａ
ｕ）の過多な合金化に基づくものと考えられる。厚さが
０．５０μｍ以下では、マウント時にＡｕが全部Ｉｎ中
に溶は込むものと考えられ、上記した熱抵抗の上昇によ
る劣化はなかった。
他方、厚さがあまり薄いとマウント時にＡｕとＩｎの所
定量の合金化がなく、チップはがれが起ることが予想さ
れるが、メッキ処理においてコントロール可能な最少の
層厚０．０５μｍでも、チップはがれかないことが確か
められた。
なお、メッキ法ではＡｕメッキ層１１の厚さを０．０５
乃至０．５０μｍの範囲内にコントロールすることは極
めて容易であシ、しかも前述したように均一の厚さで形
成することができる。
〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、作業性を簡単にし、かつ
信頼性でも問題のない有用な光半導体用ヒートシンクの
電極構造を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例を示す断面図、第３図は他の従来例を示す要部断面図
である。 １・・・ヒートシンク、２・・・ろう材、３・・・チッ
プ、４・・・Ｎｉメッキ層、１１・・・Ａｕメッキ層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、光半導体素子をダイボンドするヒートシンクの電極
    構造において、Ｎｉメッキされた前記ヒートシンクの表
    面に０．０５乃至０．５０μｍ厚のＡｕメッキ層を被覆
    してなることを特徴とする光半導体用ヒートシンクの電
    極構造。
JP60263272A 1985-11-21 1985-11-21 光半導体用ヒ−トシンクの電極構造 Pending JPS62122157A (ja)

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