JPS62119715A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS62119715A JPS62119715A JP25896185A JP25896185A JPS62119715A JP S62119715 A JPS62119715 A JP S62119715A JP 25896185 A JP25896185 A JP 25896185A JP 25896185 A JP25896185 A JP 25896185A JP S62119715 A JPS62119715 A JP S62119715A
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- JP
- Japan
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- substrate
- thin film
- film
- magnetic head
- magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は同一基板に複数個の磁気ヘッドを配置する薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
従来の技術
従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程においては基板を機械
ラップ方法あるいはメカノケミカルラップ方法により平
滑な基板面上に第１の磁性膜、第１の絶縁膜、導体膜、
第２の絶縁膜をこの順に蒸着、スパッタリングなどの膜
形成技術を形成する。
ラップ方法あるいはメカノケミカルラップ方法により平
滑な基板面上に第１の磁性膜、第１の絶縁膜、導体膜、
第２の絶縁膜をこの順に蒸着、スパッタリングなどの膜
形成技術を形成する。
第２の磁性膜の下地である第２の絶縁膜表面には導体膜
パターンによる段差があるため、段差部で第２の磁性膜
の特性が悪くなることがある。この段差による悪影響を
無くするため第２の絶縁膜を機械ラップによシ平坦化し
た後、第２の磁性膜を形成し、さらに保護層を形成し、
保護カバーを接着後、カッティング砥石によりチップ化
して薄膜磁気ヘッドを製造している。
パターンによる段差があるため、段差部で第２の磁性膜
の特性が悪くなることがある。この段差による悪影響を
無くするため第２の絶縁膜を機械ラップによシ平坦化し
た後、第２の磁性膜を形成し、さらに保護層を形成し、
保護カバーを接着後、カッティング砥石によりチップ化
して薄膜磁気ヘッドを製造している。
発明が解決しようとする問題点
しかし薄膜磁気ヘッドの製造工程において数多くの薄膜
層を基板に蒸着又はスパッタリングによって堆積してい
くと基板と膜との熱膨張係数の違いにより基板にソリが
発生し、第２の絶縁膜の平坦化ラップ時に基板表面全体
が均一にラップされず、第２の絶縁膜の膜厚が不揃いに
なり、薄膜磁気ヘッドを安定して製造するのが困難であ
った。
層を基板に蒸着又はスパッタリングによって堆積してい
くと基板と膜との熱膨張係数の違いにより基板にソリが
発生し、第２の絶縁膜の平坦化ラップ時に基板表面全体
が均一にラップされず、第２の絶縁膜の膜厚が不揃いに
なり、薄膜磁気ヘッドを安定して製造するのが困難であ
った。
本発明は基板のソリが少なく、基板全体に複数個の薄膜
磁気ヘッドを安定して製造する方法を提供することを目
的としている。
磁気ヘッドを安定して製造する方法を提供することを目
的としている。
間ｉ解決するだめの手段
本発明は基板上に第１の磁性膜、第１の絶縁膜。
導体膜、第２の絶縁膜、第２の磁性膜をこの順に積層し
てなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記基板の
薄膜形成面に一定の間隔で溝部を形成し、前記溝部の間
に薄膜磁気ヘッド構成部を配置し、第２絶縁層を形成後
、機械的ラップによって第２の絶縁膜表面を平坦にする
ものである。
てなる薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記基板の
薄膜形成面に一定の間隔で溝部を形成し、前記溝部の間
に薄膜磁気ヘッド構成部を配置し、第２絶縁層を形成後
、機械的ラップによって第２の絶縁膜表面を平坦にする
ものである。
作 用
本発明による作用は次のようになる。基板の薄膜形成面
に設けられた溝部には、蒸着、スパッタリングなどで形
成する薄膜層が堆積されない。これは溝部段差での蒸発
粒子のシールド効果によると考えられている。また、溝
部段差での応力集中によって溝部の堆積不充分の薄膜層
にはクラックが生じることが多い。このため、基板全体
に堆積された薄膜層は、溝によって分断された状態にな
り、基板にかかる応力は、分散され基板のソリ量は少な
くなる。なお、ここで溝深さを堆積する薄膜層の厚さよ
りも大きくしておくと、薄膜層の分断効果は大きい。ま
た溝の中に７オトレジストなどを薄膜形成前に充填して
おき、薄膜形成後に７オトレジストをリムーブすると薄
膜層は完全に分断される。
に設けられた溝部には、蒸着、スパッタリングなどで形
成する薄膜層が堆積されない。これは溝部段差での蒸発
粒子のシールド効果によると考えられている。また、溝
部段差での応力集中によって溝部の堆積不充分の薄膜層
にはクラックが生じることが多い。このため、基板全体
に堆積された薄膜層は、溝によって分断された状態にな
り、基板にかかる応力は、分散され基板のソリ量は少な
くなる。なお、ここで溝深さを堆積する薄膜層の厚さよ
りも大きくしておくと、薄膜層の分断効果は大きい。ま
た溝の中に７オトレジストなどを薄膜形成前に充填して
おき、薄膜形成後に７オトレジストをリムーブすると薄
膜層は完全に分断される。
基板のソリを少なくでき、第２の絶縁膜の平坦化ラッピ
ングによる膜厚のバラツキをなくすることができる。以
上のように本発明によれば第２絶縁膜の段差による特性
劣化のない薄膜磁気ヘッドを同一基板上から数多く、歩
留り良く製造することが可能である。
ングによる膜厚のバラツキをなくすることができる。以
上のように本発明によれば第２絶縁膜の段差による特性
劣化のない薄膜磁気ヘッドを同一基板上から数多く、歩
留り良く製造することが可能である。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。第１図ａ、
ｂに本発明を適用した垂直磁気記録再生用の薄膜磁気
ヘッドの構造の平面図および断面図を示す。非磁性から
なる基板１の薄膜形成面３にカッティング砥石あるいは
フォトリソグラフィー技術を利用したケミカルエツチン
グにより溝部２を形成し、更に薄膜形成面３を機械ラッ
プあるいはメカノケミカルラップにより平坦（平面度０
．６μｍ以下）且つ良好な面粗さくＲｍａ工４ｏÅ以下
）に加工を行う。このようにして加工した基板１の斜視
図を第２図に示す。次に基板１の凸部の薄膜形成面３に
ＣＯを主成分としＮｂ、Ｚｒ を少量含む非結晶合金膜
（厚み０．３μｍ）からなる第１の磁性膜４が所定のパ
ターンに形成され、第１の絶縁膜ｓ （Ｓ １０２ 、
厚み１μｍ）、導体膜５（Ａ５．厚み３μ！Ｉｎ）、第
２の絶縁膜７（Ａ１２０３．厚み１０μｍ）を形成後、
基板全面を一様にラッピングして平坦化し、第２の磁性
膜８（非結晶合金、厚さ５μｍ）の段差による磁気特性
の悪影響を無くした後、保護層９（Ａ１２ｏ３．厚さ１
０μｍ）を形成した構造である。第３図はヘッド構造の
断面図を示す。この実施例では基板１に溝部２が設けで
あるため溝のエッヂ部で膜が切断され、基板１にかかる
応力を少なくでき、ソリが少なくなり第２の絶縁膜７の
平坦化ラッピングにおいて基板全面にわたり導体膜ｅ上
の膜厚の均一な第２絶縁膜７が形成できる。別の実施例
としてフォトレジストをスピンナーにより基板１の薄膜
形成面に塗布し、凸部のみアセトンなどの有機溶剤で拭
取り、２５０１：２時間ポストベークを行い７オトレジ
ストを、架橋処理を施した基板を製作する。以降、前述
した薄膜層を順次積層して第２の絶縁膜形成後、７オト
レジストを除去剤で除去することにより溝部に堆積した
薄膜層も同時に除去される。溝部で積層した膜が分断さ
れ、前述と同様の効果が得られる。
ｂに本発明を適用した垂直磁気記録再生用の薄膜磁気
ヘッドの構造の平面図および断面図を示す。非磁性から
なる基板１の薄膜形成面３にカッティング砥石あるいは
フォトリソグラフィー技術を利用したケミカルエツチン
グにより溝部２を形成し、更に薄膜形成面３を機械ラッ
プあるいはメカノケミカルラップにより平坦（平面度０
．６μｍ以下）且つ良好な面粗さくＲｍａ工４ｏÅ以下
）に加工を行う。このようにして加工した基板１の斜視
図を第２図に示す。次に基板１の凸部の薄膜形成面３に
ＣＯを主成分としＮｂ、Ｚｒ を少量含む非結晶合金膜
（厚み０．３μｍ）からなる第１の磁性膜４が所定のパ
ターンに形成され、第１の絶縁膜ｓ （Ｓ １０２ 、
厚み１μｍ）、導体膜５（Ａ５．厚み３μ！Ｉｎ）、第
２の絶縁膜７（Ａ１２０３．厚み１０μｍ）を形成後、
基板全面を一様にラッピングして平坦化し、第２の磁性
膜８（非結晶合金、厚さ５μｍ）の段差による磁気特性
の悪影響を無くした後、保護層９（Ａ１２ｏ３．厚さ１
０μｍ）を形成した構造である。第３図はヘッド構造の
断面図を示す。この実施例では基板１に溝部２が設けで
あるため溝のエッヂ部で膜が切断され、基板１にかかる
応力を少なくでき、ソリが少なくなり第２の絶縁膜７の
平坦化ラッピングにおいて基板全面にわたり導体膜ｅ上
の膜厚の均一な第２絶縁膜７が形成できる。別の実施例
としてフォトレジストをスピンナーにより基板１の薄膜
形成面に塗布し、凸部のみアセトンなどの有機溶剤で拭
取り、２５０１：２時間ポストベークを行い７オトレジ
ストを、架橋処理を施した基板を製作する。以降、前述
した薄膜層を順次積層して第２の絶縁膜形成後、７オト
レジストを除去剤で除去することにより溝部に堆積した
薄膜層も同時に除去される。溝部で積層した膜が分断さ
れ、前述と同様の効果が得られる。
発明の効果
本発明によれば、一基板上に複数個の磁気ヘッドが配置
される薄膜磁気ヘッドの製造方法において、基板上に溝
を形成することにより、堆積した薄膜層を溝部で切断し
、基板にかかる応力を分散させ、基板のソリを少なくし
て平坦化ラッピングの精度を向上させ、基板全面にわた
り均一にラップできることから薄膜磁気ヘッドの歩留り
が向上し、安定して製造することができる。
される薄膜磁気ヘッドの製造方法において、基板上に溝
を形成することにより、堆積した薄膜層を溝部で切断し
、基板にかかる応力を分散させ、基板のソリを少なくし
て平坦化ラッピングの精度を向上させ、基板全面にわた
り均一にラップできることから薄膜磁気ヘッドの歩留り
が向上し、安定して製造することができる。
第１図ａ、ｂは本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
る垂直磁気ヘッドの構造の平面図および断面図、第２図
は同基板の斜視図、第３図は同ヘッドの拡大断面図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・溝部、３・・・・
・・薄膜形成面、４・・・・・・第１の磁性膜、６・・
・・・・第１の絶縁膜、６・・・・・・導体膜、７・・
・・・・第２の絶縁膜、８・・・・・・第２の磁性膜、
９・・・・・・保護層。
る垂直磁気ヘッドの構造の平面図および断面図、第２図
は同基板の斜視図、第３図は同ヘッドの拡大断面図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・溝部、３・・・・
・・薄膜形成面、４・・・・・・第１の磁性膜、６・・
・・・・第１の絶縁膜、６・・・・・・導体膜、７・・
・・・・第２の絶縁膜、８・・・・・・第２の磁性膜、
９・・・・・・保護層。
Claims (4)
- （１）基板上に第１の磁性膜、第１の絶縁膜、導体膜、
第２の絶縁膜、第２の磁性膜をこの順に積層してなる薄
膜磁気ヘッドの製造方法において、前記基板の薄膜形成
面に一定の間隔で複数の溝を形成し、前記第２の絶縁膜
を形成後、機械的ラップによって表面を平坦にすること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （２）溝の深さが積層する薄膜の厚さよりも大きいこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - （３）溝の中に選択的に除去可能な充填物質を充填し、
第２の絶縁膜を形成後、前記充填物質を除去することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - （４）充填物質はフォトレジストであることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25896185A JPS62119715A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25896185A JPS62119715A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119715A true JPS62119715A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17327427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25896185A Pending JPS62119715A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119715A (ja) |
-
1985
- 1985-11-19 JP JP25896185A patent/JPS62119715A/ja active Pending
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