JPH0520634A - 薄膜磁気ヘツド・ウエハ - Google Patents
薄膜磁気ヘツド・ウエハInfo
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- JPH0520634A JPH0520634A JP16853491A JP16853491A JPH0520634A JP H0520634 A JPH0520634 A JP H0520634A JP 16853491 A JP16853491 A JP 16853491A JP 16853491 A JP16853491 A JP 16853491A JP H0520634 A JPH0520634 A JP H0520634A
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- films
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドのポールハイトモニタを上下
磁性膜の間のギャップ膜と絶縁膜をポールハイト０部分
だけ上部磁性膜をつけないことにより、素子面からポー
ルハイト０の検出を可能とする。 【構成】 薄膜磁気ヘッドにおいて、上下の磁性膜と前
記磁性膜の間の絶縁膜に包まれたコイルから成るポール
ハイトモニタ０付近の上部磁性膜をなくし、ギャップ膜
と絶縁膜をむき出しにすることで素子面からポールハイ
ト０がどこか検出できる。 【効果】 ポールハイト０の位置が直接検出できるた
め、ポールハイトの制御が正確にできる。
磁性膜の間のギャップ膜と絶縁膜をポールハイト０部分
だけ上部磁性膜をつけないことにより、素子面からポー
ルハイト０の検出を可能とする。 【構成】 薄膜磁気ヘッドにおいて、上下の磁性膜と前
記磁性膜の間の絶縁膜に包まれたコイルから成るポール
ハイトモニタ０付近の上部磁性膜をなくし、ギャップ膜
と絶縁膜をむき出しにすることで素子面からポールハイ
ト０がどこか検出できる。 【効果】 ポールハイト０の位置が直接検出できるた
め、ポールハイトの制御が正確にできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド・ウェ
ハ、特にウェハ上の擬似薄膜ヘッド素子の構造に関す
る。
ハ、特にウェハ上の擬似薄膜ヘッド素子の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図５に、従来の薄膜磁気ヘッドの構造を
示す。図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の
Ｅ−Ｅ線断面図である。この構造では、下部絶縁膜３の
端部までの距離はポールハイトと呼ばれており、薄膜磁
気ヘッドの効率を左右する重要なパラメータである。ポ
ールハイトが過度に大きいと、上部磁性膜２と下部磁性
膜６との間で漏洩する磁場が増加して効率が低下する。
このため、ポールハイトは極力小さい寸法に設定するこ
とが好ましいが、このポールハイトが「０」より小さく
なると、実効的に非磁性ギャップ膜１が大きくなって分
解能が低下する。従ってポールハイトを限りなく「０」
に近づけることが製造上の要点である。
示す。図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の
Ｅ−Ｅ線断面図である。この構造では、下部絶縁膜３の
端部までの距離はポールハイトと呼ばれており、薄膜磁
気ヘッドの効率を左右する重要なパラメータである。ポ
ールハイトが過度に大きいと、上部磁性膜２と下部磁性
膜６との間で漏洩する磁場が増加して効率が低下する。
このため、ポールハイトは極力小さい寸法に設定するこ
とが好ましいが、このポールハイトが「０」より小さく
なると、実効的に非磁性ギャップ膜１が大きくなって分
解能が低下する。従ってポールハイトを限りなく「０」
に近づけることが製造上の要点である。
【０００３】従来のこのポールハイト量の制御は、真の
ポールハイト「０」部が平面的に検出できないため、図
５のＡ点を仮の「０」として加工していた。
ポールハイト「０」部が平面的に検出できないため、図
５のＡ点を仮の「０」として加工していた。
【０００４】なお図５において、４はコイル、５は上部
絶縁膜である。
絶縁膜である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の薄膜磁気ヘッドのポールハイト制御の場合には、上部
絶縁膜の厚さ形状によって真のポールハイト「０」と仮
のポールハイト「０」のバラツキが生じてしまい、結局
ポールハイト量のバラツキが大きくなる欠点がある。
の薄膜磁気ヘッドのポールハイト制御の場合には、上部
絶縁膜の厚さ形状によって真のポールハイト「０」と仮
のポールハイト「０」のバラツキが生じてしまい、結局
ポールハイト量のバラツキが大きくなる欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、上述のような従来の薄膜
磁気ヘッドの欠点を解消して、ポールハイト量を素子面
から見ることができ、信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを
得ることのできる薄膜磁気ヘッド・ウェハを提供するこ
とにある。
磁気ヘッドの欠点を解消して、ポールハイト量を素子面
から見ることができ、信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを
得ることのできる薄膜磁気ヘッド・ウェハを提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、下部磁性膜，
下部絶縁膜，ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁
膜，上部磁性膜を順次積層して、一枚のウェハ上に行列
状に複数個の薄膜ヘッド素子を配し、その各行または各
列に複数個の前記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッ
ド素子と同様の積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素
子を有する薄膜磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個
の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜を前記下部絶縁膜の
外縁部が前記下部磁性膜上を乗り越える位置から絶縁膜
中心方向に後退させたことを特徴とする。
下部絶縁膜，ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁
膜，上部磁性膜を順次積層して、一枚のウェハ上に行列
状に複数個の薄膜ヘッド素子を配し、その各行または各
列に複数個の前記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッ
ド素子と同様の積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素
子を有する薄膜磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個
の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜を前記下部絶縁膜の
外縁部が前記下部磁性膜上を乗り越える位置から絶縁膜
中心方向に後退させたことを特徴とする。
【０００８】また本発明は、下部磁性膜，下部絶縁膜，
ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜
を順次積層して、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄
膜ヘッド素子を配し、その各行または各列に複数個の前
記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の
積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜
磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個の擬似薄膜ヘッ
ド素子の上部磁性膜を除去したことを特徴とする。
ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜
を順次積層して、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄
膜ヘッド素子を配し、その各行または各列に複数個の前
記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の
積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜
磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個の擬似薄膜ヘッ
ド素子の上部磁性膜を除去したことを特徴とする。
【０００９】また本発明は、下部磁性膜，下部絶縁膜，
ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜
を順次積層して、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄
膜ヘッド素子を配し、その各行または各列に複数個の前
記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の
積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜
磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個の擬似薄膜ヘッ
ド素子の上部磁性膜を前記下部絶縁膜の外縁部が前記下
部磁性膜上を乗り越える位置から下部絶縁膜から遠ざか
る方向に後退させたことを特徴とする。
ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜
を順次積層して、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄
膜ヘッド素子を配し、その各行または各列に複数個の前
記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の
積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜
磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個の擬似薄膜ヘッ
ド素子の上部磁性膜を前記下部絶縁膜の外縁部が前記下
部磁性膜上を乗り越える位置から下部絶縁膜から遠ざか
る方向に後退させたことを特徴とする。
【００１０】さらに本発明は、下部磁性膜，下部絶縁
膜，ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁
性膜を順次積層して、一枚のウェハ上に行列状に複数個
の薄膜ヘッド素子を配し、その各行または各列に複数個
の前記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッド素子と同
様の積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する
薄膜磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個の擬似薄膜
ヘッド素子の上部磁性膜を前記下部絶縁膜の外縁部が前
記下部磁性膜上を乗り越える位置から両側に後退させた
ことを特徴とする。
膜，ギャップ膜，複数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁
性膜を順次積層して、一枚のウェハ上に行列状に複数個
の薄膜ヘッド素子を配し、その各行または各列に複数個
の前記素子を挟んで配置された前記薄膜ヘッド素子と同
様の積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する
薄膜磁気ヘッド・ウェハにおいて、前記２個の擬似薄膜
ヘッド素子の上部磁性膜を前記下部絶縁膜の外縁部が前
記下部磁性膜上を乗り越える位置から両側に後退させた
ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのポールハイ
トモニタを上下磁性膜の間のギャップ膜と絶縁膜をポー
ルハイト０部分だけ上部磁性膜をつけないことにより、
素子面からポールハイト０の検出を可能とする。
トモニタを上下磁性膜の間のギャップ膜と絶縁膜をポー
ルハイト０部分だけ上部磁性膜をつけないことにより、
素子面からポールハイト０の検出を可能とする。
【００１２】このためには薄膜磁気ヘッドにおいて、上
下の磁性膜と前記磁性膜の間の絶縁膜に包まれたコイル
から成るポールハイトモニタの０付近の上部磁性膜をな
くし、ギャップ膜と絶縁膜をむき出しにすることで素子
面からポールハイト０がどこか検出できる。
下の磁性膜と前記磁性膜の間の絶縁膜に包まれたコイル
から成るポールハイトモニタの０付近の上部磁性膜をな
くし、ギャップ膜と絶縁膜をむき出しにすることで素子
面からポールハイト０がどこか検出できる。
【００１３】その結果、ポールハイト０の位置が直接検
出できるため、ポールハイトの制御が正確にできる。
出できるため、ポールハイトの制御が正確にできる。
【００１４】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１５】図１（ａ）は本発明の第１の実施例を示す
平面図、及び図１（ｂ）はＡ−Ａ線拡大断面図であり、
一枚のウェハ上に行列状に並んだ複数個の薄膜ヘッド素
子を隔てて配置された２個の擬似薄膜ヘッド素子の１つ
を示している。
平面図、及び図１（ｂ）はＡ−Ａ線拡大断面図であり、
一枚のウェハ上に行列状に並んだ複数個の薄膜ヘッド素
子を隔てて配置された２個の擬似薄膜ヘッド素子の１つ
を示している。
【００１６】すなわち、下部磁性膜６，ギャップ膜１，
下部絶縁膜３，複数層のコイル，上部絶縁膜５，上部磁
性膜２と順次積層して一枚のウェハ上に行列状に複数個
の薄膜磁気ヘッド素子を配し、その各行または各列に複
数個の薄膜磁気ヘッドを素子を挟んで配置された薄膜磁
気ヘッド素子と同様の積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘ
ッド素子を有する薄膜ヘッド・ウェハにおいて、これら
２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を、下部絶縁
膜３の外縁部が下部磁性膜６上を乗り越える位置（図１
中のＡ点、以下Ａ点と略す）から絶縁膜中心に後退して
いる構造を有している。
下部絶縁膜３，複数層のコイル，上部絶縁膜５，上部磁
性膜２と順次積層して一枚のウェハ上に行列状に複数個
の薄膜磁気ヘッド素子を配し、その各行または各列に複
数個の薄膜磁気ヘッドを素子を挟んで配置された薄膜磁
気ヘッド素子と同様の積層膜を備えた２個の擬似薄膜ヘ
ッド素子を有する薄膜ヘッド・ウェハにおいて、これら
２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を、下部絶縁
膜３の外縁部が下部磁性膜６上を乗り越える位置（図１
中のＡ点、以下Ａ点と略す）から絶縁膜中心に後退して
いる構造を有している。
【００１７】次にこの擬似薄膜ヘッド素子の製造方法を
説明する。
説明する。
【００１８】まず第１工程では、アルミナチタンカーバ
イト等のセラミック基盤上にメッキ導通用下地膜を１０
００オングストローム形成し、その上に電気メッキ等に
よりパーマロイから成る下部磁性膜６をパターニングす
る。
イト等のセラミック基盤上にメッキ導通用下地膜を１０
００オングストローム形成し、その上に電気メッキ等に
よりパーマロイから成る下部磁性膜６をパターニングす
る。
【００１９】第２工程で、上部基盤全面に０．４μ程度
のギャップ膜１となるアルミナをスパッタする。
のギャップ膜１となるアルミナをスパッタする。
【００２０】第３工程で、フォトレジストをパターニン
グ後、２００℃以上でベークし、３μ程度の下部絶縁膜
３をスパッタしたのち、パターンメッキによりコイル４
を形成し、その上にスパッタによって５μ程度上部絶縁
膜５を順次積層する。
グ後、２００℃以上でベークし、３μ程度の下部絶縁膜
３をスパッタしたのち、パターンメッキによりコイル４
を形成し、その上にスパッタによって５μ程度上部絶縁
膜５を順次積層する。
【００２１】以上の工程は薄膜ヘッド素子と同時に形成
されるわけであるが、次に積層する上部磁性膜２の形成
において、薄膜ヘッド素子と擬似薄膜ヘッド素子とで異
なった形状を形成する。
されるわけであるが、次に積層する上部磁性膜２の形成
において、薄膜ヘッド素子と擬似薄膜ヘッド素子とで異
なった形状を形成する。
【００２２】この実施例では、下部絶縁膜３の外縁部が
下部磁性膜６を乗り越える位置であるＡ点を覆わない絶
縁膜中心方向に、前述の下部磁性膜６と同様な手法によ
り、上部磁性膜２を形成する。
下部磁性膜６を乗り越える位置であるＡ点を覆わない絶
縁膜中心方向に、前述の下部磁性膜６と同様な手法によ
り、上部磁性膜２を形成する。
【００２３】図２に第２の実施例を示す。図２（ａ）は
平面図、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図である。本実施例
は、第１の実施例の薄膜磁気ヘッド・ウェハにおいて、
２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を除去した構
造を有している。このように本実施例では、上部磁性膜
２をまったく形成しないことで前述のＡ点を露出させて
いる。
平面図、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図である。本実施例
は、第１の実施例の薄膜磁気ヘッド・ウェハにおいて、
２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を除去した構
造を有している。このように本実施例では、上部磁性膜
２をまったく形成しないことで前述のＡ点を露出させて
いる。
【００２４】図３に第３の実施例を示す。図３（ａ）は
平面図、図３（ｂ）はＣ−Ｃ線断面図である。本実施例
は、２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を下部絶
縁膜３の外縁部が下部磁性膜上を乗り越える位置（Ａ
点）から絶縁膜中心より後退させる構造を有している。
このように本実施例ではＡ点を覆わないように下部磁性
膜６上の下部絶縁膜３の形成していない先端部のみに上
部磁性膜２を形成する。
平面図、図３（ｂ）はＣ−Ｃ線断面図である。本実施例
は、２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を下部絶
縁膜３の外縁部が下部磁性膜上を乗り越える位置（Ａ
点）から絶縁膜中心より後退させる構造を有している。
このように本実施例ではＡ点を覆わないように下部磁性
膜６上の下部絶縁膜３の形成していない先端部のみに上
部磁性膜２を形成する。
【００２５】図４に第４の実施例を示す。図４（ａ）は
平面図、図４（ｂ）はＤ−Ｄ線断面図である。本実施例
は、２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を下部絶
縁膜３の外縁部が下部磁性膜６上を乗り越える位置から
両側に後退させた構造を有している。このように本実施
例では第１の実施例と第３の実施例を組み合わせた形に
上部磁性膜２を形成する以上説明した第１〜第４の実施
例の擬似薄膜ヘッド素子では、平面図において図５の薄
膜ヘッド素子で見れなかったＡ部すなわちポールハイト
「０」部を直接見ることができる。
平面図、図４（ｂ）はＤ−Ｄ線断面図である。本実施例
は、２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜２を下部絶
縁膜３の外縁部が下部磁性膜６上を乗り越える位置から
両側に後退させた構造を有している。このように本実施
例では第１の実施例と第３の実施例を組み合わせた形に
上部磁性膜２を形成する以上説明した第１〜第４の実施
例の擬似薄膜ヘッド素子では、平面図において図５の薄
膜ヘッド素子で見れなかったＡ部すなわちポールハイト
「０」部を直接見ることができる。
【００２６】従ってこの後、機械加工において列状に切
断し、研削及びラップ加工する時、２箇所の擬似薄膜ヘ
ッド素子部分でポールハイト「０」を直接検出できるた
め正確なポールハイトを精度よく制御できることにな
る。
断し、研削及びラップ加工する時、２箇所の擬似薄膜ヘ
ッド素子部分でポールハイト「０」を直接検出できるた
め正確なポールハイトを精度よく制御できることにな
る。
【００２７】なお、擬似薄膜ヘッド素子を１列に２個ま
たは数個配設しても、通常スライダ１個当り２個の薄膜
ヘッド素子を持っており、そのうち電磁変換に利用する
素子は１個だけなので、生産性及び歩留まりを低下させ
ることはない。
たは数個配設しても、通常スライダ１個当り２個の薄膜
ヘッド素子を持っており、そのうち電磁変換に利用する
素子は１個だけなので、生産性及び歩留まりを低下させ
ることはない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、上部磁性
膜を下部絶縁膜よりも小さくすることにより、素子面か
ら真のポールハイト「０」を直接検出できることによっ
て、限りなく「０」に近いポールハイト量を精度よく制
御できる効果がある。
膜を下部絶縁膜よりも小さくすることにより、素子面か
ら真のポールハイト「０」を直接検出できることによっ
て、限りなく「０」に近いポールハイト量を精度よく制
御できる効果がある。
【図１】本発明の第１実施例の平面図及び断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２実施例の平面図及び断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３実施例の平面図及び断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第４実施例の平面図及び断面図であ
る。
る。
【図５】従来例を表す平面図及び断面図である。
１ ギャップ膜
２ 上部磁性膜
３ 下部絶縁膜
４ コイル
５ 上部絶縁膜
６ 下部磁性膜
Claims (4)
- 【請求項１】下部磁性膜，下部絶縁膜，ギャップ膜，複
数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜を順次積層し
て、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄膜ヘッド素子
を配し、その各行または各列に複数個の前記素子を挟ん
で配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の積層膜を備え
た２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド・
ウェハにおいて、 前記２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜を前記下部
絶縁膜の外縁部が前記下部磁性膜上を乗り越える位置か
ら絶縁膜中心方向に後退させたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド・ウェハ。 - 【請求項２】下部磁性膜，下部絶縁膜，ギャップ膜，複
数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜を順次積層し
て、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄膜ヘッド素子
を配し、その各行または各列に複数個の前記素子を挟ん
で配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の積層膜を備え
た２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド・
ウェハにおいて、 前記２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜を除去した
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド・ウェハ。 - 【請求項３】下部磁性膜，下部絶縁膜，ギャップ膜，複
数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜を順次積層し
て、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄膜ヘッド素子
を配し、その各行または各列に複数個の前記素子を挟ん
で配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の積層膜を備え
た２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド・
ウェハにおいて、 前記２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜を前記下部
絶縁膜の外縁部が前記下部磁性膜上を乗り越える位置か
ら下部絶縁膜から遠ざかる方向に後退させたことを特徴
とする薄膜磁気ヘッド・ウェハ。 - 【請求項４】下部磁性膜，下部絶縁膜，ギャップ膜，複
数層のコイル，上部絶縁膜，上部磁性膜を順次積層し
て、一枚のウェハ上に行列状に複数個の薄膜ヘッド素子
を配し、その各行または各列に複数個の前記素子を挟ん
で配置された前記薄膜ヘッド素子と同様の積層膜を備え
た２個の擬似薄膜ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド・
ウェハにおいて、 前記２個の擬似薄膜ヘッド素子の上部磁性膜を前記下部
絶縁膜の外縁部が前記下部磁性膜上を乗り越える位置か
ら両側に後退させたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド・
ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853491A JPH0520634A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 薄膜磁気ヘツド・ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853491A JPH0520634A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 薄膜磁気ヘツド・ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520634A true JPH0520634A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15869807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16853491A Pending JPH0520634A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 薄膜磁気ヘツド・ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520634A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06301929A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227211A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP16853491A patent/JPH0520634A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227211A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06301929A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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