JPS62116793A - 電鋳スタンパの製造方法 - Google Patents
電鋳スタンパの製造方法Info
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- JPS62116793A JPS62116793A JP25640385A JP25640385A JPS62116793A JP S62116793 A JPS62116793 A JP S62116793A JP 25640385 A JP25640385 A JP 25640385A JP 25640385 A JP25640385 A JP 25640385A JP S62116793 A JPS62116793 A JP S62116793A
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- film
- glass substrate
- holes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光ディスク、PCMオーデオディスク、ビデ
オディスク等の複製に用いられるニッケルスタンパ等の
電鋳スタンパの製造方法に関する。
オディスク等の複製に用いられるニッケルスタンパ等の
電鋳スタンパの製造方法に関する。
従来技術
一般に、微細凹凸パターンを有する光ディスク等の複製
には、電鋳法により製造されるニッケルの金型、即ちス
タンパが用いられる。ここに、このようなスタンパを用
いてディスクを複製する従来の方法としては、コンプレ
ッション法、インジェクション法、インジェクションコ
ンプレッション法等がある。しかし、これらの方法は何
れも熱可塑性樹脂を加熱軟化及び加圧成形する必要があ
り、スタンパ自体も熱及び圧力影響の繰返しにより劣化
する。これにより、光ディスク、ビデオディスク等のよ
うに高密度ディスクの複製としては、品質、歩留りの点
で多くの聞届を含んでいる。
には、電鋳法により製造されるニッケルの金型、即ちス
タンパが用いられる。ここに、このようなスタンパを用
いてディスクを複製する従来の方法としては、コンプレ
ッション法、インジェクション法、インジェクションコ
ンプレッション法等がある。しかし、これらの方法は何
れも熱可塑性樹脂を加熱軟化及び加圧成形する必要があ
り、スタンパ自体も熱及び圧力影響の繰返しにより劣化
する。これにより、光ディスク、ビデオディスク等のよ
うに高密度ディスクの複製としては、品質、歩留りの点
で多くの聞届を含んでいる。
しかして、このような欠点をなくすディスクの複製方法
として、紫外線硬化型の樹脂を用いる方法が提案されて
いる。この方法は、簡単にはスタンパ上に液状の紫外線
硬化型樹脂を滴下し、アクリル板、ガラス板等の透明な
当て板を押し当て、液状の樹脂をスタンパ面に均一に伸
ばした後、この当て版を通して紫外線を照射する。これ
により、液状の樹脂を硬化させてスタンパの微細パター
ン形状を転写させる。その後、当て板と一体的にスタン
パから剥離することにより複製ディスクを得るというも
のである。
として、紫外線硬化型の樹脂を用いる方法が提案されて
いる。この方法は、簡単にはスタンパ上に液状の紫外線
硬化型樹脂を滴下し、アクリル板、ガラス板等の透明な
当て板を押し当て、液状の樹脂をスタンパ面に均一に伸
ばした後、この当て版を通して紫外線を照射する。これ
により、液状の樹脂を硬化させてスタンパの微細パター
ン形状を転写させる。その後、当て板と一体的にスタン
パから剥離することにより複製ディスクを得るというも
のである。
このような方法によれば、複製ディスクを得る工程で、
圧力は約100 kg程度であり殆ど圧力が加わらず、
従来のコンプレッション法やインジェクション法に比べ
て約171000程度である。
圧力は約100 kg程度であり殆ど圧力が加わらず、
従来のコンプレッション法やインジェクション法に比べ
て約171000程度である。
従って、紫外線硬化型樹脂を用いる方式では、スタンパ
の平坦性が従来の他の方法の場合に要求される以上に重
要な条件となる。
の平坦性が従来の他の方法の場合に要求される以上に重
要な条件となる。
この点、従来の紫外線硬化型樹脂を用いるディスク複製
用のスタンパは第3図(a)〜(e)に示すような製造
方法により製造されている。まず、表面を研磨した円板
状のガラス基板1の表面にフォトレジスト膜2を塗布し
く第3図(a))、 このフォトレジスト膜2に対して
レーザー光等による露光、現像工程等を行って凹凸状の
微細パターン3を形成することによりガラス原盤4を得
る(同図(b))。次に、微細パターン3表面にスパッ
タリング法等により導電性薄膜5を形成した後(同図(
c))、電鋳法によりこの導電性薄膜5上にニッケル皮
膜6を形成し、更にその上に裏打ち板7を接着剤により
接着固定する(同図(d))。この後、導電性薄膜5、
ニッケル皮膜6及び裏打ち板7を一体としてガラス原盤
4から剥離することによりスタンパ8が製造される(同
図(e))。
用のスタンパは第3図(a)〜(e)に示すような製造
方法により製造されている。まず、表面を研磨した円板
状のガラス基板1の表面にフォトレジスト膜2を塗布し
く第3図(a))、 このフォトレジスト膜2に対して
レーザー光等による露光、現像工程等を行って凹凸状の
微細パターン3を形成することによりガラス原盤4を得
る(同図(b))。次に、微細パターン3表面にスパッ
タリング法等により導電性薄膜5を形成した後(同図(
c))、電鋳法によりこの導電性薄膜5上にニッケル皮
膜6を形成し、更にその上に裏打ち板7を接着剤により
接着固定する(同図(d))。この後、導電性薄膜5、
ニッケル皮膜6及び裏打ち板7を一体としてガラス原盤
4から剥離することによりスタンパ8が製造される(同
図(e))。
この場合、ニッケル皮膜6に接着する裏打ち板7として
は、一般にステンレス、真ちゅう、アルミニウム等の材
質が用いられるが、この裏打ち板7はスタンパの平坦性
を保つために十分なる剛性を持たせる必要があり、その
厚みは例えば10mrrI程度とされている。このよう
な剛性を有する裏打ち板7を用いるため、従来にあって
は第3図(d)に示す状態においてガラス原盤4から剥
離してスタンパ8を得る際に問題が生じている。
は、一般にステンレス、真ちゅう、アルミニウム等の材
質が用いられるが、この裏打ち板7はスタンパの平坦性
を保つために十分なる剛性を持たせる必要があり、その
厚みは例えば10mrrI程度とされている。このよう
な剛性を有する裏打ち板7を用いるため、従来にあって
は第3図(d)に示す状態においてガラス原盤4から剥
離してスタンパ8を得る際に問題が生じている。
まず、この剥離法としてはフォトレジスト膜2と導電性
薄膜5との間に爪状の鋭利物を差し込んで剥離する方法
がある。この方式の場合、ガラス原盤4とスタンパ8と
はともに剛性が大きいので、反りを生ぜず鋭利物を差し
込むのが困難である。
薄膜5との間に爪状の鋭利物を差し込んで剥離する方法
がある。この方式の場合、ガラス原盤4とスタンパ8と
はともに剛性が大きいので、反りを生ぜず鋭利物を差し
込むのが困難である。
そして、無理に差し込もうとすると、ガラス基板1を破
損させてしまう危険性、更にはスタンパ8の平坦性をも
損なう危険性があるものである。
損させてしまう危険性、更にはスタンパ8の平坦性をも
損なう危険性があるものである。
又、真空チャックを用いて両側へ引張ることにより、ガ
ラス原盤4とスタンパ8とを剥離する方法もある。ここ
に、ガラス原盤4とスタンパ8との接触面は本来真空状
態であるので、通常の真空チャックを用いた方法では両
者を剥離することは困難である。
ラス原盤4とスタンパ8とを剥離する方法もある。ここ
に、ガラス原盤4とスタンパ8との接触面は本来真空状
態であるので、通常の真空チャックを用いた方法では両
者を剥離することは困難である。
更に、ガラス基板1とニッケル皮膜6又は裏打ち仮7と
の間の熱膨張率の差を利用し、ヒートショックを与える
ことにより剥離する方法もある。
の間の熱膨張率の差を利用し、ヒートショックを与える
ことにより剥離する方法もある。
しかし、スタンパ8は何種類かの材質を積層させた形態
のものであるため、加熱・冷却を繰り返すとスタンパ8
の平坦性を損なう危険性がある。
のものであるため、加熱・冷却を繰り返すとスタンパ8
の平坦性を損なう危険性がある。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、ガラス
基板を損傷させたり、スタンパの平坦性を損なうことな
く、ガラス基板からスタンパを剥離させることができる
電鋳スタンバの製造方法を提供することを目的とする。
基板を損傷させたり、スタンパの平坦性を損なうことな
く、ガラス基板からスタンパを剥離させることができる
電鋳スタンバの製造方法を提供することを目的とする。
構成
本発明は、上記目的を達成するため、ガラス基板上にフ
ォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜上に凹
凸状の微細パターンを形成し、この微細パターン表面上
に導電性薄膜を形成した後、電鋳法により導電性薄膜上
に金属皮膜を形成し、二の金属皮膜上に裏打ち板を接着
し、この金属皮膜側をガラス基板側から剥離させる電鋳
スタンパの製造方法において、基板中心を中心とした同
心円上に貫通穴の形成されたガラス基板を用いることを
特徴とするものである。
ォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜上に凹
凸状の微細パターンを形成し、この微細パターン表面上
に導電性薄膜を形成した後、電鋳法により導電性薄膜上
に金属皮膜を形成し、二の金属皮膜上に裏打ち板を接着
し、この金属皮膜側をガラス基板側から剥離させる電鋳
スタンパの製造方法において、基板中心を中心とした同
心円上に貫通穴の形成されたガラス基板を用いることを
特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第1図に基づいて説明する。
基本的な工程は、第3図で示したものと同様であり、同
一部分は同一符号を用いて説明する。本実施例は、貫通
状態の複数の貫通穴9が形成されたガラス基板1を用い
ることを特徴とするものである。これらの貫通穴9はガ
ラス基板1の中心を中心とした同心円上に位置させて形
成されている。このようなガラス基板1を用い、まずフ
ォトレジスト膜2を塗布する(第1図(a))。そして
、このフォトレジスト膜2上に微細パターン3を形成し
てガラス原盤4とする(同図(b))。
一部分は同一符号を用いて説明する。本実施例は、貫通
状態の複数の貫通穴9が形成されたガラス基板1を用い
ることを特徴とするものである。これらの貫通穴9はガ
ラス基板1の中心を中心とした同心円上に位置させて形
成されている。このようなガラス基板1を用い、まずフ
ォトレジスト膜2を塗布する(第1図(a))。そして
、このフォトレジスト膜2上に微細パターン3を形成し
てガラス原盤4とする(同図(b))。
そして、微細パターン3上に導電性薄膜5を形成しく同
図(c))、その表面に電鋳法によりニッケル皮膜6を
形成し、更に裏打ち板7を接着剤により接着固定する(
同図(d))。つまり、ここまでの工程は第3図で説明
した場合と同様である。
図(c))、その表面に電鋳法によりニッケル皮膜6を
形成し、更に裏打ち板7を接着剤により接着固定する(
同図(d))。つまり、ここまでの工程は第3図で説明
した場合と同様である。
しかして、導電性薄膜5、ニッケル皮膜6及び裏打ち板
7を一体としてガラス原盤4がらの剥離を行うが、この
際、第1図(e)に示すようにガラス基板1に形成され
ている貫通穴9にプラスチックス丸棒等の棒状部材1o
を差し込み、ハンマー等により機械的な力を加えること
により、剥離工程を実行する。そして、第1図(f)に
示すようにスタンパ8を得ることになる。
7を一体としてガラス原盤4がらの剥離を行うが、この
際、第1図(e)に示すようにガラス基板1に形成され
ている貫通穴9にプラスチックス丸棒等の棒状部材1o
を差し込み、ハンマー等により機械的な力を加えること
により、剥離工程を実行する。そして、第1図(f)に
示すようにスタンパ8を得ることになる。
このように、本実施例によれば、最初から貫通穴9の形
成されたガラス基板1を用いるので、電鋳後の剥離工程
において、この貫通穴〇を介して機械的な力を加えれば
よいので、剥離作業が剛性を有する裏打ち板7等により
損なわれることがない。そして、ガラス基板1を破損さ
せたり、スタンパ8側の平坦性を損なうこともない。そ
して、ガラス原盤4とスタンパ8との剥離作業に特別の
熟練をも要しないことになる。
成されたガラス基板1を用いるので、電鋳後の剥離工程
において、この貫通穴〇を介して機械的な力を加えれば
よいので、剥離作業が剛性を有する裏打ち板7等により
損なわれることがない。そして、ガラス基板1を破損さ
せたり、スタンパ8側の平坦性を損なうこともない。そ
して、ガラス原盤4とスタンパ8との剥離作業に特別の
熟練をも要しないことになる。
ところで、貫通穴9を形成することにより、フォトレジ
スト膜2を回転塗布(スピンコード法)する際に、回転
ムラを生じやすいことになるが、本実施例では貫通穴〇
をガラス基板1の中心を中心とした同心同上に形成して
いるので、回転ムラを生ずることはなく、フォトレジス
ト膜2を均一に塗布することができる。又、二の貫通穴
〇の大きさは、微細パターン3を形成する領域に食い込
む等の支障がなければ、大きさの制限は特にないが、あ
まり小さすぎると剥離工程に対する効果が小さく、逆に
、大きすぎてもフォトレジスト膜2の塗布ムラを生じや
すくなるので、直径3〜IO画程度の穴とするのがよい
。
スト膜2を回転塗布(スピンコード法)する際に、回転
ムラを生じやすいことになるが、本実施例では貫通穴〇
をガラス基板1の中心を中心とした同心同上に形成して
いるので、回転ムラを生ずることはなく、フォトレジス
ト膜2を均一に塗布することができる。又、二の貫通穴
〇の大きさは、微細パターン3を形成する領域に食い込
む等の支障がなければ、大きさの制限は特にないが、あ
まり小さすぎると剥離工程に対する効果が小さく、逆に
、大きすぎてもフォトレジスト膜2の塗布ムラを生じや
すくなるので、直径3〜IO画程度の穴とするのがよい
。
ここで、直径5mm以上の大きさの貫通穴〇とする場合
には、第2図に示すように、この貫通穴9内にゴム、プ
ラスチックス、パテ等の軟質部材1■を埋込んで用い、
通常通りに電鋳、裏打ち版7の接着等を行った後、この
軟質部材11を物理的に削り取るとか、溶剤で溶かして
取り除く等の方式を採ることもできる。
には、第2図に示すように、この貫通穴9内にゴム、プ
ラスチックス、パテ等の軟質部材1■を埋込んで用い、
通常通りに電鋳、裏打ち版7の接着等を行った後、この
軟質部材11を物理的に削り取るとか、溶剤で溶かして
取り除く等の方式を採ることもできる。
つづいて、具体例を挙げて説明する。まず、直径8mm
の貫通穴9が形成されたガラス基板1を用い、この貫通
穴9にブチルゴム栓をその上端がガラス基板1表面とほ
ぼ平らになり下端がガラス基板1から10mm程度突出
する状態でセットする。
の貫通穴9が形成されたガラス基板1を用い、この貫通
穴9にブチルゴム栓をその上端がガラス基板1表面とほ
ぼ平らになり下端がガラス基板1から10mm程度突出
する状態でセットする。
そして、ガラス基板1上にフォトレジスト膜2を塗布し
、更に微細パターン3を形成してガラス原盤4とし、導
電性薄膜5を形成する。この後、電911法によりニッ
ケル皮膜6を厚さ0.3mmに形成する。この時の電鋳
条件は、例えばスルファミン酸ニッケル450g/Q、
塩化ニッケル5g/Q、はう酸30g/Qよりなるニッ
ケルメッキ液で、その液温か50℃、電流密度が0.1
〜8 A / crd、電鋳時間が約250分である。
、更に微細パターン3を形成してガラス原盤4とし、導
電性薄膜5を形成する。この後、電911法によりニッ
ケル皮膜6を厚さ0.3mmに形成する。この時の電鋳
条件は、例えばスルファミン酸ニッケル450g/Q、
塩化ニッケル5g/Q、はう酸30g/Qよりなるニッ
ケルメッキ液で、その液温か50℃、電流密度が0.1
〜8 A / crd、電鋳時間が約250分である。
次に、ブチルゴム栓10を取り除き、貫通穴9に直径7
.5Mのプラスチックス丸棒10を差し込み、プラスチ
ックスハンマーで機械的刺激を与えることにより、ガラ
ス原盤4からスタンパ8を剥離する。このようにして剥
離した場合、ガラス基板lを傷つけることがなく、スタ
ンパ8の平坦性を損なうこともなかったものである。
.5Mのプラスチックス丸棒10を差し込み、プラスチ
ックスハンマーで機械的刺激を与えることにより、ガラ
ス原盤4からスタンパ8を剥離する。このようにして剥
離した場合、ガラス基板lを傷つけることがなく、スタ
ンパ8の平坦性を損なうこともなかったものである。
なお、フォトレジスト膜2の一部がスタンパ8に付着し
てくる場合があるが、これはアセトン等の溶剤によりス
タンパ8表面を洗浄することにより容易に取り除くこと
ができる。
てくる場合があるが、これはアセトン等の溶剤によりス
タンパ8表面を洗浄することにより容易に取り除くこと
ができる。
又、貫通穴9に差し込んでおく軟質部材としては、ブチ
ルゴムに限らず、シリコンゴム、天然ゴム、硝酸セルロ
ース等のようにメッキ液に溶解しないものであればよく
、特に制限はない。もっとも、貫通穴9とのなじみ、表
面性、耐食性等の点を考慮するとブチルゴムが適当であ
る。
ルゴムに限らず、シリコンゴム、天然ゴム、硝酸セルロ
ース等のようにメッキ液に溶解しないものであればよく
、特に制限はない。もっとも、貫通穴9とのなじみ、表
面性、耐食性等の点を考慮するとブチルゴムが適当であ
る。
効果
本発明は、上述したように貫通穴の形成されたガラス基
板を用いるようにしたので、電鋳後にガラス原盤からス
タンパを剥離する作業をこの貫通穴を押して機械的な力
を加えることにより簡単に行うことができ、この際、ガ
ラス基板を傷つけることがなく、又、スタンパの平面性
を損なう二ともないものである。
板を用いるようにしたので、電鋳後にガラス原盤からス
タンパを剥離する作業をこの貫通穴を押して機械的な力
を加えることにより簡単に行うことができ、この際、ガ
ラス基板を傷つけることがなく、又、スタンパの平面性
を損なう二ともないものである。
第1図(a)〜(f)は本発明の一実施例を工程順に示
す断面図、第2図は変形例を示す断面図、第3図(a)
〜(e)は従来例を工程順に示す断面図である。 l・・・ガラス基板、2・・・フォトレジスト膜、3・
・・微細パターン、5・・・導電性薄膜、6・・・ニッ
ケル皮膜(金属皮膜)、7・・・裏打ち板、8・・・ス
タンパ、9・・・貫通穴 5 」 】 rb
す断面図、第2図は変形例を示す断面図、第3図(a)
〜(e)は従来例を工程順に示す断面図である。 l・・・ガラス基板、2・・・フォトレジスト膜、3・
・・微細パターン、5・・・導電性薄膜、6・・・ニッ
ケル皮膜(金属皮膜)、7・・・裏打ち板、8・・・ス
タンパ、9・・・貫通穴 5 」 】 rb
Claims (1)
- ガラス基板上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォト
レジスト膜上に凹凸状の微細パターンを形成し、この微
細パターン表面上に導電性薄膜を形成した後、電鋳法に
より導電性薄膜上に金属皮膜を形成し、この金属皮膜上
に裏打ち板を接着し、この金属皮膜側をガラス基板側か
ら剥離させる電鋳スタンパの製造方法において、基板中
心を中心とした同心円上に貫通穴の形成されたガラス基
板を用いることを特徴とする電鋳スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25640385A JPS62116793A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 電鋳スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25640385A JPS62116793A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 電鋳スタンパの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62116793A true JPS62116793A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17292190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25640385A Pending JPS62116793A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 電鋳スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62116793A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005290429A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Seiko Instruments Inc | 低融点金属を用いた電鋳部品の製造方法 |
JP2010528480A (ja) * | 2007-05-31 | 2010-08-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 成形によって光学素子を作製する方法、この方法により作製した光学素子、集光器および照明系 |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP25640385A patent/JPS62116793A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005290429A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Seiko Instruments Inc | 低融点金属を用いた電鋳部品の製造方法 |
JP4530262B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-08-25 | セイコーインスツル株式会社 | 低融点金属を用いた電鋳部品の製造方法 |
JP2010528480A (ja) * | 2007-05-31 | 2010-08-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 成形によって光学素子を作製する方法、この方法により作製した光学素子、集光器および照明系 |
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