JPS62105422A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62105422A JPS62105422A JP24390785A JP24390785A JPS62105422A JP S62105422 A JPS62105422 A JP S62105422A JP 24390785 A JP24390785 A JP 24390785A JP 24390785 A JP24390785 A JP 24390785A JP S62105422 A JPS62105422 A JP S62105422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- film
- palladium
- chemical vapor
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に係わり、持合
に有機アルミニウム等のAM化学物をソースとする減圧
化学気相成長法によってAl1を選択的に堆積するのに
好適な方法に関する。
化学気相成長法によってAl1を選択的に堆積するのに
好適な方法に関する。
LSTの微細化、高密度化に伴い、ヴイアホール(層間
配線接続孔)やコンタクトホール(配線孔)の開口部寸
法は、17zrnll以下となるうとしでいる。一方、
層間絶縁膜、配線金属膜の厚さはホール開口部寸法と比
例して縮小できないため、これらの孔は、開口部寸法に
比べて深く (アスペクト比が大きく)なってきた。し
たがって、このようにアスペクト比が大きい孔に、配線
金属を埋め込む技術の開発が重要となってきた。
配線接続孔)やコンタクトホール(配線孔)の開口部寸
法は、17zrnll以下となるうとしでいる。一方、
層間絶縁膜、配線金属膜の厚さはホール開口部寸法と比
例して縮小できないため、これらの孔は、開口部寸法に
比べて深く (アスペクト比が大きく)なってきた。し
たがって、このようにアスペクト比が大きい孔に、配線
金属を埋め込む技術の開発が重要となってきた。
その技術の一つとして、段差被覆性の高い、化学気相成
長技術が提案されている。従来、配線用金属として好適
とされるアルミニウムの化学気相成長に関しては、特開
昭54−1637日号公報記載の方法が知られている。
長技術が提案されている。従来、配線用金属として好適
とされるアルミニウムの化学気相成長に関しては、特開
昭54−1637日号公報記載の方法が知られている。
しかし、この方法では、ル板表面全体にアルミニウムを
化学気相成長さ拷ることは記載されているが、rγイア
ホールやコンタクトホール等の所望の領域にのみアルミ
ニウム層を選択的に形成する方法は示されていない。ア
スペクト比の大きいヴイアホールやコンタクl−ホール
を埋め込むためには、アルミニウムを選択的にホール内
に成長させる方法が望まれていた。
化学気相成長さ拷ることは記載されているが、rγイア
ホールやコンタクトホール等の所望の領域にのみアルミ
ニウム層を選択的に形成する方法は示されていない。ア
スペクト比の大きいヴイアホールやコンタクl−ホール
を埋め込むためには、アルミニウムを選択的にホール内
に成長させる方法が望まれていた。
本発明の目的は、」―記従来の問題を解決し、アルミニ
ウムを所望部分に選択的に堆積することのできる半導体
装置の製造方法を提供することにある。
ウムを所望部分に選択的に堆積することのできる半導体
装置の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明は!、所望の形状登有し
、アルミニウムが析出しやすい材料からなる膜を基板]
−に形成し化学気相成長法によって」―記載−1―にア
ルミニウムを選択的に堆積させるものである。
、アルミニウムが析出しやすい材料からなる膜を基板]
−に形成し化学気相成長法によって」―記載−1―にア
ルミニウムを選択的に堆積させるものである。
タンを有するパラジウム層を形成した後、トリイソブチ
ルアルミニウムをソースとして、アルミニウムの減圧化
学気相成長を行うことにより、パラジウム層Hにのみ、
選択的にアルミニウムが気相成長される。
ルアルミニウムをソースとして、アルミニウムの減圧化
学気相成長を行うことにより、パラジウム層Hにのみ、
選択的にアルミニウムが気相成長される。
実施例1
本実施例は、アルミニウムが析出しゃすい材料からなる
膜として、パラジウム膜を用い、このバラジウ11膜上
にアルミニウムを形成する場合である。第1図と第5図
登用いて説明する。
膜として、パラジウム膜を用い、このバラジウ11膜上
にアルミニウムを形成する場合である。第1図と第5図
登用いて説明する。
第1図は、本実施例を示す二1ユ程図である。第5図は
本実施例において用いた減圧化学気相成J(装置の概略
図である。
本実施例において用いた減圧化学気相成J(装置の概略
図である。
第1図(a)は、厚さ500nmの熱酸化1117%1
01を表面に形成したシリコンJん板102を示す。こ
の熱酸化+1!li 1011・l:、第1図(F))
に示す如く、電子ビーム蒸着法により、パラジウム膜1
03を堆積した。パラジウム膜108の厚さは、110
0nである。このバラジウAII’J 10 :l t
−にレジストを塗布し、通常のリソグラフィーに稈によ
ってパターン転写を行い、部分的にレジストを除去した
。次に王水を用いたウェット・エツチング法によってパ
ラジウム膜10;3の霞出された部分をエツチングして
除去し、負)1図(c)に示したようにアルミニウムを
被着すべき領域にのみパラジウム膜103を残す。次に
、有機アルミニラlNの一種である、トリイソブチルア
ルミニウムをソ−スとし、減圧化学気相成長法により、
アルミニウムを堆積した。その結果、第1図(d)のよ
うに、パラジウム膜103上にのみ、アルミニウム膜1
04が被着した。
01を表面に形成したシリコンJん板102を示す。こ
の熱酸化+1!li 1011・l:、第1図(F))
に示す如く、電子ビーム蒸着法により、パラジウム膜1
03を堆積した。パラジウム膜108の厚さは、110
0nである。このバラジウAII’J 10 :l t
−にレジストを塗布し、通常のリソグラフィーに稈によ
ってパターン転写を行い、部分的にレジストを除去した
。次に王水を用いたウェット・エツチング法によってパ
ラジウム膜10;3の霞出された部分をエツチングして
除去し、負)1図(c)に示したようにアルミニウムを
被着すべき領域にのみパラジウム膜103を残す。次に
、有機アルミニラlNの一種である、トリイソブチルア
ルミニウムをソ−スとし、減圧化学気相成長法により、
アルミニウムを堆積した。その結果、第1図(d)のよ
うに、パラジウム膜103上にのみ、アルミニウム膜1
04が被着した。
この有機アルミニウムの減圧化学気相成長について、第
5図に用いて説明する。
5図に用いて説明する。
本実施例に!いて使用した減圧化学気相成長装置は、第
5図に示したように大きく分けて、トリイソブチルアル
ミニウム等の有機アルミニウムのソースが収納されてい
るソース室505、化学気相成長が行われる反応室50
4から構成されている。
5図に示したように大きく分けて、トリイソブチルアル
ミニウム等の有機アルミニウムのソースが収納されてい
るソース室505、化学気相成長が行われる反応室50
4から構成されている。
ソース室505には、必要に応じて、バブリングガスと
してアルゴン又は水素が導入される。反応室504には
、ソースガスの他に、必要に応じてアルゴンまたは水素
がキャリアガスとして導入される。また反応室504に
は、必要に応じて排気するだめの装置として、液体窒素
トラップを介して拡散ポンプ及びメカニカルブースタポ
ンプが結合されている。反応室の容量は、約80flで
ある。反応室504内には、回転可能な基板支持台50
2と基板支p’f”b 02に支持された半導体基板5
01と半導体基板501を加熱するためのヒーター50
3が設けられている。また、ソースガスの流路には、ソ
ース室505から半導体基板501の近傍までに、有機
アルミニウムが熱分解しないように、トリイソブチルア
ルミニウムの場合45℃に保つように保温具506が設
けられている。保温具506としては、ヒーターによっ
て45℃に保つ方法や、水温45℃の温水を循環させる
方法がとられる。
してアルゴン又は水素が導入される。反応室504には
、ソースガスの他に、必要に応じてアルゴンまたは水素
がキャリアガスとして導入される。また反応室504に
は、必要に応じて排気するだめの装置として、液体窒素
トラップを介して拡散ポンプ及びメカニカルブースタポ
ンプが結合されている。反応室の容量は、約80flで
ある。反応室504内には、回転可能な基板支持台50
2と基板支p’f”b 02に支持された半導体基板5
01と半導体基板501を加熱するためのヒーター50
3が設けられている。また、ソースガスの流路には、ソ
ース室505から半導体基板501の近傍までに、有機
アルミニウムが熱分解しないように、トリイソブチルア
ルミニウムの場合45℃に保つように保温具506が設
けられている。保温具506としては、ヒーターによっ
て45℃に保つ方法や、水温45℃の温水を循環させる
方法がとられる。
次に、本装置による。アルミニウムの減圧化学気相成長
の手順について述べる。
の手順について述べる。
まず、ヒーター503を使用して、半導体基板501を
260℃まで上げながら拡散ポンプで反応室504の排
気を約I X 1.0−6Torrまで行う。
260℃まで上げながら拡散ポンプで反応室504の排
気を約I X 1.0−6Torrまで行う。
次に、反応室内均熱化と昇温をはやめるため、排気装置
をメカニカルブースタポンプに切換えて、水素を500
mQ/分の割合で流し、反応室504の内圧を0 、
F) Torrとして、10分間アニ−ルする。次にも
う一度、拡散ポンプで約I X i O’Torrまで
排気する。そして、メカニカルブースタポンプに切換え
、アルミニウムを堆積した。アルミニウム堆積の条件と
して、半導体基板501の温度は260℃、トリイソブ
チルアルミニウムの消費量は毎分3〜4mΩ。バブリン
グガスは使用せず、キャリアガスとして水素ガス詮イソ
ブチルアルミニウム蒸気と同時に毎分100m Q流す
。反応室の内圧は30 P aである。アルミニウム膜
104の堆積速度は、毎分8,3nm−12,5nmま
た、キャリアガスなしのときは約毎分25nmである。
をメカニカルブースタポンプに切換えて、水素を500
mQ/分の割合で流し、反応室504の内圧を0 、
F) Torrとして、10分間アニ−ルする。次にも
う一度、拡散ポンプで約I X i O’Torrまで
排気する。そして、メカニカルブースタポンプに切換え
、アルミニウムを堆積した。アルミニウム堆積の条件と
して、半導体基板501の温度は260℃、トリイソブ
チルアルミニウムの消費量は毎分3〜4mΩ。バブリン
グガスは使用せず、キャリアガスとして水素ガス詮イソ
ブチルアルミニウム蒸気と同時に毎分100m Q流す
。反応室の内圧は30 P aである。アルミニウム膜
104の堆積速度は、毎分8,3nm−12,5nmま
た、キャリアガスなしのときは約毎分25nmである。
その結果、厚さ800nmのアルミニウム膜104が形
成され、その抵抗率は2.9μΩ・0ffIである。
成され、その抵抗率は2.9μΩ・0ffIである。
本実施例によれば、アルミニウム膜104を形成すべき
領域にパラジウム膜103を形成することにより、半導
体基板501の表面を四塩化チタニウム等にさらすなど
の表面活性化処理することなく、品質のよいアルミニウ
ム膜104を形成できた。
領域にパラジウム膜103を形成することにより、半導
体基板501の表面を四塩化チタニウム等にさらすなど
の表面活性化処理することなく、品質のよいアルミニウ
ム膜104を形成できた。
本実施例ではパラジウムをアルミニウムが析出しやすい
材料として用いたが、パラジウム以外の金属、例えば二
)ケル、コバルト、銅、白金、チタニウム、タンタル、
タングステン、モリブデン。
材料として用いたが、パラジウム以外の金属、例えば二
)ケル、コバルト、銅、白金、チタニウム、タンタル、
タングステン、モリブデン。
金などでもよい。また、上記薄膜の形成方法どしては、
電子ビーム蒸着法以外には、例えば、スパッタ蒸着法、
化学気相成長法を用いてもよい。なお、上記金属層生成
後、表面に酸化膜が形成された場合には、アルミニラ1
1膜生成前に金属膜表面をアルゴンプラズマにさらして
、スパッタクリーニングを行うことによって、良好なア
ルミニウム層の減圧化学気相成長が行われる。さらに、
この金属層としては、チタン・タングステン合金等の上
記金属の各種合金を使用することも可能である。
電子ビーム蒸着法以外には、例えば、スパッタ蒸着法、
化学気相成長法を用いてもよい。なお、上記金属層生成
後、表面に酸化膜が形成された場合には、アルミニラ1
1膜生成前に金属膜表面をアルゴンプラズマにさらして
、スパッタクリーニングを行うことによって、良好なア
ルミニウム層の減圧化学気相成長が行われる。さらに、
この金属層としては、チタン・タングステン合金等の上
記金属の各種合金を使用することも可能である。
実施例2
本実施例は、第2図にある通りアルミニウム膜204を
シリコン基板2011−に選択的に減圧化せ 学気相成長さ基るとき、アルミニウム膜204と、シリ
コン基板201との間に、パラジウム膜ン 夛03とニッケル膜との二層膜をアルミニウムが析出し
やすい材料からなる膜として設ける場合である。 第2
図のように、シリコン基板201上にスパッタ法により
ニッケル膜202を1500m堆積する。次に、第2図
(b)如く、通常のフォト・リソグラフィ一工程と、希
硝酸によるウェット・エツチング法で、ニッケル膜20
2にパターニングを施す。しかる後に、ニッケル膜20
2のパタンを有するシリコン基板201を二塩化パラジ
ウムの塩化水素飽和溶液中に浸漬すると、第2図(Q)
のように、ニッケル膜202上にのみ厚さ1、 On
m程度のパラジウム膜203が形成される。
シリコン基板2011−に選択的に減圧化せ 学気相成長さ基るとき、アルミニウム膜204と、シリ
コン基板201との間に、パラジウム膜ン 夛03とニッケル膜との二層膜をアルミニウムが析出し
やすい材料からなる膜として設ける場合である。 第2
図のように、シリコン基板201上にスパッタ法により
ニッケル膜202を1500m堆積する。次に、第2図
(b)如く、通常のフォト・リソグラフィ一工程と、希
硝酸によるウェット・エツチング法で、ニッケル膜20
2にパターニングを施す。しかる後に、ニッケル膜20
2のパタンを有するシリコン基板201を二塩化パラジ
ウムの塩化水素飽和溶液中に浸漬すると、第2図(Q)
のように、ニッケル膜202上にのみ厚さ1、 On
m程度のパラジウム膜203が形成される。
次に、実施例1と同様の堆積条件で、トリイソブチルア
ルミニウムをソースとする減圧化学気相成長法によって
、アルミニウムを堆積したところ、パラジウム膜203
上にのみアルミニウム膜204が形成された。
ルミニウムをソースとする減圧化学気相成長法によって
、アルミニウムを堆積したところ、パラジウム膜203
上にのみアルミニウム膜204が形成された。
本実施例における、ニッケル膜202とパラジウムII
I 203の二層膜は、シリコン基板201とアルミニ
ウム膜204との間にあって、熱処理時のシリコンとア
ルミニウムの反応を抑制するどいう効果を有する。
I 203の二層膜は、シリコン基板201とアルミニ
ウム膜204との間にあって、熱処理時のシリコンとア
ルミニウムの反応を抑制するどいう効果を有する。
本実施例中では、ニック”ルI−にパラジウA & 形
成したが、その他の例えば、コバルト、銅、白金。
成したが、その他の例えば、コバルト、銅、白金。
金などの1−にパラジウム層を形成してもよい。また、
二塩化パラジウムの塩化水素飽和71Mの代わりに、他
の金属塩液を用いてもよい。
二塩化パラジウムの塩化水素飽和71Mの代わりに、他
の金属塩液を用いてもよい。
実施例3
本実施例では、アルミニウムが析出しやすい材料として
、酸化アルミニウムを用いる場合について説明する。
、酸化アルミニウムを用いる場合について説明する。
表面にシリコンの熱酸化膜が300 n m形成された
シリコン基板−Lに、アルミニウムキレート溶液を回転
塗布し、350℃30分の大気中熱処理を施して、酸化
アルミニウム膜を形成した。酸化アルミニウム膜の厚さ
は、10nm以下である。
シリコン基板−Lに、アルミニウムキレート溶液を回転
塗布し、350℃30分の大気中熱処理を施して、酸化
アルミニウム膜を形成した。酸化アルミニウム膜の厚さ
は、10nm以下である。
かかる処理を施したシリコン基板りに、通常のリソグラ
フィ一工程によってレジスト膜パタンを形成する。その
後、アルゴンプラズマによるエツチングを行う。処理条
件は、アルゴン流社1. Oc cZ分、圧力0.7P
aで、13.56K Hzの高周波型力密度0 、2
W/cm2で10分間である。プラズマ・エツチングに
より、レジストで覆われていない部分の酸化アルミニウ
ム膜が除去され、所望の酸化アルミニウムのバタンか得
られる。残存するレジスト膜を除去した後、実施例1−
と同一条件で、アルミニウムを減圧化学気相成長により
堆積した。
フィ一工程によってレジスト膜パタンを形成する。その
後、アルゴンプラズマによるエツチングを行う。処理条
件は、アルゴン流社1. Oc cZ分、圧力0.7P
aで、13.56K Hzの高周波型力密度0 、2
W/cm2で10分間である。プラズマ・エツチングに
より、レジストで覆われていない部分の酸化アルミニウ
ム膜が除去され、所望の酸化アルミニウムのバタンか得
られる。残存するレジスト膜を除去した後、実施例1−
と同一条件で、アルミニウムを減圧化学気相成長により
堆積した。
その結果、酸化アルミニウム膜上にのみアルミニいたが
、他の金属のキレート溶液を用いて、他の金属の酸化膜
を形成し、その上にアルミニウム膜を形成することも可
能である。
、他の金属のキレート溶液を用いて、他の金属の酸化膜
を形成し、その上にアルミニウム膜を形成することも可
能である。
実施例4
本実施例は、第3図に示されるように、アルミニウムが
析出しやすい材料として、金属シリサイドを、使用して
、コント・タクトホールへのアルミニウム埋込を行う場
合である。
析出しやすい材料として、金属シリサイドを、使用して
、コント・タクトホールへのアルミニウム埋込を行う場
合である。
まず、第3図(a)に示すように、シリコン基板301
上に、化学気相成長法により、リンシリケートガラス3
02を厚さ1μmだけ堆積し、開口部径0.8μm四方
のコンタクトポール303を開口した。次に、第3図(
b)に示すように、スパッタ法により厚さ1100nの
チタン膜:(04を形成した。チタン層の形成には、化
学気相成J4法。
上に、化学気相成長法により、リンシリケートガラス3
02を厚さ1μmだけ堆積し、開口部径0.8μm四方
のコンタクトポール303を開口した。次に、第3図(
b)に示すように、スパッタ法により厚さ1100nの
チタン膜:(04を形成した。チタン層の形成には、化
学気相成J4法。
電子ビーム蒸着法髪用いてもよい。次に、+100 ’
Y:30分間の窒素中熱処理を行い、シリコン基板30
1とチタン膜304が接する部分にチタンシリサイド層
305を形成した。その後、未反t、i;のチタン膜を
除去すると、第3図(c )の状態になる。
Y:30分間の窒素中熱処理を行い、シリコン基板30
1とチタン膜304が接する部分にチタンシリサイド層
305を形成した。その後、未反t、i;のチタン膜を
除去すると、第3図(c )の状態になる。
しかる後、アルゴン流量10ccZ分、圧力0 、7
Pa、 13.56K Hzの高周波電力0 、 I
W / cm zの条件で基板表面をスパッタ・クリー
ニング処理を行う。その後、実施例1と同様の条件でア
ルミニウムを堆積した。その結果、第3図(d)のよう
にチタンシリサイド層305+にのみアルミニウムが堆
積し、はぼ完全にコンタクトホールa 03をアルミニ
ウム306で埋め込むことができた。
Pa、 13.56K Hzの高周波電力0 、 I
W / cm zの条件で基板表面をスパッタ・クリー
ニング処理を行う。その後、実施例1と同様の条件でア
ルミニウムを堆積した。その結果、第3図(d)のよう
にチタンシリサイド層305+にのみアルミニウムが堆
積し、はぼ完全にコンタクトホールa 03をアルミニ
ウム306で埋め込むことができた。
この場合、チタンシリサイド層305がアルミニラに1
択的な化学気相成長のために必要なアルミニウムの核生
成を助長する薄膜層の役割を%Lだ(+2) と考えられる。また、本実施例のプロセスを用いれば、
コンタクトホール303へのアルミニウムの埋込みは、
自己整合的に行われる。
択的な化学気相成長のために必要なアルミニウムの核生
成を助長する薄膜層の役割を%Lだ(+2) と考えられる。また、本実施例のプロセスを用いれば、
コンタクトホール303へのアルミニウムの埋込みは、
自己整合的に行われる。
本実施例では、アルミニウムの選択的な化学気相成長の
ために必要なアルミニウムが析出しやすい材料としてチ
タンシリサイドを例として示したが、他の金属硅化物、
例えば、白金シリサイド。
ために必要なアルミニウムが析出しやすい材料としてチ
タンシリサイドを例として示したが、他の金属硅化物、
例えば、白金シリサイド。
パラジウムシリサイド、ニッケルシリサイド、コバルト
シリサイド、タングステンシリサイド、タンタルシリサ
イド、モリブデンシリサイドなどでも同等の効果が得ら
れる。また硅化物層の形成方法としては、金属とシリコ
ンとを同時スパッタ法によって堆積する方法、化学気相
成長法で硅化物層を形成する方法なども可能である。
シリサイド、タングステンシリサイド、タンタルシリサ
イド、モリブデンシリサイドなどでも同等の効果が得ら
れる。また硅化物層の形成方法としては、金属とシリコ
ンとを同時スパッタ法によって堆積する方法、化学気相
成長法で硅化物層を形成する方法なども可能である。
実施例5
本実施例は、第4図(a)〜(d)に示されるように、
アルミニウムが析出しやすい材料として窒化チタンを使
用してコンタクトホールへのアルミニウム埋込を行う場
合である。
アルミニウムが析出しやすい材料として窒化チタンを使
用してコンタクトホールへのアルミニウム埋込を行う場
合である。
まず、1..0cO3法によりシリコン基板401表面
の一部に厚さ200nmの酸化膜402を形成した。次
にり4シリケ一トガラス層40猛を厚さ900nmに堆
積し、開11部・1′法Q 、 8 μm l−1のコ
ンタクトホール404を開口すると、次に、第4図(b
)に示すように、スパッタ法により窒化チタン膜405
を厚さ100 r+ m堆積する。次に第4図(c)の
ようにコンタクトホール404及びその周辺部メ#メ以
外の窒化チタン膜をエツチング除去する6しかる後、実
施例3と同様にアルゴンプラズマによって、スパッタク
リーニング処理を施した。その後、トリメチルアルミニ
ウムをソースとする減圧化学気相成長法によって、アル
ミニウムを堆積した。その結果、第4M(d)のように
、アルミニウム 407は、コンタクトホール及びその周辺部の窒化チタ
ン膜406」二にのみ堆積された。堆積条件は、トリメ
チルアルミニウム気化15cc/分。
の一部に厚さ200nmの酸化膜402を形成した。次
にり4シリケ一トガラス層40猛を厚さ900nmに堆
積し、開11部・1′法Q 、 8 μm l−1のコ
ンタクトホール404を開口すると、次に、第4図(b
)に示すように、スパッタ法により窒化チタン膜405
を厚さ100 r+ m堆積する。次に第4図(c)の
ようにコンタクトホール404及びその周辺部メ#メ以
外の窒化チタン膜をエツチング除去する6しかる後、実
施例3と同様にアルゴンプラズマによって、スパッタク
リーニング処理を施した。その後、トリメチルアルミニ
ウムをソースとする減圧化学気相成長法によって、アル
ミニウムを堆積した。その結果、第4M(d)のように
、アルミニウム 407は、コンタクトホール及びその周辺部の窒化チタ
ン膜406」二にのみ堆積された。堆積条件は、トリメ
チルアルミニウム気化15cc/分。
条件で、第4図(d)のように、はぼ完全にコンタクト
ホールにアルミニウム407が埋込まれるのに、約20
分間要した。
ホールにアルミニウム407が埋込まれるのに、約20
分間要した。
本実施例では、コンタクトホール部分へのアルミニウム
の選択的な減圧化学気相成長による埋込みは、自己整合
的に行われる。また、窒化チタン膜は、シリコン基板と
アルミニウムが、反応するのを防止するという役割も果
す。
の選択的な減圧化学気相成長による埋込みは、自己整合
的に行われる。また、窒化チタン膜は、シリコン基板と
アルミニウムが、反応するのを防止するという役割も果
す。
本実施例では、窒化チタンを用いたが、他の金属窒化物
、例えば窒化タングステンなどでも、同様の効果が得ら
れる。
、例えば窒化タングステンなどでも、同様の効果が得ら
れる。
金属窒化物の形成方法としては、スパッタ法又は化学気
相成長法等を用いることも可能である。
相成長法等を用いることも可能である。
また、金属膜をスパッタ法、化学気相成長法等で堆積し
た後、基板を窒素中で熱処理するなどの方Y人を用いる
ことも可能である。
た後、基板を窒素中で熱処理するなどの方Y人を用いる
ことも可能である。
実施例1ないし実施例5中で用いたアルミニウムの減圧
化学気相成長のソースは、トリイソブチルアルミニウム
、トリメチルアルミニウムであるが、それ以外のアルミ
ニウム化合物、例えば、塩化アルミニウムなどをソース
としてもよい。
化学気相成長のソースは、トリイソブチルアルミニウム
、トリメチルアルミニウムであるが、それ以外のアルミ
ニウム化合物、例えば、塩化アルミニウムなどをソース
としてもよい。
本発明によれば、アルミニウムを所望部分に選択的に減
圧化学気相成長法によって堆積できるので、段差被覆性
のよい任意形状のアルミニウム層の形成が可能となる効
果がある。
圧化学気相成長法によって堆積できるので、段差被覆性
のよい任意形状のアルミニウム層の形成が可能となる効
果がある。
さらに、アルミニウム被着に先だって活性化処理を施こ
す必要がないという効果がある。
す必要がないという効果がある。
また、アスペクト比の大きなヴイアホール及びコンタク
トホールのアルミニウムによる埋め込みができるので、
半導体装置の微細な加−■二へのアルミニウムの適用が
可能となる。
トホールのアルミニウムによる埋め込みができるので、
半導体装置の微細な加−■二へのアルミニウムの適用が
可能となる。
実施例を示す工程図、第5図は本発明の実施例で用いた
装置の概略を示す図である。
装置の概略を示す図である。
102.201,301,401・・・シリコン基板、
103.203・・・パラジウム膜、305・・・チタ
ンシリサイド層、406・・・窒化チタン膜、104゜
204.306,407・・・アルミニウム膜、501
・・・半導体基板、502・・・基板支持台、503・
・・ヒーター、504・・・反応室、505・・・ソー
ス室、506・・・保温具。
103.203・・・パラジウム膜、305・・・チタ
ンシリサイド層、406・・・窒化チタン膜、104゜
204.306,407・・・アルミニウム膜、501
・・・半導体基板、502・・・基板支持台、503・
・・ヒーター、504・・・反応室、505・・・ソー
ス室、506・・・保温具。
Claims (1)
- 1、所望の形状を有し、少なくとも表面が金属、合金、
金属硅化物、金属窒化物、金属硼化物、金属炭化物、金
属酸化物の少なくとも一種からなる膜を基板上に形成す
る工程と、有機アルミニウムをソースガスとする減圧化
学気相成長法によつて、上記膜上にアルミニウムを選択
的に形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24390785A JPS62105422A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24390785A JPS62105422A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62105422A true JPS62105422A (ja) | 1987-05-15 |
Family
ID=17110775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24390785A Pending JPS62105422A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62105422A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6451620A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-27 | Fujitsu Ltd | Vapor growth method |
JPH01223728A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH03202471A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-09-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
US5486492A (en) * | 1992-10-30 | 1996-01-23 | Kawasaki Steel Corporation | Method of forming multilayered wiring structure in semiconductor device |
US5627345A (en) * | 1991-10-24 | 1997-05-06 | Kawasaki Steel Corporation | Multilevel interconnect structure |
US5627102A (en) * | 1993-03-23 | 1997-05-06 | Kawasaki Steel Corporation | Method for making metal interconnection with chlorine plasma etch |
US5652180A (en) * | 1993-06-28 | 1997-07-29 | Kawasaki Steel Corporation | Method of manufacturing semiconductor device with contact structure |
US5824150A (en) * | 1989-09-09 | 1998-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride |
US5834846A (en) * | 1995-01-10 | 1998-11-10 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor device with contact structure and method of manufacturing the same |
US6001729A (en) * | 1995-01-10 | 1999-12-14 | Kawasaki Steel Corporation | Method of forming wiring structure for semiconductor device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5683026A (en) * | 1979-11-08 | 1981-07-07 | Itt | Metallizing treatment for semiconductor device |
JPS61166970A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-28 | Hitachi Ltd | アルミニウム膜の形成方法 |
JPS61166971A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-28 | Hitachi Ltd | アルミニウム膜の形成方法 |
JPS61208241A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61245523A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | アルミニウム膜の成長方法 |
JPS6235539A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP24390785A patent/JPS62105422A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5683026A (en) * | 1979-11-08 | 1981-07-07 | Itt | Metallizing treatment for semiconductor device |
JPS61166970A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-28 | Hitachi Ltd | アルミニウム膜の形成方法 |
JPS61166971A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-28 | Hitachi Ltd | アルミニウム膜の形成方法 |
JPS61208241A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61245523A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | アルミニウム膜の成長方法 |
JPS6235539A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6451620A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-27 | Fujitsu Ltd | Vapor growth method |
JPH01223728A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5824150A (en) * | 1989-09-09 | 1998-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film by use of alkyl aluminum hydride |
JPH03202471A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-09-04 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
US5627345A (en) * | 1991-10-24 | 1997-05-06 | Kawasaki Steel Corporation | Multilevel interconnect structure |
US5946799A (en) * | 1991-10-24 | 1999-09-07 | Kawasaki Steel Corporation | Multilevel interconnect method of manufacturing |
US5486492A (en) * | 1992-10-30 | 1996-01-23 | Kawasaki Steel Corporation | Method of forming multilayered wiring structure in semiconductor device |
US5627102A (en) * | 1993-03-23 | 1997-05-06 | Kawasaki Steel Corporation | Method for making metal interconnection with chlorine plasma etch |
US6063703A (en) * | 1993-03-23 | 2000-05-16 | Kawasaki Steel Corporation | Method for making metal interconnection |
US5652180A (en) * | 1993-06-28 | 1997-07-29 | Kawasaki Steel Corporation | Method of manufacturing semiconductor device with contact structure |
US5834846A (en) * | 1995-01-10 | 1998-11-10 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor device with contact structure and method of manufacturing the same |
US6001729A (en) * | 1995-01-10 | 1999-12-14 | Kawasaki Steel Corporation | Method of forming wiring structure for semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3584054B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2828540B2 (ja) | シリコン半導体ウエハのための低抵抗かつ低欠陥密度のタングステンコンタクトを形成する方法 | |
JP3417751B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5273775A (en) | Process for selectively depositing copper aluminum alloy onto a substrate | |
JP2726118B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
WO1999063593A1 (en) | Plasma treatment for ex-situ contact fill | |
JPH03202471A (ja) | 堆積膜形成法 | |
JPH0587173B2 (ja) | ||
JPH0864606A (ja) | 銅パターニング方法及びパターニング装置ならびに銅配線層を有する集積回路及びその製造方法 | |
TW200834733A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JPS62105422A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20010033174A (ko) | 개선된 구리 인터커넥트 전자이동 저항을 제공하는 맞춤형배리어층 | |
JP2980645B2 (ja) | 金属薄膜の形成方法 | |
JPH0922907A (ja) | 埋め込み導電層の形成方法 | |
JP2002329682A (ja) | Cu薄膜作製方法 | |
JPH08222568A (ja) | 銅配線製造方法、半導体装置、及び銅配線製造装置 | |
JP3194256B2 (ja) | 膜成長方法と膜成長装置 | |
US6548398B1 (en) | Production method of semiconductor device and production device therefor | |
JP3151002B2 (ja) | 半導体装置および製造方法 | |
JP3490317B2 (ja) | 化学蒸着法による銅薄膜形成法 | |
JPH03110842A (ja) | 堆積膜形成法 | |
JP3471266B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JPH03110840A (ja) | 堆積膜形成法 | |
JP4032487B2 (ja) | 金属窒化物膜の化学的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法 | |
JP2849194B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |