JPS62104840A - フレキシブルプリント回路基板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、耐熱性、電気特性０機械特性および寸法安定
性に優れたフレキシブルプリント回路基板の製法に関し
、片面゛金属箔張シおよび両面金属箔張りポリイミドフ
レキシブルプリント回路基板並びに片面銅箔張りに於い
て一層の寸法安定性と熱放散性を良くした金属箔裏打ポ
リイミドフレキシブルプリント回路基板の製法に関する
。

〔従来の技術〕

フレキシブルプリント回路基板は可撓性を有するプリン
ト回路を製造するための基板であって、近年に於いて、
プリント回路が納まるケース類がコンパクト化されなど
のために利用が増大している。このようなフレキシブル
プリント回路基板は従来、銅箔にポリイミドフィルムを
接着剤を用いて張り合せて製造されている。この基板に
おいて、ポリイミドフィルムは十分に耐熱性、電気特性
および機械特性が良いが、接着剤の特性が不十分である
ため、ポリイミドフィルムの特性が十分に生かされてい
ない問題があった。

そこで、接着剤層を用いずに、ポリイミド金属張板から
力るフレキシブルプリント回路基板を製造する方法が従
来より検討されており、例としては、米国特許第８，１
７９，６８４号、特開昭４９−１２９８６２号、特開昭
５８−１９００９１号。

特開昭５８−１９００９２号などかあふ。しかしながら
、耐熱性、接着性、可撓性及び寸法安定性のいずれもが
十分であるフレキシブルプリント回路基板は得られてい
々い。

〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、耐熱性、電気特性９機械特性及び寸法
安定性の全てに優れた、片面及び両面金属箔張ｂポリイ
ミドフレキシブルプリント回路基板並びに片面銅箔張り
に於いて一層の寸法安定性と熱放散性を良くした金纏箔
裏打ちポリイミドフレキシブルプリント回路基板の製造
法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的は、次のフレキシブルプリント回路基板の製
造法により達成される。片面金属箔張りポリイミドフレ
キシブルプリント回路基板については、対称型芳香族メ
タ置換第一級アミンを当量での割合で１００〜２０係含
む対称型芳香族第一級アミン群と芳香族テトラカルボン
酸無水物とを反応させて生成したポリイミドフィルム＾
を金属箔と熱硬化性ポリイミドフィルムを積層するため
の接着剤として用いることを特徴とする製造方法。

また、ポリイミドフィルム囚を金属箔に直接加圧、加熱
下で積層することもできる。両面金属箔張りポリイミド
フレキシブルプリント回路基板については、ポリイミド
フィルム囚を金属箔と金属箔との積層用接着剤兼絶縁層
として用いることができる。さらに、寸法安定性を一層
良くするため及び熱放散性の改良のために、金属箔を裏
打ちしたポリイミドフレキシブルプリント回路基板につ
いては、ポリイミドフィルム囚を銅箔と寸法安定性改良
のための金属箔との積層用接着剤兼絶縁層として用いる
ことができる。

本発明に用いられる対称型芳香族メタ置換第１級アミン
（以後、ｍ−ジアミンと略す）は次に示す一般式により
表わすことができる。

〔上記一般式において、×は０，８０２，８．Ｃｏ。

ＣＨ２、Ｃ（ＣＨ３）２　、　Ｃ（ＣＦ３）２から選ば
れ、それぞれの×は同じであっても異なっても良い。〕
上記一般式で表やされるｍ−ジアミンの例としては８．
３′−ジアミノジフェニルエーテル、８゜８′−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、３．ｆ１３’−ジアミノジフ
ェニルスルホキシド、８．８’−ジアミノジフェニルス
ルホン、８．８’−ジアミノベンゾフェノン、ビスＩ”
４−（８−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、２．
２−ビスＣ４−（８−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、２．２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル〕−１，１，１，８，８，８−へキサフルオロ
プロパン、ｌ、８−ビス（８−アミノフェノキシ）ベン
ゼン１４．４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェ
ニル、ビス［４−（８−アミノフェノキシ）フェニルコ
ケトン、ビス［：４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕スルフィド、ビスＣ＋−（８−アミノフェノキシ）
フェニル〕スルホキシド。

ビス（＋−（ａ−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン、ビス（４−（８−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
ーテル、４．４’−ビス（８−アミノフェニルスルホニ
ル）ジフェニルエーテル、４゜４７−ビス（８−アミン
千オフエノキシ）ジフェニルスルホン、１．４−ビスＣ
４−（８−アミノフエノキシ）ベンゾイル〕ベンゼン等
が挙ケラレ、これ等は単独あるいは２種以上混合して用
いることができる。

対称型芳香族第一級アミン群は、ｍ−ジアミン１００係
あるいは、ｍ−ジアミンと対称型芳香族バラ置換第一級
アミン（以降、ｐ−ジアミ／と略す）との混合体を表わ
している。Ｐ−ジアミンは次に示す一般式により表わす
ことができる。

ＨｚＮ−〈；；〉−ゞ−くご閣〉−りζシ＞−ｘ　　−
、’）ｏ　　　　Ｎ［１ｚ　　　、〔上記一般式におい
て、×は０，８０２．Ｓ。

ＣＯ、ＣＨ２、Ｃ（ＣＨ３）２　、　Ｃ（ＣＦ３）２か
ら選ばれ、それぞれの×は同じであっても異なっても良
い。〕上記一般式で表わされるｐ−ジアミンの例として
は、杢、４′−ジアミノジフェニルエーテル、４４′−
ジアミノジフェニルスルフィド、４．４’−ジアミノジ
フェニルスルホキシド、４．４’−ジアミノジフェニル
スルホン＋　４　ｓ　４’　−ジアミノベンゾフェノ／
、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタ
７．２．２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２．２−ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕−１，１，１，８，８，８−へキサ
フルオロプロパン、１．３−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、４．４’−ビス（４−アミノフェノキシ
）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニルコケトン、ビス（：４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕スルフィド、ビスＣ＋−（奎−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕スルホキシド。

ビス［＋−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホ
ン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エ
ーテル、４．４’−ビス（４−アミノフェニルスルホニ
ル）ジフェニルエーテル、４゜４′−ビス（４−アミン
チオフェノキシ）ジフェニルスルホンｓ１．４−ビス（
４−（８−アミノフェノキシ）ベンゾイル〕ベンゼン等
が挙ケラレ、これ等は単独あるいは２種以上混合して用
いることができる。

ジアミンと反応させる芳香族テトラカルボ／酸無水物と
してはピロメリット酸二無水物％８ｊ８′、４．４’−
ぺ／シフエノンテトラカルボン酸二無水物、２．２’、
　３．３’−べ／シフエノン酸二無水ｍ、ｌ　３’、４
．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２．２
’、　ｇ、　８′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２．２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン二無水物、２．２−ビス（２，８−ジカルボキシ
フェニル）プロパン二無水物、ビス（３＃４−ジカルボ
キシフェニル）エーテルニ無水物、ビス（８，４−ジカ
ルボキシフェニル）スルホンニ無水物、１．ｔ−ビス（
２，８−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物、ビ
ス（３゜４−ジカルボキシフェニル）メタンニ無水物、
２．８，６．７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、］、］４．５．８−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物１．２．５゜６−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、ｌ。

Ｚ、８．４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、８．
４．９．１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２
．３．６．７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物
、１．２．７．８−７エナントレンテトラカルボン酸二
無水物等が用いられる。

これらは単独或いは２種以上混合して用いられる。

有機溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、１．３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチル
メトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ピリジ
ン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、
テトラメチル尿素、Ｎ−メチルカプロラクタム、↑トラ
ヒドロフラン、ｍ−ジオキサン、ｐ−ジオキサン、１、
ｚ−ジメトキシエタノ１ビス（２−メトキシエチル）エ
ーテル、１．２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン
、ビス−（：２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕エ
ーテル等がある。

本発明に於いては、ポリアミド酸を製造する際、ｍ−ジ
アミンとｐ−ジアミンを有機溶剤中に於いて、あらかじ
め、ｍ−ジアミンとｐ−ジアミンとの当量比を１００〜
２０：θ〜８０、好ましくは１００〜３０：０〜７０、
特に好ましくは１００〜５０：０〜５０で混合した後、
芳香族テトラカルボン酸無水物と反応させることが肝要
である。

ジアミンの中でｐ−ジアミンが当量比で８０係以上の場
合には、生成したポリイミドの接着剤としての特性が低
く、フレキシブルプリント回路の回路が容易にポリイミ
ドフィルムから剥れ易く実用に供し得ないという欠点が
生じる。

また、ポリアミド酸を製造する際、ｍ−ジアミンとして
、１．８−ビス（８−アミノフェノキシ）ベンゼン、８
．８’−ジアミノベンゾフェノン、４．４′−ビス（８
−アミノフェノキシ）ビフェニルを単独あるいは混合し
て用い、ｐ−ジアミンとして１．８−ビス（４−アミノ
フエキシ）ベンゼン。

４．４′−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ビフェニルヲ単独あるいは
混合して用い、芳香族テトラカルボン酸無水物としては
ピロメリット酸二無水物、８．８′、４．４’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物を単独あるいは混合
して用いた場合は特に好ましく、耐熱性、１気特性、接
着性、可撓性等の機械特性及び寸法安定性に優れたフレ
キシブルプリント回路基板を製造することができる。

これ等、ポリアミド酸溶液からポリイミドフィルみを生
成させる場合は、先ず、スチール等のシートの上に、一
定厚みにポリアミド酸溶液をコートする。これ等、ポリ
アミド酸溶液をシート上にコートする場合は、ポリアミ
ド酸を５〜４０重量パーセント含有する溶液であること
が好ましく、また、対数粘度が０．５〜６　（１／　／
　ｇ　　（８５’Ｏ１濃ｇ　Ｏ，５ｇ　／　ｍ１％　Ｎ
、Ｎ−ジメチルアセトアミドで測定した値）、特に０．
７〜４であるものが好ましい。

ポリアミド酸溶液をシート上にコートする操作は、流延
塗布により行なわれることが好ましく、具体的には、次
のよう表方法が利用される。シート上にポリアミド酸溶
液を製膜用スリットから吐出させて均一な厚さく厚さは
、一般的には、８０〜８００μと表るように調節される
）のｍ膜層を形成させる。コーティング手段としては、
ロールコータ−、ナイフコーター、ドフターブレード、
フローコーターなど他の公知の手段を利用することも可
能である。

上記のようにして調製されたポリアミド酸塗布層を、次
に加熱して脱溶媒、脱水縮合反応を行なう。この操作は
、常圧、減圧あるいは加圧など任意の条件で行々うこと
ができる。

一般的には、所要時間８０〜２００°０．好ましくは１
００〜１５０“０に加熱し、溶剤の大部分を除去する。

温度が８０゛Ｃ以下の場合は溶剤の５除去が遅く経済的
でなく、ＺＯＯ°０以上では溶剤の除去が速すぎるため
、皮膜形成、泡の発生等でフィルム形状に悪影響を与え
たり、一部脱水、縮合反応が始まるに伴いシートへの接
着も始まり、フィルムがシートから離型しにく＼なるた
めに好ましくない。

溶剤の大部分を除去し、ポリアミド酸フィルムを形成し
た後、シートから剥離し、ピンテンターにかけて溶剤の
完全な除去と共に脱水、縮合反応を行なってイミド化し
ポリイミドフィルム内を形成させる。溶剤の完全表除去
と脱４水、縮合反応は、１５０〜８５０°０好ましくは
、２００〜８００°Ｃに加熱して行なう。１５０°Ｃ以
下では溶剤の除去あるいは縮合反応が十分で力いため、
フレキシブルプリント基板を製造する際の積層工程で、
ポリイミドフィルム内にボイドの発生が起り絶縁性。

接着性等が不十分となる。また、３５０°Ｃ以上ではポ
リイミドの劣化や、ポリイミドのガラス転移、点が高く
なり、積層工程での接着温度を高くする必要など積層が
困難になるために好ましく力い。

上記のようにして生成したポリイミドフィルム内を使用
して、フレキシブルプリント基板ヲ展造する際に用いる
金属箔導電体としては、一般に、銅箔、アルミニウム箔
、ニッケル箔などの金属箔が用いられる。また、基板の
寸法安定性を向上させるための基板裏打ち用金属箔とし
ては、ステンレス箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、銅
箔々どの金属が用いられる。

ポリイミドフィルム＾を使用して金属箔等と積層し、基
板に成形するためには、加熱温度と圧力のコントロール
が肝要である。

基板として成形するための温度としては、使用するポリ
イミドフィルム囚のガラス転移点以上が必要で、好まし
くは、ガラス転移温度プラス１５〜ｌ　ＯＯ’Ｏが適当
であり、基板として成形するための圧力としては１〜５
００ｋＩＩ／ｃＩＩ、好ましくは５〜１００ｋＪ／ｄが
適当である。また、加熱、加圧する時間は、１〜２００
分、好ましくは、５〜６０分である。上記の基板に成形
する工程に於いて、金属箔表面が酸化される温度以上の
温度にさらされる場合には、金属箔表面の酸化が起こり
、金属箔の機械特性、電気特性及び接着性の低下が起り
易くなることがあるため、金属箔表面が酸化される温度
以上で成形する場合は不活性ガス中で行なうことが特に
好ましい。こ＼で不活性ガス中とは、金属箔表面が、所
定時間の加熱の際、実質的に電気特性１機械特性あるい
は接着力等に悪影響を与える酸化反応を受けない気体雰
囲気中であることを意味し、加熱温度と時間に依存する
が、多くの場合、酸素濃度が２×１０　モル／Ｉ！以下
である気体雰囲気を意味し、以下の方法等で実行できる
。耐熱性フィルムからなる袋状物の中に、積層すべき材
料を入れ、先ず、真空ポンプで袋状物の中の空気を抜く
。その後、不活性ガスで加圧。

加熱を行なう、いわゆる真空プレス（米国バキュームプ
レス社製など）で成形する。また、ポリイミドフィルム
への片面だけに金属箔を直接積層する場合は、ポリイミ
ドフィルム囚とは接着性のないフィルムと金属箔の間に
ポリイミドフィルム（２）を挿入し加圧、加熱下で積層
することにより行うことができる−。ポリイミドフィル
ム囚と加圧、加熱下で接着性のないフィルムとしては、
テフロン（デュポン社製弗素樹脂）、ユービレツクスＳ
（宇部興産社製ポリイミド）などがある。

以上に述べたような方法で代表される本発明により製造
されるポリイミド金属張シートからまるフレキシブルプ
リント回路基板は、接着剤層を含まないこと、接着剤兼
絶縁層となるポリイミドフィルム囚が実質的に溶剤を含
まず、縮合反応を終えた特性の優れたポリイミドである
ことなどにより、耐熱性、電気特性１機械特性及び寸法
安定性に優れている。

〔実施例〕

次に実施例および比較例を示して本発明およびその効果
を具体的に説明する。

実施例中の対数粘度は８５°Ｏ１０，５ｇ／　１００ｍ
／　。

Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドで測定した値であり、回
転粘度はＥ型粘度計の高粘度用ロータを用いて２５°Ｃ
で測定した値いであ石。プリント回路基板としての各種
の性能は以下に示す方法により測定した。

＋１＋　　箔引き剥し強さ ＩＰＣ−ＦＣ−２４１Ａの方法に準じて行なった。

已）表面抵抗 ＪＩＳ　　Ｃ−６４８１に準じて行なった。

■　耐半田性 ＪＩＳ　　Ｃ−６４８１に準じて行々つた試料をａ　ｏ
　ｏ　’ｏの半田浴中に６０秒浸漬したのち、「フクレ
」、「ポリイミドフィルムの変形」を観察した。

（４）　耐折強さ ＪＩＳ　　Ｐ−８１１５に準じ、折曲げ面の曲率半径０
．８ｆｌ、静止荷重５００ｇで測定を行なった。両面金
属箔張基板の場合は片面の金属箔を全面エツチングして
除いた後、測定を行なった。

（５）寸法安定性 ＩＰＣ−ＦＣ−２４１Ａの方法に単じて行ない、収縮率
で表わした。

実施例１ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で４６
４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル７３．
７　ｇ　（０，２モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド２５０　ｍ／　に溶解し、０°０付近まで冷却し、窒
素雰囲気下に於いてピロメリット酸二無水物４８．６ｇ
（０，２モル）を加え、０°Ｃ付近で２時間攪拌した。

次に上記溶液を室温に戻し、窒素雰囲気下で約２０時間
攪拌′を行なった。こうして得られたポリアミド酸溶液
の対数粘度は１．９Ｌ４７ｇであった。このポリアミド
酸溶液をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドで１２ｔｓ迄希
釈し、粘度を８０．０００ＣＰ、８ｔｉｃｙ４節した。

　こｏ溶液に平Ｍｔなガラス板上にドクターブレードを
用いて均一にコートした。このコートされたガラス板を
１８５°Ｃで１時間加熱し、ポリアミド酸のフィルムを
得た。

このフィルムをガラス板から剥し、ピンテンターに設置
し、再加熱を打力った。その時の加熱は１００　’Ｏか
ら２８０“０迄２時間かけて徐々に行なった。その後２
８０°０で１時間保った後、室温迄冷却しポリイミドフ
ィルムを得た。膜厚は１５μであり残存溶剤量は０．１
＝１以下であった。このポリイミドフィルムを圧延銅箔
（厚さ８５μ）とカプトンフィルム（デュポン社製ポリ
イミドフィルム、厚さ２５μ）の間に挿入して積層しバ
キュームプレス（米国バキュームプレス社製）を使い窒
素にて８００°０．２０ｋｊ／ｄで８０分間成形を行い
、カプトンベースの片面銅張フレキシブルプリント回路
基板を得た。この基板の特性は表−１の通りであった。

実施例２ 実施例１と同様にして作成した厚さ２５μのポリイミド
フィルム（残存溶剤量は０，１係以下）を圧延鋼箔（厚
さ８５μ）とユーピレツクスＳフィルム（２５μ）との
間に挿入して積層し、バキュームプレスを使い、窒素に
て２８０°０．２０ｋｐ／ｄで４０分間成形を行なった
。室温に冷却後、ユービレツクスＳフィルムを積層シー
トから剥し、接着層を使用しない片面銅張フレキシブル
プリント回路基板を得た。この基板の特性は表−１の通
りであった。

実施例８ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で４．
４′−ビス（８−アミノフェノキシ）ビフェニル５１．
６ｇ（０，１４モル）と１．８−ビス（８−アミノフェ
ノキシ）ベンゼｙ　１　？、　５　ｇ　（０，０６モル
）とをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２５０ｍ／に溶解
し、０“０付近まで冷却し、窒素雰囲気１　　７１Ｃ：
ｌ？７ｔ？ｃｒ７１１Ｊ　９　）！ユ。□８．６ｇ（０
，２モル）を加え、０°０付近で２時間攪拌した。次に
−上記溶液を室温に戻し、窒素雰囲気下で約２０時：１
　　　間攪拌を行なった。こうして得られたポリアミド
（酸溶液の対数粘度は、１．６１７ｇであった。この１
．１．アオ、酸溶液をＮ、Ｎ−−））ｆ１アヤ、アミ：
　　　　ドで１５係迄希釈シ、粘度’ｔ２５．０００Ｃ
Ｐ８＆Ｃ調節した。この溶液を平滑なガラス板上にドク
ターブレードを用いて均一にコートした。このコートさ
れたガラス板を１８５°０で１時間加熱し、ポリアミド
酸のフィルムを得た。このフィルムをガラス板から剥し
、ピンテンターに設置し、再加熱を行なった。その時の
加熱＃−ｔ１００℃から２５０゛０迄２時間かけ徐々に
行なった。その後２ｉ５０°０で１時間保った後、室温
迄冷却しポリアミド酸イ１　　　ルムを得た。膜厚は２
５μであり、残存溶剤量は検出されなかった。このポリ
イミドを２枚の電解銅箔（厚さ１８μ）の間に挿入して
積層し、熱圧プレスにて２５０°０．４０ｍ／ｄで２０
分間成形を行い、ポリアミドが接着層兼絶縁層である両
面銅張フレキシブルプリント回路基板を得た。この基板
の特性は表−１の通シであった。

実施例４ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で１．
８−ビス（８−アミノフェノキシ）ベンゼン１４．６ｇ
（０，０５モル）と４．４′−ジアミノジフェニルエー
テル１０．０ｇ（０，０５モル）とをＮ、Ｎ−ジメチル
アセトアミド２００　ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下に於
いて室温に於いて３．３’。

４．４′−ベンゾフェノンテトラカルボ／酸二無水物８
ｉ２．２ｇ（０，１モル）を加え、窒素雰囲気下で約２
２時間攪拌を行々つた。こうして得られたポリアミド酸
溶液を実施例８と同様な方法（最終乾燥温度２５０°０
）でポリイミドフィルムを作製した。このポリイミドフ
ィルムの厚さは２５μであり、残存溶剤は０．２％であ
った。このフィルムを電解銅箔（８５μ）とユーピレツ
クスＳフイルム（２５μ）との間に挿入して積層し、バ
キュームプレスを使い、窒素にて２８０°０．２０に＃
／ａ１１で３０分間成形を行なつ九。室温に冷却後°ユ
ービレツクスＳフィルムを積層シートから剥し、接着層
を使用しない片面鋼張フレキシブルプリント回路基板を
得た。この基板の特性は表−１の通りであった。

実施例５ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で１．
３ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン２９．２ｇ（
０，１モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２００　
ｍｌに溶解し、窒素雰囲気下に於いて室温で８　、８’
、　４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物８２．２ｇ（０，１モル）を加え、窒素雰囲気下で約
２０時間攪拌を行なった。

こうして得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は１、７
２　ａｚ／ｇであった。このポリアミド酸溶液をＮ、Ｎ
−ジメチルアセトアミドで１４俤迄希釈し、粘度を３１
．０００ＣＰ８に調節した。この溶液を平滑なガラス板
上にドクターブレードを用いて均一にコートした。この
コートしたガラス板を１８５°Ｃで１時間加熱し、ポリ
アミド酸のフィルムを得た。このフィルムをガラス板か
ら剥し、ピンテンターに設置し再加熱を行なった。その
時の加熱は１００　’Ｏから２４０゛○迄９０分かけ徐
々に行々つた。その後２２００で１時間保った後、室温
迄冷却しポリイミドフィルムを得た。膜厚は２５μであ
り、残存溶剤量は検出されなかった。このポリイミドフ
ィルムを電解鋼箔（８５μ）とアルミニウム箔（５０μ
）の間に挿入して積層し、熱圧プレスにて２８０°○、
４０に＃、／！８０分間成形を行い、アルミニウム箔を
寸法安定性を改良するための裏打材とした、片面銅張フ
レキシブルプリント回路基板を得た。この基板の特性は
表−１の通りであつ之。

比較例１ 攪拌器、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器で４．
４７−ジアミツジフエニルエーテル２０．０ｇ（０，１
モル）をＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２００　ｍｌに
溶解し、窒素雰囲気下に於いて、５○でピロメリット酸
二無水物２１．８ｇ（０，１モル）を加え約２時間攪拌
した後、室温に戻し更に約２０時間攪拌を行なった。こ
うして得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は１．６４
／／ｇであった。このポリアミド酸溶液をＮ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミドで１５係迄希釈し、粘度を２８，０Ｏ
ＯＣＰ８に調節した。この溶液を２２８ｇとり、実施例
−５で得た希釈溶液８８ｇと窒素雰囲気下で良く混合し
、ｍ−ジアミン：ｐ−ジアミン＝０．２：０．８（当量
比）のポリアミド酸溶液を得た。この溶液を実施例１と
同様の方法（最終乾燥温度２８０　Ｏ）でポリイミドフ
ィルムを作製した。このポリイミドフィルムの膜厚は２
５μであり、残存溶剤量は０．１係であった。このフィ
ルムを使い実施例２と同一方法で片面鋼張フレキシブル
プリント回路基板を得た。この基板の特性は表−１の通
りであった。

比較例−２ 実施例２に於いて、バキュームプレスの代りに通常の熱
圧プレスヲ用い、２８０“０，４０ゆ／ｄで４０分間成
形を行々つた。室温に冷却後、ユービレツクスＳフィル
ムを積層シートから剥し、接着層を使用しない片面鋼張
フレキシブルプリント回路基板を得た。この基板の特性
は表−１の通りであった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、上記実施例の説明のように、接着能力
を有する絶縁性に優れたポリイミドフィルムを用いるこ
とにより、ポリイミドフィルムを直接、金属箔に積層す
ることが可能になり、耐熱性、電気特性および接着性、
可撓性等の機械特性並びに寸法安定性の全てに良好な片
面及び両面金属箔張りポリイミドフレキシブルプリント
回路基板の製造が可能になった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、対称型芳香族メタ置換第一級アミンを当量での割合
   で１００〜２０％含む対称型芳香族第一級アミン群と芳
   香族テトラカルボン酸無水物とを反応させ、生成したポ
   リイミドフイルムを金属箔と熱硬化性ポリイミドフイル
   ムとを積層するための接着剤として用いることを特徴と
   するフレキシブルプリント回路基板の製造法。 ２、生成したポリイミドフイルムとは接着性のないフィ
   ルムと金属箔との間に、生成したポリイミドフィルムを
   挿入して積層し、加圧、加熱下に、生成したポリイミド
   フィルムを金属箔に直接積層する特許請求の範囲第１項
   に記載の方法。 ３、生成したポリイミドフィルムを金属箔と金属箔との
   積層用接着剤兼絶縁層として用いる特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。 ４、生成したポリイミドフィルムを銅箔と金属箔との積
   層用接着兼絶縁層として用いる特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。 ５、積層工程を不活性ガス中で加熱、加圧して行なう特
   許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載の方法。