JPS62104440U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62104440U JPS62104440U JP13648185U JP13648185U JPS62104440U JP S62104440 U JPS62104440 U JP S62104440U JP 13648185 U JP13648185 U JP 13648185U JP 13648185 U JP13648185 U JP 13648185U JP S62104440 U JPS62104440 U JP S62104440U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern surface
- pattern
- light source
- reticle mask
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の使用状態を示す断
面図、第2図は半導体ウエハ上の異種チツプパタ
ーンの形成例の平面図、第3図、第4図は本考案
による投影露光装置に用いるレチクルマスク上の
チツプパターンの二つの例を示す平面図、第5図
はレチクルマスクのパターン面から遮光板裏面ま
での距離とウエハ上でのまわり込み量との関係線
図である。 1:半導体ウエハ、2:レチクルマスク、3:
パターン面、4:レチクルホルダ、5:遮光板、
7:紫外線、8:縮小レンズ、31:実用チツプ
パターン、32:異種チツプパターン。
面図、第2図は半導体ウエハ上の異種チツプパタ
ーンの形成例の平面図、第3図、第4図は本考案
による投影露光装置に用いるレチクルマスク上の
チツプパターンの二つの例を示す平面図、第5図
はレチクルマスクのパターン面から遮光板裏面ま
での距離とウエハ上でのまわり込み量との関係線
図である。 1:半導体ウエハ、2:レチクルマスク、3:
パターン面、4:レチクルホルダ、5:遮光板、
7:紫外線、8:縮小レンズ、31:実用チツプ
パターン、32:異種チツプパターン。
補正 昭62.1.27
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。 明細書第1頁第3行目と第4行目の間に以下の
文章を1行加入する。 「2.実用新案登録請求の範囲」
。 明細書第1頁第3行目と第4行目の間に以下の
文章を1行加入する。 「2.実用新案登録請求の範囲」
Claims (1)
- 投射光光源と、パターン面を該光源より遠い側
にしてレチクルマスクを支持する支持枠と、前記
パターン面のチツプパターンをウエハ上に縮小投
影する光学系とを有するものにおいて、レチクル
マスクのパターン面に近接し、かつ該パターン面
に平行に移動可能の遮光板を備えたことを特徴と
するチツプパターン縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985136481U JPH0322904Y2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985136481U JPH0322904Y2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62104440U true JPS62104440U (ja) | 1987-07-03 |
JPH0322904Y2 JPH0322904Y2 (ja) | 1991-05-20 |
Family
ID=31039635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985136481U Expired JPH0322904Y2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0322904Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6461733A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of matrix type display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
JPS55140838A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-04 | Hitachi Ltd | Mask preparing apparatus |
JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS58419U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | 富士通株式会社 | レチクル |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH550820A (de) * | 1971-04-14 | 1974-06-28 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur herstellung von heterocyclischen triglycidylverbindungen. |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP1985136481U patent/JPH0322904Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55132039A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for repeated figure |
JPS55140838A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-04 | Hitachi Ltd | Mask preparing apparatus |
JPS55165629A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS58419U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | 富士通株式会社 | レチクル |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6461733A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of matrix type display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0322904Y2 (ja) | 1991-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970060356A (ko) | 패턴형성방법, 투영노출장치 및 반도체장치의 제조방법 | |
DE2963537D1 (en) | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer | |
GB1461685A (en) | Method and means for forming an aligned mask that does not include alignment marks employed in aligning the mask | |
JPS62104440U (ja) | ||
JPS5971342U (ja) | 光量調整装置 | |
GB9515230D0 (en) | Method of manufacturing a photo mask for manufacturing a semiconductor device | |
JPS59923A (ja) | 投影型露光装置 | |
JPS5845533U (ja) | 照度分布測定装置 | |
KR850002692A (ko) | X-선 노광 방법 및 장치 | |
JPH01160828U (ja) | ||
JPH0461330B2 (ja) | ||
JPS6157519U (ja) | ||
JPH01160829U (ja) | ||
JPH03117829U (ja) | ||
GB1233696A (ja) | ||
JPH09288345A (ja) | 投影プリント用マスク | |
JPS6382933U (ja) | ||
JPS63188938U (ja) | ||
JPH0556645B2 (ja) | ||
JPS614955U (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JPH0370308A (ja) | 弾性表面波デバイス用マスクパターン | |
KR940016560A (ko) | 반도체 마스크 패턴 제조방법 | |
JPS5828854U (ja) | スリツト露光方式の複写機の露光装置 | |
JPS60166144U (ja) | 投影露光装置 | |
JPS58105553U (ja) | 画像形成装置に於ける露光装置 |