JPS62104058A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62104058A
JPS62104058A JP60121120A JP12112085A JPS62104058A JP S62104058 A JPS62104058 A JP S62104058A JP 60121120 A JP60121120 A JP 60121120A JP 12112085 A JP12112085 A JP 12112085A JP S62104058 A JPS62104058 A JP S62104058A
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JP
Japan
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electrode
shape
semiconductor device
electrode plates
resin
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JP60121120A
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Yoshio Takagi
義夫 高木
Hiroshi Ando
宏 安藤
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に関し、とりわけ樹脂封止形半
導体装置の□電極形状に関するものである。
〔従来の技術〕
第７図は従来の半導体装置を示す斜視図であり、ここで
はインバータ用６素子入り電力用半導体モジュールを例
にして示している。図において、１は絶縁性放熱基板、
２は該絶縁性放熱基板１上に設けられた導電層、３は直
流入力端子のプラス側、４は直流入力端子のマイナス側
、５ａ〜５Ｃは三相交流出力端子、６ａ〜６Ｃはベース
信号端子、７ａ〜７Ｃはエミッタ信号端子であり、上記
直流入゛力端子３，４．上記三相交流出力端子５ａ〜５
Ｃ１上記ベース信号端子６ａ〜６Ｃ及び上記エミッタ信
号端子７ａ〜７Ｃは上記導電層２上にハンダ付けされて
いる。８は電力用半導体チップ、９は該電力用半導体チ
ップ８と上記導電層２とをつなぐアルミワイヤである。
この種の半導体装置においては、放熱基板１上に導電層
２を設け、さらにその上に直流入力端子３．４．三相交
流出力端子５ａ〜５　ｃ　＋　ベース信号端子６ａ〜５
ｃ、エミッタ信号端子７ａ〜７ｃ＋及び半導体チップ８
をハンダ付けし、該チップ８と導電層２をアルミワイヤ
９でつなぐ。その後基板１にケースを接着しシリコーン
ゲルの注入を行い、最後にエポキシ樹脂にて封止するよ
うにしている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は、以上のように構成されており、電
極類が樹脂に固定されてしまうため、温度変動時に生じ
る熱ひずみ、熱疲労などによって絶縁性放熱基板の絶縁
層や導電層が上記電極類のハンダ付部から剥がれたり、
ひび割れたりし、これが絶縁不良、導通不良、短絡など
を引き起こす原因となっていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、温度変動時に樹脂に固定された電極類と絶縁
性放熱基板との間に生じるひずみを吸収することができ
る半導体装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、電極の一部分を「Ｓ」字
形、または「コ」字形に加工するか、もしくはその両者
併用の加工を行ったものである。
〔作用〕
この発明においては、電極の一部に「Ｓ」字形または「
コ」字形、もしくはその両者併用の加工がなされたこと
から、該加工部で樹脂に固定された電極と絶縁性放熱基
板との間のひずみが吸収され、絶縁不良、導電不良、短
絡などの不具合はほとんど発生しない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図〜第３図を用いて説
明する。
第１図は、本発明の一実施例による半導体装置を示す斜
視図、第２図はエミッタ信号端子の詳細、第３図はベー
ス信号端子の詳細を各々三角法で描いた図である０図中
、第７図と同一符号は同一部分を示す０図において、１
１は導電層２の上にハンダ付けされその一部分に電極の
厚さ方向に「コ」字形加工がなされた直流入力端子のプ
ラス側、１２は該プラス側直流入力端子１１と同様の加
工がなされた直流入力端子のマイナス側、１３８〜１３
ｃは上記プラス側直流入力端子１１と同様の加工がなさ
れた三相交流出力端子、１４ａ−１４Ｃは上記導電層２
上にハンダ付けされその一部分が電極の厚みの垂直方向
に「Ｓ」字形抜き加工がなされたベース信号端子、１５
２〜１５Ｃは該ベース信号端子１４３〜１４Ｃと同様の
加工がなされたエミッタ信号端子である。
次に作用効果について第４図、第５図を用いて説明する
。第４図は電極を「コ」字形加工した場合の電力用半導
体モジュールの一部断面図であり図において、２１はエ
ポキシ樹脂、２２はシリコーンゲル、３１はシリコーン
ゲル膨張時の力を概念的に示した矢印、３２は電極の上
方向へ引張られる力を概念的に示した矢印である。
温度変動時にシリコーンゲル２２が熱膨張などを起こし
電極１２に上方向の引張り力３２がかかった場合、電極
１２の板厚方向に「コ」字形加工された部分が第４図（
ｂｌに示すように上方に伸びるので、電極１２と絶縁性
放熱基板１との接合部に過大な力がかかることが無くな
る。
また第５図は電極を「Ｓ」字形加工した場合の電力用半
導体モジュールの一部断面図であるが、この場合も温度
変動時には上述の場合と同様に、電極１４ａの板厚垂直
方向にｒｓＪ字形加工された部分が第５回申）に示す様
に伸び、電極１４ａ上方向への引張り力を吸収して、電
極１４ａと絶縁性放熱基板１との間の接合部に過大な力
がかかることをなくする。よって電極のハンダ付部での
絶縁不良、導電不良、短絡などの不具合を防ぐことがで
きる。
今、上方向への引張り力のみに対する作用について説明
したが、絶縁性放熱基板１とエポキシ樹脂２１との間に
ひずみが起り、横方向の力が電極にかかったり、また上
方向、横方向などの合成力が電極にかかった場合も第４
図、第５図に示したと同様に電極の「コ」字形またはｒ
ｓＪ字形加工部が変形して、その力を吸収するので放熱
基板１と電極との接合部に過大な力がかかることは無い
。
次に、第６図を用いて本発明の他の実施例について説明
する。第６図はこの発明の他の実施例による半導体装置
を示し、１本の電極にｒｓＪ字形加工と「コ」字形加工
とを併用したものを三角法で描いた図である。このｒｓ
Ｊ、ｒコ」字形併用加工の場合においても、上記実施例
と同様もしくはそれ以上の効果が得られることは明白で
ある。
なお第６図においては、電極の板厚方向への「コ」字形
加工と電極の板厚と垂直方向へのｒＳＪ字形加工との併
用例を示したが、これは電極の板厚方向へのｒｓＪ字形
加工と、電極の板厚と垂直方向への「コ」字形加工との
併用を行なっても同様の効果があることは明白である。
また本実施例においては、絶縁性放熱基板を使用した場
合について説明したが、これは金属ベース板上に絶縁基
板を載置した場合でも同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上の様に、この発明によれば、電極の一部を−「Ｓ」
字形又は「コ」字形加工もしくはその併用加工をしたの
で、電極と絶縁形成熱基板との間の接合部に過大な力が
かかからず、絶縁不良、導通不良、短絡などの不具合を
防ぐことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す斜
視図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は各々第１図に示した半導
体装置においてその一部が電極の厚みと垂直方向に「Ｓ
」字形加工された電極の正面図、側面図及び平面図、第
３図（ａ）〜（Ｃ）は各々第２図同様電極の厚み方向に
「コ」字形加工された電極の正面図、側面図及び平面図
、第４図（ａ）、　（ｂ）は各々第１図に示した半導体
装置において電極の厚み方向に「コ」字形加工された電
極がどの様に作用するかを示した一部断面図、第５図＋
８）、　（ｂ）は各々第４図同様電極の厚みと垂直方向
にｒｓＪ字形加工された電極がどの様に作用するかを示
した一部断面図、第６図（ａ）〜（Ｃ）は各々この発明
の他の実施例による半導体装置の電極の正面図、側面図
及び平面図、第７図は従来の半導体装置を示す斜視図で
ある。 １・・・絶縁性放熱基板、１１，１２，１３ａ＝１３ｃ
、１４ａ　〜１４ｃ、１５ａ　〜１５ｃ・・・電極、８
・・・半導体チップ、２１−・・・樹脂。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）金属ベース板上に絶縁層または絶縁基板を設け、
    その上に電極板、半導体チップをハンダ付けし樹脂封止
    を行う半導体装置において、その電極の一部分をＳ字形
    またはコ字形に加工したことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）上記電極は、そのＳ字形、又はコ字形加工がその
    電極の板厚方向にされていることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の半導体装置。
  3. （３）上記電極は、そのＳ字形、又はコ字形加工がその
    電極の板厚と垂直方向に抜き加工で行なわれていること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
  4. （４）上記電極は、その１本の電極にＳ字形及びコ字形
    加工が行なわれていることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の半導体装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107622978A (zh) * 2017-10-13 2018-01-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种陶瓷封装外壳

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