JPS619859U - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS619859U JPS619859U JP9252084U JP9252084U JPS619859U JP S619859 U JPS619859 U JP S619859U JP 9252084 U JP9252084 U JP 9252084U JP 9252084 U JP9252084 U JP 9252084U JP S619859 U JPS619859 U JP S619859U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- recorded
- silicon wafer
- semiconductor device
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図および第２図はこの考案の一実施例を示し、第１
図はＮＰＮ型のＬＳＩチップの成形工程を示す図、第２
図ａ〜Ｃはその実装例を示す各断面図である。 １・・・Ｎ型シリコンウエーハ、５・・・Ｐ型シリコン
層、７・・・Ｎ型シリコン層、１０・・・ＬＳＩチップ
。
図はＮＰＮ型のＬＳＩチップの成形工程を示す図、第２
図ａ〜Ｃはその実装例を示す各断面図である。 １・・・Ｎ型シリコンウエーハ、５・・・Ｐ型シリコン
層、７・・・Ｎ型シリコン層、１０・・・ＬＳＩチップ
。
Claims (1)
- シリコンウエーハの表裏両面に集積回路を形成したこと
を特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9252084U JPS619859U (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9252084U JPS619859U (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619859U true JPS619859U (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=30649388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9252084U Pending JPS619859U (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619859U (ja) |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP9252084U patent/JPS619859U/ja active Pending
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