JPS605124U - 半導体集積回路素子 - Google Patents

半導体集積回路素子

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JPS605124U
JPS605124U JP9772183U JP9772183U JPS605124U JP S605124 U JPS605124 U JP S605124U JP 9772183 U JP9772183 U JP 9772183U JP 9772183 U JP9772183 U JP 9772183U JP S605124 U JPS605124 U JP S605124U
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JP
Japan
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integrated circuit
circuit element
semiconductor integrated
transistor
semiconductor
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JP9772183U
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English (en)
Inventor
金巻　政幸
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＩＣ素子を有する半導体ウェーハの平面
図、第２図は本考案によるＩＣ素子の実記　　施例を示
す半導体ウェーハの部分拡大図を含む平４　面図、第３
図は第２図のＩＣ素子における要部のジ　　等価回路図
、第４図は第２図のＩＣ素子の部分概寥　　略断面図、
第５図は第３図のトランジスタのＶ−Ｉ士　　関係図で
ある。　　　゛ ４・・・・・・半導体ウェーハ、５・・・・・・半導体
集積回路素子（ＩＣ素子）、６・・・・・・トランジス
タ、７・・曲性−性測定専用トランジスタ、８・・・・
・・半導体抵抗。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハに複数個形成された半導体集毛゛　回路
    素子であって、その内部に所望のトランジ；りを含む集
    積回路要素と独立させて前記トランらスタと同一条件で
    且つベースとコレクタ間に半導体抵抗を接続させた特性
    測定専用トランジスタイ形成したことを特徴とする半導
    体集積回路素子。
JP9772183U 1983-06-23 1983-06-23 半導体集積回路素子 Pending JPS605124U (ja)

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JPS605124U true JPS605124U (ja) 1985-01-14

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7677800B2 (en) 2007-03-23 2010-03-16 Fujifilm Corporation Radiological imaging apparatus, radiological imaging method, and program

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