JPS6195554A - マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 - Google Patents
マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法Info
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- JPS6195554A JPS6195554A JP21680784A JP21680784A JPS6195554A JP S6195554 A JPS6195554 A JP S6195554A JP 21680784 A JP21680784 A JP 21680784A JP 21680784 A JP21680784 A JP 21680784A JP S6195554 A JPS6195554 A JP S6195554A
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- Japan
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- layer
- conductor
- resin layer
- conductor layer
- forming
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、マイクロ波モノリシック回路及びその製造方
法に関し、特にモノリシック回路のエアーブリッジ及び
その製造方法に関する。
法に関し、特にモノリシック回路のエアーブリッジ及び
その製造方法に関する。
(従来技術とその問題点)
従来、マイクロ波モノリシック回路においては、二つの
導体間を接続するとき、容量を減らす友めにエアーブリ
ッジと呼ばれる空気層を介して架橋する構造が採用され
ている。
導体間を接続するとき、容量を減らす友めにエアーブリ
ッジと呼ばれる空気層を介して架橋する構造が採用され
ている。
第2図は従来のマイクロ波モノリシック回路のエアーブ
リッジの一例の斜視図であり、アイ争イー・イー・イー
主催の1982年エム・チー・チー・ニス インターナ
ショナル マイクロウェーブ7ンボジウム ダイジェス
ト(1982IEEE MTT−8Internati
onal Microwave Symposiu
mDigest )の477頁第3図に示された写Xを
模写した図である。
リッジの一例の斜視図であり、アイ争イー・イー・イー
主催の1982年エム・チー・チー・ニス インターナ
ショナル マイクロウェーブ7ンボジウム ダイジェス
ト(1982IEEE MTT−8Internati
onal Microwave Symposiu
mDigest )の477頁第3図に示された写Xを
模写した図である。
マイクロ波FETのドレイン1他31上にエアーブリッ
ジ32を形成し、ソース電極33を相互に接続している
。エアーブリッジ32とソース電極33との接続部34
がエアーブリッジの上面より低いため、エアーブリッジ
32上に物が落ちたジ、FETチップが上下逆になった
りした場合に、エアーブリッジ32が変形する事故が発
生し易い。
ジ32を形成し、ソース電極33を相互に接続している
。エアーブリッジ32とソース電極33との接続部34
がエアーブリッジの上面より低いため、エアーブリッジ
32上に物が落ちたジ、FETチップが上下逆になった
りした場合に、エアーブリッジ32が変形する事故が発
生し易い。
エアーブリッジ32が変形し、エアーブリッジ32とド
レイン電僑31間のギャップ間隔が変化すると、エアー
ブリッジ32が接続しているソース電極33とドレイン
電極31間のキャパシタンスが変化しFETq性を変化
させることになる。この様に、従来のエアーブリッジ構
造では、エアーブリッジが外力により変形し易い九め、
信頼性に欠ける欠点があった。
レイン電僑31間のギャップ間隔が変化すると、エアー
ブリッジ32が接続しているソース電極33とドレイン
電極31間のキャパシタンスが変化しFETq性を変化
させることになる。この様に、従来のエアーブリッジ構
造では、エアーブリッジが外力により変形し易い九め、
信頼性に欠ける欠点があった。
(発明の目的)
本発明の目的は、上記欠点を除去し、外力により変形し
難い構造のエアープリクジを有するマイクロ波モノリシ
ック回路及びその製造方法を提供することにある。
難い構造のエアープリクジを有するマイクロ波モノリシ
ック回路及びその製造方法を提供することにある。
(発明の構成)
本発明のマイクロ波モノリシクク回路は、誘電体あるい
は半絶縁性半導体の基板上に局所的に形成された少くと
も二つの第1の導体層と、該第1の導体層間を前記基板
との間に空気層を介して接続する第2の導体層とから成
り、前記第2の導体層の上表面のうち前記第1の導体層
と接続する部分の上表面が前記空気層の上の部分の上表
面よりも高い位置にあることを特徴として構成される。
は半絶縁性半導体の基板上に局所的に形成された少くと
も二つの第1の導体層と、該第1の導体層間を前記基板
との間に空気層を介して接続する第2の導体層とから成
り、前記第2の導体層の上表面のうち前記第1の導体層
と接続する部分の上表面が前記空気層の上の部分の上表
面よりも高い位置にあることを特徴として構成される。
本発明のマイクロ波モノリシック回路の製造方法は、誘
電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に第1給電用金属
層を局所的に設け、該第1給電用金属膜上に部分的に開
口部を有する第1m脂層を形成し、該開口部に第1の導
体層をメッキ法で堆積する工程と、前記第1樹脂層がこ
れまでにベークされた以上の高温で前記第1樹脂層を前
記基板と共にベークする工程と、第2給電用金属層を前
記第1樹脂層上に被着する工程と、該W、2給電用金属
層上に所望の形状の開口部を有する第2樹脂層を形成し
該開口部内に第2の導体層をメッキ法で形成して前記第
1の導体層間を前記第2の導体層により接続する工程と
、前記第2樹脂層、第2給電用金属層、第1樹脂層及び
第1給成用金A層を順次除去する工程とを含むことを特
徴として構成される。
電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に第1給電用金属
層を局所的に設け、該第1給電用金属膜上に部分的に開
口部を有する第1m脂層を形成し、該開口部に第1の導
体層をメッキ法で堆積する工程と、前記第1樹脂層がこ
れまでにベークされた以上の高温で前記第1樹脂層を前
記基板と共にベークする工程と、第2給電用金属層を前
記第1樹脂層上に被着する工程と、該W、2給電用金属
層上に所望の形状の開口部を有する第2樹脂層を形成し
該開口部内に第2の導体層をメッキ法で形成して前記第
1の導体層間を前記第2の導体層により接続する工程と
、前記第2樹脂層、第2給電用金属層、第1樹脂層及び
第1給成用金A層を順次除去する工程とを含むことを特
徴として構成される。
(実施例)
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第1図(a)〜(e)は本発明の詳細な説明するための
工程順に示した断面図である。
工程順に示した断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、G a As基板1
1上にドレイン電極31.ソース電極33及びゲート電
極34が形成され、これらの表面に保護膜(Sin、膜
等)12を形成する。
1上にドレイン電極31.ソース電極33及びゲート電
極34が形成され、これらの表面に保護膜(Sin、膜
等)12を形成する。
次に、第1図(b)に示すように、ソース電極33上の
保護膜12を一部除去しソース電極33表面を露出させ
、メッキの第1給電用金属層13を被着する。メッキの
第[給電用金属層13としては、T i /A uある
いはCr/Auの2層金属膜が利用出来る。第1給電用
金属膜13としてはTiあるいはCu等の単層の金属膜
も利用出来るが、この場合には次にソース電極上の表面
にAuの膜をリフトオフ等によジ形成する工程が必要で
ある。次に、ソース電極上に開口部14を持つ第1樹脂
層15を形成する。この第1樹脂泗15として山α−1
375(シラプレー社商品名)等の感光性の耐薬品性樹
脂が利用出来、開口部形成後110°Cの窒素雰囲気中
でベークする。さらに、第1給電用金属層13を介して
M電しメッキすることにより、開口部14に選択的に第
1の導体層16を堆積できる。第1の導体16の厚さは
第1樹脂層15の厚さと同程度の2〜3μmに制御する
。このメッキを樹脂l−15より厚くし過ぎるとメッキ
層が横方向に広がり寸法制御が困難になる。
保護膜12を一部除去しソース電極33表面を露出させ
、メッキの第1給電用金属層13を被着する。メッキの
第[給電用金属層13としては、T i /A uある
いはCr/Auの2層金属膜が利用出来る。第1給電用
金属膜13としてはTiあるいはCu等の単層の金属膜
も利用出来るが、この場合には次にソース電極上の表面
にAuの膜をリフトオフ等によジ形成する工程が必要で
ある。次に、ソース電極上に開口部14を持つ第1樹脂
層15を形成する。この第1樹脂泗15として山α−1
375(シラプレー社商品名)等の感光性の耐薬品性樹
脂が利用出来、開口部形成後110°Cの窒素雰囲気中
でベークする。さらに、第1給電用金属層13を介して
M電しメッキすることにより、開口部14に選択的に第
1の導体層16を堆積できる。第1の導体16の厚さは
第1樹脂層15の厚さと同程度の2〜3μmに制御する
。このメッキを樹脂l−15より厚くし過ぎるとメッキ
層が横方向に広がり寸法制御が困難になる。
次く、第1図(C)K示すように、第1樹脂J315を
残したまま高温でベークする。これによp第1樹脂ノ3
15が体積収縮し薄くなるため図示するように1第1の
導体層16の上面が第1樹脂層15の上面より高くなる
。第1樹脂層15として前記のAZ−1375を用いた
場合ベーク温度は、150〜250℃が適当であり、ベ
ーク温度の制御により樹脂層15の厚さを再現性良く制
御できる。
残したまま高温でベークする。これによp第1樹脂ノ3
15が体積収縮し薄くなるため図示するように1第1の
導体層16の上面が第1樹脂層15の上面より高くなる
。第1樹脂層15として前記のAZ−1375を用いた
場合ベーク温度は、150〜250℃が適当であり、ベ
ーク温度の制御により樹脂層15の厚さを再現性良く制
御できる。
次に、第1図(d)に示すように、第2給電用金属層1
7tl−被着しエアーブリッジを形成する部分及び第1
の導体ノー16の上面に開口部18を持つ第2樹脂層1
9を形成する。第2給′濃用金pAWi17としてはT
i/Auの2層蒸着膜を用いることができ、第2樹脂層
としては、AZ−1350J(シップ・」福品名)等の
感光性樹脂を用いることができる。次に、第2給電用金
属層17を介して選択的にメッキし、第2の導体層20
を形成する。この第2の導体層20のメッキ層は、強度
的には1μm程度で、30μm間隔の二つの第2の導体
層16!’a’1を接続できる。
7tl−被着しエアーブリッジを形成する部分及び第1
の導体ノー16の上面に開口部18を持つ第2樹脂層1
9を形成する。第2給′濃用金pAWi17としてはT
i/Auの2層蒸着膜を用いることができ、第2樹脂層
としては、AZ−1350J(シップ・」福品名)等の
感光性樹脂を用いることができる。次に、第2給電用金
属層17を介して選択的にメッキし、第2の導体層20
を形成する。この第2の導体層20のメッキ層は、強度
的には1μm程度で、30μm間隔の二つの第2の導体
層16!’a’1を接続できる。
次に1第1図(e)K示すように、第2樹脂層19を有
機溶剤により除去し、第2給電用金属層17を適当なエ
ツチング溶液を用いて除去し、次へ高温ベークした第1
樹脂層15を有機溶剤あるいは酸素プラズマ等によシ除
去し、最後に第1給電用金属層13t−適当なエツチン
グ溶液にょ9除去し、図に示す構造のエアーブリッジが
形成される。
機溶剤により除去し、第2給電用金属層17を適当なエ
ツチング溶液を用いて除去し、次へ高温ベークした第1
樹脂層15を有機溶剤あるいは酸素プラズマ等によシ除
去し、最後に第1給電用金属層13t−適当なエツチン
グ溶液にょ9除去し、図に示す構造のエアーブリッジが
形成される。
これらの第2樹脂層19、第2給電用金属層17、及び
高温ベークした第1樹脂層15を同時にり7トオ7する
ことも可能である。
高温ベークした第1樹脂層15を同時にり7トオ7する
ことも可能である。
以上説明した製造方法によって、柱状の第1の導体層1
6と接続している部分の第2の導体層2゜の上表面が、
空気層の部分の上の第2の導体/!t20の上表面より
も高くなっている構造、換言すれば、第2の導体層20
の上表rXJは段つきになっている構造となっているエ
アーブリッジが得られる。
6と接続している部分の第2の導体層2゜の上表面が、
空気層の部分の上の第2の導体/!t20の上表面より
も高くなっている構造、換言すれば、第2の導体層20
の上表rXJは段つきになっている構造となっているエ
アーブリッジが得られる。
従って、これらの電極を形成したGaAs基板而基板比
とえ下向きKな夛エアーブリッジに外力が加えられた場
合とも変形し難い構造のエアーブリッジが得られる。
とえ下向きKな夛エアーブリッジに外力が加えられた場
合とも変形し難い構造のエアーブリッジが得られる。
本実施例では、GaAs基板上に形成されたFETのノ
ース1極間全接続するエアーブリッジに関して述べたが
、本発明のエアーブリッジが通常のアルミナ基板上に形
成されたMIC回路、例えば、インターディジタル カ
ップラーの複数の導体間の接続にも適用し得ることは明
らかであろう。
ース1極間全接続するエアーブリッジに関して述べたが
、本発明のエアーブリッジが通常のアルミナ基板上に形
成されたMIC回路、例えば、インターディジタル カ
ップラーの複数の導体間の接続にも適用し得ることは明
らかであろう。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、外力により変形
し難い構造のエアーブリッジを有するマイクロ波モノリ
シック回路及びその製造方法が得られる。
し難い構造のエアーブリッジを有するマイクロ波モノリ
シック回路及びその製造方法が得られる。
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順)C示した断面図、第2図は従来のマイクロ
波モノリシック回路のエアーブリッジの一例の斜視図で
ある。 11・・・・・0aAs基板、12・・・・・・保す膜
、13・・・・・・第1給電用金属層、14・・・・・
・開口部、16・・・・・・第1の導体層、17・・・
・・・第2給電用金属層、18・・・・・・開口部、1
9・・・・・・第2樹脂層、2o・・・・・・第2の導
体層、31・・・・・・ドレインtL32・・・・・・
エアーブリッジ、33・・・・・・ソース電極、34・
・・・・接続部、35・・・・・・ゲート電極。
めの工程順)C示した断面図、第2図は従来のマイクロ
波モノリシック回路のエアーブリッジの一例の斜視図で
ある。 11・・・・・0aAs基板、12・・・・・・保す膜
、13・・・・・・第1給電用金属層、14・・・・・
・開口部、16・・・・・・第1の導体層、17・・・
・・・第2給電用金属層、18・・・・・・開口部、1
9・・・・・・第2樹脂層、2o・・・・・・第2の導
体層、31・・・・・・ドレインtL32・・・・・・
エアーブリッジ、33・・・・・・ソース電極、34・
・・・・接続部、35・・・・・・ゲート電極。
Claims (2)
- (1)誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に局所的
に形成された少くとも二つの第1の導体層と、該第1の
導体層間を前記基板との間に空気層を介して接続する第
2の導体層とから成り、前記第2の導体層の上表面のう
ち前記第1の導体層と接続する部分の上表面が前記空気
層の上の部分の上表面よりも高い位置にあることを特徴
とするマイクロ波モノリシック回路。 - (2)誘電体あるいは半絶縁性半導体の基板上に第1給
電用金属層を局所的に設け、該第1給電用金属膜上に部
分的に開口部を有する第1樹脂層を形成し、該開口部に
第1の導体層をメッキ法で堆積する工程と、前記第1樹
脂層がこれまでにベークされた以上の高温で前記第1樹
脂層を前記基板と共にベークする工程と、第2給電用金
属層を前記第1樹脂層上に被着する工程と、該第2給電
用金属層上に所望の形状の開口部を有する第2樹脂層を
形成し該開口部内に第2の導体層をメッキ法で形成して
前記第1の導体層間を前記第2の導体層により接続する
工程と、前記第2樹脂層、第2給電用金属層、第1樹脂
層及び第1給電用金属層を順次除去する工程とを含むこ
とを特徴とするマイクロ波モノリシック回路の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21680784A JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21680784A JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6195554A true JPS6195554A (ja) | 1986-05-14 |
JPH0334858B2 JPH0334858B2 (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=16694191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21680784A Granted JPS6195554A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | マイクロ波モノリシック回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6195554A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6806181B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-10-19 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Method of fabricating an air bridge |
WO2020202600A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社 東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP21680784A patent/JPS6195554A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6806181B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-10-19 | Fujitsu Quantum Devices Limited | Method of fabricating an air bridge |
WO2020202600A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社 東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
EP3951848A4 (en) * | 2019-03-29 | 2023-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0334858B2 (ja) | 1991-05-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |