JPS6191058A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6191058A JPS6191058A JP59213594A JP21359484A JPS6191058A JP S6191058 A JPS6191058 A JP S6191058A JP 59213594 A JP59213594 A JP 59213594A JP 21359484 A JP21359484 A JP 21359484A JP S6191058 A JPS6191058 A JP S6191058A
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金rj1.薄膜の基体として使用される磁器組
成物に関するものであり、さらに詳細にはその熱膨張率
の改良に関するものである。
成物に関するものであり、さらに詳細にはその熱膨張率
の改良に関するものである。
例えば磁気記録の分野においては、記録信号の高密度化
や高周波数化等が進められており、この高密度記録化に
対応して磁気記録媒体として磁性粉にFe、Co、Ni
等の強磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープや
強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に被着し
たいわゆる蒸着テープ等が使用されるようになっている
。したがって、記録再生に用いられる磁気ヘッドのヘッ
ド材料には高い飽和磁束密度Bsを有することが要求さ
れている。
や高周波数化等が進められており、この高密度記録化に
対応して磁気記録媒体として磁性粉にFe、Co、Ni
等の強磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープや
強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に被着し
たいわゆる蒸着テープ等が使用されるようになっている
。したがって、記録再生に用いられる磁気ヘッドのヘッ
ド材料には高い飽和磁束密度Bsを有することが要求さ
れている。
あるいは、上述の高密度記録化に伴って、磁気記録媒体
に記録される磁気パターンのトラック幅の狭小化も進め
られており、磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いもの
が要求されている。
に記録される磁気パターンのトラック幅の狭小化も進め
られており、磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いもの
が要求されている。
そこで従来、前述の要求に応えて、例えば非磁性支持体
と磁気コアとなる金属磁性WI膜とを積層しこの磁性薄
膜部分をトランク部としたいわゆる複合型磁気ヘッドや
、非磁性基板上に全屈磁性薄膜や導体金属薄膜を絶縁薄
膜を介して多層に積層した薄膜磁気ヘッド等が提案され
ており、このように上記磁気記録の分野においては、金
HNIQの応用が進展している。
と磁気コアとなる金属磁性WI膜とを積層しこの磁性薄
膜部分をトランク部としたいわゆる複合型磁気ヘッドや
、非磁性基板上に全屈磁性薄膜や導体金属薄膜を絶縁薄
膜を介して多層に積層した薄膜磁気ヘッド等が提案され
ており、このように上記磁気記録の分野においては、金
HNIQの応用が進展している。
ところで、上記金属薄膜を磁気ヘッド等に使用する場合
には、その支持体として通常セラミック基板が用いられ
ているが、従来のセラミック基板では金属材料よりもか
なり熱膨張が小さいために、熱処理時に上記金属薄膜が
上記セラミック基板がら剥離し易いという欠点を有して
いる。例えば薄膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイ、
センダスト等の線膨張係数αは130〜160X10/
”cであるのに対し、従来用いられているセラミック基
板はBaTi01系セラミツクで90〜100xlO−
’/ ’C、CaTi01系セラミ−/ ’) T:
100〜120 X 10/”C程度とかなり小さい。
には、その支持体として通常セラミック基板が用いられ
ているが、従来のセラミック基板では金属材料よりもか
なり熱膨張が小さいために、熱処理時に上記金属薄膜が
上記セラミック基板がら剥離し易いという欠点を有して
いる。例えば薄膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイ、
センダスト等の線膨張係数αは130〜160X10/
”cであるのに対し、従来用いられているセラミック基
板はBaTi01系セラミツクで90〜100xlO−
’/ ’C、CaTi01系セラミ−/ ’) T:
100〜120 X 10/”C程度とかなり小さい。
したがって、上記金属薄膜と同程度の線膨張係数を有す
るセラミック基板が要望されている。
るセラミック基板が要望されている。
そこで本発明は、当該技術分野の前記要望に応えて提案
されたものであって、金属薄膜と同等の熱膨張を示す新
規な組成の磁器組成物を提供することを目的とする。
されたものであって、金属薄膜と同等の熱膨張を示す新
規な組成の磁器組成物を提供することを目的とする。
本発明者等は上述の目的を達成せんものと長期に亘り鋭
意研究の結果、N a、ON b、Os系磁器組成物に
おいてその組成範囲を特定することにより線膨張率を制
御できる事を見出し本発明を完成するに至ったものであ
って、 一般式xNa工0・yNb、OCT:表される
組成を有し、その組成範囲が0、74≦x/y<1.
00 であることを特徴とするものである。
意研究の結果、N a、ON b、Os系磁器組成物に
おいてその組成範囲を特定することにより線膨張率を制
御できる事を見出し本発明を完成するに至ったものであ
って、 一般式xNa工0・yNb、OCT:表される
組成を有し、その組成範囲が0、74≦x/y<1.
00 であることを特徴とするものである。
本発明の磁器組成物においてはその組成範囲が重要であ
って、上記x/y<0.74では線膨張係数α<130
xlO/”cと金属薄膜に比べて小さくなりすぎ、また
x/y≧1.00では焼結不良を起こし良質な磁器組成
物が得られない。
って、上記x/y<0.74では線膨張係数α<130
xlO/”cと金属薄膜に比べて小さくなりすぎ、また
x/y≧1.00では焼結不良を起こし良質な磁器組成
物が得られない。
このように、一般式xNaよ0・yNbρ9で表される
磁器組成物の組成範囲を0.74≦x / y <1゜
OOに設定することにより、線膨張係数αが130〜1
60xlo/℃程度に制御される。
磁器組成物の組成範囲を0.74≦x / y <1゜
OOに設定することにより、線膨張係数αが130〜1
60xlo/℃程度に制御される。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。
実施例。
純度99.9%以上のN a 、LCO,及びNb、C
1,p)各原料粉末を用意した。
1,p)各原料粉末を用意した。
次にこれら各原料粉末をそれぞれ所定の組成となるよう
に秤量し、エタノールを混合溶媒としてボールミで混合
処理した後、加熱しエタノールを除去した。
に秤量し、エタノールを混合溶媒としてボールミで混合
処理した後、加熱しエタノールを除去した。
続いて、500kg/adの圧力で加圧成形し、この成
形したものを900℃で3時間、空気中で仮焼した。
形したものを900℃で3時間、空気中で仮焼した。
さらにこの仮焼物を乳鉢で粉砕し、再びエタノールを混
合媒体としてボールミルで混合処理した後、エタノール
を加熱除去した。その後1500kg / cjの圧力
で加圧成形し、1200℃で3時間。
合媒体としてボールミルで混合処理した後、エタノール
を加熱除去した。その後1500kg / cjの圧力
で加圧成形し、1200℃で3時間。
空気中で焼成し、磁器組成物を得た。
上記N a、Co3及びNb、Of?割合を変え、得ら
れた各磁器組成物を角柱状に加工し、それぞれ線膨張針
で40〜600℃の温度範囲における線膨張係数αを測
定した。
れた各磁器組成物を角柱状に加工し、それぞれ線膨張針
で40〜600℃の温度範囲における線膨張係数αを測
定した。
結果を第1図に示す、なお、この第1図は、上記VII
L器組成糊組成物N a、O−y N b、0;で表し
た時のx/yに対する線膨張係数αをプロットしたちの
である。さらに、第1図において、x/y≧1゜00の
領域では良質な磁器組成物が得られなかったため除外し
た。
L器組成糊組成物N a、O−y N b、0;で表し
た時のx/yに対する線膨張係数αをプロットしたちの
である。さらに、第1図において、x/y≧1゜00の
領域では良質な磁器組成物が得られなかったため除外し
た。
この第1図より、Na、Oの割合の増加とともに得られ
る磁器組成物の線膨張係数αが増加し、特にx/yの値
が0.74を越えると、上記線膨張係数αが金属の線膨
張係数と同程度の130〜159X10/’Cとなるこ
とが分かる。
る磁器組成物の線膨張係数αが増加し、特にx/yの値
が0.74を越えると、上記線膨張係数αが金属の線膨
張係数と同程度の130〜159X10/’Cとなるこ
とが分かる。
次に本発明に係る磁器組成物を磁気ヘッドに通用した応
用例について説明する。
用例について説明する。
応用例1゜
第1図に本発明の磁器組成物を非磁性基板として用いた
薄膜磁気ヘッドの一例を示す。
薄膜磁気ヘッドの一例を示す。
この例においては、先の実施例で作成された磁器組成物
を非磁性基板lとし、この非磁性基板l上に磁路を構成
する一方の磁性膜である下部磁性膜2が例えばセンダス
ト薄膜等で形成されている。
を非磁性基板lとし、この非磁性基板l上に磁路を構成
する一方の磁性膜である下部磁性膜2が例えばセンダス
ト薄膜等で形成されている。
また、上記下部磁性膜2上には、Sin、等により形成
される絶縁Jii3を介して信号導体4が形成されてい
る。この信号導体4は、例えばスバッタリング等の手法
により被着形成される銅薄膜等をエツチングすることに
より形成され、上記下部磁性膜2や後述の上部磁性膜に
より構成される閉磁路中に記録再生信号を供給するよう
に配設されている。
される絶縁Jii3を介して信号導体4が形成されてい
る。この信号導体4は、例えばスバッタリング等の手法
により被着形成される銅薄膜等をエツチングすることに
より形成され、上記下部磁性膜2や後述の上部磁性膜に
より構成される閉磁路中に記録再生信号を供給するよう
に配設されている。
さらに上記信号導体4上には、第2の絶縁N5を介して
センダスト等よりなる上部磁性膜6が形成されており、
この上部磁性膜6の後端部6aが上記下部磁性膜2と接
続されバックギャップを構成するとともに、前端部にお
いて先の絶縁層3を介して下部磁性膜2と対向し作動ギ
ヤツブを構成するようになっている。 このように構成
される薄膜磁気ヘッドには、さらに5iO1等の保護膜
7が設けられ、融着ガラス8によって非磁性保護板9が
貼り付けられている。なお、この非磁性保護板9は、上
記非磁性基板1と同様に先の実施例で作成された磁器組
成物が使用される。
センダスト等よりなる上部磁性膜6が形成されており、
この上部磁性膜6の後端部6aが上記下部磁性膜2と接
続されバックギャップを構成するとともに、前端部にお
いて先の絶縁層3を介して下部磁性膜2と対向し作動ギ
ヤツブを構成するようになっている。 このように構成
される薄膜磁気ヘッドには、さらに5iO1等の保護膜
7が設けられ、融着ガラス8によって非磁性保護板9が
貼り付けられている。なお、この非磁性保護板9は、上
記非磁性基板1と同様に先の実施例で作成された磁器組
成物が使用される。
このように構成される薄膜磁気ヘッドにおいては、非磁
性基板1の熱膨張率と下部磁性膜2の熱膨張率がほぼ等
しいために、例えば金属磁性薄膜の磁気特性を向上する
ための熱処理や、ガラス融着、ガラスポンディング等の
製造工程上の熱処理等を加えても上記下部磁性膜2の剥
離はみられなかった。
性基板1の熱膨張率と下部磁性膜2の熱膨張率がほぼ等
しいために、例えば金属磁性薄膜の磁気特性を向上する
ための熱処理や、ガラス融着、ガラスポンディング等の
製造工程上の熱処理等を加えても上記下部磁性膜2の剥
離はみられなかった。
応用例2゜
次に、第3図に本発明の磁器組成物を複合型の磁気ヘッ
ドに適用した一例を示す。
ドに適用した一例を示す。
この磁気ヘッドは、金属磁性111.12がそれぞれ非
磁性ガード材13.14あるいは15゜16によって挟
み付けられ、これら金属磁性1i11、I2の突き合わ
せ面がこれら金属磁性層11.’12の厚さをトラック
幅とする作動ギャップ17となるように構成されている
。
磁性ガード材13.14あるいは15゜16によって挟
み付けられ、これら金属磁性1i11、I2の突き合わ
せ面がこれら金属磁性層11.’12の厚さをトラック
幅とする作動ギャップ17となるように構成されている
。
また、上記磁気ヘッドには巻線溝18が設けられ、この
巻線溝18内に導体コイルを巻回することによって上記
金属磁性層11.12に記録再生信号を供給するように
なっている。
巻線溝18内に導体コイルを巻回することによって上記
金属磁性層11.12に記録再生信号を供給するように
なっている。
ここで上記金属磁性Jill、12は、薄帯状のセンダ
スト系合金あるいは非晶質合金等、通常この種の磁気ヘ
ッドに用いられる金属磁性層をラミネートする手法や、
強磁性金属材料をスバフタや蒸着する等の真空薄膜形成
手段等により形成される。
スト系合金あるいは非晶質合金等、通常この種の磁気ヘ
ッドに用いられる金属磁性層をラミネートする手法や、
強磁性金属材料をスバフタや蒸着する等の真空薄膜形成
手段等により形成される。
一方、上記非磁性ガード材13.14及び非磁性ガード
材15.16は、先の実施例で作成されるように、上記
金泥磁性Fi11.12と同程度の線膨張係数αを有す
る磁器組成物により形成されており、したがって先の応
用例1と同様に熱膨張率の違いに起因する金属薄膜の剥
離が生ずることはない。
材15.16は、先の実施例で作成されるように、上記
金泥磁性Fi11.12と同程度の線膨張係数αを有す
る磁器組成物により形成されており、したがって先の応
用例1と同様に熱膨張率の違いに起因する金属薄膜の剥
離が生ずることはない。
上述の説明からも明らかなように、本発明においてはN
a、ON b、O謹磁器組成物の組成範囲を一般式x
Naθ・yNb工O♂表した時のx/yの値が0.74
≦x/y<1.00となるように設定しているので、線
膨張係数αが130〜160xlO/’cと金属薄膜と
ほぼ同等の熱膨張を示す磁器組成物が得られる。
a、ON b、O謹磁器組成物の組成範囲を一般式x
Naθ・yNb工O♂表した時のx/yの値が0.74
≦x/y<1.00となるように設定しているので、線
膨張係数αが130〜160xlO/’cと金属薄膜と
ほぼ同等の熱膨張を示す磁器組成物が得られる。
したがって、例えば磁気ヘッドに適用した場合に、金属
薄膜と非磁性支持体との剥離の生ずることのない信頼性
の高い磁気ヘッドを提供することが可能となる。
薄膜と非磁性支持体との剥離の生ずることのない信頼性
の高い磁気ヘッドを提供することが可能となる。
第1図はx N a、O−y N b、04−?’表さ
れる磁器組成物のx/yの値と線膨張係数αの関係を示
す特性図である。 第21!Iは本発明の磁器組成物を非磁性基板として使
用した薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図であり、第3
図は本発明の磁器組成物を非磁性支持体として使用した
複合型の磁気ヘッドの一例を示す外観斜視図である。 l・・・非磁性基板 2・・・下部磁性膜 6・・・上部磁性膜 11.12・・・金属磁性薄
れる磁器組成物のx/yの値と線膨張係数αの関係を示
す特性図である。 第21!Iは本発明の磁器組成物を非磁性基板として使
用した薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図であり、第3
図は本発明の磁器組成物を非磁性支持体として使用した
複合型の磁気ヘッドの一例を示す外観斜視図である。 l・・・非磁性基板 2・・・下部磁性膜 6・・・上部磁性膜 11.12・・・金属磁性薄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式xNaO_2、・yNb_2O_5で表される組
成を有し、その組成範囲が 0.74≦x/y<1.00 であることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59213594A JPS6191058A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 磁器組成物 |
DE8585112869T DE3575711D1 (de) | 1984-10-12 | 1985-10-10 | Keramikzusammensetzung. |
US06/786,464 US4639400A (en) | 1984-10-12 | 1985-10-10 | Ceramic substrate of Na2 O and Nb2 O5 for magnetic metal thin film |
EP85112869A EP0177964B1 (en) | 1984-10-12 | 1985-10-10 | Ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59213594A JPS6191058A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6191058A true JPS6191058A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16641775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59213594A Pending JPS6191058A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 磁器組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4639400A (ja) |
EP (1) | EP0177964B1 (ja) |
JP (1) | JPS6191058A (ja) |
DE (1) | DE3575711D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107055613A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-08-18 | 湖南工业大学 | 一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0330121B1 (en) * | 1988-02-25 | 1994-06-01 | Japan Energy Corporation | Non-magnetic substrate of magnetic head, magnetic head and method for producing substrate |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3391542A (en) * | 1965-05-17 | 1968-07-09 | Rayonier Inc | Process for grouting with a tricomponent chemical grouting composition |
US3502598A (en) * | 1966-08-11 | 1970-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Piezoelectric ceramics |
US3495412A (en) * | 1967-07-31 | 1970-02-17 | Sekisui Chemical Co Ltd | Process for stabilizing soil |
US3611733A (en) * | 1969-10-06 | 1971-10-12 | Dow Chemical Co | Method of sealing openings |
JPS5031725A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-03-28 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59213594A patent/JPS6191058A/ja active Pending
-
1985
- 1985-10-10 EP EP85112869A patent/EP0177964B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-10 DE DE8585112869T patent/DE3575711D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-10 US US06/786,464 patent/US4639400A/en not_active Expired - Fee Related
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CN107055613A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-08-18 | 湖南工业大学 | 一种无基底五氧化二铌纳米片阵列负极材料及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4639400A (en) | 1987-01-27 |
EP0177964B1 (en) | 1990-01-31 |
EP0177964A2 (en) | 1986-04-16 |
DE3575711D1 (de) | 1990-03-08 |
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