JPS61104412A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS61104412A JPS61104412A JP22517084A JP22517084A JPS61104412A JP S61104412 A JPS61104412 A JP S61104412A JP 22517084 A JP22517084 A JP 22517084A JP 22517084 A JP22517084 A JP 22517084A JP S61104412 A JPS61104412 A JP S61104412A
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- Japan
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- compsn
- ceramic
- film
- thin film
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドや複合型磁気ヘッド等のように
非磁性支持体と磁性薄膜とが複合一体化された磁気ヘッ
ドに関するものであり、さらに詳細には非磁性支持体の
改良に関するものである。
非磁性支持体と磁性薄膜とが複合一体化された磁気ヘッ
ドに関するものであり、さらに詳細には非磁性支持体の
改良に関するものである。
従来、磁気記録の分野においては、記録信号の高密度化
や高周波数化等が進められており、この高密度記録化に
対応して、磁気記録媒体として磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ等の強磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープ
や強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に被着
したいわゆる蒸着テープ等のように抗磁力Ｈｃの高い磁
気記録媒体が使用されるようになっている。したがって
、記録再生に用いられる磁気ヘッドのヘッド材料には高
い飽和磁束密度Ｂｓを有することが要求されている。
や高周波数化等が進められており、この高密度記録化に
対応して、磁気記録媒体として磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ等の強磁性金属の粉末を用いたいわゆるメタルテープ
や強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上に被着
したいわゆる蒸着テープ等のように抗磁力Ｈｃの高い磁
気記録媒体が使用されるようになっている。したがって
、記録再生に用いられる磁気ヘッドのヘッド材料には高
い飽和磁束密度Ｂｓを有することが要求されている。
あるいは、上述の高密度記録化に伴って、磁気記録媒体
に記録される磁気パターンのトラック幅の狭小化も進め
られており、磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いもの
が要求されている。
に記録される磁気パターンのトラック幅の狭小化も進め
られており、磁気ヘッドのトラック幅も極めて狭いもの
が要求されている。
そこで従来、前述の要求に応えて、例えば非磁性支持体
と磁気コアとなる金属磁性薄膜とを積層しこの磁性薄膜
部分をトラック部としたいわゆる複合型磁気ヘッドや、
非磁性基板上に金属磁性薄膜や導体金属薄膜を絶縁薄膜
を介して多層に積層した薄膜磁気ヘッド等が提案されて
おり、このように上記磁気記録の分野においては、磁性
薄膜の応用が進展している。
と磁気コアとなる金属磁性薄膜とを積層しこの磁性薄膜
部分をトラック部としたいわゆる複合型磁気ヘッドや、
非磁性基板上に金属磁性薄膜や導体金属薄膜を絶縁薄膜
を介して多層に積層した薄膜磁気ヘッド等が提案されて
おり、このように上記磁気記録の分野においては、磁性
薄膜の応用が進展している。
ところで、上記磁性薄膜を磁気ヘッド等に使用する場合
には、その支持体として通常セラミック基板が用いられ
ているが、従来のセラミ・ツク基板は金属材料よりもか
なり熱膨張率が小さいことが知られている６例えば、薄
膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイ、センダスト等の
線膨張係数αは１３０〜１６０ｘｌＯ／”Ｃであるのに
対し、従来用いられているセラミック基板はＢａＴｉＯ
３系セラミックで９０〜ｌ ＯＯＸ １０／’Ｃ，Ｃａ
ＴｉＯ３系セラミックで１００〜１２０Ｘ１０／’Ｃ程
度とかなり小さい。
には、その支持体として通常セラミック基板が用いられ
ているが、従来のセラミ・ツク基板は金属材料よりもか
なり熱膨張率が小さいことが知られている６例えば、薄
膜磁気ヘッドに用いられるパーマロイ、センダスト等の
線膨張係数αは１３０〜１６０ｘｌＯ／”Ｃであるのに
対し、従来用いられているセラミック基板はＢａＴｉＯ
３系セラミックで９０〜ｌ ＯＯＸ １０／’Ｃ，Ｃａ
ＴｉＯ３系セラミックで１００〜１２０Ｘ１０／’Ｃ程
度とかなり小さい。
このため、従来のこの僅の磁気ヘッドでは、製造上の必
要性等から熱処理を施すと、上記磁性薄膜が上記セラミ
ック基板から剥離し易いという欠点を有している。
要性等から熱処理を施すと、上記磁性薄膜が上記セラミ
ック基板から剥離し易いという欠点を有している。
また、完全に零でない磁歪を有する金属材料（磁性材料
）の特に薄膜磁気ヘッドへの応用を考えた場合、上記線
膨張係数の差に起因して薄膜形成時あるいは熱処理後の
冷却時等に歪が導入され、この歪により磁歪を通じて上
記金属材料に磁気異方性が導入され上記金属薄膜に透磁
率の劣化が生ずる虞れもある。
）の特に薄膜磁気ヘッドへの応用を考えた場合、上記線
膨張係数の差に起因して薄膜形成時あるいは熱処理後の
冷却時等に歪が導入され、この歪により磁歪を通じて上
記金属材料に磁気異方性が導入され上記金属薄膜に透磁
率の劣化が生ずる虞れもある。
そこで本発明は、上述の従来のものの有する欠点を解消
するために提案されたものであって、非磁性支持体と磁
性薄膜との熱膨張率が同等で、磁性薄膜の剥離や磁気特
性の劣化が生ずることのない信頼性の高い磁気ヘッドを
提供することを目的とする。
するために提案されたものであって、非磁性支持体と磁
性薄膜との熱膨張率が同等で、磁性薄膜の剥離や磁気特
性の劣化が生ずることのない信頼性の高い磁気ヘッドを
提供することを目的とする。
本発明は、上述の如き目的を達成するために、非磁性支
持体と磁性薄膜とが複合一体化された磁気ヘッドにおい
て、上記非磁性支持体は一般式ＸＮａ、Ｏ・ｙＴａ工０
５で表される組成を有しその組成範囲が ０．８５≦ｘ／ｙ≦１．００ である磁器組成物からなることを特徴とするものである
。
持体と磁性薄膜とが複合一体化された磁気ヘッドにおい
て、上記非磁性支持体は一般式ＸＮａ、Ｏ・ｙＴａ工０
５で表される組成を有しその組成範囲が ０．８５≦ｘ／ｙ≦１．００ である磁器組成物からなることを特徴とするものである
。
このように、非磁性支持体として一般式ｘ Ｎ ａ。
０− ｙ Ｔ ａ１０５で表されその組成範囲が０．８
５≦ｘ／ｙ≦１．００である磁器組成物を使用すること
により、この非磁性支持体と磁性金属の線膨張係数αが
同等なものとなり、熱処理による上記磁性金属の剥離や
透磁率の劣化が防止される。
５≦ｘ／ｙ≦１．００である磁器組成物を使用すること
により、この非磁性支持体と磁性金属の線膨張係数αが
同等なものとなり、熱処理による上記磁性金属の剥離や
透磁率の劣化が防止される。
以下、本発明を適用した磁気ヘッドの一実施例について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明を薄膜磁気ヘッドに適用した一例を示す
ものである。
ものである。
この実施例においては、Ｎ ａ、Ｏ−Ｔ ａ２０５系磁
器組成物を非磁性基板１とし、この非磁性基板１上に磁
路を構成する一方の磁性膜である下部磁性膜２が例えば
センダスト薄膜等で形成されている。
器組成物を非磁性基板１とし、この非磁性基板１上に磁
路を構成する一方の磁性膜である下部磁性膜２が例えば
センダスト薄膜等で形成されている。
ここで、上記Ｎ ａ２Ｑ −Ｔ ａｌ○５系磁気磁器組
成物は、一般式ｘＮａｌｏ−ｙＴａユＯ８で表される組
成ををし、その組成範囲は０．８５≦ｘ／ｙ≦１． ０
０に設定される。
成物は、一般式ｘＮａｌｏ−ｙＴａユＯ８で表される組
成ををし、その組成範囲は０．８５≦ｘ／ｙ≦１． ０
０に設定される。
上記非磁性支持体１に使用される磁器組成物においては
、その組成範囲が重要であって、上記Ｘ／ｙが０．８５
未満では線膨張係数α＜１３０Ｘ１０／℃と磁性薄膜に
比べて小さくなりすぎ、これと反対にｘ／ｙが１．００
を越えると焼結不良を起こし良質な磁器組成物が得られ
ない。これに対し、上記ｘ／ｙの値を０．８５≦ｘ／ｙ
≦ｌ。
、その組成範囲が重要であって、上記Ｘ／ｙが０．８５
未満では線膨張係数α＜１３０Ｘ１０／℃と磁性薄膜に
比べて小さくなりすぎ、これと反対にｘ／ｙが１．００
を越えると焼結不良を起こし良質な磁器組成物が得られ
ない。これに対し、上記ｘ／ｙの値を０．８５≦ｘ／ｙ
≦ｌ。
ＯＯに設定することにより、上記磁器組成物の線膨張係
数αが１３０〜１７０ｘｌＯ／”ｃに制御される。
数αが１３０〜１７０ｘｌＯ／”ｃに制御される。
さらに、上記磁器組成物には、焼結性改善のために少量
の添加物を加えてもよい。このような添加物としては、
例えばＮａを他のアルカリ金属に少量置換するためのＬ
ｔｏｏ、 ＫｚＯ等や、Ｔａを置換するＮ ｂ、０５
、あるいはその他ＣａＯやＳｒ○等が挙げられる。
の添加物を加えてもよい。このような添加物としては、
例えばＮａを他のアルカリ金属に少量置換するためのＬ
ｔｏｏ、 ＫｚＯ等や、Ｔａを置換するＮ ｂ、０５
、あるいはその他ＣａＯやＳｒ○等が挙げられる。
また、上記非磁性支持体ｌに使用される磁器組成物の形
態としては、焼結体あるいは単結晶のいずれであっても
よい。
態としては、焼結体あるいは単結晶のいずれであっても
よい。
ところで、上記磁器組成物の作成方法としては、具体的
には次のような方法があけられる。
には次のような方法があけられる。
例えば、先ず純度９９．９％以上のＮ ａ、ＣＯ，及び
Ｔａユｏ５の各原料粉末を用意する。
Ｔａユｏ５の各原料粉末を用意する。
次にこれら各原料粉末をそれぞれ所定の組成となるよう
に秤量し、エタノールを混合溶媒としてはし ポールミで混合処理した後、加熱しエタノールを除去す
る。
に秤量し、エタノールを混合溶媒としてはし ポールミで混合処理した後、加熱しエタノールを除去す
る。
続いて、１０００ｋｇ／ｃｄの圧力で加圧成形し、この
成形したものを９００℃で３時間、空気中で仮焼する。
成形したものを９００℃で３時間、空気中で仮焼する。
さらにこの仮焼物を乳鉢で粉砕し、再びエタノールを混
合媒体としてボールミルで混合処理した後、エタノール
を加熱除去する。その後１５００に、 ／ ａｄの圧力
で加圧成形し、１３５０℃〜１５００℃で３時間、空気
中で焼成し、磁器組成物を得る。
合媒体としてボールミルで混合処理した後、エタノール
を加熱除去する。その後１５００に、 ／ ａｄの圧力
で加圧成形し、１３５０℃〜１５００℃で３時間、空気
中で焼成し、磁器組成物を得る。
このようにして得られる磁器組成物を角柱状に加工し、
線膨張針で４０〜６００℃の温度範囲における線膨張率
αを測定したところ、Ｎ ａｚｏの割合の増加とともに
磁器組成物の線膨張係数αが増加し、特にｘ／ｙの値が
０．８５を越えると上記線膨張係数αが金属の線膨張係
数と同程度の１３０〜１７０ｘｌＯ／’ｃとなることが
分かった。
線膨張針で４０〜６００℃の温度範囲における線膨張率
αを測定したところ、Ｎ ａｚｏの割合の増加とともに
磁器組成物の線膨張係数αが増加し、特にｘ／ｙの値が
０．８５を越えると上記線膨張係数αが金属の線膨張係
数と同程度の１３０〜１７０ｘｌＯ／’ｃとなることが
分かった。
一方、上記下部磁性膜２上には、Ｓ ｉ Ｏ，等により
形成される絶縁Ｆｔ３を介して信号導体４が形成されて
いる。この信号導体４は、例えばスパッタリング等の手
法により被着形成される銅薄膜等をエツチングすること
により形成され、上記下部磁性膜２や後述の上部磁性膜
により構成される閉磁路中に記録再生信号を供給するよ
うに配設されている。
形成される絶縁Ｆｔ３を介して信号導体４が形成されて
いる。この信号導体４は、例えばスパッタリング等の手
法により被着形成される銅薄膜等をエツチングすること
により形成され、上記下部磁性膜２や後述の上部磁性膜
により構成される閉磁路中に記録再生信号を供給するよ
うに配設されている。
さらに上記信号導体４上には、第２の絶縁層５を介して
センダスト等よりなる上部磁性膜６が形成されており、
この上部磁性膜６の後端部６ａが上記下部磁性Ｍ＊２と
接続されバンクギャップを構成するとともに、前端部に
おいて先の絶縁層３を介して下部磁性膜２と対向し作動
ギャップを構成するようになっている。
センダスト等よりなる上部磁性膜６が形成されており、
この上部磁性膜６の後端部６ａが上記下部磁性Ｍ＊２と
接続されバンクギャップを構成するとともに、前端部に
おいて先の絶縁層３を介して下部磁性膜２と対向し作動
ギャップを構成するようになっている。
このように構成される薄膜磁気ヘッドには、さらにＳ
１０２−等の保護膜７が設けられ、融着ガラス８によっ
て非磁性保護板９が貼り付けられている。
１０２−等の保護膜７が設けられ、融着ガラス８によっ
て非磁性保護板９が貼り付けられている。
なお、この非磁性保護板９は、上記非磁性基板１と同様
の磁器組成物が使用される。
の磁器組成物が使用される。
以上の説明からも明らかなように、本発明を通用した薄
膜磁気ヘッドにおいては、非磁性基板１の熱膨張率と下
部磁性膜２の熱膨張率がほぼ等しいために、例えば磁性
薄膜の磁気特性を向上するための熱処理や、ガラス融着
、ガラスボンディング等の製造工程上の熱処理等を加え
ても上記下部磁性膜２の剥離が生ずることはない。また
、上記下部磁性膜２に線膨張係数の差に起因する磁気異
方性が生ずることはなく、したがって透磁率の低下が生
ずることもない。
膜磁気ヘッドにおいては、非磁性基板１の熱膨張率と下
部磁性膜２の熱膨張率がほぼ等しいために、例えば磁性
薄膜の磁気特性を向上するための熱処理や、ガラス融着
、ガラスボンディング等の製造工程上の熱処理等を加え
ても上記下部磁性膜２の剥離が生ずることはない。また
、上記下部磁性膜２に線膨張係数の差に起因する磁気異
方性が生ずることはなく、したがって透磁率の低下が生
ずることもない。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第２図は本発明を複合型の磁気ヘッドに適用した一例を
示すものである。
示すものである。
この磁気ヘッドは、金属磁性層１１．１２がそれぞれ非
磁性ガード材１３．１４あるいは１５゜１６によって挟
み付けられ、これら金属磁性Ｎ１１．１２の突き合わせ
面がこれら金属磁性Ｍ１１゜１２の厚さをトラック幅と
する作動ギャップ１７となるように構成されている。
磁性ガード材１３．１４あるいは１５゜１６によって挟
み付けられ、これら金属磁性Ｎ１１．１２の突き合わせ
面がこれら金属磁性Ｍ１１゜１２の厚さをトラック幅と
する作動ギャップ１７となるように構成されている。
また、上記磁気ヘッドには巻線溝１８が設けられ、この
巻線溝１８内に図示しない導体コイルを巻回することに
よって上記金属磁性層１１．１２に記録再生信号を供給
するようになっている。
巻線溝１８内に図示しない導体コイルを巻回することに
よって上記金属磁性層１１．１２に記録再生信号を供給
するようになっている。
ここで上記金属磁性Ｆｊｌｌ、１２は、センダスト系合
金あるいは非晶質合金等、通常この種の磁気ヘッドに用
いられる金属磁性材料の薄帯をラミネートする手法や、
強磁性金属材料をスパッタや蒸着する等の真空薄膜形成
手段等により形成される。
金あるいは非晶質合金等、通常この種の磁気ヘッドに用
いられる金属磁性材料の薄帯をラミネートする手法や、
強磁性金属材料をスパッタや蒸着する等の真空薄膜形成
手段等により形成される。
一方、上記非磁性ガード材１３．１４及び非磁性ガード
材１５．１６は、先の実施例の非磁性支持体１と同様に
、上記金属磁性Ｆｉｌｌ、１２と同程度の線膨張係数α
を有する磁器組成物により形成されている。
材１５．１６は、先の実施例の非磁性支持体１と同様に
、上記金属磁性Ｆｉｌｌ、１２と同程度の線膨張係数α
を有する磁器組成物により形成されている。
したがって先の実施例と同様に、これら非磁性ガード材
１３，１４，１５．１６と金属磁性層１１．１２との熱
膨張率の違いに起因−する金属磁性［１１，１２に剥離
が生ずることはない。
１３，１４，１５．１６と金属磁性層１１．１２との熱
膨張率の違いに起因−する金属磁性［１１，１２に剥離
が生ずることはない。
上述の説明からも明らかなように、本発明においては、
薄膜磁気ヘッドや複合型磁気ヘッド等のように非磁性支
持体と磁性薄膜とが複合一体化された磁気ヘッドの非磁
性支持体として、一般式ＸＮａｚ０・７ Ｔ ａ、Ｏ，
で表されその組成範囲が０．８５≦ｘ／ｙ≦１．ＯＯ なる磁器組成物を使用しているので、上記非磁性支持体
と磁性薄膜の線膨張係数がほぼ等しいものとなる。
薄膜磁気ヘッドや複合型磁気ヘッド等のように非磁性支
持体と磁性薄膜とが複合一体化された磁気ヘッドの非磁
性支持体として、一般式ＸＮａｚ０・７ Ｔ ａ、Ｏ，
で表されその組成範囲が０．８５≦ｘ／ｙ≦１．ＯＯ なる磁器組成物を使用しているので、上記非磁性支持体
と磁性薄膜の線膨張係数がほぼ等しいものとなる。
したがって、非磁性支持体と磁性薄膜の剥離や透磁率等
の磁気特性の低下の生ずることのない信頼性の高い磁気
ヘッドを提供することが可能となる。
の磁気特性の低下の生ずることのない信頼性の高い磁気
ヘッドを提供することが可能となる。
第１図は本発明を薄膜磁気ヘッドに通用した一例を示す
断面図であり、第２図は本発明を複合型の磁気ヘッドに
適用した一例を示す外観斜視図である。 １・・・非磁性基板（非磁性支持体） ２・・・下部磁性膜（磁性薄膜） ６・・・上部磁性膜（磁性薄膜） １１．１２・・・金属磁性層（磁性層ＩＩ）１３．１４
，１５．１６
断面図であり、第２図は本発明を複合型の磁気ヘッドに
適用した一例を示す外観斜視図である。 １・・・非磁性基板（非磁性支持体） ２・・・下部磁性膜（磁性薄膜） ６・・・上部磁性膜（磁性薄膜） １１．１２・・・金属磁性層（磁性層ＩＩ）１３．１４
，１５．１６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性支持体と磁性薄膜とが複合一体化された磁気ヘッ
ドにおいて、上記非磁性支持体は一般式ｘＮａ＿２Ｏ・
ｙＴａ＿２Ｏ＿５で表される組成を有しその組成範囲が ０．８５≦ｘ／ｙ≦１．００ である磁器組成物からなることを特徴とする磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22517084A JPS61104412A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22517084A JPS61104412A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104412A true JPS61104412A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16825039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22517084A Pending JPS61104412A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104412A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04262190A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-09-17 | Petroleo Brasileiro Sa | 電気加熱される可とう性パイプラインを備えた海底パイプラインシステム |
| JPH081442U (ja) * | 1990-10-02 | 1996-10-01 | ペトロレオ ブラジレイロ ソシエダ アノニマ − ペトロブラス | 加熱装置を備えた可撓性パイプライン |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP22517084A patent/JPS61104412A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081442U (ja) * | 1990-10-02 | 1996-10-01 | ペトロレオ ブラジレイロ ソシエダ アノニマ − ペトロブラス | 加熱装置を備えた可撓性パイプライン |
| JPH04262190A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-09-17 | Petroleo Brasileiro Sa | 電気加熱される可とう性パイプラインを備えた海底パイプラインシステム |
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