JPS6187238A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS6187238A JPS6187238A JP19120484A JP19120484A JPS6187238A JP S6187238 A JPS6187238 A JP S6187238A JP 19120484 A JP19120484 A JP 19120484A JP 19120484 A JP19120484 A JP 19120484A JP S6187238 A JPS6187238 A JP S6187238A
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- alloy
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- coercive force
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、磁気
光学カー効果などの磁気光学効果を利用して情報を読入
出すことのできる磁気記録媒体に関するものである。
光学カー効果などの磁気光学効果を利用して情報を読入
出すことのできる磁気記録媒体に関するものである。
光磁気メモリの研究は、 1957年にMnBj薄膜上
忙熱ベンを用いて記録を行い、その書き込み磁区を磁気
光学効果によって観察したのが端緒であるといわれる。
忙熱ベンを用いて記録を行い、その書き込み磁区を磁気
光学効果によって観察したのが端緒であるといわれる。
その後MnB1系を中心に研究が行われたがレーザ光源
、ならび忙その利用技術が未成熟であったため実用化に
は至らなかった。
、ならび忙その利用技術が未成熟であったため実用化に
は至らなかった。
19’70年代に入り光情報処理関連技術の進展、およ
び非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新しい磁
気記録用材料の研究が進み、特許出願公告昭56−37
607に記載されるad 、 Tb 、 Dy 、HO
等の重希土類とIPg 、 Co 、 Nj 等の遷
移金属との非晶質合金薄膜が開発された。これらの材料
は一般に次のような特徴を有している。
び非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新しい磁
気記録用材料の研究が進み、特許出願公告昭56−37
607に記載されるad 、 Tb 、 Dy 、HO
等の重希土類とIPg 、 Co 、 Nj 等の遷
移金属との非晶質合金薄膜が開発された。これらの材料
は一般に次のような特徴を有している。
adFe、 adco などの磁気的補償点を利用
して記録再生を行う材料は、保磁力が小ζく高密度記録
になると記録磁区が安定に保たれない。また磁気的補償
点の組成依存性が大きく大面積で均一な薄膜が得にくい
等の欠点がある。Tb Fg 、 Dy1Peなどのキ
ュリ一点を利用して記録を行う材料は前記補償点記録を
行へ材料に比して磁気光学効果に伴う偏光面の回転角が
小はいため光再生特性があまり良くないなどの欠点があ
る。
して記録再生を行う材料は、保磁力が小ζく高密度記録
になると記録磁区が安定に保たれない。また磁気的補償
点の組成依存性が大きく大面積で均一な薄膜が得にくい
等の欠点がある。Tb Fg 、 Dy1Peなどのキ
ュリ一点を利用して記録を行う材料は前記補償点記録を
行へ材料に比して磁気光学効果に伴う偏光面の回転角が
小はいため光再生特性があまり良くないなどの欠点があ
る。
特開昭56−126907、昭57−94948に記載
されるad Tbye 、あるいはGd T6 Fec
o等のように多元化する。または日本応用出気学会第2
7回研究会資料27−5NHK基礎研の報告のように作
製方を改善して特性を向上ζせる方法も行われているが
、重希土類は存在量が少なく高価であり実用化に際して
不向きである。
されるad Tbye 、あるいはGd T6 Fec
o等のように多元化する。または日本応用出気学会第2
7回研究会資料27−5NHK基礎研の報告のように作
製方を改善して特性を向上ζせる方法も行われているが
、重希土類は存在量が少なく高価であり実用化に際して
不向きである。
特開昭58−20047に記載されるように、多層構造
化し、磁気光学効果の増巾を計る方法も行われている。
化し、磁気光学効果の増巾を計る方法も行われている。
しかしこれらは媒体の反射率を低下きせるため、磁気光
学効果の増巾分がそのままS/N比の向上にならない等
の欠点を有している。
学効果の増巾分がそのままS/N比の向上にならない等
の欠点を有している。
前記重希土類遷移金属の記録媒体の製造にはスパッタ法
を用いることが多いが、スパッタリング用のターゲット
を作製する場合重希土類遷移金属は合金化が困難である
ため大型のターゲットが得にくいといろ欠点も持ってい
る。
を用いることが多いが、スパッタリング用のターゲット
を作製する場合重希土類遷移金属は合金化が困難である
ため大型のターゲットが得にくいといろ欠点も持ってい
る。
本発明けこれらの欠点を改善するため忙なされたもので
、目的は高S/N比、高密度記録の安定、高速記録、製
造容易な光磁気記録媒体を提供すること忙ある。
、目的は高S/N比、高密度記録の安定、高速記録、製
造容易な光磁気記録媒体を提供すること忙ある。
本発明は磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの
二値をとる光磁気・記録層に光を照射し記録再生を行う
光磁気記録媒体において、該光磁気記録媒体が、セリウ
ムCae)、プラセオジウム(pr)、ネオジウム(N
d)のうち少なくとも一種以上の元素と鉄(Fe )及
び不純物からなる合金、あるいは該合金にさらに硼素(
B)、炭素(c)、硅素(Sz)、燐(P)、アルミニ
ウム(Al)のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金あるいはづらに該合金してクロム(cr>、コバ
ルト(Co)、銅(Cu)、二つケル(N<)、マンガ
ン(M?L)のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金からなる光磁気記録層と、該光磁気記録層に対し
抗磁力が五分の一以下で、且つ百エルステッド以下で鉄
(’F’e)、アルミニウム(Al>、硅素(SZ’)
及び不純物からなるセンダスト合金、またけ鉄(Fe)
、アルミニウム(Al)、硅素(Sj)、ニッケル(N
<)及び不純物よりなるスーパーセンダスト合金からな
る低抗磁力材層とを有することを特徴とする。
二値をとる光磁気・記録層に光を照射し記録再生を行う
光磁気記録媒体において、該光磁気記録媒体が、セリウ
ムCae)、プラセオジウム(pr)、ネオジウム(N
d)のうち少なくとも一種以上の元素と鉄(Fe )及
び不純物からなる合金、あるいは該合金にさらに硼素(
B)、炭素(c)、硅素(Sz)、燐(P)、アルミニ
ウム(Al)のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金あるいはづらに該合金してクロム(cr>、コバ
ルト(Co)、銅(Cu)、二つケル(N<)、マンガ
ン(M?L)のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金からなる光磁気記録層と、該光磁気記録層に対し
抗磁力が五分の一以下で、且つ百エルステッド以下で鉄
(’F’e)、アルミニウム(Al>、硅素(SZ’)
及び不純物からなるセンダスト合金、またけ鉄(Fe)
、アルミニウム(Al)、硅素(Sj)、ニッケル(N
<)及び不純物よりなるスーパーセンダスト合金からな
る低抗磁力材層とを有することを特徴とする。
本発明の基本構造を第1図社)、第1図の)に示す。
11け基板、12け光磁気記録層、13け低抗磁力材層
、14tlj非磁性層である。
、14tlj非磁性層である。
尚、ここでは基板をガラス、プラスチック等の透明基板
とし、読み書きする光学ヘッドは基板側に対向し、基板
を通して読み書きする場合を書いたが、これは本質的な
ことではなく、基板に低抗磁力材層、光磁気記録層、ま
たは低抗磁力材層、非磁性層、光磁気記録1と形成し光
学ヘッドを基板に対し光磁気記録媒体側に対向配置して
読み書きしても何ら問題ない。ざらに本発明は、前記構
造のみ(限定されるものではなく、@護膜、反射防止膜
、多重干渉エンハンス膜、透明導電膜等を設けることは
何ら?しつかえない。
とし、読み書きする光学ヘッドは基板側に対向し、基板
を通して読み書きする場合を書いたが、これは本質的な
ことではなく、基板に低抗磁力材層、光磁気記録層、ま
たは低抗磁力材層、非磁性層、光磁気記録1と形成し光
学ヘッドを基板に対し光磁気記録媒体側に対向配置して
読み書きしても何ら問題ない。ざらに本発明は、前記構
造のみ(限定されるものではなく、@護膜、反射防止膜
、多重干渉エンハンス膜、透明導電膜等を設けることは
何ら?しつかえない。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例1
(1)第2図(α)K示す構造を有する媒体で基板23
として、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用い
てガラス基板上に厚み500cAの非晶質xd、FeB
垂直磁化膜を22として形成し、その上πスパッタ法を
用い、21としてFeAtIMを10001形成した。
として、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用い
てガラス基板上に厚み500cAの非晶質xd、FeB
垂直磁化膜を22として形成し、その上πスパッタ法を
用い、21としてFeAtIMを10001形成した。
上記Fe A71Mの抗磁力は約7エルステッドであり
、試料層1とする。また比較として上記0OTi非晶質
東ののかわりにAtをスパリタ法で100OA形成した
ものを試料7g62とする。
、試料層1とする。また比較として上記0OTi非晶質
東ののかわりにAtをスパリタ法で100OA形成した
ものを試料7g62とする。
(2)第2図(71)に示す構造を有する媒体で、(1
)と同様に23はガラス基板、22けNdFeB膜、2
1はFe At5jで、24け誘電体層でBiO2を8
00人形成しである。これけNd Fe B膜ガラス基
板間に形成することによりカー回転角をエンハンスする
ものである。これを試料層5とする。また比較として上
記FeAlB1膜のかわりにaをスパッタ1000 A
形成したものを試料層4とする。
)と同様に23はガラス基板、22けNdFeB膜、2
1はFe At5jで、24け誘電体層でBiO2を8
00人形成しである。これけNd Fe B膜ガラス基
板間に形成することによりカー回転角をエンハンスする
ものである。これを試料層5とする。また比較として上
記FeAlB1膜のかわりにaをスパッタ1000 A
形成したものを試料層4とする。
(3)第2図(C)に示す構造を有する媒体で、(2)
と同様に23はガラス基板、22tfNdFgB膜、2
1ViFeAtsj 、 2 aけBiO2膜である
。25d1MO。
と同様に23はガラス基板、22tfNdFgB膜、2
1ViFeAtsj 、 2 aけBiO2膜である
。25d1MO。
膜で、Nd Fe B膜とFeAlB1間に形成したも
ので100A厚入である。これを試料、465とし、比
較としてFeklEJi膜をAt膜に置き替えたものを
試料高6とする。
ので100A厚入である。これを試料、465とし、比
較としてFeklEJi膜をAt膜に置き替えたものを
試料高6とする。
(4)第2図(イ)に示す構造を有する媒体で、26は
PMMA基板であり16μm藺隔、深ざ700Aの案内
溝を設けたものである。また(1)と同様に22dNd
FgB膜、211dF’gAtS<である。これを試料
/167とする。また比較としてFgAtS<膜のかわ
りにAt膜を形成したものを試料48とする。
PMMA基板であり16μm藺隔、深ざ700Aの案内
溝を設けたものである。また(1)と同様に22dNd
FgB膜、211dF’gAtS<である。これを試料
/167とする。また比較としてFgAtS<膜のかわ
りにAt膜を形成したものを試料48とする。
(5)第2図(g)に示す構造を有する媒体で、基板2
6として(4)と同じPMMAを用い(2)の試料層3
と同様のsi o、/Nd we Biye p、LB
iとしたものを試料/I69とし、比較として試料高9
のFgAtIMをaとしたものを試料高10とする。
6として(4)と同じPMMAを用い(2)の試料層3
と同様のsi o、/Nd we Biye p、LB
iとしたものを試料/I69とし、比較として試料高9
のFgAtIMをaとしたものを試料高10とする。
(6)第2図Cf)VC示す構造を有する媒体で、基板
26として(4)と同じPMMムを用い(2)の試料/
S65と同様のsz o、/Nd Fil B/B@
02/pg At5jとしたものを試料411とし、比
較として試料/l611のFeAlB1をaとしたもの
を試料A612とする。
26として(4)と同じPMMムを用い(2)の試料/
S65と同様のsz o、/Nd Fil B/B@
02/pg At5jとしたものを試料411とし、比
較として試料/l611のFeAlB1をaとしたもの
を試料A612とする。
(7) 第2図(ハ))の構造を有する媒体で、(1
)の試料高1のIPe AtB1 t−Ire At5
j N4をしたものを試料高13とする。このFggN
jの抗磁力は約5エルステツドである。
)の試料高1のIPe AtB1 t−Ire At5
j N4をしたものを試料高13とする。このFggN
jの抗磁力は約5エルステツドである。
(8)第2図は)の構造を持つ媒体で(1)の非晶質N
dFeBを非晶質PrlPe P厚i 500 大とし
たものを試料414とし、比較として試料7g614の
Feasjをaとしたものを試料層15とする。
dFeBを非晶質PrlPe P厚i 500 大とし
たものを試料414とし、比較として試料7g614の
Feasjをaとしたものを試料層15とする。
(9)第2図江)の構造を持つ媒体で(1)の非晶質N
dveBを厚み500λのce″FeAt0としたもの
を試料層16とし、比較のため試料/1617のFgA
7F3iをAtとしたものを試料/l617とする。
dveBを厚み500λのce″FeAt0としたもの
を試料層16とし、比較のため試料/1617のFgA
7F3iをAtとしたものを試料/l617とする。
(10)第2図(Al)の構造を有する媒体で、(1)
の試料/f61のNd we BをNd Pr Fgと
したものを試料層18とし、比較のため試料18のFe
At5i t−uとしたものを試料19とする。
の試料/f61のNd we BをNd Pr Fgと
したものを試料層18とし、比較のため試料18のFe
At5i t−uとしたものを試料19とする。
(11) 第2図(Al)の構造を有する媒体で、(
1)の試料/I61のNdFeBをHd Fe Si
Coとしたものを試料/1620とし、比較のため試料
420のFgJdSiをaとしたものを試料7g621
とする。
1)の試料/I61のNdFeBをHd Fe Si
Coとしたものを試料/1620とし、比較のため試料
420のFgJdSiをaとしたものを試料7g621
とする。
(12) 第2図(g)の構造を有する媒体で、(5
)の試料/S69のNd Fe BをTb Feとした
ものを試料層22とし、比較のため試料/l622のF
e kl Biをaとしたものを試料/1625とする
。
)の試料/S69のNd Fe BをTb Feとした
ものを試料層22とし、比較のため試料/l622のF
e kl Biをaとしたものを試料/1625とする
。
以上23種Moサンプルについてカー効果を測定した。
カー効果の測定は試料に10−?ロエールステッドの磁
場をかけ、残留磁化状態としHe−Ngガスレーザー(
波長632.8ナノメートル)で測定した。測定の結果
を表1に示す。
場をかけ、残留磁化状態としHe−Ngガスレーザー(
波長632.8ナノメートル)で測定した。測定の結果
を表1に示す。
(1)〜(6)の試料1〜試料12においてすべての構
造でIPeAtBiCセンダスト)を用いたものdMに
比してカー回転角はほぼ2倍に増加している。また(ハ
、(8)の試料13においてIPe At Bi以外の
Fe5iNicスーパーセンダスト)を用いた場合にお
いても試料2のaに対してやはり2倍程度の増加があっ
た。
造でIPeAtBiCセンダスト)を用いたものdMに
比してカー回転角はほぼ2倍に増加している。また(ハ
、(8)の試料13においてIPe At Bi以外の
Fe5iNicスーパーセンダスト)を用いた場合にお
いても試料2のaに対してやはり2倍程度の増加があっ
た。
(8) 〜(11)において記録層としてPrFe B
、 Ce Feplc 、 NdprFe 、 Nd
Fe si coとしたものにおいてもやはりカー回転
角は大きくなった。
、 Ce Feplc 、 NdprFe 、 Nd
Fe si coとしたものにおいてもやはりカー回転
角は大きくなった。
(12)は従来より光磁気記録媒体として用いられてい
るTbpgを記録層としカー回転角を測定し念がこの場
合でも約15倍に増加した。
るTbpgを記録層としカー回転角を測定し念がこの場
合でも約15倍に増加した。
尚、光磁気記録媒体にOf 、 N7 、 Cu 、
Mn を添加したものは、試料21のCO添加と同一
の効果で耐候性圧・優れ、膜面に垂直に磁化容易軸を有
する光磁気記録媒体であった。
Mn を添加したものは、試料21のCO添加と同一
の効果で耐候性圧・優れ、膜面に垂直に磁化容易軸を有
する光磁気記録媒体であった。
実施例2
低抗磁力材層の抗磁力とカー回転角の関係を調べた。結
果を第3図忙示す。第3図において横軸は抗磁力、縦軸
はカー回転角である。用いた試料はすべて第2図(ロ)
)の構造を有するもので、αけガラス/Nd Pg B
/Fg /kz Ei 、 b dガラx/Nd p
e B/Fe AISイIJi、c、f2ガラx/Tb
′F′e/′F′e At sj である。α。
果を第3図忙示す。第3図において横軸は抗磁力、縦軸
はカー回転角である。用いた試料はすべて第2図(ロ)
)の構造を有するもので、αけガラス/Nd Pg B
/Fg /kz Ei 、 b dガラx/Nd p
e B/Fe AISイIJi、c、f2ガラx/Tb
′F′e/′F′e At sj である。α。
b、cの3種類すべて低抗磁力層の抗磁力が小きくなる
に従ってカー回転角が増加する。しかし抗磁力が約10
0エールステツド程1tKなると、Atの反射層を設け
たものと同等となる(図中、d、tt>ざら忙抗磁力が
大きくなった場合にはむしろaに比してカー回転角は小
きくなる。これは、反射率がAtK比してCo系合金が
小さいためである。
に従ってカー回転角が増加する。しかし抗磁力が約10
0エールステツド程1tKなると、Atの反射層を設け
たものと同等となる(図中、d、tt>ざら忙抗磁力が
大きくなった場合にはむしろaに比してカー回転角は小
きくなる。これは、反射率がAtK比してCo系合金が
小さいためである。
第1表
実施例3
光磁気記録再生可能な光学ヘッドを用い、第4図(ロ)
)に示す媒体構造で周波数特性を調べた。レーザー波長
d 78011111の半導体レーザーを用い次。ディ
スク回転数け1800r7yrrL、半径5cWLに固
定とし。
)に示す媒体構造で周波数特性を調べた。レーザー波長
d 78011111の半導体レーザーを用い次。ディ
スク回転数け1800r7yrrL、半径5cWLに固
定とし。
書き込み周波数を可変させた。読入書きけ基板側から行
りた。基板はグループ付ポリカーボネイト41とし、第
2表忙記したような薄膜を形成し。
りた。基板はグループ付ポリカーボネイト41とし、第
2表忙記したような薄膜を形成し。
3層構造とした。第1層けktN42で80OA、第2
層は光磁気記録層45で100OA 、第3層は従来例
としてkt反射膜または本発明によるセンダスト系低抗
磁力材層44でここでfiFeAts7とし、500に
の膜厚とした。形成手段dDoマグネトロンスパッタ法
とした。それぞれの光磁気記録媒体における書き退入周
波数に対するO/N ratイ0を示したものが第4図
の)である。従来の様な反射膜として非磁性aを用い次
場合と較べ本発明によるセンダスト系低抗磁力層を設け
たことによりO/Nταti。
層は光磁気記録層45で100OA 、第3層は従来例
としてkt反射膜または本発明によるセンダスト系低抗
磁力材層44でここでfiFeAts7とし、500に
の膜厚とした。形成手段dDoマグネトロンスパッタ法
とした。それぞれの光磁気記録媒体における書き退入周
波数に対するO/N ratイ0を示したものが第4図
の)である。従来の様な反射膜として非磁性aを用い次
場合と較べ本発明によるセンダスト系低抗磁力層を設け
たことによりO/Nταti。
が上昇した。さらに、本発明による7g中にCe。
Pr、Ndを少なくとも一種以上含んだ光磁気記録媒体
においては、ざらにその効果は大きく、書き込み周波数
特性が飛躍的に向上した。
においては、ざらにその効果は大きく、書き込み周波数
特性が飛躍的に向上した。
第2表
〔効果〕
以上の実施例に示された様に本発明忙よる構造を有する
光磁気記録媒体は、カー回転角がほぼ2倍に増加し、C
ZN比を改善される。
光磁気記録媒体は、カー回転角がほぼ2倍に増加し、C
ZN比を改善される。
ざらに、記録磁区が安定する念めに高記録密度において
もC/N比の劣化が小さく、より高密度記録に適した媒
体である。
もC/N比の劣化が小さく、より高密度記録に適した媒
体である。
ま念、従来のTbFg 、 Gd co 、 TbFg
ao 、 Tb ad Fe等の重希土類を含む媒体
忙比してMd 、 Pr 、 Og の軽希土類を含
むものけ材料費が安くなり、本発明による光磁気記録媒
体は、軽希土類を含む媒体に対しての方がその効果が大
きいという特徴をもっている。
ao 、 Tb ad Fe等の重希土類を含む媒体
忙比してMd 、 Pr 、 Og の軽希土類を含
むものけ材料費が安くなり、本発明による光磁気記録媒
体は、軽希土類を含む媒体に対しての方がその効果が大
きいという特徴をもっている。
光磁気記録媒体の製造にスパッタ法を用いる場合、重希
土類遷移金属はターゲットの製造が非常に困難であるの
に対し、軽希土類遷移金属は溶融てよって容易にターゲ
ットの作成が行える。
土類遷移金属はターゲットの製造が非常に困難であるの
に対し、軽希土類遷移金属は溶融てよって容易にターゲ
ットの作成が行える。
第1図(ロ))、(b)tst本発明による光磁気記録
媒体の基本的層構造を示す■である。(α)、の)にお
いて、11・・・・・・基板 12・・・・・・光磁気記録層 13・・・・・・低抗磁力層 あるいは 12・・・・・・低抗磁力層 13・・・・・・光磁気記録層 またの)において 14・・・・・・中間層 である。 第2図6)〜(ト)は本発明による光磁気記録媒体の具
体的実施例の構造を示す図である。各図において、 21・・・・・・低抗磁力層 22・・・・・・光磁気記録層 23・・・・・・基板 24・・・・・・透明誘電体層 25・・・・・・中間層 26・・・・・・案内溝付き基板 である。 第3図は本発明による光磁気記録媒体の効果を示す図で
ある。 α・・ガラス基II/xd Fg B/IPIII A
t5i の構造を有する媒体においてFg fil
Biの抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 b−・ガラス基t!tyQJdFe B/Fg kls
i Niの構造を有する媒体において’Fe AlNi
の抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 C・・ガラス基M/rb Fe/re At 5ffl
の構造を有する媒体において’FekLEjiの抗磁力
に対するカー回転角を示したもの。 d・・ガラス基@/Md IPe B/Atの構造を有
する媒体のカー回転角。 6・・ガラス基vTbFg/Atの構造を有する媒体の
カー回転角。 第4図(ハ))、の)は本発明による光磁気記録媒体の
記録再生周波数特性を示す図である。(ハ))は実験に
用いた媒体の構造を示し、 41・・・・・・基板 42・・・・・・AjN (透明誘電体層)43・・・
・・・光磁気記録層 44・・・・・・低抗磁力材層あるいはaである。ω)
は書込入周波数に対するON比を示したもので図中の1
α〜5α及び1b〜5bけ第2表に示した試料番号であ
る。 以 上
媒体の基本的層構造を示す■である。(α)、の)にお
いて、11・・・・・・基板 12・・・・・・光磁気記録層 13・・・・・・低抗磁力層 あるいは 12・・・・・・低抗磁力層 13・・・・・・光磁気記録層 またの)において 14・・・・・・中間層 である。 第2図6)〜(ト)は本発明による光磁気記録媒体の具
体的実施例の構造を示す図である。各図において、 21・・・・・・低抗磁力層 22・・・・・・光磁気記録層 23・・・・・・基板 24・・・・・・透明誘電体層 25・・・・・・中間層 26・・・・・・案内溝付き基板 である。 第3図は本発明による光磁気記録媒体の効果を示す図で
ある。 α・・ガラス基II/xd Fg B/IPIII A
t5i の構造を有する媒体においてFg fil
Biの抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 b−・ガラス基t!tyQJdFe B/Fg kls
i Niの構造を有する媒体において’Fe AlNi
の抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 C・・ガラス基M/rb Fe/re At 5ffl
の構造を有する媒体において’FekLEjiの抗磁力
に対するカー回転角を示したもの。 d・・ガラス基@/Md IPe B/Atの構造を有
する媒体のカー回転角。 6・・ガラス基vTbFg/Atの構造を有する媒体の
カー回転角。 第4図(ハ))、の)は本発明による光磁気記録媒体の
記録再生周波数特性を示す図である。(ハ))は実験に
用いた媒体の構造を示し、 41・・・・・・基板 42・・・・・・AjN (透明誘電体層)43・・・
・・・光磁気記録層 44・・・・・・低抗磁力材層あるいはaである。ω)
は書込入周波数に対するON比を示したもので図中の1
α〜5α及び1b〜5bけ第2表に示した試料番号であ
る。 以 上
Claims (1)
- 磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの二値をと
る光磁気記録層に光を照射し記録再生をおこなう光磁気
記録媒体において、該光磁気記録媒体が、セリウム(C
e)、プラセオジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)の
うち少なくとも一種以上の元素と鉄(Fe)および不純
物からなる合金、あるいは該合金にさらに硼素(B)、
炭素(C)、硅素(Si)、燐(P)、アルミニウム(
Al)のうち少なくとも一種以上の元素を添加した合金
あるいはさらに該合金クロム(Cr)コバルト(Co)
、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)の
うち少なくとも一種以上の元素を添加した合金からなる
光磁気記録層と、該光磁気記録層に対し、抗磁力が五分
の一以下で且つ百エルステッド以下で鉄(Fe)、アル
ミニウム(Al)、硅素(Si)及び不純物よりなるセ
ンダスト合金、あるいは鉄(Fe)、アルミニウム(A
l)、硅素(Si)、ニッケル(Ni)及び不純物より
なるスーパーセンダスト合金からなる低抗磁力材層とを
有することを特徴とした光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19120484A JPS6187238A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
US07/193,020 US5100741A (en) | 1984-09-12 | 1988-05-12 | Magneto-optic recording systems |
US08/231,866 US5529854A (en) | 1984-09-12 | 1994-04-25 | Magneto-optic recording systems |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19120484A JPS6187238A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6187238A true JPS6187238A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16270634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19120484A Pending JPS6187238A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6187238A (ja) |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP19120484A patent/JPS6187238A/ja active Pending
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