JPS6187238A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS6187238A JPS6187238A JP19120484A JP19120484A JPS6187238A JP S6187238 A JPS6187238 A JP S6187238A JP 19120484 A JP19120484 A JP 19120484A JP 19120484 A JP19120484 A JP 19120484A JP S6187238 A JPS6187238 A JP S6187238A
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- Japan
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- magneto
- alloy
- optical recording
- coercive force
- sample
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、磁気
光学カー効果などの磁気光学効果を利用して情報を読入
出すことのできる磁気記録媒体に関するものである。
光学カー効果などの磁気光学効果を利用して情報を読入
出すことのできる磁気記録媒体に関するものである。
光磁気メモリの研究は、 １９５７年にＭｎＢｊ薄膜上
忙熱ベンを用いて記録を行い、その書き込み磁区を磁気
光学効果によって観察したのが端緒であるといわれる。
忙熱ベンを用いて記録を行い、その書き込み磁区を磁気
光学効果によって観察したのが端緒であるといわれる。
その後ＭｎＢ１系を中心に研究が行われたがレーザ光源
、ならび忙その利用技術が未成熟であったため実用化に
は至らなかった。
、ならび忙その利用技術が未成熟であったため実用化に
は至らなかった。
１９’７０年代に入り光情報処理関連技術の進展、およ
び非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新しい磁
気記録用材料の研究が進み、特許出願公告昭５６−３７
６０７に記載されるａｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ 、ＨＯ
等の重希土類とＩＰｇ 、 Ｃｏ 、 Ｎｊ 等の遷
移金属との非晶質合金薄膜が開発された。これらの材料
は一般に次のような特徴を有している。
び非晶質希土類遷移金属合金薄膜に代表される新しい磁
気記録用材料の研究が進み、特許出願公告昭５６−３７
６０７に記載されるａｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ 、ＨＯ
等の重希土類とＩＰｇ 、 Ｃｏ 、 Ｎｊ 等の遷
移金属との非晶質合金薄膜が開発された。これらの材料
は一般に次のような特徴を有している。
ａｄＦｅ、 ａｄｃｏ などの磁気的補償点を利用
して記録再生を行う材料は、保磁力が小ζく高密度記録
になると記録磁区が安定に保たれない。また磁気的補償
点の組成依存性が大きく大面積で均一な薄膜が得にくい
等の欠点がある。Ｔｂ Ｆｇ 、 Ｄｙ１Ｐｅなどのキ
ュリ一点を利用して記録を行う材料は前記補償点記録を
行へ材料に比して磁気光学効果に伴う偏光面の回転角が
小はいため光再生特性があまり良くないなどの欠点があ
る。
して記録再生を行う材料は、保磁力が小ζく高密度記録
になると記録磁区が安定に保たれない。また磁気的補償
点の組成依存性が大きく大面積で均一な薄膜が得にくい
等の欠点がある。Ｔｂ Ｆｇ 、 Ｄｙ１Ｐｅなどのキ
ュリ一点を利用して記録を行う材料は前記補償点記録を
行へ材料に比して磁気光学効果に伴う偏光面の回転角が
小はいため光再生特性があまり良くないなどの欠点があ
る。
特開昭５６−１２６９０７、昭５７−９４９４８に記載
されるａｄ Ｔｂｙｅ 、あるいはＧｄ Ｔ６ Ｆｅｃ
ｏ等のように多元化する。または日本応用出気学会第２
７回研究会資料２７−５ＮＨＫ基礎研の報告のように作
製方を改善して特性を向上ζせる方法も行われているが
、重希土類は存在量が少なく高価であり実用化に際して
不向きである。
されるａｄ Ｔｂｙｅ 、あるいはＧｄ Ｔ６ Ｆｅｃ
ｏ等のように多元化する。または日本応用出気学会第２
７回研究会資料２７−５ＮＨＫ基礎研の報告のように作
製方を改善して特性を向上ζせる方法も行われているが
、重希土類は存在量が少なく高価であり実用化に際して
不向きである。
特開昭５８−２００４７に記載されるように、多層構造
化し、磁気光学効果の増巾を計る方法も行われている。
化し、磁気光学効果の増巾を計る方法も行われている。
しかしこれらは媒体の反射率を低下きせるため、磁気光
学効果の増巾分がそのままＳ／Ｎ比の向上にならない等
の欠点を有している。
学効果の増巾分がそのままＳ／Ｎ比の向上にならない等
の欠点を有している。
前記重希土類遷移金属の記録媒体の製造にはスパッタ法
を用いることが多いが、スパッタリング用のターゲット
を作製する場合重希土類遷移金属は合金化が困難である
ため大型のターゲットが得にくいといろ欠点も持ってい
る。
を用いることが多いが、スパッタリング用のターゲット
を作製する場合重希土類遷移金属は合金化が困難である
ため大型のターゲットが得にくいといろ欠点も持ってい
る。
本発明けこれらの欠点を改善するため忙なされたもので
、目的は高Ｓ／Ｎ比、高密度記録の安定、高速記録、製
造容易な光磁気記録媒体を提供すること忙ある。
、目的は高Ｓ／Ｎ比、高密度記録の安定、高速記録、製
造容易な光磁気記録媒体を提供すること忙ある。
本発明は磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの
二値をとる光磁気・記録層に光を照射し記録再生を行う
光磁気記録媒体において、該光磁気記録媒体が、セリウ
ムＣａｅ）、プラセオジウム（ｐｒ）、ネオジウム（Ｎ
ｄ）のうち少なくとも一種以上の元素と鉄（Ｆｅ ）及
び不純物からなる合金、あるいは該合金にさらに硼素（
Ｂ）、炭素（ｃ）、硅素（Ｓｚ）、燐（Ｐ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金あるいはづらに該合金してクロム（ｃｒ＞、コバ
ルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、二つケル（Ｎ＜）、マンガ
ン（Ｍ？Ｌ）のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金からなる光磁気記録層と、該光磁気記録層に対し
抗磁力が五分の一以下で、且つ百エルステッド以下で鉄
（’Ｆ’ｅ）、アルミニウム（Ａｌ＞、硅素（ＳＺ’）
及び不純物からなるセンダスト合金、またけ鉄（Ｆｅ）
、アルミニウム（Ａｌ）、硅素（Ｓｊ）、ニッケル（Ｎ
＜）及び不純物よりなるスーパーセンダスト合金からな
る低抗磁力材層とを有することを特徴とする。
二値をとる光磁気・記録層に光を照射し記録再生を行う
光磁気記録媒体において、該光磁気記録媒体が、セリウ
ムＣａｅ）、プラセオジウム（ｐｒ）、ネオジウム（Ｎ
ｄ）のうち少なくとも一種以上の元素と鉄（Ｆｅ ）及
び不純物からなる合金、あるいは該合金にさらに硼素（
Ｂ）、炭素（ｃ）、硅素（Ｓｚ）、燐（Ｐ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金あるいはづらに該合金してクロム（ｃｒ＞、コバ
ルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、二つケル（Ｎ＜）、マンガ
ン（Ｍ？Ｌ）のうち少なくとも一種以上の元素を添加し
た合金からなる光磁気記録層と、該光磁気記録層に対し
抗磁力が五分の一以下で、且つ百エルステッド以下で鉄
（’Ｆ’ｅ）、アルミニウム（Ａｌ＞、硅素（ＳＺ’）
及び不純物からなるセンダスト合金、またけ鉄（Ｆｅ）
、アルミニウム（Ａｌ）、硅素（Ｓｊ）、ニッケル（Ｎ
＜）及び不純物よりなるスーパーセンダスト合金からな
る低抗磁力材層とを有することを特徴とする。
本発明の基本構造を第１図社）、第１図の）に示す。
１１け基板、１２け光磁気記録層、１３け低抗磁力材層
、１４ｔｌｊ非磁性層である。
、１４ｔｌｊ非磁性層である。
尚、ここでは基板をガラス、プラスチック等の透明基板
とし、読み書きする光学ヘッドは基板側に対向し、基板
を通して読み書きする場合を書いたが、これは本質的な
ことではなく、基板に低抗磁力材層、光磁気記録層、ま
たは低抗磁力材層、非磁性層、光磁気記録１と形成し光
学ヘッドを基板に対し光磁気記録媒体側に対向配置して
読み書きしても何ら問題ない。ざらに本発明は、前記構
造のみ（限定されるものではなく、＠護膜、反射防止膜
、多重干渉エンハンス膜、透明導電膜等を設けることは
何ら？しつかえない。
とし、読み書きする光学ヘッドは基板側に対向し、基板
を通して読み書きする場合を書いたが、これは本質的な
ことではなく、基板に低抗磁力材層、光磁気記録層、ま
たは低抗磁力材層、非磁性層、光磁気記録１と形成し光
学ヘッドを基板に対し光磁気記録媒体側に対向配置して
読み書きしても何ら問題ない。ざらに本発明は、前記構
造のみ（限定されるものではなく、＠護膜、反射防止膜
、多重干渉エンハンス膜、透明導電膜等を設けることは
何ら？しつかえない。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例１
（１）第２図（α）Ｋ示す構造を有する媒体で基板２３
として、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用い
てガラス基板上に厚み５００ｃＡの非晶質ｘｄ、ＦｅＢ
垂直磁化膜を２２として形成し、その上πスパッタ法を
用い、２１としてＦｅＡｔＩＭを１０００１形成した。
として、よく洗浄したガラスを用い、スパッタ法を用い
てガラス基板上に厚み５００ｃＡの非晶質ｘｄ、ＦｅＢ
垂直磁化膜を２２として形成し、その上πスパッタ法を
用い、２１としてＦｅＡｔＩＭを１０００１形成した。
上記Ｆｅ Ａ７１Ｍの抗磁力は約７エルステッドであり
、試料層１とする。また比較として上記０ＯＴｉ非晶質
東ののかわりにＡｔをスパリタ法で１００ＯＡ形成した
ものを試料７ｇ６２とする。
、試料層１とする。また比較として上記０ＯＴｉ非晶質
東ののかわりにＡｔをスパリタ法で１００ＯＡ形成した
ものを試料７ｇ６２とする。
（２）第２図（７１）に示す構造を有する媒体で、（１
）と同様に２３はガラス基板、２２けＮｄＦｅＢ膜、２
１はＦｅ Ａｔ５ｊで、２４け誘電体層でＢｉＯ２を８
００人形成しである。これけＮｄ Ｆｅ Ｂ膜ガラス基
板間に形成することによりカー回転角をエンハンスする
ものである。これを試料層５とする。また比較として上
記ＦｅＡｌＢ１膜のかわりにａをスパッタ１０００ Ａ
形成したものを試料層４とする。
）と同様に２３はガラス基板、２２けＮｄＦｅＢ膜、２
１はＦｅ Ａｔ５ｊで、２４け誘電体層でＢｉＯ２を８
００人形成しである。これけＮｄ Ｆｅ Ｂ膜ガラス基
板間に形成することによりカー回転角をエンハンスする
ものである。これを試料層５とする。また比較として上
記ＦｅＡｌＢ１膜のかわりにａをスパッタ１０００ Ａ
形成したものを試料層４とする。
（３）第２図（Ｃ）に示す構造を有する媒体で、（２）
と同様に２３はガラス基板、２２ｔｆＮｄＦｇＢ膜、２
１ＶｉＦｅＡｔｓｊ 、 ２ ａけＢｉＯ２膜である
。２５ｄ１ＭＯ。
と同様に２３はガラス基板、２２ｔｆＮｄＦｇＢ膜、２
１ＶｉＦｅＡｔｓｊ 、 ２ ａけＢｉＯ２膜である
。２５ｄ１ＭＯ。
膜で、Ｎｄ Ｆｅ Ｂ膜とＦｅＡｌＢ１間に形成したも
ので１００Ａ厚入である。これを試料、４６５とし、比
較としてＦｅｋｌＥＪｉ膜をＡｔ膜に置き替えたものを
試料高６とする。
ので１００Ａ厚入である。これを試料、４６５とし、比
較としてＦｅｋｌＥＪｉ膜をＡｔ膜に置き替えたものを
試料高６とする。
（４）第２図（イ）に示す構造を有する媒体で、２６は
ＰＭＭＡ基板であり１６μｍ藺隔、深ざ７００Ａの案内
溝を設けたものである。また（１）と同様に２２ｄＮｄ
ＦｇＢ膜、２１１ｄＦ’ｇＡｔＳ＜である。これを試料
／１６７とする。また比較としてＦｇＡｔＳ＜膜のかわ
りにＡｔ膜を形成したものを試料４８とする。
ＰＭＭＡ基板であり１６μｍ藺隔、深ざ７００Ａの案内
溝を設けたものである。また（１）と同様に２２ｄＮｄ
ＦｇＢ膜、２１１ｄＦ’ｇＡｔＳ＜である。これを試料
／１６７とする。また比較としてＦｇＡｔＳ＜膜のかわ
りにＡｔ膜を形成したものを試料４８とする。
（５）第２図（ｇ）に示す構造を有する媒体で、基板２
６として（４）と同じＰＭＭＡを用い（２）の試料層３
と同様のｓｉ ｏ、／Ｎｄ ｗｅ Ｂｉｙｅ ｐ、ＬＢ
ｉとしたものを試料／Ｉ６９とし、比較として試料高９
のＦｇＡｔＩＭをａとしたものを試料高１０とする。
６として（４）と同じＰＭＭＡを用い（２）の試料層３
と同様のｓｉ ｏ、／Ｎｄ ｗｅ Ｂｉｙｅ ｐ、ＬＢ
ｉとしたものを試料／Ｉ６９とし、比較として試料高９
のＦｇＡｔＩＭをａとしたものを試料高１０とする。
（６）第２図Ｃｆ）ＶＣ示す構造を有する媒体で、基板
２６として（４）と同じＰＭＭムを用い（２）の試料／
Ｓ６５と同様のｓｚ ｏ、／Ｎｄ Ｆｉｌ Ｂ／Ｂ＠
０２／ｐｇ Ａｔ５ｊとしたものを試料４１１とし、比
較として試料／ｌ６１１のＦｅＡｌＢ１をａとしたもの
を試料Ａ６１２とする。
２６として（４）と同じＰＭＭムを用い（２）の試料／
Ｓ６５と同様のｓｚ ｏ、／Ｎｄ Ｆｉｌ Ｂ／Ｂ＠
０２／ｐｇ Ａｔ５ｊとしたものを試料４１１とし、比
較として試料／ｌ６１１のＦｅＡｌＢ１をａとしたもの
を試料Ａ６１２とする。
（７） 第２図（ハ））の構造を有する媒体で、（１
）の試料高１のＩＰｅ ＡｔＢ１ ｔ−Ｉｒｅ Ａｔ５
ｊ Ｎ４をしたものを試料高１３とする。このＦｇｇＮ
ｊの抗磁力は約５エルステツドである。
）の試料高１のＩＰｅ ＡｔＢ１ ｔ−Ｉｒｅ Ａｔ５
ｊ Ｎ４をしたものを試料高１３とする。このＦｇｇＮ
ｊの抗磁力は約５エルステツドである。
（８）第２図は）の構造を持つ媒体で（１）の非晶質Ｎ
ｄＦｅＢを非晶質ＰｒｌＰｅ Ｐ厚ｉ ５００ 大とし
たものを試料４１４とし、比較として試料７ｇ６１４の
Ｆｅａｓｊをａとしたものを試料層１５とする。
ｄＦｅＢを非晶質ＰｒｌＰｅ Ｐ厚ｉ ５００ 大とし
たものを試料４１４とし、比較として試料７ｇ６１４の
Ｆｅａｓｊをａとしたものを試料層１５とする。
（９）第２図江）の構造を持つ媒体で（１）の非晶質Ｎ
ｄｖｅＢを厚み５００λのｃｅ″ＦｅＡｔ０としたもの
を試料層１６とし、比較のため試料／１６１７のＦｇＡ
７Ｆ３ｉをＡｔとしたものを試料／ｌ６１７とする。
ｄｖｅＢを厚み５００λのｃｅ″ＦｅＡｔ０としたもの
を試料層１６とし、比較のため試料／１６１７のＦｇＡ
７Ｆ３ｉをＡｔとしたものを試料／ｌ６１７とする。
（１０）第２図（Ａｌ）の構造を有する媒体で、（１）
の試料／ｆ６１のＮｄ ｗｅ ＢをＮｄ Ｐｒ Ｆｇと
したものを試料層１８とし、比較のため試料１８のＦｅ
Ａｔ５ｉ ｔ−ｕとしたものを試料１９とする。
の試料／ｆ６１のＮｄ ｗｅ ＢをＮｄ Ｐｒ Ｆｇと
したものを試料層１８とし、比較のため試料１８のＦｅ
Ａｔ５ｉ ｔ−ｕとしたものを試料１９とする。
（１１） 第２図（Ａｌ）の構造を有する媒体で、（
１）の試料／Ｉ６１のＮｄＦｅＢをＨｄ Ｆｅ Ｓｉ
Ｃｏとしたものを試料／１６２０とし、比較のため試料
４２０のＦｇＪｄＳｉをａとしたものを試料７ｇ６２１
とする。
１）の試料／Ｉ６１のＮｄＦｅＢをＨｄ Ｆｅ Ｓｉ
Ｃｏとしたものを試料／１６２０とし、比較のため試料
４２０のＦｇＪｄＳｉをａとしたものを試料７ｇ６２１
とする。
（１２） 第２図（ｇ）の構造を有する媒体で、（５
）の試料／Ｓ６９のＮｄ Ｆｅ ＢをＴｂ Ｆｅとした
ものを試料層２２とし、比較のため試料／ｌ６２２のＦ
ｅ ｋｌ Ｂｉをａとしたものを試料／１６２５とする
。
）の試料／Ｓ６９のＮｄ Ｆｅ ＢをＴｂ Ｆｅとした
ものを試料層２２とし、比較のため試料／ｌ６２２のＦ
ｅ ｋｌ Ｂｉをａとしたものを試料／１６２５とする
。
以上２３種Ｍｏサンプルについてカー効果を測定した。
カー効果の測定は試料に１０−？ロエールステッドの磁
場をかけ、残留磁化状態としＨｅ−Ｎｇガスレーザー（
波長６３２．８ナノメートル）で測定した。測定の結果
を表１に示す。
場をかけ、残留磁化状態としＨｅ−Ｎｇガスレーザー（
波長６３２．８ナノメートル）で測定した。測定の結果
を表１に示す。
（１）〜（６）の試料１〜試料１２においてすべての構
造でＩＰｅＡｔＢｉＣセンダスト）を用いたものｄＭに
比してカー回転角はほぼ２倍に増加している。また（ハ
、（８）の試料１３においてＩＰｅ Ａｔ Ｂｉ以外の
Ｆｅ５ｉＮｉｃスーパーセンダスト）を用いた場合にお
いても試料２のａに対してやはり２倍程度の増加があっ
た。
造でＩＰｅＡｔＢｉＣセンダスト）を用いたものｄＭに
比してカー回転角はほぼ２倍に増加している。また（ハ
、（８）の試料１３においてＩＰｅ Ａｔ Ｂｉ以外の
Ｆｅ５ｉＮｉｃスーパーセンダスト）を用いた場合にお
いても試料２のａに対してやはり２倍程度の増加があっ
た。
（８） 〜（１１）において記録層としてＰｒＦｅ Ｂ
、 Ｃｅ Ｆｅｐｌｃ 、 ＮｄｐｒＦｅ 、 Ｎｄ
Ｆｅ ｓｉ ｃｏとしたものにおいてもやはりカー回転
角は大きくなった。
、 Ｃｅ Ｆｅｐｌｃ 、 ＮｄｐｒＦｅ 、 Ｎｄ
Ｆｅ ｓｉ ｃｏとしたものにおいてもやはりカー回転
角は大きくなった。
（１２）は従来より光磁気記録媒体として用いられてい
るＴｂｐｇを記録層としカー回転角を測定し念がこの場
合でも約１５倍に増加した。
るＴｂｐｇを記録層としカー回転角を測定し念がこの場
合でも約１５倍に増加した。
尚、光磁気記録媒体にＯｆ 、 Ｎ７ 、 Ｃｕ 、
Ｍｎ を添加したものは、試料２１のＣＯ添加と同一
の効果で耐候性圧・優れ、膜面に垂直に磁化容易軸を有
する光磁気記録媒体であった。
Ｍｎ を添加したものは、試料２１のＣＯ添加と同一
の効果で耐候性圧・優れ、膜面に垂直に磁化容易軸を有
する光磁気記録媒体であった。
実施例２
低抗磁力材層の抗磁力とカー回転角の関係を調べた。結
果を第３図忙示す。第３図において横軸は抗磁力、縦軸
はカー回転角である。用いた試料はすべて第２図（ロ）
）の構造を有するもので、αけガラス／Ｎｄ Ｐｇ Ｂ
／Ｆｇ ／ｋｚ Ｅｉ 、 ｂ ｄガラｘ／Ｎｄ ｐ
ｅ Ｂ／Ｆｅ ＡＩＳイＩＪｉ、ｃ、ｆ２ガラｘ／Ｔｂ
′Ｆ′ｅ／′Ｆ′ｅ Ａｔ ｓｊ である。α。
果を第３図忙示す。第３図において横軸は抗磁力、縦軸
はカー回転角である。用いた試料はすべて第２図（ロ）
）の構造を有するもので、αけガラス／Ｎｄ Ｐｇ Ｂ
／Ｆｇ ／ｋｚ Ｅｉ 、 ｂ ｄガラｘ／Ｎｄ ｐ
ｅ Ｂ／Ｆｅ ＡＩＳイＩＪｉ、ｃ、ｆ２ガラｘ／Ｔｂ
′Ｆ′ｅ／′Ｆ′ｅ Ａｔ ｓｊ である。α。
ｂ、ｃの３種類すべて低抗磁力層の抗磁力が小きくなる
に従ってカー回転角が増加する。しかし抗磁力が約１０
０エールステツド程１ｔＫなると、Ａｔの反射層を設け
たものと同等となる（図中、ｄ、ｔｔ＞ざら忙抗磁力が
大きくなった場合にはむしろａに比してカー回転角は小
きくなる。これは、反射率がＡｔＫ比してＣｏ系合金が
小さいためである。
に従ってカー回転角が増加する。しかし抗磁力が約１０
０エールステツド程１ｔＫなると、Ａｔの反射層を設け
たものと同等となる（図中、ｄ、ｔｔ＞ざら忙抗磁力が
大きくなった場合にはむしろａに比してカー回転角は小
きくなる。これは、反射率がＡｔＫ比してＣｏ系合金が
小さいためである。
第１表
実施例３
光磁気記録再生可能な光学ヘッドを用い、第４図（ロ）
）に示す媒体構造で周波数特性を調べた。レーザー波長
ｄ ７８０１１１１１の半導体レーザーを用い次。ディ
スク回転数け１８００ｒ７ｙｒｒＬ、半径５ｃＷＬに固
定とし。
）に示す媒体構造で周波数特性を調べた。レーザー波長
ｄ ７８０１１１１１の半導体レーザーを用い次。ディ
スク回転数け１８００ｒ７ｙｒｒＬ、半径５ｃＷＬに固
定とし。
書き込み周波数を可変させた。読入書きけ基板側から行
りた。基板はグループ付ポリカーボネイト４１とし、第
２表忙記したような薄膜を形成し。
りた。基板はグループ付ポリカーボネイト４１とし、第
２表忙記したような薄膜を形成し。
３層構造とした。第１層けｋｔＮ４２で８０ＯＡ、第２
層は光磁気記録層４５で１００ＯＡ 、第３層は従来例
としてｋｔ反射膜または本発明によるセンダスト系低抗
磁力材層４４でここでｆｉＦｅＡｔｓ７とし、５００に
の膜厚とした。形成手段ｄＤｏマグネトロンスパッタ法
とした。それぞれの光磁気記録媒体における書き退入周
波数に対するＯ／Ｎ ｒａｔイ０を示したものが第４図
の）である。従来の様な反射膜として非磁性ａを用い次
場合と較べ本発明によるセンダスト系低抗磁力層を設け
たことによりＯ／Ｎταｔｉ。
層は光磁気記録層４５で１００ＯＡ 、第３層は従来例
としてｋｔ反射膜または本発明によるセンダスト系低抗
磁力材層４４でここでｆｉＦｅＡｔｓ７とし、５００に
の膜厚とした。形成手段ｄＤｏマグネトロンスパッタ法
とした。それぞれの光磁気記録媒体における書き退入周
波数に対するＯ／Ｎ ｒａｔイ０を示したものが第４図
の）である。従来の様な反射膜として非磁性ａを用い次
場合と較べ本発明によるセンダスト系低抗磁力層を設け
たことによりＯ／Ｎταｔｉ。
が上昇した。さらに、本発明による７ｇ中にＣｅ。
Ｐｒ、Ｎｄを少なくとも一種以上含んだ光磁気記録媒体
においては、ざらにその効果は大きく、書き込み周波数
特性が飛躍的に向上した。
においては、ざらにその効果は大きく、書き込み周波数
特性が飛躍的に向上した。
第２表
〔効果〕
以上の実施例に示された様に本発明忙よる構造を有する
光磁気記録媒体は、カー回転角がほぼ２倍に増加し、Ｃ
ＺＮ比を改善される。
光磁気記録媒体は、カー回転角がほぼ２倍に増加し、Ｃ
ＺＮ比を改善される。
ざらに、記録磁区が安定する念めに高記録密度において
もＣ／Ｎ比の劣化が小さく、より高密度記録に適した媒
体である。
もＣ／Ｎ比の劣化が小さく、より高密度記録に適した媒
体である。
ま念、従来のＴｂＦｇ 、 Ｇｄ ｃｏ 、 ＴｂＦｇ
ａｏ 、 Ｔｂ ａｄ Ｆｅ等の重希土類を含む媒体
忙比してＭｄ 、 Ｐｒ 、 Ｏｇ の軽希土類を含
むものけ材料費が安くなり、本発明による光磁気記録媒
体は、軽希土類を含む媒体に対しての方がその効果が大
きいという特徴をもっている。
ａｏ 、 Ｔｂ ａｄ Ｆｅ等の重希土類を含む媒体
忙比してＭｄ 、 Ｐｒ 、 Ｏｇ の軽希土類を含
むものけ材料費が安くなり、本発明による光磁気記録媒
体は、軽希土類を含む媒体に対しての方がその効果が大
きいという特徴をもっている。
光磁気記録媒体の製造にスパッタ法を用いる場合、重希
土類遷移金属はターゲットの製造が非常に困難であるの
に対し、軽希土類遷移金属は溶融てよって容易にターゲ
ットの作成が行える。
土類遷移金属はターゲットの製造が非常に困難であるの
に対し、軽希土類遷移金属は溶融てよって容易にターゲ
ットの作成が行える。
第１図（ロ））、（ｂ）ｔｓｔ本発明による光磁気記録
媒体の基本的層構造を示す■である。（α）、の）にお
いて、１１・・・・・・基板 １２・・・・・・光磁気記録層 １３・・・・・・低抗磁力層 あるいは １２・・・・・・低抗磁力層 １３・・・・・・光磁気記録層 またの）において １４・・・・・・中間層 である。 第２図６）〜（ト）は本発明による光磁気記録媒体の具
体的実施例の構造を示す図である。各図において、 ２１・・・・・・低抗磁力層 ２２・・・・・・光磁気記録層 ２３・・・・・・基板 ２４・・・・・・透明誘電体層 ２５・・・・・・中間層 ２６・・・・・・案内溝付き基板 である。 第３図は本発明による光磁気記録媒体の効果を示す図で
ある。 α・・ガラス基ＩＩ／ｘｄ Ｆｇ Ｂ／ＩＰＩＩＩ Ａ
ｔ５ｉ の構造を有する媒体においてＦｇ ｆｉｌ
Ｂｉの抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 ｂ−・ガラス基ｔ！ｔｙＱＪｄＦｅ Ｂ／Ｆｇ ｋｌｓ
ｉ Ｎｉの構造を有する媒体において’Ｆｅ ＡｌＮｉ
の抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 Ｃ・・ガラス基Ｍ／ｒｂ Ｆｅ／ｒｅ Ａｔ ５ｆｆｌ
の構造を有する媒体において’ＦｅｋＬＥｊｉの抗磁力
に対するカー回転角を示したもの。 ｄ・・ガラス基＠／Ｍｄ ＩＰｅ Ｂ／Ａｔの構造を有
する媒体のカー回転角。 ６・・ガラス基ｖＴｂＦｇ／Ａｔの構造を有する媒体の
カー回転角。 第４図（ハ））、の）は本発明による光磁気記録媒体の
記録再生周波数特性を示す図である。（ハ））は実験に
用いた媒体の構造を示し、 ４１・・・・・・基板 ４２・・・・・・ＡｊＮ （透明誘電体層）４３・・・
・・・光磁気記録層 ４４・・・・・・低抗磁力材層あるいはａである。ω）
は書込入周波数に対するＯＮ比を示したもので図中の１
α〜５α及び１ｂ〜５ｂけ第２表に示した試料番号であ
る。 以 上
媒体の基本的層構造を示す■である。（α）、の）にお
いて、１１・・・・・・基板 １２・・・・・・光磁気記録層 １３・・・・・・低抗磁力層 あるいは １２・・・・・・低抗磁力層 １３・・・・・・光磁気記録層 またの）において １４・・・・・・中間層 である。 第２図６）〜（ト）は本発明による光磁気記録媒体の具
体的実施例の構造を示す図である。各図において、 ２１・・・・・・低抗磁力層 ２２・・・・・・光磁気記録層 ２３・・・・・・基板 ２４・・・・・・透明誘電体層 ２５・・・・・・中間層 ２６・・・・・・案内溝付き基板 である。 第３図は本発明による光磁気記録媒体の効果を示す図で
ある。 α・・ガラス基ＩＩ／ｘｄ Ｆｇ Ｂ／ＩＰＩＩＩ Ａ
ｔ５ｉ の構造を有する媒体においてＦｇ ｆｉｌ
Ｂｉの抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 ｂ−・ガラス基ｔ！ｔｙＱＪｄＦｅ Ｂ／Ｆｇ ｋｌｓ
ｉ Ｎｉの構造を有する媒体において’Ｆｅ ＡｌＮｉ
の抗磁力に対するカー回転角を示したもの。 Ｃ・・ガラス基Ｍ／ｒｂ Ｆｅ／ｒｅ Ａｔ ５ｆｆｌ
の構造を有する媒体において’ＦｅｋＬＥｊｉの抗磁力
に対するカー回転角を示したもの。 ｄ・・ガラス基＠／Ｍｄ ＩＰｅ Ｂ／Ａｔの構造を有
する媒体のカー回転角。 ６・・ガラス基ｖＴｂＦｇ／Ａｔの構造を有する媒体の
カー回転角。 第４図（ハ））、の）は本発明による光磁気記録媒体の
記録再生周波数特性を示す図である。（ハ））は実験に
用いた媒体の構造を示し、 ４１・・・・・・基板 ４２・・・・・・ＡｊＮ （透明誘電体層）４３・・・
・・・光磁気記録層 ４４・・・・・・低抗磁力材層あるいはａである。ω）
は書込入周波数に対するＯＮ比を示したもので図中の１
α〜５α及び１ｂ〜５ｂけ第２表に示した試料番号であ
る。 以 上
Claims (1)
- 磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの二値をと
る光磁気記録層に光を照射し記録再生をおこなう光磁気
記録媒体において、該光磁気記録媒体が、セリウム（Ｃ
ｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）の
うち少なくとも一種以上の元素と鉄（Ｆｅ）および不純
物からなる合金、あるいは該合金にさらに硼素（Ｂ）、
炭素（Ｃ）、硅素（Ｓｉ）、燐（Ｐ）、アルミニウム（
Ａｌ）のうち少なくとも一種以上の元素を添加した合金
あるいはさらに該合金クロム（Ｃｒ）コバルト（Ｃｏ）
、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）の
うち少なくとも一種以上の元素を添加した合金からなる
光磁気記録層と、該光磁気記録層に対し、抗磁力が五分
の一以下で且つ百エルステッド以下で鉄（Ｆｅ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、硅素（Ｓｉ）及び不純物よりなるセ
ンダスト合金、あるいは鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、硅素（Ｓｉ）、ニッケル（Ｎｉ）及び不純物より
なるスーパーセンダスト合金からなる低抗磁力材層とを
有することを特徴とした光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19120484A JPS6187238A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
| US07/193,020 US5100741A (en) | 1984-09-12 | 1988-05-12 | Magneto-optic recording systems |
| US08/231,866 US5529854A (en) | 1984-09-12 | 1994-04-25 | Magneto-optic recording systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19120484A JPS6187238A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187238A true JPS6187238A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=16270634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19120484A Pending JPS6187238A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187238A (ja) |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP19120484A patent/JPS6187238A/ja active Pending
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