JPS6180793A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS6180793A JPS6180793A JP59202502A JP20250284A JPS6180793A JP S6180793 A JPS6180793 A JP S6180793A JP 59202502 A JP59202502 A JP 59202502A JP 20250284 A JP20250284 A JP 20250284A JP S6180793 A JPS6180793 A JP S6180793A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- sulfide
- phosphor film
- phosphor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は平板形表示装置に関し、と９わけ発光輝度が高
く、作成の容易な薄膜ＥＬ素子に関する。
く、作成の容易な薄膜ＥＬ素子に関する。
従来例の構成とその問題点
従来薄膜ＥＬ素子としては、第１図に示すようにガラス
基板１上に錫添加酸化インジウムなどの透明電極２．酸
化アルミニウムや窒化珪素などの第１絶縁体膜３．マン
ガン付活硫化亜鉛などの螢光体＠４．酸化アルミニウム
や窒化珪素などの第２絶縁体膜６、およびアルミニウム
などの背面電極６を順次積層した構造のものが広く用い
られている。このような素子を形成する際、螢光体膜を
作成後５００ ’Ｃから６００°Ｃの温度で熱処理する
ことにより、発光輝度、効率が向上し、実用レベルの薄
膜ＥＬ素子が形成できる。この熱処理による効果は、螢
光体膜の結晶性の向上に起因すると考えられている。現
在の発光輝度レベルでも実用的なＸ−Ｙマトリックスタ
イプの薄＠ＥＬパネルが形成できるが、その発光輝度レ
ベルは十分なものではなく、さらに輝度向上が望まれて
いる。また製造上、熱処理温度の低減も望まれている。
基板１上に錫添加酸化インジウムなどの透明電極２．酸
化アルミニウムや窒化珪素などの第１絶縁体膜３．マン
ガン付活硫化亜鉛などの螢光体＠４．酸化アルミニウム
や窒化珪素などの第２絶縁体膜６、およびアルミニウム
などの背面電極６を順次積層した構造のものが広く用い
られている。このような素子を形成する際、螢光体膜を
作成後５００ ’Ｃから６００°Ｃの温度で熱処理する
ことにより、発光輝度、効率が向上し、実用レベルの薄
膜ＥＬ素子が形成できる。この熱処理による効果は、螢
光体膜の結晶性の向上に起因すると考えられている。現
在の発光輝度レベルでも実用的なＸ−Ｙマトリックスタ
イプの薄＠ＥＬパネルが形成できるが、その発光輝度レ
ベルは十分なものではなく、さらに輝度向上が望まれて
いる。また製造上、熱処理温度の低減も望まれている。
発明の目的
本発明は、螢光体膜の熱処理温度が低くても、高輝度で
発光する薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
発光する薄膜ＥＬ素子を提供することにある。
発明の構成
硫化物螢光体膜と、その硫化物螢光体膜の少なくとも一
方の面に接するように配置されたアンチモン、ビスマス
、錫、鉛、インジウムの酸化物。
方の面に接するように配置されたアンチモン、ビスマス
、錫、鉛、インジウムの酸化物。
硫化物、または酸化硫化物のうち１種または２種以上を
主成分とする結晶質制御用薄膜と、その結晶質制御用薄
膜を介して前記硫化物螢光体膜に電圧を印加する手段と
を備えた薄膜ＥＬ素子を構成する。
主成分とする結晶質制御用薄膜と、その結晶質制御用薄
膜を介して前記硫化物螢光体膜に電圧を印加する手段と
を備えた薄膜ＥＬ素子を構成する。
前記結晶質制御用薄膜は硫化物螢光体膜形成時、または
形成後の熱処理時に、前記硫化物螢光体膜の結晶成長を
促進し、比較的低温の熱処理においても、高輝度で発光
する薄膜ＥＬ素子が形成できるものと考えられる。
形成後の熱処理時に、前記硫化物螢光体膜の結晶成長を
促進し、比較的低温の熱処理においても、高輝度で発光
する薄膜ＥＬ素子が形成できるものと考えられる。
実施例の説明
第２図は本発明による薄膜ＥＬ素子の１つの実施例を説
明するだめの断面図を示す。１１はコーニング７０５９
ガラス基板であり、その上に厚さ２０００人の錫添加酸
化インジウム透明電極１２をスパッタリング法により形
成した。その上に電子ビーム加熱真空蒸着法により、１
５０’Ｃの基板温度で、５００人の酸化イツトリウムか
らなる第１絶縁体膜１３を形成した。さらにその上に、
本発明の要点である結晶質制御用薄膜１４として、１０
０Ａの厚さの硫化アンチモン薄膜を電子ビーム加熱真空
蒸着法により１６０°Ｃの基板温度で形成した。その上
に基板温度２３０°Ｃで、１モルチのマンガンを含む硫
化亜鉛焼結体を用いて電子ビーム加熱真空蒸着法により
４０００人の厚さのマンガン付活硫化亜鉛螢光体膜１５
を形成した。その後、真空中４５０’Ｃで１時間熱処理
を行った。
明するだめの断面図を示す。１１はコーニング７０５９
ガラス基板であり、その上に厚さ２０００人の錫添加酸
化インジウム透明電極１２をスパッタリング法により形
成した。その上に電子ビーム加熱真空蒸着法により、１
５０’Ｃの基板温度で、５００人の酸化イツトリウムか
らなる第１絶縁体膜１３を形成した。さらにその上に、
本発明の要点である結晶質制御用薄膜１４として、１０
０Ａの厚さの硫化アンチモン薄膜を電子ビーム加熱真空
蒸着法により１６０°Ｃの基板温度で形成した。その上
に基板温度２３０°Ｃで、１モルチのマンガンを含む硫
化亜鉛焼結体を用いて電子ビーム加熱真空蒸着法により
４０００人の厚さのマンガン付活硫化亜鉛螢光体膜１５
を形成した。その後、真空中４５０’Ｃで１時間熱処理
を行った。
螢光体膜１６の上に、第１絶縁体膜と同様に
１３０００人の厚さの酸化イツトリウムからなる第
２絶縁体膜１６を形成し、最後にその上に厚さ１５００
人のアルミニウムからなる背面電極１７を抵抗加熱真空
蒸着法で形成し、本発明の薄膜ＥＬ素子を完成した。
１３０００人の厚さの酸化イツトリウムからなる第
２絶縁体膜１６を形成し、最後にその上に厚さ１５００
人のアルミニウムからなる背面電極１７を抵抗加熱真空
蒸着法で形成し、本発明の薄膜ＥＬ素子を完成した。
第３図は、本発明の素子と、結晶質制御用薄膜１４を用
いない従来の素子との、電流−輝度特性を比較して示す
。駆動は周波数６０Ｈｚ、パルス幅３０μｓの交流パル
ス電圧を透明電極１２とアルミニウム電極１７との間に
印加することにより行った。
いない従来の素子との、電流−輝度特性を比較して示す
。駆動は周波数６０Ｈｚ、パルス幅３０μｓの交流パル
ス電圧を透明電極１２とアルミニウム電極１７との間に
印加することにより行った。
第３図から判るように、本発明の素子Ａは従来の素子Ｂ
に比べて、同一電流時の発光輝度が大きいことが判る。
に比べて、同一電流時の発光輝度が大きいことが判る。
またこれらの素子を波長３６６ ｎｍの紫外線で励起し
たときのホトルミネセンスによる発光輝度を比較したと
ころ、本発明の素子の方が約３０係大きいことが判明し
た。これらの結果から結晶質制御用薄膜１４を用いるこ
とにより螢光体膜１６の結晶性が向上し、発光輝度が増
大したものと考えられる。この原因は結晶質制御用薄膜
が、螢光体膜に対する１種のフラツクスとして作用した
ことが考えられる。
たときのホトルミネセンスによる発光輝度を比較したと
ころ、本発明の素子の方が約３０係大きいことが判明し
た。これらの結果から結晶質制御用薄膜１４を用いるこ
とにより螢光体膜１６の結晶性が向上し、発光輝度が増
大したものと考えられる。この原因は結晶質制御用薄膜
が、螢光体膜に対する１種のフラツクスとして作用した
ことが考えられる。
本実施例においては、結晶質制御用薄膜とじて硫化アン
チモンを用いた場合について説明したが、これ以外にア
ンチモン、ビスマス、錫、鉛、インジウムの酸化物、硫
化物、または酸化硫化物のうち１種または２種以上を主
成分とする薄膜を用いても同様の効果が得られた。この
結晶質制御用薄膜の厚さは２０Å以上、３０００Å以下
が望ましかった。２０人未満の場合は効果が少な（，３
０００人より厚い場合は、この薄膜近傍ではく離するこ
とがあり実用的でなかった。螢光体膜としては硫化物が
適用でき、硫化亜鉛、硫化カルシウム、硫化ストロンチ
ウムなどを主成分とする螢光体膜において効果が大きか
った。螢光体膜の熱処理に関しては、熱処理をしなかっ
た素子よりも、３００°Ｃ以上、６５０′Ｃ以下の温度
で熱処理を行った素子の方が、より一層の効果を得るこ
とができた。
チモンを用いた場合について説明したが、これ以外にア
ンチモン、ビスマス、錫、鉛、インジウムの酸化物、硫
化物、または酸化硫化物のうち１種または２種以上を主
成分とする薄膜を用いても同様の効果が得られた。この
結晶質制御用薄膜の厚さは２０Å以上、３０００Å以下
が望ましかった。２０人未満の場合は効果が少な（，３
０００人より厚い場合は、この薄膜近傍ではく離するこ
とがあり実用的でなかった。螢光体膜としては硫化物が
適用でき、硫化亜鉛、硫化カルシウム、硫化ストロンチ
ウムなどを主成分とする螢光体膜において効果が大きか
った。螢光体膜の熱処理に関しては、熱処理をしなかっ
た素子よりも、３００°Ｃ以上、６５０′Ｃ以下の温度
で熱処理を行った素子の方が、より一層の効果を得るこ
とができた。
本実施例の素子構成においては、螢光体膜の両側を絶縁
体膜で挾んだ、いわゆる２重絶縁層タイプの素子につい
て説明したが、本発明の効果をもたらす原因から考えて
も、たとえば片側絶縁層タイプなどの他の構成の素子に
おいても同様の効果が得られることは明らかである。
体膜で挾んだ、いわゆる２重絶縁層タイプの素子につい
て説明したが、本発明の効果をもたらす原因から考えて
も、たとえば片側絶縁層タイプなどの他の構成の素子に
おいても同様の効果が得られることは明らかである。
発明の効果
比較的低い温度の熱処理でも、高輝度に発光する薄膜Ｅ
Ｌ素子を形成することができる。これは螢光体膜の少な
くとも一方の面に接するように配置された結晶質制御用
薄膜の作用により、高品質の螢光体膜が形成されたため
と考えられる。
Ｌ素子を形成することができる。これは螢光体膜の少な
くとも一方の面に接するように配置された結晶質制御用
薄膜の作用により、高品質の螢光体膜が形成されたため
と考えられる。
第１図は従来の薄膜ＥＬ素子の断面図、第２図は本発明
による薄膜ＥＬ素子の一実施例の断面図、第３図は本発
明の素子Ａと従来の素子との電流−輝度特性を比較して
示すグラフである。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・透明電
極、１３・・・・・・第１絶縁体膜、１５・・・・・・
螢光体膜、１４・・・・・・結晶質制御用薄膜、１６・
・・・・第２絶縁体膜、１７・・・・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 乙 第２図
による薄膜ＥＬ素子の一実施例の断面図、第３図は本発
明の素子Ａと従来の素子との電流−輝度特性を比較して
示すグラフである。 １１・・・・・・ガラス基板、１２・・・・・・透明電
極、１３・・・・・・第１絶縁体膜、１５・・・・・・
螢光体膜、１４・・・・・・結晶質制御用薄膜、１６・
・・・・第２絶縁体膜、１７・・・・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 乙 第２図
Claims (3)
- （１）硫化物螢光体膜と、その硫化物螢光体膜の少な
くとも一方の面に接するように配置されたアンチモン，
ビスマス，錫，鉛，インジウムの酸化物，硫化物、また
は酸化硫化物から選ばれた１種または２種以上を主成分
とする結晶質制御用薄膜と、その結晶質制御用薄膜を介
して、前記硫化物螢光体膜に電圧を印加する手段とを備
えたことを特徴とする薄膜ＦＬ素子。 - （２）硫化物螢光体膜が、膜化亜鉛，硫化カルシウム，
硫化ストロンチウムのうちの１種または２種以上を主成
分とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜ＥＬ素子。 - （３）結晶質制御用薄膜の厚さが２０Å以上３０００Å
以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202502A JPS6180793A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59202502A JPS6180793A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180793A true JPS6180793A (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=16458545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59202502A Pending JPS6180793A (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193396A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | 株式会社村田製作所 | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59202502A patent/JPS6180793A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193396A (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | 株式会社村田製作所 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH046278B2 (ja) * | 1985-02-21 | 1992-02-05 | Murata Manufacturing Co |
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