JPS6163918A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は垂直磁気記録媒体に関するものである。

従来例の構成とその問題点 短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直磁気
記録方式がある。この方式においては、垂直磁気異方性
を有する磁性薄膜を磁性層とした垂直磁気記録媒体が必
要となる。このような媒体に信号を記録すると、残留磁
化は媒体の膜面に略垂直方向を向き、信号が短波長にな
る程媒体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる
。

ところで、非磁性基板上に直接垂直磁気異方性膜が形成
された単層膜媒体に対し、非磁性基板と垂直磁気異方性
膜との間に、軟磁性裏打ち層を設けた二層膜媒体は記録
再生効率の大幅な向上が認められる。

二層膜媒体の記録再生効率には、軟磁性裏打ち層の磁気
特性及び膜厚が大きな影響を及ぼすことが知られている
。軟磁性裏打ち層の保磁力が３〜１４０ｅ、膜厚が３０
００〜１００００人の場合に最も優れた記録再生特性が
得られる。

軟磁性裏打ち層及び垂直磁気異方性膜を作製する方法と
しては、スパッタリング法、真空蒸着法。

メッキ法等があるが、生産性の点から考えて、高い膜堆
積速度の得られる真空蒸着法が最も優れている。しかし
、真空蒸着法で軟磁性裏打ち層として適しているＮｉ　
及びＦｅを主成分としたパーマロイ膜を作製すると、前
記の記録再生特性の優れた範囲内の膜厚及び保磁力の条
件を満たす膜を得ることが困難であることが、本発明者
らの実験により明らかになった。

第１図に真空蒸着法で高分子ベースフィルム上にＮｉ８
１重量％、Ｆｅ１９重量％組成のパーマロイ膜を５００
０Ａ／秒の膜堆積速度、２００°Ｃの基板温度で作製し
た際の保磁力と膜厚との関係を示す。なお、高分子ベー
スフィルムが使用可能な、室温〜３００°Ｃの範囲の基
板温度では温度依存性は殆ど見られなかった。膜厚が２
ｏ００Å以下′の場合には、低保磁力の膜が得られるが
、２０００人を越えると保磁力は急激に大きくなり２０
０ｅ以上になってしまう。この傾向は二元系パーマロイ
の組成を変えても殆ど変わらず、２０００Å以上の膜厚
では保磁力が２００ｅを越えてしまう。

すなわち、真空蒸着法で高分子ベースフィルム上に、保
磁力が３〜１４０ｅで膜厚が３０００〜１００００人の
パーマロイ膜を高い膜堆積速度で形成することは困難で
あった。

発明の目的 本発明は、高い膜堆積速度が容易に達成出来る真空蒸着
法により、３０００人以上の膜厚においても低保磁力が
実現出来る軟磁性裏打ち層を備えた二層膜垂直磁気記録
媒体を提供することを目的とする。

軟磁性裏打ち層がＣｏ、Ｎｉ及びＦｅ　　を主成分とす
ることを特徴とする。

実施例の説明 第２図及び第３図を用いて本発明の詳細な説明を行なう
。第２図は真空蒸着法によりＧｏ２０重量％、Ｎｉ重量
６５％、Ｆｅ重量１５チの組成のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜を
高分子ベースフィルム上に、５０００Ａ／秒の膜堆積速
度で形成した際の、保磁力と膜厚との関係を示す。第１
図と異なり、２０００Å以上の膜厚になってもＨｃの増
加は見られず、約４０ｅで一定である。また、このＣＯ
２０Ｎ　ｌ　ｅ　ｓ　Ｆ　＠　１ｓ膜は膜面内において
ほぼ等方的であった。まだ、ＣＯを２０％重量％一定に
すると、Ｎｉを５６重量％から７２重量％程度の範囲で
変化させても、第２図の結果とほぼ同様の結果が得られ
る。

以上の様に、Ｎｉ−Ｆｅ合金では３０００人以上の膜厚
で３〜１４０ｅの保磁力を有する膜を、真空蒸着法で高
分子ベースフィルム上に形成することは困難であるが、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金を用いることにより、３００ｅ八
以上の膜厚で３〜１４Ｑｅの範囲内の保磁力を有する膜
を作製することが出来る。なお、Ｎ１−Ｆ６合金にＣｕ
、Ｍｏ、Ｃｒ等を添加することにより３０００Å以上の
膜厚においても低保磁力の膜が得られることが知られて
いるが、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ等はＮｉ、Ｆｅと蒸気圧が大
幅に異なるために、真空蒸着法で、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ等
を含むパーマロイ膜を安定に作製することは困難である
。

これに対し、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅは蒸気圧がほぼ等しいた
めに、真空蒸着法でＣｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ膜を安定
に作製することが可能である。

第３図はＮｉ＋Ｆｅに対するＮｉＱ量を８１重量％一定
として、Ｃｏの添加量を変えたＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の保
磁力を示す。第３図の横軸はＣｏ＋Ｎｉ＋Ｆｅ　　に対
するＣＯＯ量である。膜は前記と同様に５ｏｏｏ人／秒
の膜堆積速度で真空蒸着法により形成し、膜厚Ｈｓ　ｏ
　ｏ　ｏ八である。第３図からＣｏの量が６〜３２重量
％の範囲内にあれば、１４００以下の保磁力が得られる
ことがわかる。

しかし、ＣＯＯ量を１ｏ〜２５重量係にした方が、約４
０ｅの膜が安定に得られるので、この範囲内の組成にし
た方が好ましい。なお、３０ＱＯ〜１ｏ○ＯＱ人の範囲
内で膜厚を変化させても第３図の結果は殆ど変わらない
。また、Ｎｉ＋Ｆｅに対するＮｉの量を７０〜９０重量
％の範囲内で変化させても、第３図とほぼ同様の結果が
得られた。

次に、より具体的な実施例について説明する。

第１の具体的実施例 膜厚６０μｍのポリイミドフィルム上に、膜厚４０ｏｏ
人のＣＯ２０Ｎ　ｌ　ｅ　ｓ　Ｆ　ｅ　１ｓ膜を介して
、膜厚２０００人のＣｏ−Ｃｒ垂直磁気異方性膜を真空
蒸着法により形成した。これを二層膜媒体Ａと称する。

比較のために、ＣＯ２０Ｎ　ｌ　ｓ　ｓ　Ｆ　ｅ　１ｓ
膜のがわりにＮｉ８１Ｆｅ１９膜を使用した二層膜媒体
Ｂを作製した。二層膜媒体Ａにおける軟磁性裏打ち層と
してのＣＯ２０Ｎ　１　ｅ　ｓ　Ｆ　ｅ　１ｓ膜の保磁
力は４．３０ｅであった。一方、二層膜媒体Ｂにおける
軟磁性裏打ち層としてのＮ　ｌ　ａ　１Ｆ　＠　１ｓ膜
の保磁力は２７０ｅであった。画工層膜媒体に、公知の
補助磁極励磁型垂直ヘッドにて記録再生を行なった結果
を下表に示す。なお、主磁極の膜厚１１０．２μｍであ
る。

下表中７ＫＦＲＰＩとは１インチ当たり７０００回磁化
反転のある記録状態であり、Ｄ６ｏ　とは再生出力値が
７ＫＦＲＰＩＯ値の半分になる記録密度である。また、
７ＫＦＲＰＩの出力値はＢの値を基準、すなわちＯｄＢ
　　としてＡの値を表わしている。下表から、本発明の
媒体Ａは従来の媒体Ｂに対し、アＫＦＲＰＩにおける出
力値、Ｄ６ｏのいずれも優れていることがわかる。

第２の具体的実施例 膜厚５０μｍのポリイミドフィルム上に、膜厚７０００
人のＣＯ１ｓ　Ｎ　１　ｅ　ｓ　Ｆ　＠　１７膜を真空
蒸着法により形成し、その上に膜厚１０〇へのＴｉ蒸着
膜を介して、膜厚２０００人のＣｏ−Ｃｒ垂直磁気異方
性膜を真空蒸着法により形成した。ここで、Ｔｉ膜はＣ
ｏ　−Ｃｒ垂直磁気異方性膜の結晶配向性を改善するた
めに設けである。上記のＣＯ１ｓ　Ｎ　１６ｓＦｅ１□
膜の保磁力は４　、６０　ｅであった。上記二層膜媒体
をＣと称する。比較のために、ＣＯ１ａＮ　１６ｓＦｅ
１ア膜のかわりにＣｕ　−Ｍ　ｏ−パーマロイ膜ヲ使用
する以外はＣと全く同じ構造の二層膜媒体をＲＦスパッ
タリング法により作製した。この二層膜媒体をＤと称す
る。真空蒸着法及びＨにスパッタリング法における膜堆
積速度は、それぞれ６ｏＱＯ人／秒及び１０人／秒であ
った。二層膜媒体りのＣｕ　−Ｍ　ｏ−パーマロイ膜の
保磁力は５．１０ｅであった。ＣとＤの記録再生特性に
殆ど差は認められなかった。すなわち本発明のＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜を二層膜媒体用軟磁性裏打ち層として用いる
ことにより、真空蒸着法にて、スパッタリング法と同様
の記録再生特性を有する垂直磁気記録媒体を、スパッタ
リング法に比べ非常に高い生産性で作製することが出来
る。これに対し、軟磁性裏打ち層として、従来のＮｉ−
Ｆｅ２元合金膜を用いたのでは、真空蒸着法で、スパッ
タリング法蓮みの特性を有する二層膜媒体を作製するこ
とは困難である。

発明の効果 本発明は、Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅからなる軟磁性裏
打ち層を用いることにより、非常に高い生産性で製造可
能で、しかも特性の優れた垂直磁気記録媒体を実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図＋−ｉ真空蒸着法で高分子ベースフィルム上に形
成された”８１　Ｆｅ１９膜の保磁力と膜厚との関係を
示す図、第２図は本発明の一実施例における真空蒸着法
で高分子ベースフィルム上に形成されたＣ　Ｏ２０Ｎ　
１　ｅ　５Ｆ　ｅ　１６膜の保磁力と膜厚との関係を示
す図、第３図はＣｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ膜におけるＣ
ｏ量と保磁力との関係を示す図である。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 凍４（Ｉ） 第３図 ＣＯ＜＊１勢）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に軟磁性裏打ち層を介して垂直磁気異方性
   膜が設けられた二層膜構造を有し、前記軟磁性裏打ち層
   がＣｏ、Ｎｉ及びＦｅを主成分とすることを特徴とする
   垂直磁気記録媒体。
2. （２）軟磁性裏打ち層が５〜３２重量％のＣｏを含有す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の垂直磁
   気記録媒体。
3. （３）前記軟磁性裏打ち層が１０〜２５重量％のＣｏを
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   垂直磁気記録媒体。