JPS616271A - バイアスイオンプレ−テイング方法および装置 - Google Patents
バイアスイオンプレ−テイング方法および装置Info
- Publication number
- JPS616271A JPS616271A JP12535684A JP12535684A JPS616271A JP S616271 A JPS616271 A JP S616271A JP 12535684 A JP12535684 A JP 12535684A JP 12535684 A JP12535684 A JP 12535684A JP S616271 A JPS616271 A JP S616271A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ion plating
- discharge
- vapor
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童栗上■■朋分り
本発明は、蒸発物質の少なくとも一部をイオン化し電界
により加速して蒸着するバイアスイオンプレーティング
方法および装置に関する。
により加速して蒸着するバイアスイオンプレーティング
方法および装置に関する。
ｋ米列抜佐
バイアスイオンプレーティングは、プラズマにより蒸発
物質の一部をイオン化し、このイオンを電界により加速
して蒸着する方法である。
物質の一部をイオン化し、このイオンを電界により加速
して蒸着する方法である。
この方法は、たとえば、比較的低温でも付着強度の大き
い被膜が得られる、結晶化の高い被膜が得られる、反応
性蒸着が容易であるなどの優れた性質を有し、さらに、
バイアス電圧を制御することにより結晶化度などの膜特
性を制御することも可能である。
い被膜が得られる、結晶化の高い被膜が得られる、反応
性蒸着が容易であるなどの優れた性質を有し、さらに、
バイアス電圧を制御することにより結晶化度などの膜特
性を制御することも可能である。
日が しようとする−１ｍ、、頷
しかしながら、Ｓｉｎ、のような絶縁物被膜の形成にこ
の方法を適用すると、正電荷が基板蒸着面や治具あるい
はホルダーなどに蓄積し、ついには放電して放電痕を形
成し得られる蒸着膜の品質を劣化させる。
の方法を適用すると、正電荷が基板蒸着面や治具あるい
はホルダーなどに蓄積し、ついには放電して放電痕を形
成し得られる蒸着膜の品質を劣化させる。
この電荷の蓄積を防止する方法として、基板の前面近傍
に基板とほぼ同電位にバイアスしたネットを設けること
が提案されている。しかしながら、この方法は、未だ効
果が十分でないばかりか、ピンホールの発生など蒸着面
へ悪影響を与えるおそれが大きい。
に基板とほぼ同電位にバイアスしたネットを設けること
が提案されている。しかしながら、この方法は、未だ効
果が十分でないばかりか、ピンホールの発生など蒸着面
へ悪影響を与えるおそれが大きい。
■延胤（解 するための
本発明のバイアスイオンプレーティング方法は、基板に
負バイアス電圧を印加してイオンプレーティングにより
基板上に被膜を形成するに際し、蒸着面に蓄積される正
電荷を実質的に中和するに足る量の電子線を、蒸着面に
照射することを特徴とする。
負バイアス電圧を印加してイオンプレーティングにより
基板上に被膜を形成するに際し、蒸着面に蓄積される正
電荷を実質的に中和するに足る量の電子線を、蒸着面に
照射することを特徴とする。
また、本発明のバイアスイオンプレーティング装置は、
（ａ）真空槽
（ｂ）真空槽内に配設されバイアス電圧が印加される基
板ホルダー （ｃ）真空槽内に設けられた蒸発源 （ｄ）該蒸発源からの蒸発物の少なくとも一部をイオン
化するイオン化手段 とを具えたバイアスイオンプレーティング装置において
、さらに、 （ｅ）前記基板ホルダに支持される蒸着面に対して電子
線を照射するニュートラライザ−を有することを特徴と
する。
板ホルダー （ｃ）真空槽内に設けられた蒸発源 （ｄ）該蒸発源からの蒸発物の少なくとも一部をイオン
化するイオン化手段 とを具えたバイアスイオンプレーティング装置において
、さらに、 （ｅ）前記基板ホルダに支持される蒸着面に対して電子
線を照射するニュートラライザ−を有することを特徴と
する。
務−里
基板に印加された負バイアス電圧により電界が生じる。
蒸発源からの蒸発物質は一部イオン化され、このイオン
化粒子は電界により加速されて基板上に蒸着される。こ
のとき、蒸着物質が絶縁物であるなど電荷が基板、治具
などの表面から散逸できない状況にあると、イオン化粒
子からの正電荷が蒸着面に蓄積されることになる。電子
線はこの正電荷を中和する。電子線の照射は蒸着面に蓄
積された正電荷を実質的に中和する程度に行なわれる。
化粒子は電界により加速されて基板上に蒸着される。こ
のとき、蒸着物質が絶縁物であるなど電荷が基板、治具
などの表面から散逸できない状況にあると、イオン化粒
子からの正電荷が蒸着面に蓄積されることになる。電子
線はこの正電荷を中和する。電子線の照射は蒸着面に蓄
積された正電荷を実質的に中和する程度に行なわれる。
ここで実質的に中和するとは、電荷蓄積による悪影響を
防止しうる程度に正電荷を消滅せしめることを指す。よ
って、蒸発源としての電子銃から基板に飛来する微少量
の電子とは全く異なるし、また、蒸発源としての電子銃
がルツボ内に供給するような、電子衝撃を目的として加
速収束した電子ビームとも当然に異なる。本発明では蒸
着物、あるいはさらに基板、基板ホルダーを溶融など損
傷しない範囲で電子線が照射され、また、このような照
射が可能なニュートラライザ−が用いられる。
防止しうる程度に正電荷を消滅せしめることを指す。よ
って、蒸発源としての電子銃から基板に飛来する微少量
の電子とは全く異なるし、また、蒸発源としての電子銃
がルツボ内に供給するような、電子衝撃を目的として加
速収束した電子ビームとも当然に異なる。本発明では蒸
着物、あるいはさらに基板、基板ホルダーを溶融など損
傷しない範囲で電子線が照射され、また、このような照
射が可能なニュートラライザ−が用いられる。
ズ１例
第１図は本発明の実施例を示す構成図である。
真空槽１１の中には蒸発源１３および基板ホルダー１５
が設けられており、基板ホルダー１５には蒸着すべき基
板１７が支持されている。この基板１７は真空槽１１内
にバッチ式で供給することもできるし、連続的に供給す
ることもできる。
が設けられており、基板ホルダー１５には蒸着すべき基
板１７が支持されている。この基板１７は真空槽１１内
にバッチ式で供給することもできるし、連続的に供給す
ることもできる。
蒸発源の近傍には高周波発信コイル（ＲＦコイル） １
９が設けられている。ＲＦコイルによる高周波放電でプ
ラズマが形成されて、蒸発源１３からの蒸発物質が一部
イオン化される。
９が設けられている。ＲＦコイルによる高周波放電でプ
ラズマが形成されて、蒸発源１３からの蒸発物質が一部
イオン化される。
基板ホルダー１５には負の直流電圧が印加されており、
これによって形成される電界によりイオン化蒸発物質は
加速されて基板蒸着面１７ａに蒸着される。通常、−１
００Ｖ〜−２ＫＶ程度のバイアス電圧が印加される。
これによって形成される電界によりイオン化蒸発物質は
加速されて基板蒸着面１７ａに蒸着される。通常、−１
００Ｖ〜−２ＫＶ程度のバイアス電圧が印加される。
ニュートラライザ−２１は電子の供給源であり、熱フィ
ラメントから放出された電子がニュートラライザ−の加
速電圧により加速されて基板蒸着面１７ａに照射される
。この加速電圧は基板のバイアス電圧より３００ｖ程度
以」二高くする。例えば基板バイアスが一５００ｖの場
合、電子ビームの加速を正電位で行なうため、加速電圧
は一８００ｖ以上にする。電子の照射量は、蒸着面の帯
電電荷を実質的に中和するのに十分な量であり、蒸着膜
やホルダーなどを損傷しない範囲である。
ラメントから放出された電子がニュートラライザ−の加
速電圧により加速されて基板蒸着面１７ａに照射される
。この加速電圧は基板のバイアス電圧より３００ｖ程度
以」二高くする。例えば基板バイアスが一５００ｖの場
合、電子ビームの加速を正電位で行なうため、加速電圧
は一８００ｖ以上にする。電子の照射量は、蒸着面の帯
電電荷を実質的に中和するのに十分な量であり、蒸着膜
やホルダーなどを損傷しない範囲である。
反応性イオンプレーティングを行なう場合は、ガス導入
バルブ２３から酸素などの反応性ガスを導入する。
バルブ２３から酸素などの反応性ガスを導入する。
図中、３１は蒸発源電源、３３は高周波電源、３５は直
流バイアス電源、３７はニュートラライザ−電源、３９
は排気系である。
流バイアス電源、３７はニュートラライザ−電源、３９
は排気系である。
ＩＪＩ塑羞米
本発明によれば、電子線を照射しながらバイアスイオン
プレーティングを行なうことにより、荷電粒子によって
蒸着面が帯電されるのを防止して蒸着を行なうことがで
きる。よって、絶縁物を蒸着する場合のように蒸着面が
帯電する場合であっても、この帯電による放電痕の発生
などの悪影響を有効に防止して、バイアスイオンプレー
ティングにより被膜を形成することができる。
プレーティングを行なうことにより、荷電粒子によって
蒸着面が帯電されるのを防止して蒸着を行なうことがで
きる。よって、絶縁物を蒸着する場合のように蒸着面が
帯電する場合であっても、この帯電による放電痕の発生
などの悪影響を有効に防止して、バイアスイオンプレー
ティングにより被膜を形成することができる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図面である。
１１・・・真 空 槽 １３・・・蒸 発
源１５・・・基板ホルダー １７・・・基
板１７８・・・基板蒸着面 １９・・・ＲＦコイル２１
・・・ニュートラライザ−７ 弔１ｍ
源１５・・・基板ホルダー １７・・・基
板１７８・・・基板蒸着面 １９・・・ＲＦコイル２１
・・・ニュートラライザ−７ 弔１ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に負バイアス電圧を印加してイオンプレーティ
ングにより基板上に被膜を形成するに際し、蒸着面に蓄
積される正電荷を実質的に中和するに足る量の電子線を
、蒸着面に照射することを特徴とするバイアスイオンプ
レーティング方法。 ２、（ａ）真空槽 （ｂ）真空槽内に配設されバイアス電圧が印加される基
板ホルダー （ｃ）真空槽内に設けられた蒸発源 （ｄ）該蒸発源からの蒸発物質の少なくとも一部をイオ
ン化するイオン化手段 とを具えたバイアスイオンプレーティング装置において
、さらに、 （ｅ）前記基板ホルダに支持される蒸着面に対して電子
線を照射するニュートラライザーを有することを特徴と
するバイアスイオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12535684A JPS616271A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | バイアスイオンプレ−テイング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12535684A JPS616271A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | バイアスイオンプレ−テイング方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616271A true JPS616271A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14908102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12535684A Pending JPS616271A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | バイアスイオンプレ−テイング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616271A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373354U (ja) * | 1986-11-01 | 1988-05-16 | ||
| JPH03158459A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-08 | Nippon Soken Inc | イオンプレーティング方法および装置 |
| CN102605324A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-07-25 | 马鞍山多晶金属材料科技有限公司 | 一种多弧离子镀超晶格纳米复合涂层及其制备方法 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12535684A patent/JPS616271A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373354U (ja) * | 1986-11-01 | 1988-05-16 | ||
| JPH03158459A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-08 | Nippon Soken Inc | イオンプレーティング方法および装置 |
| CN102605324A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-07-25 | 马鞍山多晶金属材料科技有限公司 | 一种多弧离子镀超晶格纳米复合涂层及其制备方法 |
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