JPS6153725A - Formation of mask for x-ray exposure - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To improve mask substrate support frame and also position accuracy at the area near mask support frame for X-ray exposure by forming smooth edge to the mask substrate support frame. CONSTITUTION:For formation of mask for X-ray exposure, a resist pattern 10 is formed on an Si substrate 9, and an impurity diffused layer 12 is formed by implanting boron with said resist pattern used as the mask. Next, after removing the pattern 10, boron nitride 11 is deposited on the wafer surface with the vapor phase reaction and such boron 11 is formed as a mask substrate. Next, only the center of water surface is etched with the etching speed of layer 12 lowered and the edge 13 of layer 12 formed in the same shape as the edge of pattern 10. The edge of pattern 10 is formed smoothly and the edge 13 of layer 12 is formed also smoothly and a mask pattern 13 which becomes an X-ray absorbing material is formed by the electron beam exposure and chemical etching method.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、例えば半導体装置などを製作するためのＸ線
露光装置を用いる露光用マスクの作製方法に係り、特に
マスクパターンの位置安定性に優れるＸ線露光用マスク
作製方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a method for producing an exposure mask using an X-ray exposure apparatus for producing, for example, semiconductor devices, and in particular, a method for producing an exposure mask that has excellent positional stability of a mask pattern. The present invention relates to a method for producing a mask for X-ray exposure.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

第３図は特開昭４８−８２７７８号公報に代表されるＸ
線露光用マスクを示す断面図であり１図において１はＧ
ｅ、Ｓｉ単結晶あるいは金属結晶からなるマスク支持枠
、４は露光に用いるＸ線に対して高い透過率を有する材
料によって作られた単一、もしくは複数の層からなるマ
スク基板、５は感光用Ｘ線に対して高い吸収率を有する
材料からなるマスクパターンである。Figure 3 shows the X
1 is a sectional view showing a mask for line exposure, and in FIG. 1 1 is G.
e, a mask support frame made of Si single crystal or metal crystal, 4 a mask substrate made of a single layer or a plurality of layers made of a material having high transmittance to X-rays used for exposure, 5 a photosensitive material This is a mask pattern made of a material that has a high absorption rate for X-rays.

第４図に従来工程によるＸ線露光用マスクの作製工程を
示す、まず、同図（ａ）に示す所定のウェハー１上に気
相反応法（ＣＶ　Ｄ　、　ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタ法、あるいは蒸
着法によりマスク基板４を同図（ｂ）のように被着する
。FIG. 4 shows the manufacturing process of an X-ray exposure mask using a conventional process. First, a chemical vapor reaction method (CVD, Chemical Vapor
A mask substrate 4 is deposited by deposition, sputtering, or vapor deposition as shown in FIG. 2(b).

この後、上記ウェハー１の中央部のみを裏面よリエツチ
ングしく同図（Ｃ））マスク基板４の裏面を露出させる
。この時ウェハー１はリング状となる。Thereafter, only the central portion of the wafer 1 is etched from the back surface to expose the back surface of the mask substrate 4 (FIG. 4(C)). At this time, the wafer 1 becomes ring-shaped.

この後、マスク基板４上に電子ビーム露光とエツチング
その他の適当な手段によって所望の平面図形のマスクパ
ターン５を形成し同図（ｄ）となる。Thereafter, a mask pattern 5 having a desired planar shape is formed on the mask substrate 4 by electron beam exposure, etching, or other appropriate means, as shown in FIG. 4(d).

以上のマスクパターン作製プロセスにおいて。In the above mask pattern manufacturing process.

上記のリング状のウェハー基板１はマスク基板４支持枠
として機能する。The ring-shaped wafer substrate 1 described above functions as a support frame for the mask substrate 4.

なお、支持枠の機械的強度を増すため、ウェハー１の裏
面エッチ前後にマスク基板支持枠にサポートリング７（
第３図）を接着する場合もある。In order to increase the mechanical strength of the support frame, a support ring 7 (
(Fig. 3) may be glued.

このようにして作られたＸ＠露光用マスクを予め感光剤
を表面に塗布した被加工物の上に重ね、しかる後Ｘ線を
照射すれば、マスクパターン５の存在しない領域のみＸ
線が透過して、被加工物上［の感光剤を感光せしめ、写
真製版の目的が達せられる。If the X@ exposure mask made in this way is placed on the workpiece whose surface has been coated with a photosensitizer in advance and then irradiated with X-rays, only the area where the mask pattern 5 does not exist will be exposed to the
The line passes through and sensitizes the photosensitive agent on the workpiece, achieving the purpose of photolithography.

上記Ｘａ露光の原理から明らかなようにマスク基板４は
、Ｘ線に対する吸収ができるだけ少ないことが望ましい
。As is clear from the principle of Xa exposure described above, it is desirable that the mask substrate 4 absorb as little X-rays as possible.

又、・半導体素子等を作製するためには被加工層下の別
の図形パターンと、マスクパターン５を正しく重ね合せ
る必要がある。In addition, in order to manufacture a semiconductor element or the like, it is necessary to correctly overlap the mask pattern 5 with another graphic pattern under the layer to be processed.

このため、マスクパターン５を有するマスク基板４は位
置安定性に優れかつ、ある程度の機械的強度を必要とす
る。Therefore, the mask substrate 4 having the mask pattern 5 needs to have excellent positional stability and a certain degree of mechanical strength.

以上述べたマスク基板の性質を満足する基板としては窒
化ホウ素（ＢＮ）　　（Ｄ、Ｍａｙｄａｎ他：Ｂｏｒｏ
ｎ　Ｎ１ｔｒｉｄｅ　Ｍａｓｋ　５ｔｒｕｃｔｕｒｅ　
ｆｏｒ　Ｘ−ｒａｙＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　Ｊ　、Ｖ
ａｃ、Ｓｃｉ＆Ｔｅｃｈｎｏ１．１６　、１９５９（１
９７９））　、窒化ケイ素（Ｓ　ｉ　３Ｎ、）　　（Ｅ
　、Ｂａ５ｓｏｕｓ他：　Ｈｉｇｈ　Ｔｒａａｎｓｍｉ
ｓｓｉｏｎ　Ｘ−ｒａｙ　Ｍａｓｋ　ｆｏｒＬｉｔｈｏ
ｇｒａｐｈｙ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、　５ｏｌｉ
ｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｃｃｈ。A substrate that satisfies the properties of the mask substrate described above is boron nitride (BN) (D, Maydan et al.: Boro
n N1tride Mask 5structure
for X-ray Lithography J,V
ac, Sci&Techno1.16, 1959 (1
979)), silicon nitride (S i 3N,) (E
, Ba5sous et al.: High Traansmi
session X-ray Mask for Litho
graphy Applications, 5oli
d 5tate Tcch.

９　、５５　（１９７６））等が報告されている。9, 55 (1976)) have been reported.

これらの基板は、基板内部に制御された量の引張り応力
を残すことで基板の位置安定性と機械的　　　　　１強
度を保つことが良く知られている。These substrates are well known to maintain the positional stability and mechanical strength of the substrate by leaving a controlled amount of tensile stress within the substrate.

したがってマスク基板４を支える支持枠１はこの引張り
応力に十分耐えるだけの強度が必要となる。Therefore, the support frame 1 that supports the mask substrate 4 needs to have sufficient strength to withstand this tensile stress.

一般に、この内部応力は約０．１〜１０　Ｘ　１０’ｄ
ｙｎ／ａＩ？の範囲にあり、強度的には厚さ０．３〜０
．５ｍｍのＳｉウェハーならば幅５ｍ程度のリング状支
持枠でこれを支えることができる。Generally, this internal stress is about 0.1-10 x 10'd
yn/aI? In terms of strength, the thickness is in the range of 0.3 to 0.
．． A 5 mm Si wafer can be supported by a ring-shaped support frame with a width of about 5 m.

しかし、従来のＸ線露光用マスクを微視的に見ると支持
枠の内側近傍のマスク基板４が歪むことがわかった。However, when looking at the conventional X-ray exposure mask microscopically, it was found that the mask substrate 4 near the inside of the support frame is distorted.

支持枠の強度が十分であるにもかかわらず、この現象が
起る原因について検討を行った結果、以下の理由である
ことがわかった。As a result of investigating the reason why this phenomenon occurs even though the strength of the support frame is sufficient, it was found that the reason is as follows.

すでに述べたように、支持枠はマスク基板４形成後ウエ
ハーを裏面よりエツチングし作製する。As already mentioned, the support frame is fabricated by etching the wafer from the back side after forming the mask substrate 4.

ここでウェハーの厚さは数百μｍ以上あるためエツチン
グの不均一性から支持枠のエッヂ８は第５図に示すよう
に荒れた形状となる。Here, since the thickness of the wafer is several hundred micrometers or more, the edge 8 of the support frame has a rough shape as shown in FIG. 5 due to non-uniform etching.

このエッチ不均一部に前記マスク基板４の内部応力が集
中するため、マスク基板４に歪が発生することが明らか
となった。It has become clear that the internal stress of the mask substrate 4 is concentrated in this non-uniform etching area, causing distortion in the mask substrate 4.

このマスク基板４の歪みはマスク基板上に形成したパタ
ーンの位置精度を著しく損う結果となる。This distortion of the mask substrate 4 results in a significant loss of positional accuracy of the pattern formed on the mask substrate.

この問題をが決するためにはマスク基板４と接する支持
枠のエッチ荒れを防げば良い。In order to solve this problem, it is sufficient to prevent rough etching of the support frame in contact with the mask substrate 4.

この荒れを防ぐため１本発明では結晶構造を有するウェ
ハー基板表面に不純物を拡散すると拡散した領域のエツ
チング速度が変化するという一般的に良く知られた性質
を利用する。In order to prevent this roughness, the present invention utilizes the generally well-known property that when an impurity is diffused into the surface of a wafer substrate having a crystal structure, the etching rate of the diffused region changes.

なお、Ｓｉ基板表面に不純物を拡散した後にＸ線マスク
を作製する手法としては、　Ｊ　、Ｖａｃ、Ｓｃｉ＆Ｔ
ｅｃｈｎｏ１．１６　、１９６２（１９７９）における
Ｌ　、　Ｃｓｅｐｒｅｇ　：による”Ｆａｂｒｉｃａｔ
ｉｏｎ　ｏｆ　５ｉｌｉｃｏｎ　Ｄｘｙｈｉｔｒｉｄｅ
Ｍａｓｋｓ　ｆｏｒ　Ｘ−ｒａｙ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐ
ｈｙ”　と題する文献において示されている。Note that methods for producing an X-ray mask after diffusing impurities on the surface of a Si substrate include J, Vac, Sci&T
echno1.16, 1962 (1979) by L, Csepreg: “Fabricat
ion of 5ilicon Dxyhitride
Masks for X-ray Lithograp
hy''.

しかし、この方法では不純物拡散層をウェハー基板表面
全面に形成した後、マスク基板を被着しており、不純物
拡散層を支持枠エッチの荒れ防止に利用する点について
は配慮されていなかった。However, in this method, a mask substrate is attached after forming an impurity diffusion layer on the entire surface of the wafer substrate, and no consideration is given to the use of the impurity diffusion layer to prevent roughness of the support frame etch.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は１以上のような従来のマスク基仮支持枠
構成を改良し、滑らかなエッチ形状を有する支持枠を提
供することにより、マスク基板の歪みを最小限とするこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to minimize distortion of the mask substrate by improving one or more conventional mask base temporary support frame configurations and providing a support frame having a smooth etched shape. .

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

マスク基板支持枠のエッチ形状はエツチングの進行具合
に左右される、すなわち、エツチングの不均一性がエッ
チの荒れの原因となる。The etched shape of the mask substrate support frame depends on the progress of etching; that is, non-uniformity of etching causes roughness of etching.

この問題に対し１本発明は、結晶構造を有するウェハー
中にイオンを打込むか、熱拡散すると、その領域のエツ
チング速度が変化するという性質を利用するもので、支
持枠として残すべき領域あるいはその他の領域のウェハ
ー表面にあらかじめ上記のいずれかの処理を施すことで
、裏面エツチングの不均一性に起因するエッチ荒れを防
止する。To solve this problem, the present invention utilizes the property that when ions are implanted or thermally diffused into a wafer having a crystalline structure, the etching rate of that region changes. By performing one of the above treatments on the wafer surface in the area in advance, etch roughness due to non-uniformity of backside etching can be prevented.

第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例の製造工程
を示す断面図である。FIGS. 1(a) to 1(d) are cross-sectional views showing the manufacturing process of an embodiment of the present invention.

まず第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板９上に通常の
ホトレジ工程によりレジストパターン１０を形成し、こ
れをマスクにホウ素を打込み。First, as shown in FIG. 1(a), a resist pattern 10 is formed on a Si substrate 9 by a normal photoresist process, and using this as a mask, boron is implanted.

不純物拡散層１２を形成するＳｉ基板９中にホウ素を打
込むとＫＯＨおよびヒドラジン液に対するエツチング速
度が低下する。When boron is implanted into the Si substrate 9 forming the impurity diffusion layer 12, the etching rate for KOH and hydrazine solutions decreases.

第６図は、この現象を示す実験結果である。FIG. 6 shows experimental results showing this phenomenon.

第６図の結果からホウ素をＳｉに打込むとエツチング速
度が急激に低下するのがわかる。From the results shown in FIG. 6, it can be seen that when boron is implanted into Si, the etching rate decreases rapidly.

エツチング速度が低下するほど本発明にお１づるプロセ
ス裕度は増大するが、実用上１０：８程度のエツチング
速度の差が必要であり、ホウ素を１ｏ１９イオン／ｄ以
上打込むことが望ましい。As the etching rate decreases, the process margin according to the present invention increases, but in practice, a difference in etching rate of about 10:8 is required, and it is desirable to implant boron at 1019 ions/d or more.

本実施例では３　Ｘ　１０”イオン／ＣｆＩホウ素を打
込んだ。In this example, 3 x 10'' ions/CfI boron were implanted.

又この時のイオン打込み深さは０．４μｍとした。Further, the ion implantation depth at this time was 0.4 μm.

次に第１図（ｂ）に示すようにレジスト１０を除去した
後、ウェハー表面上に気相反応力により窒化ホウ素１１
を被着する。Next, as shown in FIG. 1(b), after removing the resist 10, boron nitride 11 is deposited on the wafer surface by gas phase stress.
be coated with.

この窒化ホウ素膜１１はマスク基板となる。This boron nitride film 11 becomes a mask substrate.

この後回（ｃ）に示すようにウェハー裏面中央１［ 部のみ上記ＫＯＨあるいはヒドラジン液によりエツチン
グする。After this, as shown in step (c), only the center 1 part of the back surface of the wafer is etched using the above KOH or hydrazine solution.

この時、先に述べたホウ素拡散層１２はエツチング速度
が遅いため図（ｃ）に示すように残存する。At this time, the boron diffusion layer 12 mentioned above remains as shown in FIG. 3(c) because the etching rate is slow.

残存したホウ素拡散層１２のエッヂ１３は図（ａ）のレ
ジストパターン１０のエッチ形状と等しく、レジストパ
ターン１０のエッチ形状は滑らかであるため、拡散層１
２のエッヂ１３も滑らかとなる。The remaining edge 13 of the boron diffusion layer 12 is the same as the etch shape of the resist pattern 10 in FIG.
The edge 13 of 2 also becomes smooth.

この後、図（ｄ）に示すＸ線吸収体となるマスクパター
ン１４を電子ビーム露光と化学エツチングあるいはその
他の方法により形成しｘｉ露光マスクが完成する。Thereafter, a mask pattern 14 serving as an X-ray absorber as shown in FIG. 3(d) is formed by electron beam exposure, chemical etching, or other methods to complete the xi exposure mask.

第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明を示す他の実施例の製造
工程を示す断面図である。FIGS. 2(a) to 2(d) are sectional views showing the manufacturing process of another embodiment of the present invention.

まず第２図（ａ）に示すようにＳｉ基板１５上にレジス
トパターン１６を形成し、これをマスクにリンを打込む
。First, as shown in FIG. 2(a), a resist pattern 16 is formed on a Si substrate 15, and using this as a mask, phosphorus is implanted.

この時のイオン打込み深さは０．４μｍとした。The ion implantation depth at this time was 0.4 μm.

Ｓｉ基板中にリンを拡散させるとフ化アンモ液（ＮＨ４
Ｆ＋Ｈ２０）に対するエツチング速度が増大する。When phosphorus is diffused into the Si substrate, ammonia fluoride (NH4
The etching rate for F+H20) is increased.

第７図はこの現象を示す実験結果である。FIG. 7 shows experimental results showing this phenomenon.

同図の結果からリンを１０１″イオン／ｄ以上Ｓｉに打
込むとエツチング速度が２倍以上に増大することがわか
る。From the results shown in the figure, it can be seen that when 101'' ions/d or more of phosphorus is implanted into Si, the etching rate increases by more than twice.

上記ホウ素の場合同様打込みイオン数が多いほどエツチ
ング速度が大きく変化し本発明におけるプロセス裕度が
増大する。As in the case of boron, the etching rate changes greatly as the number of implanted ions increases, increasing the process margin in the present invention.

本実施例ではリンを２　Ｘ　１０”イオン／ｄ打込んだ
。In this example, phosphorus was implanted at 2×10” ions/d.

この後、第２図（ａ）に示すレジスト１６を除去する。After this, the resist 16 shown in FIG. 2(a) is removed.

以下、上記実施例（第１図）と同じく窒化ホウ素１７を
被着（図（ｂ））Ｌ、同じ＜Ｓｉ基板を裏面よりエツチ
ングする（図（Ｃ））。Thereafter, boron nitride 17 is deposited (FIG. 1B) in the same manner as in the above embodiment (FIG. 1), and the Si substrate is etched from the back side (FIG. 1C).

この時、先に述べたリン拡散層１８はエツチング速度が
速く、支持枠エッヂ６が選択的に残存する。At this time, the above-mentioned phosphorus diffusion layer 18 has a high etching speed, and the support frame edge 6 selectively remains.

支持枠の形状は不純物拡散層１８のエッチ形状で決るた
め、滑らかな形状となる。Since the shape of the support frame is determined by the etched shape of the impurity diffusion layer 18, it has a smooth shape.

その後、上記マスクパターンを形成（図（ｄ））し１．
ｘＬＡ露光マスクが完成する。After that, the above mask pattern is formed (Figure (d)) and 1.
The xLA exposure mask is completed.

なお、打込んだ領域のエツチング速度が速くなる例とし
てはリン以外にはヒ素がある。In addition to phosphorus, there is arsenic as an example of increasing the etching speed of the implanted region.

ヒ素を用いても本実施例と同じプロセスにより本発明を
実施可能である。なお、ヒ素に対するエツチング速度の
増加の割合も第７図と同様である。Even if arsenic is used, the present invention can be carried out by the same process as in this example. Note that the rate of increase in etching rate with respect to arsenic is also the same as in FIG.

本発明によれば、支持枠のエッチ形状は不純物拡散層の
エッチ形状で決る。According to the present invention, the etch shape of the support frame is determined by the etch shape of the impurity diffusion layer.

不純物拡散層のエッチ形状は通常のホトリソグラフィ技
術で十分層らかにすることができる。The etched shape of the impurity diffusion layer can be made sufficiently smooth by ordinary photolithography technology.

したがって、本発明を用いることで滑らかなエッチ形状
を有する支持枠を形成することができる。Therefore, by using the present invention, a support frame having a smooth etched shape can be formed.

このため、支持枠近傍でマスク基板が歪む問題はなくな
る。Therefore, the problem of distortion of the mask substrate near the support frame is eliminated.

なお、本実施例ではウェハー基板としてｓｉ。In this example, the wafer substrate is Si.

不純物としてホウ素、リン、ヒ素を使用する方法につい
て述べたが、他のＧｅ、金属結晶ウェハーを用いる場合
でもｐ、Ｂ、Ａｓ、Ｈ，等を打込み、エツチング液を選
定すれば何ら問題なく本発明を実施することができる。The method using boron, phosphorus, and arsenic as impurities has been described, but even when using other Ge or metal crystal wafers, the present invention can be applied without any problem if p, B, As, H, etc. are implanted and the etching solution is selected. can be carried out.

又、本発明はマスク基板材に影響されない、すなわち、
ＢＮＮ膜外外ホウ素化合物あるいは窒化物、金属膜等で
も何ら問題な〈実施可能である。Also, the present invention is not sensitive to the mask substrate material, i.e.
It is also possible to use a boron compound, nitride, metal film, etc. outside the BNN film without any problem.

又、本実施例は、ウェハーの裏面エツチング後マスクパ
ターン形成を行う場合について述べたが、パターン形成
後、ウェハーの裏面エッチを行っても何ら支障なく本発
明を実施可能である。Furthermore, although this embodiment has been described with reference to the case where the mask pattern is formed after etching the back surface of the wafer, the present invention can be carried out without any problem even if the back surface of the wafer is etched after pattern formation.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、Ｘ線露光用マスク支持枠の近傍で生じ
た最大±０．５μｍの位置精度を±０．１μｍ以下に低
下できるので、Ｘ線露光による位置精度の高い写真製版
が可能となる。According to the present invention, the maximum positional accuracy of ±0.5 μm that occurs near the X-ray exposure mask support frame can be reduced to ±0.1 μm or less, making it possible to perform photolithography with high positional accuracy using X-ray exposure. Become.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例の製造工程
を示す図である。第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他
の実施例の製造工程を示す図である。第３図は従来のＸ
線露光用マスクの断面図を示す、第４図は従来のＸ線露
光用マスクの製造工程を示す図である。第５図は従来の
ｘｉ露光用マスクを表面側から見た図であり、支持枠の
エッチ荒れを模式的に示した図である。第６図はＳｉに
ホウ素を打込んだ場合のエツチング速度変化比を示す図
である。第７図はＳｉにリンを打込んだ場合のエツチン
グ速度変化比を示す図である６１・・・支持枠（Ｓ　ｉ
ウェハー）、２・・・レジストパターン、３・・・不純
物拡散層、４・・・マスク基板（ＢＮ）、５・・・マス
クパターン、６・・・拡散層エッチ、７￥３記 ＣＯＬ） ヰ乙口FIGS. 1(a) to 1(d) are diagrams showing the manufacturing process of an embodiment of the present invention. FIGS. 2(a) to 2(d) are diagrams showing the manufacturing process of another embodiment of the present invention. Figure 3 shows the conventional
FIG. 4, which shows a cross-sectional view of a mask for ray exposure, is a diagram illustrating the manufacturing process of a conventional mask for X-ray exposure. FIG. 5 is a diagram of a conventional xi exposure mask viewed from the front side, and is a diagram schematically showing etch roughness on the support frame. FIG. 6 is a diagram showing the etching rate change ratio when boron is implanted into Si. FIG. 7 is a diagram showing the etching speed change ratio when phosphorus is implanted into Si.
Wafer), 2... Resist pattern, 3... Impurity diffusion layer, 4... Mask substrate (BN), 5... Mask pattern, 6... Diffusion layer etch, 7 yen 3 COL) ヰOtsuguchi

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、下記工程を含むＸ線露光用マスクの作製方法（１）
Ｇｅ、Ｓｉ単結晶あるいは金属結晶からなるウェハー上
の所望領域にイオン打込み法あるいは熱拡散法により不
純物を注入する工程、（２）上記ウェハー基板上に軟Ｘ
線を透過し易い材質からなるマスク基板を被着する工程
、 （３）上記ウェハー基板の所望領域を裏面よりエッチン
グしマスク基板の裏面を露出させる工程、および （４）上記マスク基板上に軟Ｘ線を吸着する材質からな
るマスクパターンを形成する工程 ２、上記ウェハー基板としてＳｉを用いる場合、不純物
としてホウ素、リン、ヒ素のいずれかを拡散してなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光用
マスクの作製方法。[Claims] 1. Method for producing an X-ray exposure mask including the following steps (1)
A step of implanting impurities into a desired region on a wafer made of Ge, Si single crystal or metal crystal by ion implantation or thermal diffusion; (2) soft X on the wafer substrate;
(3) etching a desired area of the wafer substrate from the back surface to expose the back surface of the mask substrate; (4) etching a soft X on the mask substrate; Step 2 of forming a mask pattern made of a material that attracts lines, when Si is used as the wafer substrate, one of boron, phosphorus, and arsenic is diffused as an impurity. 2. Method for producing an X-ray exposure mask as described in Section 1.