JPS615232A - Formation of oriented layer - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業トの利用可能性〕 本発明は、少なくとも１つの＋ルの扁平な表向を、＃、
（供給源ないしは蒸着源かち出゛ζ分散し該）口Ｉｉｌ
に０°と異なった入射角の下に衝突する部分流Ｑ、二暴
露させて、該表面上に配向層を形成する方法と、その方
法を実施する装置、並びに、これらの形成方法及び装置
のための液晶基体に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Applicability] The present invention provides that the flat surface of at least one +
(Distributed from a supply source or vapor deposition source)
A method for forming an alignment layer on a surface by exposing the impinging partial flow Q, to a surface under an angle of incidence different from 0°, an apparatus for carrying out the method, and a method and apparatus for the formation thereof. This invention relates to liquid crystal substrates for use in liquid crystal substrates.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この形式の装置は、米国特許第３８３４７９２号によっ
て従来から知られている。A device of this type is previously known from US Pat. No. 3,834,792.

この形成方法は、液晶表示装置において液晶に指向して
基体面に配向層を形成するごとに′ｌ！１に適合してい
る。その場合、該基体面には、例えばＳｉＯ系の傾斜蒸
着によって、傾斜柱状要素から成る構造が形成される（
グツトマン、Ｌ、Ａｌ１か、「傾斜蒸着酸化珪素フィル
ムのトポグラソイ及びその液晶配向にネ寸する効果Ｊ、
電子装置６、二対するＩＥＥＥＩ−ランザクションズ、
Ｖｏｌ　、　　ＦＥＤ　−２４、Ｎｏ、　　７．１９７
７、ｐ７９５〜８０４）、これらの要素は、基体面に続
く境界層内に、ちる液晶の光軸を、成るイ憂先方向と平
行に配向させるＣ′とにより、液晶内のコヒーレンスに
基づいで、全表示セル内の液晶の形態を木質的に変更さ
−１る。This formation method is used to form an alignment layer on the substrate surface oriented toward the liquid crystal in a liquid crystal display device. 1. In that case, a structure consisting of inclined columnar elements is formed on the substrate surface by, for example, inclined vapor deposition of SiO-based material (
Guttmann, L. Al1, “Topography of graded evaporated silicon oxide films and their effect on liquid crystal alignment, J.
Electronic devices 6, 2 IEEE I-Transactions,
Vol, FED-24, No, 7.197
7, p. 795-804), these elements are based on the coherence within the liquid crystal by C' which orients the optical axis of the liquid crystal parallel to the direction of the liquid crystal within the boundary layer following the substrate surface. , the form of the liquid crystal in all display cells is changed to woody-1.

米国特許第３８３４７９２号に、Ｌっ゛Ｃ既知のこの形
成方法によれば、蒸着層を形成しようとする１対の基板
を、木質的には点状の蒸着ａ＋λの１．方に、この蒸着
源からの粒子流が、基板に幻する垂線との間の約８０°
の入射角で基板面に衝突するように、真空装置中に収納
する。基板と蒸着源との間の相対的な空間位置は、蒸着
の間変更されない。According to this known formation method, LC is disclosed in US Pat. No. 3,834,792, in which a pair of substrates on which a vapor deposited layer is to be formed is formed into a dot-like vapor deposition layer a+λ of 1. On the other hand, the particle flow from this evaporation source is approximately 80° between the perpendicular to the substrate.
It is housed in a vacuum apparatus so that it collides with the substrate surface at an incident angle of . The relative spatial position between the substrate and the deposition source remains unchanged during deposition.

配向層によって定まる光軸の優先方向＆；ｌ：、基体面
の各点において、配向層の厚さだけでなく、蒸着源から
放出される粒子流の入射方向にも依存し、その場合に、
前記優先方向と基体面との間の傾斜バイアス角度は１１
粒子流の入射角に依存しくジェッファー、Ｔ、Ｊ、、ネ
ールンク、Ｊ、ｒ液晶の傾斜バイアス角度の正確な決定
」、シュー−。アプライド、フィジックス、Ｖｏｌ、　
４８　、ＮＯ，’、）、１９７’Ｌｐ　１７８３−１．
７９２も参照）、また優先方向のアジマス方位は、入射
粒子流の’ｃ　、ｔ’１．　Ｌ’Ｌ対応１−７でいるた
め、粒子流が空間的にこの、１、）に発散さ′１１．る
５ユとによって、全基体面Ｑこわたろ優先方向の一イ５
トな整列は、蒸着源と基体面との間の距離が基体面の長
さに比へて非常に大きい場合にし７か達成されない。The preferred direction of the optical axis defined by the alignment layer &;l:, at each point on the substrate surface, depends not only on the thickness of the alignment layer but also on the direction of incidence of the particle stream emitted from the deposition source, in which case:
The tilt bias angle between the preferred direction and the substrate plane is 11
"Accurate determination of the tilt bias angle of liquid crystals as a function of the angle of incidence of the particle stream", Jeffer, T. J., Nehrnck, J. r. Applied, Physics, Vol.
48, NO,',), 197'Lp 1783-1.
792), and the azimuth orientation of the preferred direction is determined by 'c, t'1 . Since the L'L correspondence is 1-7, the particle flow is spatially diverged into this,1,)'11. By 5U, the entire base surface Q is set in the priority direction.
A perfect alignment is only achieved if the distance between the deposition source and the substrate surface is very large compared to the length of the substrate surface.

アジマス方イ☆のこの−・様さ−（１′＋倒バイアス角
度の不規則性は比較的少な（作用するー　は、液晶の満
足な光特性を実現するうえに絶対に必要である。This relatively small irregularity in the azimuth direction I☆ (1' + inverted bias angle) is absolutely necessary to achieve satisfactory optical properties of liquid crystals.

例えば１９２点×２８０点の大表面の７トリノクス表示
装置と約＋４Ｘ２０ｃｍの活性面４二１ｒいて、許容さ
れうるアジマス変動が５°、Ｌりも少ない配向層を形成
するには、従来の方法の場合、蒸着源から基体面までの
距離を２３０Ｃｍよりも大きくすることが必要になる。For example, in order to form an alignment layer with a large surface area of 192 points x 280 points and an active surface of about +4 x 20 cm with a permissible azimuth variation of 5° and less than L, conventional methods are required. In this case, it is necessary to make the distance from the vapor deposition source to the substrate surface larger than 230 cm.

このように距１ギ１を人きくすると、真空室か大形化し
て設備コストが高くなり、ポンプ作動時間が長くなり、
基板の歩留りか低生する。Increasing the distance per gear in this way increases the size of the vacuum chamber, increases equipment costs, and increases pump operating time.
Substrate yield will be low.

他ブｊでは、従来の方法を前記の大きさの基板るこ適用
し７た場合、薄着距離を、小形の真空室によって実現可
能な、約３０ｃｍという大きさにすると、アジマス方向
が約３０°変動する。この大きさオーダーの変動と、そ
れに結びイζｊいた液晶の回転角の変動とは、完成した
表示セルの到底認容しえない応答時間、作動電圧及び色
の変動を惹起させる。In other cases, when the conventional method is applied to a substrate of the above size, and the thin bonding distance is set to about 30 cm, which can be achieved with a small vacuum chamber, the azimuth direction is about 30°. fluctuate. Variations of this order of magnitude, and associated variations in the rotation angle of the liquid crystal, cause completely unacceptable variations in response time, operating voltage, and color of the finished display cell.

別の既知の方法（コシダ、Ｎ：Ｉ−？ｆｊ、品の大表面
擬ホメオトロピック配向及びゲストボストポジティブ ジンクス、Ｖｏｌ．　５　２　、Ｎｏ．　　９、］９８
１、ｐ５３４〜５３６）によれば、点蒸着源の代りに長
さ約４０龍の直線状の蒸着源が用いられる。しかし２、
幾何学的な理由から明らかなように、全蒸着面にわたっ
て一様な優先方向のアジマス配向は、無限長の蒸着源の
みによって達成される。蒸着源を限られた長さに引伸ば
すことは、不規則性を多少緩和しうるにすぎない。更に
、蒸着源の長さを大きくすると、粒子粒の密度が不規則
になり、電子流蒸着法の適用の効果が失われる。Another known method (Koshida, N:I-?fj, Large Surface Pseudo-Homeotropic Orientation of Products and Guest Bost Positive Jinx, Vol. 52, No. 9,] 98
1, p. 534-536), instead of a point deposition source, a linear deposition source of about 40 lengths is used. But 2,
For geometrical reasons, it is clear that a uniform preferential azimuthal orientation over the entire deposition surface can only be achieved with an infinitely long deposition source. Stretching the deposition source to a limited length can only alleviate some of the irregularities. Furthermore, increasing the length of the deposition source results in irregular grain density, which makes the application of electron current deposition less effective.

更に別の方法（ヒロシマ、Ｋ：「ガラスフリットシール
に順応可能な制御された高傾倒角ネマチック整列１、Ｊ
．アプライド、フィシ、、クス、Ｖｏｌ。Yet another method (Hiroshima, K: "Controlled High Tilt Angle Nematic Alignment Adaptable to Glass Frit Seals 1, J
．． Applied, Fisi,, Cus, Vol.

２１、Ｎｏ．１２、１９８２、ｐ７６１〜７６３）によ
れば、基板面に衝突する粒子流のアジマスが定常的に変
化するように、蒸着工程の間基板を角度依存角速度ご回
動させる。21, No. 12, 1982, p. 761-763), the substrate is rotated at an angle-dependent angular velocity during the deposition process so that the azimuth of the particle stream impinging on the substrate surface changes constantly.

この方法では、大きな基板と比較的小さな蒸着源一基板
間の距闘ｆについて優先方向の十分に規則的な一様なア
ジマス配向が得られないことはさておいて、各々の基板
について固有の回動自在な保持がそれに対応して制御さ
れる駆動と共に必要になるため、この方法を実施するた
めに必要な装置は、高価に、また複雑になる。そのため
１回の作業工程によってＦ着処理される基板の数も少な
くなる。Apart from the fact that this method does not provide a sufficiently regular and uniform azimuth orientation of the preferred direction with respect to the distance f between a large substrate and a relatively small deposition source, the unique rotation of each substrate Since a flexible holding is required with a correspondingly controlled drive, the equipment required to carry out this method is expensive and complex. Therefore, the number of substrates subjected to the F-bonding process in one work process is also reduced.

米国特許第３０／１６８３９号によゲζ公知の、平行溝
付き極板の選択蒸着方法によれば、−・側に配向された
溝の側面に、、傾斜方向からの粒子流によって、金属層
がイ１与され、横格子のロンドが形成される。溝の側面
に、厚さ及び長さについて可及的に均等な蒸着層を形成
するために、蒸着源と基板との間に絞りが配設され、こ
の絞りを通過する部分流を通って蒸着過程の間に基板を
粒子流と大体平行に移動させる。蒸着された金属層は、
単に光不透過層の機能を有するにすぎない。粒子流に対
して大体平行に基板を移動させるため、入射角は一定に
なるが、基板面にわたる入射方向のアジマス変化はそれ
によっては影響されない。そのため、液晶の配向層の形
成にこの既知の方法を適用することは、主要なアジマス
配向について大きな改良をもたらさない。According to a method of selective vapor deposition of a parallel grooved electrode plate, which is known from U.S. Pat. is given, and a horizontal lattice rondo is formed. In order to form a deposited layer as uniform as possible in terms of thickness and length on the sides of the groove, a restriction is arranged between the deposition source and the substrate, and the deposition is carried out through a partial flow passing through this restriction. During the process, the substrate is moved roughly parallel to the particle stream. The deposited metal layer is
It simply has the function of a light-opaque layer. By moving the substrate approximately parallel to the particle stream, the angle of incidence remains constant, but the azimuth variation in the direction of incidence across the substrate surface is not thereby affected. Therefore, applying this known method to the formation of alignment layers of liquid crystals does not result in significant improvements in the main azimuth alignment.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

特許請求の範囲第１、９、１１項によって規定される本
発明は、特にアジマス方向について優先方向が規則的に
一様に整列された配向層を、大きな表面と、蒸着源と基
体面との間のわずがな距離について形成するための、明
細四本文の冒頭に述べた形式の方法と、該方法を実施す
るだめの廉価な装置と、該方法に従って製造される液晶
基板とを提供する。The invention as defined by claims 1, 9 and 11 provides an alignment layer whose preferred directions are regularly and uniformly aligned, particularly in the azimuth direction, over a large surface, between the deposition source and the substrate surface. Provided is a method of the type described at the beginning of the main text of specification 4 for forming a small distance between the two, an inexpensive apparatus for carrying out the method, and a liquid crystal substrate manufactured according to the method. .

本発明の利点は、蒸着される表面の全部の点がアジマス
方向について入射粒子流に正確に同じ仕方で暴露される
ことに存する。これによって配向層の液晶光軸の優先方
向のアジマス配向が士．分に規則的になる。板の大きさ
は成る方向について真空室の寸法のみによって制限され
る。蒸着源とそれに指向した板縁部との間の距離は、所
要の床面度に小さくすることができる。An advantage of the invention consists in that all points of the surface to be deposited are exposed to the incident particle stream in exactly the same way in the azimuthal direction. This ensures that the azimuth orientation of the preferred direction of the liquid crystal optical axis of the alignment layer is corrected. Becomes regular in minutes. The size of the plate is limited only by the dimensions of the vacuum chamber in its direction. The distance between the deposition source and the plate edge pointing towards it can be reduced to the required degree of flooring.

また、本発明の形成方法によれば、複数の板を単一の作
業工程において蒸着処理できるため経済性が高くなる。Further, according to the forming method of the present invention, a plurality of plates can be vapor-deposited in a single process, thereby increasing economical efficiency.

本発明の形成方法を実施するための形成装置は、堅強で
簡単な構造をもち、廉価に製造することができる。The forming apparatus for carrying out the forming method of the present invention has a strong and simple structure and can be manufactured at low cost.

次に図面に示した本発明の好ましい実施例を参照して説
明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made to preferred embodiments of the invention shown in the drawings.

〔実施例〕〔Example〕

本発明による形成方法を実施するための、第１図の斜視
図に示した幾何学的な形態は、供給源面１７内に配され
た供給源、好ましくは点状の供給源１と、光源面１７と
平行にこれから成る距離に配置された絞り３とを備えて
おり、絞り３は、図示を節電にするために正方形の開し
−１として小された絞り開口４と共に、部分的に切欠い
て図示されている。絞り３の一ヒ方には、供紹源１から
放出されで絞り開口４により制限される粒子流がイの表
面１３１−に入射するように、板２が配設されている。The geometric configuration shown in the perspective view in FIG. 1 for carrying out the production method according to the invention comprises a source, preferably point-shaped source 1, arranged in the source plane 17 and a light source. a diaphragm 3 disposed parallel to and at a distance from the plane 17, the diaphragm 3 being partially cut away with a diaphragm aperture 4 which has been reduced as a square aperture-1 in order to save power in the illustration. It is illustrated. A plate 2 is arranged on one side of the diaphragm 3 so that the particle flow emitted from the source 1 and restricted by the diaphragm opening 4 is incident on the surface 131- of the diaphragm 3.

　　。　　.

板２は、供給源面１７と直交する原位置（破線で示す）
から、その表面１３が供給１京１に指向するように、同
動軸１２の回りに回動角δ回動される。Plate 2 is in the original position perpendicular to the source plane 17 (indicated by a dashed line)
From there, it is rotated by a rotation angle δ about the co-movement shaft 12 so that its surface 13 is oriented toward the supply 1,000,000.

ＳｉＯ、ＳｉＯ□、ＴｉＯ□、ＭｇＦ２、八１□Ｏ１又
は他の配向層の形成に適した材料の供給源１は、抵抗加
熱によるか又は電子流を介して、粒子流を送出するよう
に励起される。生成した粒子流が板２の表面１３、ヒに
成る所定の入射角で入射するのに十分な程度に指向され
る限り、粒子流を発生させるための別の任意の方法を用
いても差支えない。A source 1 of SiO, SiO□, TiO□, MgF2, 81□O1 or other materials suitable for forming an alignment layer is excited to deliver a stream of particles by resistive heating or via an electron stream. be done. Any other method for generating the particle stream may be used, as long as the generated particle stream is directed enough to be incident at a predetermined angle of incidence on the surface 13 of the plate 2. .

板２は、粒子流が表面１３のどの部分にも成る入射角δ
≠０６において入射）（゛るように位置決めされる。入
射角δは、慣用されるように、粒子流の１つの流線と板
２の垂線との間の角度である。The plate 2 has an angle of incidence δ at which the particle stream falls on any part of the surface 13.
The angle of incidence δ is, as conventionally used, the angle between one streamline of the particle stream and the normal to the plate 2.

本発明によれば、板２と供給源１とは、表面１３と平行
に、粒子流の方向と人体直角に、成る一定の速度で、第
］の位置から第２の位置に向って相対的に移動させる。According to the invention, the plate 2 and the source 1 are moved relative to each other from the first position towards the second position with a constant velocity parallel to the surface 13 and perpendicular to the direction of the particle flow. move it to

だの相対的な移動に当り、板２ば休止位置に保ち、供給
源１と絞り３とから成るユニットの方を移動させてもよ
い。しかし、抵抗加熱方式の供給源の場合には、この相
対移動方式の場合、高電流の可撓配線が必要になる。そ
のため、供給源１と絞り３とを位置固定させ板２を移動
させる相対移動方式が有利である。During the relative movement of the plates, the plate 2 may be kept in the rest position and the unit consisting of the supply source 1 and the diaphragm 3 may be moved. However, in the case of a resistive heating type source, this relative displacement type requires high current flexible wiring. Therefore, a relative movement method in which the supply source 1 and the aperture 3 are fixed in position and the plate 2 is moved is advantageous.

本発明による形成方法の好ましい実施例によれば、板２
の移動は、同動軸１２と平行に、従って供給源面１７と
平行に延びる直線の方向に、即ち第１図の矢印の方向に
行わせる。According to a preferred embodiment of the forming method according to the invention, the plate 2
The movement is carried out in the direction of a straight line extending parallel to the coaxial axis 12 and thus parallel to the source plane 17, ie in the direction of the arrow in FIG.

絞り開口４　（例えば一定の幅のスリット状の開口）は
、移動方向の両側が境界された粒子流のみを通過させる
。この境界は、板２がその第１及び第２位置では、該粒
子流の外にあり、移動の間に該粒子流を完全に通過する
ようになされている。The diaphragm aperture 4 (for example, a slit-like aperture of constant width) allows only particle streams bounded on both sides in the direction of movement to pass through. This boundary is such that the plate 2 is outside the particle stream in its first and second positions and completely passes through it during its movement.

第１位置と第２位置との中間にある位置において、粒子
流は、第１図に示すように、表面工３の成る部分面に入
射する。極端な場合には、この部分面１１は、全部の表
面１３と同一になりうる。At a position intermediate between the first and second positions, the particle stream impinges on the partial surface comprising the surface treatment 3, as shown in FIG. In the extreme case, this partial surface 11 can be identical to the entire surface 13.

板２の第１位置及び第２位置は、本発明による形成方法
を実施する装置の実施例に関連して、第２ａ、２ｂ図に
図示されている。イバ給源１及び絞り開口４を備えた絞
り３の上方には、移動方向と直角の方向に多数の板２が
２つの扇形の形状にキャリッジ６−トに並置してあり、
このキャリッジは、２つのレール（１つのみ符号７ａに
よ−１て示す）に沿って移動させることができる。キャ
リッジ６は、移動方向に延長するウオーム８を有ｊ７、
ごのウオームは、歯車９と噛合っている。歯車９は、板
２と共にキャリッジ６を移動させるように、電動機１０
によって駆動される。The first and second positions of the plate 2 are illustrated in Figures 2a and 2b in connection with an embodiment of an apparatus for carrying out the forming method according to the invention. Above the diaphragm 3 with the fiber supply source 1 and the diaphragm aperture 4, a number of plates 2 are juxtaposed on a carriage 6-t in the shape of two sectors in a direction perpendicular to the direction of movement.
This carriage can be moved along two rails (only one of which is designated -1 by 7a). The carriage 6 has a worm 8 extending in the moving directionj7,
The worm is meshed with the gear 9. The gear 9 is connected to an electric motor 10 so as to move the carriage 6 together with the plate 2.
driven by.

絞り開口４ば、図示した例によれば、中心面５に対して
好ましくは対称に位置している。中心面５ば、供給源］
を通って、移動方向と直角に、従って第１図の同動軸１
２と直角に延長している。According to the illustrated example, the diaphragm aperture 4 is preferably located symmetrically with respect to the central plane 5. Center plane 5, supply source]
through, at right angles to the direction of movement, thus co-moving axis 1 of FIG.
It extends at right angles to 2.

第３図は、第２ａ、２ｂ図に示した形成装置の正面図、
即ち、移動方向に見た図である。２つのレール７ａ、７
ｂの間には、７枚づつ２組の扇状に配列された板２が見
られ、各々の板２は、その全高にわたって表面が粒子流
によって完全に照射されるが、隣接する板２には蔭をつ
くらないように、供給源１に対して位置決めされ傾斜さ
れている。FIG. 3 is a front view of the forming apparatus shown in FIGS. 2a and 2b;
That is, it is a view seen in the direction of movement. two rails 7a, 7
Between b there can be seen two sets of seven plates 2 arranged in a fan-like manner, each plate 2 having its surface completely illuminated by the particle stream over its entire height, while the adjacent plates 2 are It is positioned and tilted relative to the supply source 1 so as not to create shadows.

板２」二の各々の点は、第４ａ図に例示的に記入された
直線ａ、ｂ、Ｃによって示すように、移動方向と平行に
延びる板面内の１つの直線上にある。Each point on the plate 2'2 lies on one straight line in the plane of the plate extending parallel to the direction of movement, as shown by the lines a, b, and C exemplarily drawn in FIG. 4a.

粒子流を通って板２が移動すると、直線ａ、ｂ、ｃＥの
点ば、個所Ｐａ、　Ｐｂ−Ｐｃにおいて粒子流に入り、
個所Ｑａ、Ｏｂ、ＯＣにおいて粒子流を離れる。その場
合、同一の直線上にある各々の点には、正確に合致した
同一の入射方向の粒子流が時間的に逐次衝突するので、
この直線に沿って配向層が正確にかつ一様に形成される
。When the plate 2 moves through the particle stream, it enters the particle stream at points Pa, Pb-Pc of straight lines a, b, cE,
Leaving the particle stream at locations Qa, Ob, OC. In that case, each point on the same straight line is bombarded by particle streams that coincide with each other and have the same direction of incidence, so
The alignment layer is formed accurately and uniformly along this straight line.

別々の直線」−にある点について６，１：それぞれの入
射角δａ１δｂ１６Ｃは相異し、第４ｂ図に示すように
、δａ〈δｂ〈δＣとなる。しかｌ−、、開口幅が一定
ならば、供給ｔＸ１から遠隔の直線、例えば直線Ｃ上に
ある点が供給源１に近い直線例えば直線ａ上にある点よ
りも長い時間を要するとしても、入射方向を表わす直線
は正確に同一・のアジマス方向を指向する。そのため、
板２の全表面に亘って、液晶の光軸の優先方向のアジマ
ス配向に関して配向層が一様に形成される。For points lying on separate straight lines 6,1: the respective angles of incidence δa1δb16C are different, such that δa<δb<δC, as shown in FIG. 4b. However, if the aperture width is constant, even if a point located on a straight line remote from the supply t Straight lines representing directions point in exactly the same azimuth direction. Therefore,
Over the entire surface of the plate 2, an alignment layer is formed uniformly with respect to the azimuth alignment of the preferential direction of the optical axis of the liquid crystal.

実施例 パルツアー社製ＢＡ−７１．０型の標ｙ１１Ｈ型頁空室
中において、第２ａ、２ｂ図に示した装置を使用して、
２４　Ｘ　２０　ｃｍの大きさの２枚の基板に、４ｃｍ
幅の絞り開口４を経てＳｉＯを蒸着する。供給源１から
基板の２４ｃｍの長さの基板の下部縁までの距離は３Ｑ
ｃｍである。４ｃｍ／分の移動速瓜を用いて、約８分間
で配向層を蒸着源する。基板の表面上からみると、供給
源１ば、この幾何学的形状の。Example Using the apparatus shown in Figs. 2a and 2b in a model BA-71.0 manufactured by Paltzer Company with a mark 11H type page,
4 cm on two boards with dimensions of 24 x 20 cm
SiO is deposited through the wide aperture 4. The distance from source 1 to the bottom edge of the board with a length of 24 cm is 3Q
cm. The alignment layer is sourced for about 8 minutes using a moving speed of 4 cm/min. Viewed from above the surface of the substrate, the source 1 has this geometric shape.

場合、約８６の円弧上を移動するように見えるであろう
。In this case, it would appear to move on about 86 circular arcs.

入射角δのわずかな相異は、配向層における液晶の光軸
と表１「１との間の角度の同様にわずかな偏より、即ち
バイアス傾きを惹起させるにずぎす、これは完成した液
晶表示の光電気的特性をごくわずか変更させるにすぎな
い。A slight difference in the incident angle δ will cause an equally slight deviation in the angle between the optical axis of the liquid crystal in the alignment layer and Table 1, i.e., a bias tilt, which will affect the finished liquid crystal. It only slightly changes the opto-electrical properties of the display.

蒸着される配向層のアジマス配向は、板２と供給源１と
を本発明に従って相対的に移動させることによって表面
１３全体に亘り完全に一定になるとしても、入射方向δ
の変化（第４１）図参照）及び特に蔚着層の厚みの変化
は解消されない。この変化は、供給源１から放出される
粒子流の特定的な強度分布と、供給／ｇ、１−板２間の
距離に基因する。Even though the azimuth orientation of the alignment layer to be deposited is completely constant over the surface 13 by the relative movement of the plate 2 and the source 1 according to the invention, the direction of incidence δ
(see Figure 41) and especially the change in the thickness of the weeping layer cannot be resolved. This variation is due to the specific intensity distribution of the particle stream emitted from the source 1 and the feed/g, 1-plate 2 distance.

板２の中心部に対する粒子流の入射角が約８５″であり
、また板２の中心部が供給′ｎ、１から６４ｃｍの距離
にあるように、３５．５　Ｘ　３５．５ｃｍ　（＋　４
　Ｘ１４インチ）の大きさの基板を供給源ｌに対して相
対的に配置した、実用的な場合に、基板の−１−縁から
下縁にかけて、ｙ着層の厚さは３倍になり、入射角は８
６．１°がら８３°に減少’！ｉ”　Ｚ）。35.5 x 35.5 cm (+4
In a practical case where a substrate of size x14 inches) is placed relative to the source l, the thickness of the y adhesion layer is tripled from the -1- edge to the bottom edge of the substrate; The angle of incidence is 8
Decreased from 6.1° to 83°'! i”Z).

入射角δの変化を少なくし、又は完全に除くために、本
発明による形成方法の別の実施態様によれば、板２は、
移動の間に、供給＃］に対して凹面状に曲げた状態に保
たれる。湾曲したＪ古根Ｊ−に蒸着するうえに重要な幾
何学的パラメーターを第５図に示す。In order to reduce or completely eliminate variations in the angle of incidence δ, according to another embodiment of the production method according to the invention, the plate 2 is
During the movement, it is kept in a concave bent position with respect to the feed #]. Important geometrical parameters for deposition on curved J roots are shown in FIG.

供給源面１７内にある供給ｔ１．１から放出された粒子
流は、湾曲した板２に衝突する。第５図は、中心部５を
通る断面によりこの構成を人ねし、ている。板２の１一
部縁Ｑこ衝突する粒子流の上部縁流は、供給源面１７°
との間に角度β１を形成し１、距離ｒ１を経過する。仮
２の下部縁に衝突する下部縁流の場合の角度はβ。、経
過する距離はｒ。である。２つの縁流の中間にある各々
の粒子流は、角度δ、距離ｒにあり、また湾曲した仮２
−ヒの衝突点に引いた接線ないしはこれに対する垂線に
よって限定された入射角δを存する。The particle stream emitted from the supply t1.1 located in the source plane 17 impinges on the curved plate 2. FIG. 5 illustrates this configuration by means of a cross section passing through the central portion 5. The upper edge flow of the particle flow colliding with one edge Q of the plate 2 is at 17° from the source surface.
An angle β1 is formed between them and a distance r1 passes. In the case of the lower edge flow colliding with the lower edge of provisional 2, the angle is β. , the distance traversed is r. It is. Each particle stream intermediate the two edge streams is at an angle δ, a distance r, and a curved temporary 2
- has an angle of incidence δ defined by a tangent drawn to the point of collision or a perpendicular to it.

そのほかに、第５図には、絞り而１４が作成されている
。絞り面】４と粒子流（β、ｒ）との交点は、直線パラ
メーターＸを形成し、このバー）メーターＸは、粒子流
を確定する。パラメーターｒ、β、Ｘに依存する入射角
δに対する要求は成る数学的曲線を示す式に到達する。In addition, a restrictor 14 is created in FIG. The intersection of the aperture plane ]4 and the particle flow (β, r) forms a linear parameter X, whose bar) meter X determines the particle flow. The requirements for the angle of incidence δ depending on the parameters r, β, X arrive at a formula representing a mathematical curve consisting of:

こｔｌ、　＆；ｌ：、対数螺線として知られ、既に規定
された極座標β、ｒに次のように記入される。This tl, &;l:, is known as a logarithmic spiral and is written in the previously defined polar coordinates β, r as follows.

ｒ　＝　ｒ　（、ｅｘ、ｐ（（β−β。）／ｌａｎ　（
９０−δ）（１）ここに座標ｒ０、β０ば、固定の基ン
ｊｌ一点としζ、下部縁流の衝突点に所属される。r = r (, ex, p((β-β.)/lan (
90-δ) (1) Here, coordinates r0, β0, and fixed base jl are assumed to be one point ζ, which belongs to the collision point of the lower edge flow.

上部縁流のσｉ突点の極座標は、式（１１により規定さ
れた対数螺線の成る曲線区間に亘る線形積分を板２の高
さｈに等しいとおく条件から得られる。The polar coordinates of the σi salient point of the upper edge flow are obtained from the condition that the linear integral over the curved section of the logarithmic spiral defined by equation (11) is equal to the height h of the plate 2.

ｒｌ　”’　ｒ　ｏ　Ｌ！ｘｐ（（β、−βｏ）　／　
ｊａｎ　（９０−δ））（３］板２の既知の高さと所定
の入射角δとについて、式（１）、（２１１，（３１か
ら、第３図に示した複数の扇状に配列された板の対応す
る位置及び曲率が計算される。１４枚の扱２に対するこ
の計（γの結果を第６ａ図に示す。rl ”' r o L!xp((β, -βo) /
jan (90-δ)) (3] For the known height of the plate 2 and the predetermined angle of incidence δ, from equations (1), (211, (31) The corresponding positions and curvatures of the plates are calculated. The result of this sum (γ) for treatment 2 of 14 plates is shown in Figure 6a.

この第６ａし１かられかるように、同一−・の入射角δ
（第６ａ図の例でばδ−８５°）について必要な板２０
曲率の値はわずかである。これは特に第７図に示され、
この第７図には、第［−ｉ　ａ図に示した長さ３５．５
　ｃｍの１４枚の板の基線（直線）からの偏よりＤか長
さしの関数として、縦軸の目盛の幅を拡大して図示され
ている。７枚づつ２組の対称扇状の配列に力］応Ｕ７て
、７つの界なった曲線が得られ、曲率の値は、第６ａ図
の外側の仮２から内側の板２に向って増大し、最大の曲
率は約２ＩＩｍである。As seen from this 6th a to 1, the incident angle δ of the same -.
(in the example of Figure 6a, δ-85°), the required plate 20
The value of curvature is small. This is particularly shown in Figure 7,
In this Figure 7, the length 35.5 shown in Figure [-i a]
The width of the scale on the vertical axis is expanded as a function of the deviation D from the base line (straight line) of the 14 plates of cm. Applying force to two sets of symmetric fan-shaped arrays of seven plates], seven bounded curves are obtained, and the value of curvature increases from the outer plate 2 to the inner plate 2 in Fig. 6a. , the maximum curvature is about 2IIm.

基板には、例えば約０．７　ｉｎの厚さのガラス基板か
用いられ、ｎ１１述した寸法のガラス２Ｎ板は中心部か
ら１５朋以−ヒ曲げることができるので、第７図に示し
た最大２Ｉ１ｍの偏よりは問題なく実現される。For example, a glass substrate with a thickness of about 0.7 inches is used as the substrate, and since a glass 2N plate with the dimensions mentioned above can be bent 15 mm from the center, the maximum thickness shown in Fig. 7 can be bent. This can be realized without any problems compared to the 2I1m bias.

第６ａ図に示した板２の位置及び湾曲は、側面に配置し
た直立保持板にフライス削りによっ゛ζ形成した対応し
た湾曲状の溝に板２を圧入するご、とによって、蒸着上
程のために例えば固定す２）、、保持板自身番よ、第３
図に示したキャリッジ（第６ｄ図には、図面をわかり易
くする１・１的から図示されていない）に取付りる。The position and curvature of the plate 2 shown in FIG. For example, if you fix it 2), the retaining plate itself number, the third
It is attached to the carriage shown in the figure (not shown in Figure 6d for clarity of illustration).

本発明による形成方法の別の実施、態様においては、供
給ａ、１と板２との間の距離の変化と、供給源１から放
出される粒子流の所定の強度分布とを勘案する。この強
度分布は、近イ以的乙、云ｒ、ｏｓ　（９０″−β）則
（ここにβは、第５図において規定した極角度である）
に従うので、入射角δを−・定として、蒸着層の厚さｄ
について、次の比例関係が成立する。Another embodiment of the forming method according to the invention takes into account the variation of the distance between the supply a, 1 and the plate 2 and a predetermined intensity distribution of the particle stream emitted from the supply source 1. This intensity distribution is determined by the (90″-β) law (where β is the polar angle defined in Figure 5).
Therefore, the thickness d of the deposited layer is determined by setting the incident angle δ to −・ constant
The following proportional relationship holds true for .

ｄ〜（ｗ／ｒ）ｓｉｎ　β　　　　　　　（４）上式（
４）においてｒは、第５図に示した距離ないしは半径を
表わし、Ｗば、第５図のパラメーターＸによって規定さ
れた絞り而１４の個所においての絞り開ｌコ４の幅を表
わしている。d~(w/r)sin β (4) Above formula (
In 4), r represents the distance or radius shown in FIG. 5, and W represents the width of the aperture 14 at the location of the aperture 14 defined by the parameter X in FIG.

一定の厚さの配向層を得るには、式（４）において幅Ｗ
は、ｒ／ｓｉｎ　βに比例すべきである。式（１）を用
いて、書き直すと、 ここにｋは、基準化係数を表わし、２は供給源面１７と
絞り面１４との間の距離を表わしている。To obtain an alignment layer of constant thickness, the width W in equation (4)
should be proportional to r/sin β. Rewriting using equation (1), where k represents the scaling factor and 2 represents the distance between the source surface 17 and the aperture surface 14.

基準化係数には、絞り開口４の最大幅を実用的な値例え
ば７０１１１Ｉ＋に制限する。For the scaling factor, the maximum width of the diaphragm aperture 4 is limited to a practical value, for example 70111I+.

弐（５）に従って計算された第６ａ図の絞り３の絞り開
口４は、第６ｂ図の上面図に１ス１示され、また全体の
絞り開口は、部分領域１６にＶ画されている。１４枚の
各々の板２に１つの固イ１の部分領域１６が所属され、
各々の部分領Ｊ！ｉ１　［ｉは１．全粒子流の対応した
１つの部分流１５を絞る働きをしている。成る１つの選
定された板２′に所属する部分領域、１６は、第６ｂ図
に、境界線（破線）により示されている。各々の部分領
域１６内において、幅Ｗは、絞り面１４内のＸ座標値に
依る・シて、式（５）から定められる。全部の部分領域
は、簡略化の目的から、１９の大きな絞り開口４に合（
ｊ［され、２つの隣接した部分領域１６の間には対応し
たのこ歯状の遷移域がある。更に、第６ｂ図かられかる
ように、外側の部分領域の幅Ｗは、内側の部分領域の幅
Ｗに比べて多少大きいが、それは、所属する板２が供給
源１から対応して隔てられ、角度βが小さくなるにつれ
て強度分布が減少するためである。The diaphragm aperture 4 of the diaphragm 3 of FIG. 6a, calculated according to 2(5), is shown in the top view of FIG. Each of the 14 plates 2 is assigned one partial area 16 of the hard part 1,
Each partial territory J! i1 [i is 1. It serves to throttle one corresponding partial flow 15 of the total particle flow. The partial area 16 belonging to one selected plate 2' is indicated in FIG. 6b by a boundary line (dashed line). Within each partial region 16, the width W is determined from equation (5) depending on the X coordinate value within the aperture plane 14. All subregions are combined into 19 large diaphragm apertures 4 for simplification purposes (
j[, and there is a corresponding serrated transition zone between two adjacent partial regions 16. Furthermore, as can be seen from FIG. 6b, the width W of the outer subarea is somewhat greater than the width W of the inner subarea, since the associated plate 2 is correspondingly separated from the supply source 1. This is because the intensity distribution decreases as the angle β becomes smaller.

蒸着の際に板２を対数螺線に従って湾曲させず、扁平に
保った場合（第３図参照）　、ｊ！ｌ］−４）入射角δ
が一定でない場合には、式（４）によるものと異なった
次の比例関係が得られる。When plate 2 is not curved according to a logarithmic spiral during vapor deposition but kept flat (see Figure 3), j! l]-4) Incident angle δ
When is not constant, the following proportional relationship different from that obtained by equation (4) is obtained.

ｄ〜（ｗ／　ｒ　２）　・ｓｉｎ　β’ｒ、’（：Ｏ８
δ、（６）式（６）においてｒｌｌ、δ１は、中心面５
内にあって板２の表面Ｊ３に水平中心線において衝突す
る粒子流の成る流線の長さ及び入射角を、それぞれ表わ
している。d~(w/r 2) ・sin β'r,'(:O8
δ, (6) In equation (6), rll, δ1 are the central plane 5
The length and the angle of incidence of a streamline formed by a particle stream that impinges on the surface J3 of the plate 2 at the horizontal center line are respectively represented.

この場合、厚さｄを一定とすると、幅Ｗと他の量との間
に比例関係が成立する。In this case, if the thickness d is constant, a proportional relationship will be established between the width W and the other quantities.

ｗ〜（ｒ２／ｓｉｎβ）　・（１／　ｒ　’、　・ｃｏ
ｓ　δ、））（７１以上を要約すると、本発明の形成方
法によればば、完全に一様なアジマス配向を備えた配向
層が形成される。本発明のその他の好ま（７い実施態様
による形成方法によれば、蒸着層の厚さ並びに入射角の
変動か更に除かれるので、液晶表示装置の大きな基板に
、全部のパラメーターについて−・様な配向層を備える
ことができる。この配向層を備えた液晶表示装置は、完
全に一様な光学特性、光電気特性を備えたものになる。w~(r2/sinβ) ・(1/ r', ・co
s δ, )) (71 To summarize the above, according to the formation method of the present invention, an alignment layer with completely uniform azimuth orientation is formed. Other preferred embodiments of the present invention (7) According to the formation method, variations in the thickness of the deposited layer as well as in the angle of incidence are further eliminated, so that a large substrate of a liquid crystal display can be provided with an alignment layer with respect to all parameters. A liquid crystal display device equipped with this structure has completely uniform optical characteristics and photoelectric characteristics.

扁平な板２ないしは液晶基板の層構成を、各部について
異なる縮尺を用いた第８図について説明する。厚さ０．
５〜１．５　＋Ｉ＋１、好ましくは０．７吐又は１．１
鰭のガラス製電極支持Ｆｉ１８−Ｉｒ、に、厚さ１０〜
２００ｎｍ、好ましくは７０ｎｍの水晶閉止層１９が形
成されている。この阻止層１９によってＮａイオンの移
動を阻止又は少なくとも減少させる。The layer structure of the flat plate 2 or liquid crystal substrate will be explained with reference to FIG. 8, which uses different scales for each part. Thickness 0.
5-1.5 +I+1, preferably 0.7 vomit or 1.1
Fin glass electrode support Fi18-Ir, thickness 10~
A crystal closure layer 19 of 200 nm, preferably 70 nm is formed. This blocking layer 19 prevents or at least reduces the migration of Na ions.

阻止層１９ヒには、５〜１０％の５ｎＯ７をドープした
、好ましくはＩｎ、２Ｏ．、の構造導電層又は電極層２
０がある。電極層２０の厚さは、２０−・３００ｎｍ、
好ましくは１２０〜１３０ｎｍである。The blocking layer 19 is doped with 5-10% 5nO7, preferably In, 2O. , the structural conductive layer or electrode layer 2
There is 0. The thickness of the electrode layer 20 is 20-300 nm,
Preferably it is 120 to 130 nm.

電極層２０上に、ポリマー例えばポリアミド又はポリビ
ニルアルコール特にポリイミド又はポリイミドアミドの
保護層２１があり、この保護層は電極層２０上に、オフ
セット印刷、タンポン印刷又はスクリーン印刷によって
イ」与する。保護層２１の厚さば５０〜１１００ｎであ
る。電極層２０の面抵抗は１００オーム（正方形表面部
分の抵抗）である。この保護層は、良好な阻止層を形成
し、液晶表示装置の長い使用寿命を保証する。On the electrode layer 20 there is a protective layer 21 of a polymer, for example polyamide or polyvinyl alcohol, in particular polyimide or polyimideamide, which is applied onto the electrode layer 20 by offset printing, tampon printing or screen printing. The thickness of the protective layer 21 is 50 to 1100 nm. The sheet resistance of the electrode layer 20 is 100 ohms (resistance of the square surface portion). This protective layer forms a good blocking layer and ensures a long service life of the liquid crystal display.

保護層２１中には、好ましくは長さが２０〜１００μｍ
で直径が５〜８μｍのガラス繊維のスペーサーａが埋込
まれている。これらのスペーサーは、液晶セルの両ガラ
ス基板間に一定の距離を保つために用いられる。The protective layer 21 preferably has a length of 20 to 100 μm.
A glass fiber spacer a having a diameter of 5 to 8 μm is embedded. These spacers are used to maintain a certain distance between both glass substrates of the liquid crystal cell.

保護層２１上には、前述した材料のうちの１つからでき
ている配向層２３が傾斜蒸着によって入射方向Ａから入
射角度δで適用される。この蒸着によって壁面に対する
角度２０°−−−３０°で壁に対し液晶分子を配向させ
ることができる。ごの配向層２３がないと、保護Ｆｉ２
１の普通の摩擦によって、壁付近の液晶分子の約１°の
（Ｊｉ斜角が得られるに過ぎない。配向層２３の〜さば
２〜２０ｎｍの範囲にある。スペーサーの蔭には配向層
２３ばなく、ここでは液晶の配向は乱される。しかしこ
の欠陥は巨視的にはしよう乱ではない。On the protective layer 21, an alignment layer 23 made of one of the materials mentioned above is applied by oblique evaporation from the direction of incidence A at an angle of incidence δ. This vapor deposition makes it possible to align the liquid crystal molecules with respect to the wall at an angle of 20 DEG to 30 DEG with respect to the wall surface. Without the alignment layer 23, the protective Fi2
By normal friction of 1°, an oblique angle of about 1° of the liquid crystal molecules near the wall can only be obtained.The width of the alignment layer 23 is in the range of 2 to 20 nm. In this case, the alignment of the liquid crystal is disturbed.However, this defect is not a disorder from a macroscopic perspective.

第９図に示した層構造は、第８図に示した各層のほかに
、酸化物特にＧｄｇ（Ｌ＋の支持層２２を更に備えてい
る。この支持層の厚さば５０＝］、ＯＯｎｍであり、有
機結合剤と共に、硝酸ガドリニウムとして、スクリーン
印刷によって付与される。保護層２１はこの場合には遠
心法により適用され、厚さは２〜１０ｎｍである。In addition to the layers shown in FIG. 8, the layer structure shown in FIG. 9 further includes a support layer 22 of oxide, especially Gdg (L+), which has a thickness of 50=] and OOnm. , as gadolinium nitrate with an organic binder, by screen printing.The protective layer 21 is applied by centrifugation in this case and has a thickness of 2 to 10 nm.

第８図の実施例においても、第９図の実施例においても
スペーサーａを配向層２３上又はその上方に配置するこ
とができる。ガラス繊維の代りにガラス球を用いてもよ
い。In the embodiment shown in FIG. 8 as well as in the embodiment shown in FIG. 9, the spacer a can be arranged on or above the alignment layer 23. Glass bulbs may be used instead of glass fibers.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は、本発明による形成方法に用いられる供給源、
絞り及び板の幾何学的形態を示す斜視図、第２ａ図ば、
本発明による形成装置を実施するための形成方法をその
初期の］−稈において示す側面図、第２ｂ図は第２ａ図
の形成装置をその終期の工程において示す側面図、第３
図は第２ａ図の形成装置の正面図、第４ａ図はアジマス
方向を惹起させるための本発明の形成方法の特別の構成
を示す側面図、第４ｂ図は第４ａ図の正面図、第５図は
湾曲した板トに蒸着する場合に必要な幾何学的パラメー
ターを示す説明図、第６ａ図は本発明の好ましい実施態
様による湾曲した板の積層体を示す略配列図、第６ｂ図
は第６ａ図の構成に対する絞り開口の好ましい形成を示
す上面図、第７図は板の長さに対する第６ａ図の湾曲板
の変形量を示す線図、第８図は第１〜６ａ図に示した液
晶基板の層構造を示す断面図、第９図は本発明の変形実
施例による別の層構造を示す断面図である。 符号の説明 １・・・・・・供給源　　２．２′・・・・・・板３・
・・・・・絞り　　　４・・・・・・絞り開口１３・・
・・・・表面 ＦＩＧ、５ １而のｌｊ＋害（円台に変更なし） ＦＩＧ、６１］ ＦＩＧ、　８ 手続補正書（方式） 昭和　　卑０°７°Ｉ９　日 特許庁長官　　宇　賀　道　部　　殿 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 名　称　ビービーシー　アクチェンゲゼルンヤフトブラ
ウン　ボウ゛エリ　ラント　コムパニ−４、代理人 ５、補正命令の日付　　昭和６０年６月２５日別紙のと
おり（内容に変更なし）。FIG. 1 shows a supply source used in a forming method according to the present invention;
A perspective view showing the geometry of the aperture and the plate, FIG. 2a,
FIG. 2b is a side view showing the forming method for carrying out the forming device according to the invention in its initial stage; FIG. 2b is a side view showing the forming device of FIG. 2a in its final stage;
2a is a front view of the forming apparatus of FIG. 2a, FIG. 4a is a side view showing a special configuration of the forming method of the present invention for inducing an azimuth direction, FIG. 4b is a front view of FIG. 4a, and FIG. 6a is a schematic diagram showing a stack of curved plates according to a preferred embodiment of the present invention; FIG. 6a is a top view showing a preferable formation of the aperture aperture for the configuration shown in FIG. 6a, FIG. 7 is a diagram showing the amount of deformation of the curved plate in FIG. 6a with respect to the length of the plate, and FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a layer structure of a liquid crystal substrate. FIG. 9 is a cross-sectional view showing another layer structure according to a modified embodiment of the present invention. Explanation of symbols 1... Supply source 2.2'... Plate 3.
...Aperture 4...Aperture aperture 13...
・・・・Surface FIG, 5 1 of lj + harm (no change to round table) FIG, 61] FIG, 8 Procedural amendment (method) Showa era 0°7°I9 Japanese Patent Office Commissioner Michibu Uga 3 , Relationship to the case of the person making the amendment Applicant name: BBC Akchengesernjaft-Brown Bowery Land Company 4, Agent 5, Date of amendment order: June 25, 1985 As shown in the attached document (no change in content) .

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）少なくとも１つの板（２、２′）の扁平な表面（
１３）を、源（１）から出て発散し該表面（１３）に０
°と異なった入射角δの下に衝突する粒子流に暴露させ
て、該表面上に配向層を形成する方法において、 イ）源（１）と板（２、２′）との間に、絞り開口（４
）を備えた絞り（３）を配し、 ロ）板（２、２′）と源（１）とを、表面（１３）と平
行に、部分流の方向に対してほぼ直角に、ほぼ一定の速
度で、第１位置から第２位置に向って相対的に移動させ
、 ハ）板（２、２′）の表面（１３）が第１位置と第２位
置においては粒子流の外側にあるが移動の途中で部分流
を横断するように移動方向に両側が境界された粒子流の
みを絞り開口（４）が通過させることを特徴とする形成
方法。(1) A flat surface of at least one plate (2, 2') (
13) emanates from the source (1) and reaches the surface (13).
a) between a source (1) and a plate (2, 2'); Aperture aperture (4
) with a constrictor (3), and (b) the plates (2, 2') and the source (1) are arranged parallel to the surface (13) and approximately at right angles to the direction of the partial flow, approximately constant. c) the surface (13) of the plate (2, 2') is outside the particle flow in the first and second positions; A forming method characterized in that the restrictor opening (4) allows only a stream of particles bounded on both sides in the direction of movement to pass through, such that the particles cross the partial stream during their movement. （２）移動の際に源（１）の絞り開口（４）が固定され
、相対的な移動が板（２、２′）の移動のみによって行
われることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の形
成方法。(2) The diaphragm aperture (4) of the source (1) is fixed during the movement, and the relative movement takes place only by the movement of the plates (2, 2'). Formation method described in section. （３）イ）源（１）が大体点状の源であり、 ロ）絞り開口（４）が、源（１）を通る中心面（５）と
対称であり、 ハ）板（２、２′）の移動が中心面（５）と直角の直線
に沿って行われることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の形成方法。(3) a) the source (1) is a roughly point-shaped source, b) the aperture aperture (4) is symmetrical to the central plane (5) passing through the source (1), and c) the plates (2, 2 ') is carried out along a straight line perpendicular to the central plane (5).
Formation method described in section. （４）移動方向と直角に配された絞り開口（４）の境界
が、互いに平行に延長し、移動方向と直角に指向するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の形成方法。(4) A forming method according to claim 3, characterized in that the boundaries of the diaphragm openings (4) arranged at right angles to the direction of movement extend parallel to each other and are oriented at right angles to the direction of movement. （５）移動方向に測定した絞り開口（４）の幅（ｗ）が
（ｒ＾２／ｓｉｎβ）（１／ｒ＿ｍ・ｃｏｓδ＿ｍ）に
近似的に比例するように、移動方向と直角の絞り開口（
４）の境界を、板（２、２′）に関係した絞り域内にお
いて推移させ、上式においてｒ、βは、源（１）を原点
とする極座標系においての、中心面（５）上において表
面（１３）内にある点の極座標を表わし、該点は、同じ
開口幅（ｗ）の領域において開口（４）を通る直線によ
って源（１）に結合され、ｒ＿ｍ、δ＿ｍは、中心面（
５）内にある粒子流の１つの流線の長さ及び入射角を表
わし、該流線は板（２）の表面（１３）に板（２）の水
平中心面上において衝突することを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載の形成方法。(5) The width (w) of the diaphragm aperture (4) measured in the movement direction is approximately proportional to (r^2/sinβ)(1/r_m・cosδ_m).
4) is shifted within the aperture area related to the plates (2, 2'), and in the above equation, r and β are on the central plane (5) in the polar coordinate system with the source (1) as the origin. represents the polar coordinates of a point lying in the surface (13), which point is connected to the source (1) by a straight line passing through the aperture (4) in the area of the same aperture width (w), r_m, δ_m are in the central plane (
5) represents the length and angle of incidence of one streamline of the particle stream in the particle stream, characterized in that the streamline impinges on the surface (13) of the plate (2) on the horizontal central plane of the plate (2); A forming method according to claim 3. （６）板（２、２′）が移動の間源（１）に対して凹面
に保たれ、中心面（５）との板（２、２′）の交線が基
本的にｒ＝ｒ＿０ｅｘｐ（（β−β＿０）／ｔａｎ（９
０−δ）形の対数螺線の推移に従い、上式においてｒ、
β、ｒ＿０、β＿０は、源（１）を原点とする極座標系
の、前記交線上にある２つの点の極座標であり、δは、
点（ｒ、β）に衝突する粒子流の入射角を表わすことを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の形成方法。(6) The plate (2, 2') remains concave with respect to the source (1) during the movement, and the line of intersection of the plate (2, 2') with the central plane (5) is essentially r=r_0exp ((β-β_0)/tan(9
According to the transition of the logarithmic spiral of the form 0-δ), in the above equation, r,
β, r_0, β_0 are the polar coordinates of two points on the intersection line of the polar coordinate system with source (1) as the origin, and δ is
4. A method according to claim 3, characterized in that it represents the angle of incidence of the particle stream impinging on the point (r, β). （７）移動方向に測定した絞り開口（４）の幅（ｗ）が
近似的にｒ／ｓｉｎβに比例するように、移動方向と直
角の絞り開口（４）の境界が、板（２、２′）に関係す
る絞り領域内において推移し、上式においてｒ、βは、
源（１）を原点とする極座標系において中心面（５）の
表面（１３）上にある点の極座標を表わし、該点は、同
じ開口幅（ｗ）の領域において開口（４）を通過する直
線によって源（１）に結合されることを特徴とする特許
請求の範囲第６項記載の形成方法。(7) The boundary of the aperture aperture (4) perpendicular to the movement direction is such that the width (w) of the aperture aperture (4) measured in the movement direction is approximately proportional to r/sin β. '), and in the above equation, r and β are
represents the polar coordinates of a point on the surface (13) of the central plane (5) in a polar coordinate system with source (1) as the origin, which point passes through the aperture (4) in the area of the same aperture width (w) 7. A method according to claim 6, characterized in that it is connected to the source (1) by a straight line. （８）移動方向と直角に次々に扇状に配置された複数の
板（２、２′）を同時に移動させることを特徴とする特
許請求の範囲第２〜７項のいずれか１項記載の形成方法
。(8) The formation according to any one of claims 2 to 7, characterized in that a plurality of plates (2, 2') arranged in a fan shape one after another at right angles to the movement direction are simultaneously moved. Method. （９）移動方向に延長する少なくとも１つのレール（７
ａ、７ｂ）と、レール（７ａ、７ｂ）に沿って移動可能
なワゴンないしはキャリッジ（６）とを有することを特
徴とする特許請求の範囲第１〜８項のいずれか１項記載
の形成方法を実施する形成装置。(9) at least one rail (7) extending in the direction of movement;
a, 7b) and a wagon or carriage (6) movable along the rails (7a, 7b). A forming device that performs （１０）位置固定された被動歯車（９）を有し、該被動
歯車が、キャリッジ（６）に配設され移動方向に延びる
ウォーム（８）と噛合うことを特徴とする特許請求の範
囲第９項記載の形成装置。(10) The driven gear (9) is fixed in position, and the driven gear meshes with a worm (8) disposed on the carriage (6) and extending in the direction of movement. Forming device according to item 9. （１１）特許請求の範囲第１〜１０項のいずれか１項記
載の形成方法及び形成装置のための液晶基体（２、２′
）であって、 イ）透明な電極基板（１８）と、 ロ）該電極基板（１８）上に配された構造化された電極
層（２０）と、 ハ）電極層（２０）上に配された保護層（２１）とを有
するものにおいて、 ニ）厚さ≦２０ｎｍの液晶分子のための配向層（２３）
を保護層（２１）上に配したことを特徴とする液晶基板
。(11) Liquid crystal substrates (2, 2') for the forming method and forming apparatus according to any one of claims 1 to 10.
) comprising: a) a transparent electrode substrate (18); b) a structured electrode layer (20) disposed on the electrode substrate (18); and c) a structured electrode layer disposed on the electrode layer (20). d) an alignment layer (23) for liquid crystal molecules with a thickness of ≦20 nm;
A liquid crystal substrate characterized in that: is arranged on a protective layer (21). （１２）イ）電極基板（１８）が０．５ｍｍ〜１．５ｍ
ｍの厚さをもち、 ロ）特に電極基板（１８）が約０．７ｍｍ又は約１．１
ｍｍの厚さをもち、 ハ）電極層（２０）がＳｎＯ＿２ドープされたＩｎ＿２
Ｏ＿３層であり、 ニ）電極層（２０）が２０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さをも
ち、 ホ）特に電極層（２０）が１２０ｎｍ〜１３０ｎｍの厚
さをもつことを特徴する特許請求の範囲第１１項記載の
液晶基板。(12) A) Electrode substrate (18) is 0.5 mm to 1.5 m
b) Particularly, the electrode substrate (18) has a thickness of about 0.7 mm or about 1.1 mm.
c) the electrode layer (20) is SnO_2 doped In_2;
Claim 11 characterized in that: d) the electrode layer (20) has a thickness of 20 nm to 300 nm; and e) in particular the electrode layer (20) has a thickness of 120 nm to 130 nm. The liquid crystal substrate described. （１３）イ）ガラス繊維又はガラス球の１個以上のスペ
ーサー（ａ）が層構造中において電極層（２０））の上
方に配され、 ロ）１個以上のスペーサー（ａ）が直径が２〜１０μｍ
であり、 ハ）特にスペーサー（ａ）の直径が５〜８μｍであるこ
とを特徴する特許請求の範囲第１１項又は第１２項記載
の液晶基板。(13) a) one or more spacers (a) of glass fiber or glass bulbs are arranged above the electrode layer (20) in the layered structure; b) one or more spacers (a) have a diameter of 2 ~10μm
c) The liquid crystal substrate according to claim 11 or 12, characterized in that, in particular, the diameter of the spacer (a) is 5 to 8 μm. （１４）イ）保護層（２１）がポリイミド層又はポリイ
ミドアミド層であり、 ロ）保護層（２１）の厚さが２〜１５０ｎｍであり、 ハ）特に該厚さが５０〜１００ｎｍであることを特徴す
る特許請求の範囲第１１〜１３項のいずれか１項記載の
液晶基板。(14) A) The protective layer (21) is a polyimide layer or a polyimide amide layer, B) The thickness of the protective layer (21) is 2 to 150 nm, and C) In particular, the thickness is 50 to 100 nm. The liquid crystal substrate according to any one of claims 11 to 13, characterized in that: （１５）イ）電極層（２０）と保護層（２１）との間に
支持層（２２）が配され、 ロ）支持層（２２）がスペーサー（ａ）を少なくとも部
分的に囲み、 ハ）支持層（２２）の厚みを１００ｎｍ以下とすること
を特徴する特許請求の範囲第１３項記載の液晶基板。(15) A) A support layer (22) is arranged between the electrode layer (20) and the protective layer (21), B) The support layer (22) at least partially surrounds the spacer (a), and C) 14. The liquid crystal substrate according to claim 13, wherein the support layer (22) has a thickness of 100 nm or less. （１６）イ）支持層（２２）が実質的にＧｄ＿２Ｏ＿３
層であり、 ロ）保護層（２１）が支持層（２２）上に配され、 ハ）保護層（２１）がポリイミド層又はポリイミドアミ
ド層であり、 ニ）保護層（２１）の厚さが２〜１０ｎｍであることを
特徴とする特許請求の範囲第１５項記載の液晶基板。(16) A) The support layer (22) is substantially Gd_2O_3
b) the protective layer (21) is arranged on the support layer (22), c) the protective layer (21) is a polyimide layer or a polyimide amide layer, and d) the thickness of the protective layer (21) is 16. The liquid crystal substrate according to claim 15, which has a thickness of 2 to 10 nm.