JPS62203328A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS62203328A JPS62203328A JP61044191A JP4419186A JPS62203328A JP S62203328 A JPS62203328 A JP S62203328A JP 61044191 A JP61044191 A JP 61044191A JP 4419186 A JP4419186 A JP 4419186A JP S62203328 A JPS62203328 A JP S62203328A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 abstract 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ放電により原料ガスを分解して微結
晶シリコンを含むアモルファスシリコン等の非晶質半導
体や、集積回路における層間絶縁漢、パッシベーション
膜等を基板上に堆積させる場合に適用されるプラズマ０
ＶＤ装置に関する。
晶シリコンを含むアモルファスシリコン等の非晶質半導
体や、集積回路における層間絶縁漢、パッシベーション
膜等を基板上に堆積させる場合に適用されるプラズマ０
ＶＤ装置に関する。
（従来の技術）
従来、大面積化が容易であること、薄膜化しやすいこと
、及びＰ、ｎ制御が可能であること等から、太陽電池や
イメージングデバイスとして重要な素材である水素化ア
モルファスシリコン（以下ａ−８ｉ：Ｈと記載する）ハ
、通常プラズマＣＶＤ法によって形成され、この方法に
よるものの膜質が最も良いとさ几ている。この方法にお
いては、シランガスを高周波グロー放電により分解して
ａ−３ｉ：Ｈ膜を基板上に堆積させる。
、及びＰ、ｎ制御が可能であること等から、太陽電池や
イメージングデバイスとして重要な素材である水素化ア
モルファスシリコン（以下ａ−８ｉ：Ｈと記載する）ハ
、通常プラズマＣＶＤ法によって形成され、この方法に
よるものの膜質が最も良いとさ几ている。この方法にお
いては、シランガスを高周波グロー放電により分解して
ａ−３ｉ：Ｈ膜を基板上に堆積させる。
この目的で従来用いらｎてき友プラズマｏｖＤ装置は、
高周波電工を印加する陰極と、接地さＡた陽極との平行
平板型電極によって構成されている。
高周波電工を印加する陰極と、接地さＡた陽極との平行
平板型電極によって構成されている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、このような構成のプラズマ０ＶＤ装置では、
ａ−３ｉ：Ｈの堆積速度は、通常２乃至３１／ｓｅｃ程
度である。そこで、この堆積速度を上げるために高周波
電力密度を増すと、プラズマ中で生成した活性種同士の
気相中での反応が顕著になり、膜構造に不均一性が生ず
ることになる。また同時にプラズマ中で生成されるイオ
ン種の膜に対する入射エネルギーが大きくなり、膜中に
欠陥を生じることになる。
ａ−３ｉ：Ｈの堆積速度は、通常２乃至３１／ｓｅｃ程
度である。そこで、この堆積速度を上げるために高周波
電力密度を増すと、プラズマ中で生成した活性種同士の
気相中での反応が顕著になり、膜構造に不均一性が生ず
ることになる。また同時にプラズマ中で生成されるイオ
ン種の膜に対する入射エネルギーが大きくなり、膜中に
欠陥を生じることになる。
こうした理由から、一般に電力密度の増加は膜質の低下
につながるため、高周波電力密度を増大させることによ
り堆積速度をこれ以上上げるのは困難である。
につながるため、高周波電力密度を増大させることによ
り堆積速度をこれ以上上げるのは困難である。
一方、シランに代わってジシランやトリシランを原料ガ
スとして用い、堆積速度を上げる試みもなされているが
、これらのガスは非常に危険であるため、取り汲いが面
倒な上、排ガス処理や万一のガス漏れ事故に細心の注意
を払う必要があるだけでなく、これらガスは非常に高価
である上、純度の点でもまだ問題があり、量産装置への
使用は不適当な点が多い。
スとして用い、堆積速度を上げる試みもなされているが
、これらのガスは非常に危険であるため、取り汲いが面
倒な上、排ガス処理や万一のガス漏れ事故に細心の注意
を払う必要があるだけでなく、これらガスは非常に高価
である上、純度の点でもまだ問題があり、量産装置への
使用は不適当な点が多い。
更に量産装置としては多くの基板に同時に均一に膜形成
の処理を施せるものであることが望ましい。
の処理を施せるものであることが望ましい。
従って本発明の目的は、プラズマＣＶＤ法による膜の高
速成膜を可能にし、良好な膜質及び均一な膜厚分布が得
られ、原料ガスを向上させることのできるプラズマ０Ｖ
Ｄ装置であり、しかも多くの基板を同時に処理できるプ
ラズマ０ＶＤ装置を提供することにある。
速成膜を可能にし、良好な膜質及び均一な膜厚分布が得
られ、原料ガスを向上させることのできるプラズマ０Ｖ
Ｄ装置であり、しかも多くの基板を同時に処理できるプ
ラズマ０ＶＤ装置を提供することにある。
Ｃ問題点を解決する定めの手段）
上記の目的を達成する九めに、本発明では、真空容器内
に、加熱された基板と、高周波電圧を印加した平板状の
放電電極とを対向して設け、該真空容器内に導入し比反
応ガスをプラズマ化することにより加熱された基板上に
薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装誼において
、前記加熱さｆｉた基板を複数枚用意してこれらを真空
容器内に間隔を存して対向設置すると共にその間隔内に
前記平板状の放電電極を各基板に平行して設け、誼放電
電極に電界に対し直交した成分を持つ磁界を該放電電極
の両面に形成する磁界形成装置を設け、更に該真空容器
内に電子を供給する電子供給装置を設けるようにした。
に、加熱された基板と、高周波電圧を印加した平板状の
放電電極とを対向して設け、該真空容器内に導入し比反
応ガスをプラズマ化することにより加熱された基板上に
薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装誼において
、前記加熱さｆｉた基板を複数枚用意してこれらを真空
容器内に間隔を存して対向設置すると共にその間隔内に
前記平板状の放電電極を各基板に平行して設け、誼放電
電極に電界に対し直交した成分を持つ磁界を該放電電極
の両面に形成する磁界形成装置を設け、更に該真空容器
内に電子を供給する電子供給装置を設けるようにした。
これに於て、磁界形成装置による各磁界と電子供給装置
で供給された電子とで形成される高密度プラズマ領域か
ら距離を置いて夫々基板が位置される。
で供給された電子とで形成される高密度プラズマ領域か
ら距離を置いて夫々基板が位置される。
また本発明の別の特徴によれば、本プラズマＣＶＤ装置
には、前記磁界と供給された電子とにより形成される高
密度プラズマ領域を前記基板上で走査すべく磁界形成装
置と基板の少なくとも一方をほぼ同一平面内で移動させ
る移動装置が設けられる。
には、前記磁界と供給された電子とにより形成される高
密度プラズマ領域を前記基板上で走査すべく磁界形成装
置と基板の少なくとも一方をほぼ同一平面内で移動させ
る移動装置が設けられる。
（作用）
このように構成することによって、本発明の装置におい
ては、磁界形成装置で発生された電極面に平行な磁界に
より放′に！極の両面でプラズマが集中し、さらに￥ａ
電子供給装置ら電子が４＃給されることによって高密度
プラズマ領域が形成される。この高密度プラズマ領域に
より真空容器内の反応ガスの分解が大幅に促進され、そ
の結果１０λ／ ｓｅｃ以上の堆積速度で薄膜の形成を
行なえ、しかも放電４！極の両側は夫々基板を配置して
同時に成膜処理を施すことが出来るので生産性が良い。
ては、磁界形成装置で発生された電極面に平行な磁界に
より放′に！極の両面でプラズマが集中し、さらに￥ａ
電子供給装置ら電子が４＃給されることによって高密度
プラズマ領域が形成される。この高密度プラズマ領域に
より真空容器内の反応ガスの分解が大幅に促進され、そ
の結果１０λ／ ｓｅｃ以上の堆積速度で薄膜の形成を
行なえ、しかも放電４！極の両側は夫々基板を配置して
同時に成膜処理を施すことが出来るので生産性が良い。
一方、反応ガスの分解が促進されることによって、原料
ガスの使用効率も大幅に向上し、特に電力密度を上げる
必要がないので膜質の低下を来たすことがない。
ガスの使用効率も大幅に向上し、特に電力密度を上げる
必要がないので膜質の低下を来たすことがない。
また基板を高密度プラズマ領域から距離を置いて位置さ
せることにより、或は該基板と該磁界形成装置の少なく
とも又は双方をほぼ同一平面内で移動装置により移動さ
せて高密度プラズマ領域で基板を走査することにより、
該基板に形成される薄膜の膜厚分布を均一化することが
出来る。
せることにより、或は該基板と該磁界形成装置の少なく
とも又は双方をほぼ同一平面内で移動装置により移動さ
せて高密度プラズマ領域で基板を走査することにより、
該基板に形成される薄膜の膜厚分布を均一化することが
出来る。
（実施例）
以下添付図面を参照して本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は本発明によるプラズマＣＶＤ装置の一実施例を
ゑ略的に示したもので、符号（１）は真空容器で、反応
ガス導入機構（２）と排気機構（３）とを備えている。
ゑ略的に示したもので、符号（１）は真空容器で、反応
ガス導入機構（２）と排気機構（３）とを備えている。
該真空容器（１）内には、接地さＡ友平板状の陽向して
設置される。まｔ放湯極電極（４）には基板（８）の支
持装置（９）が設けられると共にこれに装着された基板
（８）を所望の温度に加熱する電気ヒータからなる加熱
機構αＣが組込ま几る。０Ｄは加熱機構ａυの電源であ
る。
設置される。まｔ放湯極電極（４）には基板（８）の支
持装置（９）が設けられると共にこれに装着された基板
（８）を所望の温度に加熱する電気ヒータからなる加熱
機構αＣが組込ま几る。０Ｄは加熱機構ａυの電源であ
る。
こうし九構成は従来のものと同様であるが、本発明のも
のでは真空容器（１）内に対向させて１対の陽極電極（
４ｍ） （４ｂ）を設けることにより複数枚の基板（８
１（８１を対向設置するようにし、その間隔（１７Ｊ内
に放ｔｔ極（７）を設けるようにし一該放電電極（７）
に電界に対し直交した成分を持つ磁界を該を極（７）の
両面に発生させる磁界形成装置（１３を設け、更に真空
容器（１１内に、電源Ｉからの通電により発熱して電子
を放出するヒータ形の電子供給装置（ｌりを設けるよう
にし蛇。
のでは真空容器（１）内に対向させて１対の陽極電極（
４ｍ） （４ｂ）を設けることにより複数枚の基板（８
１（８１を対向設置するようにし、その間隔（１７Ｊ内
に放ｔｔ極（７）を設けるようにし一該放電電極（７）
に電界に対し直交した成分を持つ磁界を該を極（７）の
両面に発生させる磁界形成装置（１３を設け、更に真空
容器（１１内に、電源Ｉからの通電により発熱して電子
を放出するヒータ形の電子供給装置（ｌりを設けるよう
にし蛇。
このように構成した図示装置の作動は次の通りである。
まず、真空９ Ｈｆｉｌ内に反応ガス導入機構（２）に
よりシランガス等の反応ガスを導入し、この反応ガス導
入機構（２）と排気機構（３）とにより該容器（１）内
を所望のガス組成、ガス流量及び圧力に調節し、その後
放電電極（７）に高層波電圧を印加してこれと各＠極電
極（４ａ） （４ｂ）との間にグロー放電を発生させる
。この時、プラズマ中で発生した電子及び電子供給装置
（１５１により供給された電子は、磁界形成装置（１３
１の電界と直交する成分を有する磁界によって捕えられ
、この部分における電子密度が極めて高くなる。その結
果、高密度プラズマ領域が放電１１Ｌ極（７）の両側に
形成され、反応ガスの分解が促進されて１０ Ｘ ／
ｓｅｅ以上の高速で各陽極電極（４ａ） （４ｂ）に設
けた基板ｆ８） （８１上に膜の堆積を丘なえる。この
場合、電力密度は通常のプラズマＣＶＤ装置と同程度で
あるため、膜に対する入射イオンのエネルギーは大きく
なることはない。また、電子密度が極めて高くなってい
るために、活性１同士の反応で気相中に生成される成長
核も電子衝撃のために成長が押割され、従つ”Ｃ１膜中
の構造に不均一性を与えることがなく、膜質の低下は生
じない。
よりシランガス等の反応ガスを導入し、この反応ガス導
入機構（２）と排気機構（３）とにより該容器（１）内
を所望のガス組成、ガス流量及び圧力に調節し、その後
放電電極（７）に高層波電圧を印加してこれと各＠極電
極（４ａ） （４ｂ）との間にグロー放電を発生させる
。この時、プラズマ中で発生した電子及び電子供給装置
（１５１により供給された電子は、磁界形成装置（１３
１の電界と直交する成分を有する磁界によって捕えられ
、この部分における電子密度が極めて高くなる。その結
果、高密度プラズマ領域が放電１１Ｌ極（７）の両側に
形成され、反応ガスの分解が促進されて１０ Ｘ ／
ｓｅｅ以上の高速で各陽極電極（４ａ） （４ｂ）に設
けた基板ｆ８） （８１上に膜の堆積を丘なえる。この
場合、電力密度は通常のプラズマＣＶＤ装置と同程度で
あるため、膜に対する入射イオンのエネルギーは大きく
なることはない。また、電子密度が極めて高くなってい
るために、活性１同士の反応で気相中に生成される成長
核も電子衝撃のために成長が押割され、従つ”Ｃ１膜中
の構造に不均一性を与えることがなく、膜質の低下は生
じない。
更に一枚の放ｉｌ！電極（７）への通電でその両側に設
は次基板（８１（８１に同時に瞑を形成出来るので生産
性が良い。
は次基板（８１（８１に同時に瞑を形成出来るので生産
性が良い。
尚、各基板（８）は、これに形成される膜厚を均一化す
るために高密度プラズマ領域から距離を置いて位置され
るが、その距離の調節を陽極電極（４ａ） （４’ｂ）
に設は九昇降装ｆｌ Ｃ１６ａ）（１６１））で行なえ
るようにした。
るために高密度プラズマ領域から距離を置いて位置され
るが、その距離の調節を陽極電極（４ａ） （４’ｂ）
に設は九昇降装ｆｌ Ｃ１６ａ）（１６１））で行なえ
るようにした。
また、本発明の第２発明の実施例は、第２図乃至第４図
に見られる如くであり、移動装置αηにより磁界形成装
置０３）と基板＋８１ ＋８１の少なくとも一方をほぼ
同一平面内で移動させ、これにより高密度プラズマ領域
か基板（８）上を走査して形成される膜厚分布がより一
層均−になるようにした。これを具体的に説明すると、
第２図示の例は、放ＴＬ電極（７）の全体が移動装置α
Ｄにより間隔ＵＪＯ側方に往復移動されて高密度プラズ
マ領域で基板（８）を走査するように構成したものを示
し、第３図示のものは放ｉ’ｘ極（７）内に複数個の永
久磁石で構成したｌ赤形成装置αＪを移動自在に設け、
放’ａ電極（７）は動かさずに磁界形成装置σＪだけが
移動装置αηにより間隔（１′３の側方に移動されるよ
うにした例を示す。また、第４図は２台の移動装置（１
７）で基板（８）を取付は之陽極電極（４ａ）（４ｂ）
を夫々移動する構成とした実施例である。
に見られる如くであり、移動装置αηにより磁界形成装
置０３）と基板＋８１ ＋８１の少なくとも一方をほぼ
同一平面内で移動させ、これにより高密度プラズマ領域
か基板（８）上を走査して形成される膜厚分布がより一
層均−になるようにした。これを具体的に説明すると、
第２図示の例は、放ＴＬ電極（７）の全体が移動装置α
Ｄにより間隔ＵＪＯ側方に往復移動されて高密度プラズ
マ領域で基板（８）を走査するように構成したものを示
し、第３図示のものは放ｉ’ｘ極（７）内に複数個の永
久磁石で構成したｌ赤形成装置αＪを移動自在に設け、
放’ａ電極（７）は動かさずに磁界形成装置σＪだけが
移動装置αηにより間隔（１′３の側方に移動されるよ
うにした例を示す。また、第４図は２台の移動装置（１
７）で基板（８）を取付は之陽極電極（４ａ）（４ｂ）
を夫々移動する構成とした実施例である。
なお、図示してはないが、基板（８）及び磁界形成装置
０Ｑの両方を移動装置αＤで移動させ、基板（８）を高
密度プラズマ領域で走査することも可能である。
０Ｑの両方を移動装置αＤで移動させ、基板（８）を高
密度プラズマ領域で走査することも可能である。
基板（８）の高密度プラズマ領域に近い部分は、遠い部
分よりも薄膜形成速度が多少速く、近い部分の膜厚が他
の部分よりも厚くなり易いが、前記のように高密度プラ
ズマ領域を走査移動させることにより基板（８）の膜厚
の分布が均一化される。
分よりも薄膜形成速度が多少速く、近い部分の膜厚が他
の部分よりも厚くなり易いが、前記のように高密度プラ
ズマ領域を走査移動させることにより基板（８）の膜厚
の分布が均一化される。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、対向して設は念基板間
に放電［極を設け、該放電電極にはその両面に電界と直
交した成分を持つ磁界を形成する磁界形成装置を設ける
ようにし、更に真空容器内に電子を供給する電子供給装
置を設けたので、その磁界と供給された電子とＫより放
電電極の両側に高密度プラズマ領域を形成することが出
来、これにより反応ガスの分解が大幅に危険で高価なガ
スを使用せずに高速成膜を行なえ、しかも放ｔｉ！極の
両側に於て基板に成膜出来るのでプラズマＣＶＤ装置の
生産性が大幅に向上し、大電力を必要としないので膜質
の低下を防止出来る等の効果を得られ、更に＠２発明に
よれば、これらの効果に加え、膜厚の分布を均一化する
ことが出来る効果がある。
に放電［極を設け、該放電電極にはその両面に電界と直
交した成分を持つ磁界を形成する磁界形成装置を設ける
ようにし、更に真空容器内に電子を供給する電子供給装
置を設けたので、その磁界と供給された電子とＫより放
電電極の両側に高密度プラズマ領域を形成することが出
来、これにより反応ガスの分解が大幅に危険で高価なガ
スを使用せずに高速成膜を行なえ、しかも放ｔｉ！極の
両側に於て基板に成膜出来るのでプラズマＣＶＤ装置の
生産性が大幅に向上し、大電力を必要としないので膜質
の低下を防止出来る等の効果を得られ、更に＠２発明に
よれば、これらの効果に加え、膜厚の分布を均一化する
ことが出来る効果がある。
第１図は本発明の第１発明の実施例のプラズマＣＶＤ装
置を示す概路線図、第２図乃至第４図は本発明の第２発
明の実施例の概路線図である。
置を示す概路線図、第２図乃至第４図は本発明の第２発
明の実施例の概路線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空容器内に、加熱された基板と、高周波電圧を印
加した平板状の放電電極とを対向して設け、該真空容器
内に導入した反応ガスをプラズマ化することにより加熱
された基板上に薄板を形成するようにしたプラズマＣＶ
Ｄ装置において、前記加熱された基板を複数枚用意して
これらを真空容器内に間隔を存して対向設置すると共に
その間隔内に前記平板状の放電電極を各基板に平行して
設け、該放電電極に、電界に対し直交した成分を持つ磁
界を該放電電極の両面に形成する磁界形成装置を設け、
更に該真空容器内に電子を供給する電子供給装置を設け
たことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 ２ 前記磁界形成装置による各磁界と前記電子供給装置
で供給された電子とで形成される高密度プラズマ領域か
ら距離を置いて夫々基板を位置させることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。 ３ 真空容器内に、加熱された基板と、高周波電圧を印
加した平板状の放電電極とを対向して設け、該真空容器
内に導入した反応ガスをプラズマ化することにより加熱
された基板上に薄板を形成するようにしたプラズマＣＶ
Ｄ装置において、前記加熱された基板を複数枚用意して
これらを真空容器内に間隔を存して対向設置すると共に
その間隔内に前記平板状の放電電極を各基板に平行して
設け、該放電電極に、電界に対し直交した成分を持つ磁
界を該放電電極の両面に形成する磁界形成装置を設け、
更に該真空容器内に電子を供給する電子供給装置を設け
、該磁界と供給された電子とにより形成される高密度プ
ラズマ領域を該基板上で走査すべく該磁界形成装置と該
基板の少なくとも一方をほぼ同一平面内で移動させる移
動装置を設けたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044191A JPH0622205B2 (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044191A JPH0622205B2 (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62203328A true JPS62203328A (ja) | 1987-09-08 |
| JPH0622205B2 JPH0622205B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=12684676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044191A Expired - Lifetime JPH0622205B2 (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622205B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2713668A1 (fr) * | 1993-12-13 | 1995-06-16 | Leybold Ag | Procédé et dispositif de revêtement sous vide de lentilles optiques avec des couches optiques. |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US8771636B2 (en) | 2008-01-07 | 2014-07-08 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical processes and reactors for efficiently producing hydrogen fuels and structural materials, and associated systems and methods |
| US8821602B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-09-02 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US8911703B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US8926908B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with pressure and heat transfer features for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US8926719B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for generating hydrogen from metal |
| US9188086B2 (en) | 2008-01-07 | 2015-11-17 | Mcalister Technologies, Llc | Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods |
| US9206045B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-12-08 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with transmissive surfaces for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US9302681B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-05 | Mcalister Technologies, Llc | Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials, and associated systems and methods |
| US9309473B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-12 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for extracting and processing gases from submerged sources |
| US9522379B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-12-20 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP61044191A patent/JPH0622205B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2713668A1 (fr) * | 1993-12-13 | 1995-06-16 | Leybold Ag | Procédé et dispositif de revêtement sous vide de lentilles optiques avec des couches optiques. |
| US9188086B2 (en) | 2008-01-07 | 2015-11-17 | Mcalister Technologies, Llc | Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods |
| US8771636B2 (en) | 2008-01-07 | 2014-07-08 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical processes and reactors for efficiently producing hydrogen fuels and structural materials, and associated systems and methods |
| US20130272930A1 (en) * | 2009-02-17 | 2013-10-17 | Mcalister Technologies, Llc | Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods |
| US9541284B2 (en) | 2010-02-13 | 2017-01-10 | Mcalister Technologies, Llc | Chemical reactors with annularly positioned delivery and removal devices, and associated systems and methods |
| US8926908B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with pressure and heat transfer features for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US9206045B2 (en) | 2010-02-13 | 2015-12-08 | Mcalister Technologies, Llc | Reactor vessels with transmissive surfaces for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods |
| US9302681B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-05 | Mcalister Technologies, Llc | Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials, and associated systems and methods |
| US8911703B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US9309473B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-12 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for extracting and processing gases from submerged sources |
| US9522379B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-12-20 | Mcalister Technologies, Llc | Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods |
| US8821602B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-09-02 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US9617983B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-04-11 | Mcalister Technologies, Llc | Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy |
| US8926719B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-01-06 | Mcalister Technologies, Llc | Method and apparatus for generating hydrogen from metal |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622205B2 (ja) | 1994-03-23 |
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