JPS614030A - エレクトロクロミツク表示装置 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示装置Info
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- JPS614030A JPS614030A JP59124537A JP12453784A JPS614030A JP S614030 A JPS614030 A JP S614030A JP 59124537 A JP59124537 A JP 59124537A JP 12453784 A JP12453784 A JP 12453784A JP S614030 A JPS614030 A JP S614030A
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- film transistor
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- electrochromic
- electrode
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/163—Operation of electrochromic cells, e.g. electrodeposition cells; Circuit arrangements therefor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気化学的酸化還元反応により着消色を示すエ
レクトロクロミック表示装置に関し、更に詳しくは、表
示画素ごとに２個の薄膜トランジスタと１個のコンデン
サとを付加してなるアクティブマトリックス駆動型エレ
クトロクロミック表示装置に関するものである。
レクトロクロミック表示装置に関し、更に詳しくは、表
示画素ごとに２個の薄膜トランジスタと１個のコンデン
サとを付加してなるアクティブマトリックス駆動型エレ
クトロクロミック表示装置に関するものである。
エレクトロクロミック表示体は、第２図に示す構成を有
し、透明基板（１）の上に形成された透明電極（２）お
よびエレクトロクロミック物質（３）より成る表示電極
基板と凹部を有する基板（４）上に形成された電極（５
）と対向電極（６）よりなる対向電極基板とを対向配置
させ、これら両基板間に電解液（７）と必要により背景
板（８）とを封入して得られる。
し、透明基板（１）の上に形成された透明電極（２）お
よびエレクトロクロミック物質（３）より成る表示電極
基板と凹部を有する基板（４）上に形成された電極（５
）と対向電極（６）よりなる対向電極基板とを対向配置
させ、これら両基板間に電解液（７）と必要により背景
板（８）とを封入して得られる。
このような表示体は、対向電極に対して表示電極を負（
または正）にして電圧を卯のけるとエレクトロクロミッ
ク物質は還元（または酸化）されて着色状態となる。こ
れとは逆に、対向電極に対して表示電極を正（または負
）にして電圧を印加すると表示は消去状態にもどる。
または正）にして電圧を卯のけるとエレクトロクロミッ
ク物質は還元（または酸化）されて着色状態となる。こ
れとは逆に、対向電極に対して表示電極を正（または負
）にして電圧を印加すると表示は消去状態にもどる。
第３図は、エレクトロクロミック物質として非晶質酸化
タングステン薄膜を用いた表示体の着消色時の応答時間
と印加電圧との関係を示すものである。５ｍｃ／−の着
色電荷に対し−１，０”ｉ’から−２，２ｖの電圧印加
により、非晶質酸化タングステン薄膜は透明から青色に
変わり、その応答時間は５００ｍθθＣから５ Ｑ ｍ
５ｅｃの間で変化する。また、−０，２Ｖから＋１．Ｏ
ｖの電圧印加により消色されるが、その応答時間は３０
０ ｍ５ｅｃから５ Ｑ ｍ５ｅｃの範囲の値をとる。
タングステン薄膜を用いた表示体の着消色時の応答時間
と印加電圧との関係を示すものである。５ｍｃ／−の着
色電荷に対し−１，０”ｉ’から−２，２ｖの電圧印加
により、非晶質酸化タングステン薄膜は透明から青色に
変わり、その応答時間は５００ｍθθＣから５ Ｑ ｍ
５ｅｃの間で変化する。また、−０，２Ｖから＋１．Ｏ
ｖの電圧印加により消色されるが、その応答時間は３０
０ ｍ５ｅｃから５ Ｑ ｍ５ｅｃの範囲の値をとる。
１ 。わ−、、、わ。９６１□カ、エヮカ、ヵ、
工■ωは、着色状態の非晶質酸化タングステンの持つ起
電力の働きにより、外部から印加した電圧とエレクトロ
クロミック表示体の逆起電力とがつりあう状態に対応す
る。
工■ωは、着色状態の非晶質酸化タングステンの持つ起
電力の働きにより、外部から印加した電圧とエレクトロ
クロミック表示体の逆起電力とがつりあう状態に対応す
る。
エレクトロクロミック材料の示すこの起電力は着色量の
増加と共に増大する。
増加と共に増大する。
エレクトロクロミック表示体を用いて、時分割駆動を行
なう時には、エレクトロクロミック材料の示すこの起電
力が大きな障碍となる。すなわち、着色状態にある表示
画素と消色状態にある表示画素とが、ｘＹマトリックス
型の共通線で互いに接続されている時には、着色状態の
表示画素から、消色状態の表示画素に電荷の移動が起き
、共に中間的な着色状態へと変化する。
なう時には、エレクトロクロミック材料の示すこの起電
力が大きな障碍となる。すなわち、着色状態にある表示
画素と消色状態にある表示画素とが、ｘＹマトリックス
型の共通線で互いに接続されている時には、着色状態の
表示画素から、消色状態の表示画素に電荷の移動が起き
、共に中間的な着色状態へと変化する。
こうしたエレクトロクロミック表示体が持つ基本的な欠
点を除去し、時分割駆動によるドツトマトリックス型表
示装置を得る方法としては、表示画素ごとにトランジス
タなどの能動素子を付加する方法が知られている。第４
図において（１１）は行電極、（１２）は列電極、（１
３）は表示画素、（１４）は薄膜トランジスタを示す。
点を除去し、時分割駆動によるドツトマトリックス型表
示装置を得る方法としては、表示画素ごとにトランジス
タなどの能動素子を付加する方法が知られている。第４
図において（１１）は行電極、（１２）は列電極、（１
３）は表示画素、（１４）は薄膜トランジスタを示す。
かかる表示装置を駆動するには、該行電極を１ラインご
とに駆動し、選ばれたライン上に存在する表示画素に対
応する列電極には、同時に着色又は消色の信号を与える
ことで達成される。
とに駆動し、選ばれたライン上に存在する表示画素に対
応する列電極には、同時に着色又は消色の信号を与える
ことで達成される。
しかしながら、第４図に示す構成の表示装置では行電極
を順次選択しながら、各画素に書き込み、又は消去を行
なうため、画面全体を表示するのに要する時間が相当長
くなり、実用的でないという欠点を鳴していた。特に比
較的応答速度の遅い非晶質酸化タングステンなどのエレ
クトロクロミック材料を用いる場合にはとの影曽は大き
く、Ｎ本の行電極を持つドツトマトリックス型の表示体
では応答時間が５ＱｘＮ（ｍｓθＣ）程度にしか速める
ことができずＮを１０００本にすると５０秒を要するこ
とになる。
を順次選択しながら、各画素に書き込み、又は消去を行
なうため、画面全体を表示するのに要する時間が相当長
くなり、実用的でないという欠点を鳴していた。特に比
較的応答速度の遅い非晶質酸化タングステンなどのエレ
クトロクロミック材料を用いる場合にはとの影曽は大き
く、Ｎ本の行電極を持つドツトマトリックス型の表示体
では応答時間が５ＱｘＮ（ｍｓθＣ）程度にしか速める
ことができずＮを１０００本にすると５０秒を要するこ
とになる。
本発明はかかる欠点を改良すべく成されたものであり、
基板上に形成された複数の表示画素に対してそれぞれ第
１および第２の薄膜トランジスタおよび１個のコンデン
サを付与し、該第１の薄膜トランジスタのドレイン電極
は該第２の薄膜トランジスタのゲート電極およびコンデ
ンサの一方の端に接続され、該コンデンサの他方の端は
第２の薄膜トランジスタのソース又はドレイン電極に接
続され、第２の薄膜トランジスタのドレイン電極はエレ
クトロクロミック表示画素に接続され、かつエレクトロ
クロミック表示画素に対して直接電荷の供給を行なうこ
の第２の薄膜トランジスタに用いる半導体層としてレー
ザービーム、電子ビーム等のビームアニール法により得
られる多結晶シリコンを用いることにより、応答特性を
改良したアクティブマトリックス駆動型のエレクトロク
ロ定ツク表示装置を提供するものである。
基板上に形成された複数の表示画素に対してそれぞれ第
１および第２の薄膜トランジスタおよび１個のコンデン
サを付与し、該第１の薄膜トランジスタのドレイン電極
は該第２の薄膜トランジスタのゲート電極およびコンデ
ンサの一方の端に接続され、該コンデンサの他方の端は
第２の薄膜トランジスタのソース又はドレイン電極に接
続され、第２の薄膜トランジスタのドレイン電極はエレ
クトロクロミック表示画素に接続され、かつエレクトロ
クロミック表示画素に対して直接電荷の供給を行なうこ
の第２の薄膜トランジスタに用いる半導体層としてレー
ザービーム、電子ビーム等のビームアニール法により得
られる多結晶シリコンを用いることにより、応答特性を
改良したアクティブマトリックス駆動型のエレクトロク
ロ定ツク表示装置を提供するものである。
本発明の表示画素に用いられるエレクトロクロミック物
質としては、電圧の印加により可視光域で着消色する固
体エレクトロクロミック物質であり、例えば酸化タング
ステン、酸化イリジウム、酸化モリブデン等の遷移金属
化合物。
質としては、電圧の印加により可視光域で着消色する固
体エレクトロクロミック物質であり、例えば酸化タング
ステン、酸化イリジウム、酸化モリブデン等の遷移金属
化合物。
ルテニウムシフタロジアニン等の希土類ジフタロシアニ
ン化合物等がある。
ン化合物等がある。
又、対向電極は表示画素のエレクトロクロミック物質を
スムーズに着消色させるものであればよく、通常カーボ
ンと二酸化マンガン、酸化タングステン尋の遷移金属化
合物と接着剤の混合物又はエレクトロクロミック物質単
体を用いればよい。
スムーズに着消色させるものであればよく、通常カーボ
ンと二酸化マンガン、酸化タングステン尋の遷移金属化
合物と接着剤の混合物又はエレクトロクロミック物質単
体を用いればよい。
表示画素と対向電極との間に配される電解質有機溶媒に
過塩素酸リチウムのような示時電解質を溶解した電解液
が応答速度からみて好ましいが、これらに樹脂等のゲル
化剤を加えたゲル状電解質、これらを多孔質フィルムに
含浸させたり又はシート状の固体電解質も使用でき、表
示画床上のエレクトロクロミック物質を着消色させうる
ものであれば使用できる。
過塩素酸リチウムのような示時電解質を溶解した電解液
が応答速度からみて好ましいが、これらに樹脂等のゲル
化剤を加えたゲル状電解質、これらを多孔質フィルムに
含浸させたり又はシート状の固体電解質も使用でき、表
示画床上のエレクトロクロミック物質を着消色させうる
ものであれば使用できる。
−もちろん、これらの基本構成の他、背景板、基板への
カラー印刷、基板間のトランスファー、金輌リード、非
１１０部の絶縁オーバーコート、照明装置、他の表示素
子との組み合せ等の応用も可能であり、表示画素と対向
電極を同−基板側に設けたり、参照電極等の第三の電極
を形成する等の応用も可能である。
カラー印刷、基板間のトランスファー、金輌リード、非
１１０部の絶縁オーバーコート、照明装置、他の表示素
子との組み合せ等の応用も可能であり、表示画素と対向
電極を同−基板側に設けたり、参照電極等の第三の電極
を形成する等の応用も可能である。
本発明における第１のトランジスタ（２１）、第２のト
ランジスタ（２２）、コンデンサ（２３）、表示画素（
２４）、および行電極（２５）、列電極（２６）、そし
てエレクトロクロミック表示画素の着消色に必取な電荷
を供給するための給ｉｉｊ電極（２７）の配置は、第１
図（ａ）および（ｂ）に示すものであり、（ａ）はコン
デンサが第１の薄膜トランジスタのドレイン電極と、第
２の薄膜トランジスタのドレイン電極との間に設けられ
た例であり、（ｂ）はコンテナが第１ＯＮ膜トランジス
タのドレイン電極と第２の薄膜トランジスタのソースｔ
ｒ；極との間に設けられた例である。
ランジスタ（２２）、コンデンサ（２３）、表示画素（
２４）、および行電極（２５）、列電極（２６）、そし
てエレクトロクロミック表示画素の着消色に必取な電荷
を供給するための給ｉｉｊ電極（２７）の配置は、第１
図（ａ）および（ｂ）に示すものであり、（ａ）はコン
デンサが第１の薄膜トランジスタのドレイン電極と、第
２の薄膜トランジスタのドレイン電極との間に設けられ
た例であり、（ｂ）はコンテナが第１ＯＮ膜トランジス
タのドレイン電極と第２の薄膜トランジスタのソースｔ
ｒ；極との間に設けられた例である。
第１図（、）についての動作例は以下のように説明され
る。
る。
行電極は順次１ライン毎に駆動され、このライン上の各
表示画素ごとに設けられたコンデンサには表示画素の着
消色に応じてＯＮ状態にある第１の薄膜トランジスタ（
２１）を通じて列電極（２６）からそれぞれＯ又は負の
電圧が同時に印加される。全ての行電極が駆動され、各
コンデンサの充電又は放電状態が決定した後に、給電電
極（２７）には対向電極に対して負の電圧が印加される
。この電圧印加によりコンデンサが放電状態にある表示
画素に対応した第２の薄膜トランジスタはＯＮ状態とな
り、エレクトロクロミック表示画素（２４）には該第２
の薄膜トランジスタ（２２）を通じて電子が供給され、
同時に７電解液側からはイ・オ゛ツ・が供給され、該表
示画素は着色状態となる。
表示画素ごとに設けられたコンデンサには表示画素の着
消色に応じてＯＮ状態にある第１の薄膜トランジスタ（
２１）を通じて列電極（２６）からそれぞれＯ又は負の
電圧が同時に印加される。全ての行電極が駆動され、各
コンデンサの充電又は放電状態が決定した後に、給電電
極（２７）には対向電極に対して負の電圧が印加される
。この電圧印加によりコンデンサが放電状態にある表示
画素に対応した第２の薄膜トランジスタはＯＮ状態とな
り、エレクトロクロミック表示画素（２４）には該第２
の薄膜トランジスタ（２２）を通じて電子が供給され、
同時に７電解液側からはイ・オ゛ツ・が供給され、該表
示画素は着色状態となる。
一方、コンデンサが負に充電され、従って第２の薄膜ト
ランジスタのゲート電極の電位がソース電極に印加され
た電圧と同等の場合には、該第２の薄膜トランジスタは
ＯＮ状態にはならず、ドレイン電極に接続された表示画
素は着色を示さない。
ランジスタのゲート電極の電位がソース電極に印加され
た電圧と同等の場合には、該第２の薄膜トランジスタは
ＯＮ状態にはならず、ドレイン電極に接続された表示画
素は着色を示さない。
このようにして行なわれるエレクトロクロミツク表示体
の着色時間Ｔは、行電極数をＮとうるとＴ＝Ｔ１ ｘ
Ｎ＋Ｔ１で表わされる。ここでＴ１は第１の薄膜トラン
ジスタのゲート電極につながる行電極（２５）の１つを
駆動するだめの時間であ’） 、’ｒ！はエレクトロク
ロミック物質を着色させるために第２の薄膜トランジス
タのソース電極につながる給電電＆ （２７）を駆動す
る時間あるいはエレクトロクロミック物質の応答時間で
ある。
の着色時間Ｔは、行電極数をＮとうるとＴ＝Ｔ１ ｘ
Ｎ＋Ｔ１で表わされる。ここでＴ１は第１の薄膜トラン
ジスタのゲート電極につながる行電極（２５）の１つを
駆動するだめの時間であ’） 、’ｒ！はエレクトロク
ロミック物質を着色させるために第２の薄膜トランジス
タのソース電極につながる給電電＆ （２７）を駆動す
る時間あるいはエレクトロクロミック物質の応答時間で
ある。
ここで、Ｔ１としては数１０マイクロ秒で充分であり、
又Ｔ！は数１０〜数１００ミリ秒であるから、行電極数
Ｎを１０００本とすると、Ｔは数１０ミリ秒から数１０
０ミリ秒の範囲の値をとりうる。このように、従来例に
比べて応答時間は著しく改善されることが判る。
又Ｔ！は数１０〜数１００ミリ秒であるから、行電極数
Ｎを１０００本とすると、Ｔは数１０ミリ秒から数１０
０ミリ秒の範囲の値をとりうる。このように、従来例に
比べて応答時間は著しく改善されることが判る。
しかしながら、エレクトロクロミック物質に対して必要
な電荷を短時間で供給するためには、第２の薄膜トラン
ジスタのＯＮ状態の電流が充分大きくとれることが重要
であり、特に比較的電荷効率の低い非晶質酸化タングス
テン薄膜をエレクトロクロミック物質とする場合には、
各表示画素の面積を勘案し１この電流値を決定すること
が必要となる。
な電荷を短時間で供給するためには、第２の薄膜トラン
ジスタのＯＮ状態の電流が充分大きくとれることが重要
であり、特に比較的電荷効率の低い非晶質酸化タングス
テン薄膜をエレクトロクロミック物質とする場合には、
各表示画素の面積を勘案し１この電流値を決定すること
が必要となる。
非晶質シリコン薄膜を半導体層とする薄膜トランジスタ
は、画像表示装置用のアクティブマトリックス構成要素
として、特に液晶表示素子との組合せが検討されている
が、エレクトロクロミック表示素子との組合せを考える
場合には、電流値を充分大きくとることがむつかしく、
従って上記のようなエレクトロクロミック物質に個有の
応答速度を実現するのに充分な電流を供給できない。
は、画像表示装置用のアクティブマトリックス構成要素
として、特に液晶表示素子との組合せが検討されている
が、エレクトロクロミック表示素子との組合せを考える
場合には、電流値を充分大きくとることがむつかしく、
従って上記のようなエレクトロクロミック物質に個有の
応答速度を実現するのに充分な電流を供給できない。
代表的なエレクトロクロミック物質である、非晶質酸化
タングステンを用いる場合、充分なコントラストを得る
には約８ｍＣ／−の電荷を必要とするが、これをＩ Ｑ
Ｑ ｍ５ｅｃ で注入するためには８０ｍＡ／−の
電流が必要となる。１つのドツトの面積が１−のドツト
マトリックス型光（示装置でこれを実現するには、駆動
用の薄膜トランジスタは１ゲー１１す、０．８ｍＡの給
電能力を持たねばならないが、１−の画素内においてこ
うした給電能力を持つ薄膜トランジスタを非晶質シリコ
ンを用いて実現することは極めて困難なことである。一
方、種々の方法で得られた非晶質又は微結晶シリコンを
電子線やレーザー等のビームによりアニールして得られ
る多結晶シリコンを用いて薄膜トランジスタを作成する
場合、上記電流値は比較的容易に得ることかできる。こ
こで、ビームアニールを用いる理由は表示画素ごとに与
えられた前記２個の薄膜トランジスタのうちの一方のみ
を選択的に多結晶シリコンにより作成するためであり、
他方の第１の薄膜トランジスタはビームアニールを行カ
わず、高抵抗の半導体薄膜のままで用いることがより好
ましい結果を与える。これは、この第１の薄膜トランジ
スタのＯＦＦ時の抵抗を増大させ又、ＯＮ１０ ＦＦ比
を大きくするととにより、各画素ごとに付加すべきコン
デンサのサイズをより小さなものとし、有効表示面積を
可能な限り大 ゛きくすることができる。
タングステンを用いる場合、充分なコントラストを得る
には約８ｍＣ／−の電荷を必要とするが、これをＩ Ｑ
Ｑ ｍ５ｅｃ で注入するためには８０ｍＡ／−の
電流が必要となる。１つのドツトの面積が１−のドツト
マトリックス型光（示装置でこれを実現するには、駆動
用の薄膜トランジスタは１ゲー１１す、０．８ｍＡの給
電能力を持たねばならないが、１−の画素内においてこ
うした給電能力を持つ薄膜トランジスタを非晶質シリコ
ンを用いて実現することは極めて困難なことである。一
方、種々の方法で得られた非晶質又は微結晶シリコンを
電子線やレーザー等のビームによりアニールして得られ
る多結晶シリコンを用いて薄膜トランジスタを作成する
場合、上記電流値は比較的容易に得ることかできる。こ
こで、ビームアニールを用いる理由は表示画素ごとに与
えられた前記２個の薄膜トランジスタのうちの一方のみ
を選択的に多結晶シリコンにより作成するためであり、
他方の第１の薄膜トランジスタはビームアニールを行カ
わず、高抵抗の半導体薄膜のままで用いることがより好
ましい結果を与える。これは、この第１の薄膜トランジ
スタのＯＦＦ時の抵抗を増大させ又、ＯＮ１０ ＦＦ比
を大きくするととにより、各画素ごとに付加すべきコン
デンサのサイズをより小さなものとし、有効表示面積を
可能な限り大 ゛きくすることができる。
第５図に本発明によるアクティブマトリックス駆動型エ
レクトロクロミック表示装置の１つの表示画素の断面図
を示す。
レクトロクロミック表示装置の１つの表示画素の断面図
を示す。
（３１）は透明基板であり、この上にはレーザービーム
により結晶化させたシリコン薄膜を半導体層（３２）と
する第２０薄族トランジスタと、非晶質シリコンを半導
体層（３３）とする第１の薄膜トランジスタとが、第１
の薄膜トランジスタのドレイン電極（３４）が第２の薄
膜トランジスタのゲート電極（３５）に接続されるよう
配置されている。又、第２の薄膜トランジスタのゲート
電極（３５）とドレイン電極（３６）との間にはコンデ
ンサが形成される。仁のドレイン電極（３６）には更に
基板（３１）上に形成された透明導電膜（３７）に接続
され、この透明電極上には非晶質酸化タングステン薄膜
（３８）が形成される。
により結晶化させたシリコン薄膜を半導体層（３２）と
する第２０薄族トランジスタと、非晶質シリコンを半導
体層（３３）とする第１の薄膜トランジスタとが、第１
の薄膜トランジスタのドレイン電極（３４）が第２の薄
膜トランジスタのゲート電極（３５）に接続されるよう
配置されている。又、第２の薄膜トランジスタのゲート
電極（３５）とドレイン電極（３６）との間にはコンデ
ンサが形成される。仁のドレイン電極（３６）には更に
基板（３１）上に形成された透明導電膜（３７）に接続
され、この透明電極上には非晶質酸化タングステン薄膜
（３８）が形成される。
他方の基板（３９）はエツチングにより凹状のくほみが
つけられた基板であり、その内側の面には電極（４０）
が形成される。この電極上にはカーボンと減極材とから
成る板状の対向電極（４１）が導電性接着剤で固定され
、更にその上に白色類料を含む多孔性ポリマーからなる
背景板（４２）が配置される。
つけられた基板であり、その内側の面には電極（４０）
が形成される。この電極上にはカーボンと減極材とから
成る板状の対向電極（４１）が導電性接着剤で固定され
、更にその上に白色類料を含む多孔性ポリマーからなる
背景板（４２）が配置される。
側基板間にはＩＭのＬｉ０１０４ を溶解させたプロ
ピレンカーボネート電解ｉ （４３）が充填され表示装
置が完成する。
ピレンカーボネート電解ｉ （４３）が充填され表示装
置が完成する。
第６図はこのようにして得られた表示側電極基板を示す
平面図である。
平面図である。
以上のごとく、本発明は時分割駆動が困難であり、かつ
応答速度の比較的遅いとされるエレクト四りロミック表
示体に対し、少くとも一方の薄膜トランジスタの半導体
層をビームアニール法により多結晶シリコンとし、これ
Ｋよりエレクトロクロミック表示画素に対する給電能力
を高めた２個の薄膜トランジスタと１個のコンデンサと
を既に示した方法により配置することで、応答速度をよ
り高めた実用的なドツトマトリックス型のエレクトロク
ロミック表示装置の製造を可能とするものである。
応答速度の比較的遅いとされるエレクト四りロミック表
示体に対し、少くとも一方の薄膜トランジスタの半導体
層をビームアニール法により多結晶シリコンとし、これ
Ｋよりエレクトロクロミック表示画素に対する給電能力
を高めた２個の薄膜トランジスタと１個のコンデンサと
を既に示した方法により配置することで、応答速度をよ
り高めた実用的なドツトマトリックス型のエレクトロク
ロミック表示装置の製造を可能とするものである。
これにより、視認性に優れた文字、数字および図形等の
表示の可能な表示装置が可能となるものである。
表示の可能な表示装置が可能となるものである。
第１図は本発明表示装置の２個の薄膜トランジスタ、コ
ンデンサ、エレクトロクロミック表示画素の配置を示す
図である。第２図はエレクトロクロミック表示体の構造
例を示す略式断面図。第３図は第２図に示す表示体の応
答時間と印加電圧との関係を示す図。第４図は各表示画
素ごとに薄膜トランジスタが１個付与されたエレクトロ
クロミック表示体の従来例を示す図。 第５図は本発明表示装置の１つの表示画素を示す略式断
面図。第６図は第５図に示す表示画素の略式平面図であ
る。 １．３１・・・・・・透明基板、２．３７・曲・透明電
極３．３８・・・・・・エレクトロクロミック物質層４
．３９・・・・・・凹部を有する基板、５．４０・・・
・・・電極４ ６．４１・・・・・・対向電極
、 ７，４３・・・・・・電解液８．４２・・・・・
・背景板、 １１．２５・・・・・・行電極１２．２
６・・・・・・列電極、１３．２４・・・・・・表示画
素、１４・・・・・・薄膜トランジスタ、１５，２・・
・・・・・共通対向電極、２１・・・・・・第１の薄膜
トランジスタ、２２・・・・・・第２の薄膜トランジス
タ、２３・・・・・・コンデンサ、２７・・・・・・給
電電極、２８・・・・・・第１の薄膜トランジスタのソ
ース電極、２９．３４・・・・・・第１の薄膜トランジ
スタのドレイン電極、３０・・・・・・第２の薄膜トラ
ンジスタのソース電極、３２・・・・・・多結晶シリコ
ン、３３・・・・・・非晶質シリコン、３５・・・・・
・第２の薄膜トランジスタのゲート電極、３６・・・・
・・第２の薄膜トランジスタのドレイン電極第１図 第２図 印加電圧げルト） 第３図 第４ 図 第６図 第５図
ンデンサ、エレクトロクロミック表示画素の配置を示す
図である。第２図はエレクトロクロミック表示体の構造
例を示す略式断面図。第３図は第２図に示す表示体の応
答時間と印加電圧との関係を示す図。第４図は各表示画
素ごとに薄膜トランジスタが１個付与されたエレクトロ
クロミック表示体の従来例を示す図。 第５図は本発明表示装置の１つの表示画素を示す略式断
面図。第６図は第５図に示す表示画素の略式平面図であ
る。 １．３１・・・・・・透明基板、２．３７・曲・透明電
極３．３８・・・・・・エレクトロクロミック物質層４
．３９・・・・・・凹部を有する基板、５．４０・・・
・・・電極４ ６．４１・・・・・・対向電極
、 ７，４３・・・・・・電解液８．４２・・・・・
・背景板、 １１．２５・・・・・・行電極１２．２
６・・・・・・列電極、１３．２４・・・・・・表示画
素、１４・・・・・・薄膜トランジスタ、１５，２・・
・・・・・共通対向電極、２１・・・・・・第１の薄膜
トランジスタ、２２・・・・・・第２の薄膜トランジス
タ、２３・・・・・・コンデンサ、２７・・・・・・給
電電極、２８・・・・・・第１の薄膜トランジスタのソ
ース電極、２９．３４・・・・・・第１の薄膜トランジ
スタのドレイン電極、３０・・・・・・第２の薄膜トラ
ンジスタのソース電極、３２・・・・・・多結晶シリコ
ン、３３・・・・・・非晶質シリコン、３５・・・・・
・第２の薄膜トランジスタのゲート電極、３６・・・・
・・第２の薄膜トランジスタのドレイン電極第１図 第２図 印加電圧げルト） 第３図 第４ 図 第６図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された複数のエレクトロクロミック表
示画素と、この表示画素ごとに付加された、第１および
第２の２個の薄膜トランジスタおよび１個のコンデンサ
からなる表示装置において、該第１の薄膜トランジスタ
のドレイン電極は第２の薄膜トランジスタのゲート電極
およびコンデンサの一方の端に接続され、該コンデンサ
の他方の端は第２の薄膜トランジスタのソース又はドレ
イン電極に接続され、第２の薄膜トランジスタのドレイ
ン電極は、エレクトロクロミック表示画素に接続され、
かつ該第２の薄膜トランジスタを構成する半導体層がビ
ームアニール法により形成された多結晶シリコンである
ことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置。 ２、エレクトロクロミック物質が非晶質酸化タングステ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
エレクトロクロミック表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124537A JPS614030A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59124537A JPS614030A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614030A true JPS614030A (ja) | 1986-01-09 |
Family
ID=14887926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59124537A Pending JPS614030A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | エレクトロクロミツク表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614030A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049868A (en) * | 1989-09-19 | 1991-09-17 | Rockwell International Corporation | Electrochromic display dot drive matrix |
| FR2661028A1 (fr) * | 1990-04-12 | 1991-10-18 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Dispositif d'affichage. |
| WO2002056107A3 (en) * | 2001-01-12 | 2003-01-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light switching device with reset |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59124537A patent/JPS614030A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5049868A (en) * | 1989-09-19 | 1991-09-17 | Rockwell International Corporation | Electrochromic display dot drive matrix |
| FR2661028A1 (fr) * | 1990-04-12 | 1991-10-18 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Dispositif d'affichage. |
| WO2002056107A3 (en) * | 2001-01-12 | 2003-01-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light switching device with reset |
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