JPS6128903A - 反射体 - Google Patents
反射体Info
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- JPS6128903A JPS6128903A JP59150520A JP15052084A JPS6128903A JP S6128903 A JPS6128903 A JP S6128903A JP 59150520 A JP59150520 A JP 59150520A JP 15052084 A JP15052084 A JP 15052084A JP S6128903 A JPS6128903 A JP S6128903A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum substrate
- refractive index
- dielectric layer
- approximately
- reflector
- Prior art date
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- Optical Filters (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１例えば複写機、ファクシミリ等における照明
装置の反射笠の部材として好適な反射体に関するもので
ある。
装置の反射笠の部材として好適な反射体に関するもので
ある。
従来より、各種の事務機の照明装置に用いられる反射笠
の部材としては、 （ａ）アルミニウムを電解研摩してアルマイトをつけた
部材、 （ｂ）第３図に示す如く低純度のアルミニウムＭｌの上
に、高純度のアルミニウム層２をラミネートした部材、 （ｃ）第４図に示す如く、前記（ｂ）に示す部材上に、
ＳｉＯ２等の保護層３を設けた部材、（ｄ）アルミニウ
ム基板の上に真空蒸着にて多層膜を設けた部材、 がある。
の部材としては、 （ａ）アルミニウムを電解研摩してアルマイトをつけた
部材、 （ｂ）第３図に示す如く低純度のアルミニウムＭｌの上
に、高純度のアルミニウム層２をラミネートした部材、 （ｃ）第４図に示す如く、前記（ｂ）に示す部材上に、
ＳｉＯ２等の保護層３を設けた部材、（ｄ）アルミニウ
ム基板の上に真空蒸着にて多層膜を設けた部材、 がある。
然しなから（ａ）に示す部材は、その表面での絶対反射
率（以後単に表面反射率と呼ぶ）が非常に低いと言う問
題がある。又、（ｂ）に示す部材は、純度の高いアルミ
ニ、ラム層２を使用することにより、アルミニウム層２
の表面反射率は８５％〜８７％に達することができるが
、アルミニウム層２の表面で反射される光束は正反射の
光束に対して散乱光束の成分が非常に多い光束となる。
率（以後単に表面反射率と呼ぶ）が非常に低いと言う問
題がある。又、（ｂ）に示す部材は、純度の高いアルミ
ニ、ラム層２を使用することにより、アルミニウム層２
の表面反射率は８５％〜８７％に達することができるが
、アルミニウム層２の表面で反射される光束は正反射の
光束に対して散乱光束の成分が非常に多い光束となる。
この様。
な散乱成分が非常に多いことは、照明装置の反射笠に用
いた場合、所望の照明領域を正確に照明することが困難
である。換言すれば、所望の照明領域に光束を集中させ
る効率が低下し、高効率な照明が出来ないと言うことで
ある。更に、（ｂ）に示す部材は耐候性も悪い。又、（
ｃ）に示す部材は、（ｂ）に示す部材に比べてＳ ｉ
０２の層３を高純度のアルミニウム層２上にλ／２（但
しλは設計波長）の整数倍の厚さで設けているので、耐
候性の問題は改善されるが、前記散乱性の問題は充分に
は改善されない、更には、表面反射率も８５％〜８７％
程度で、（ｂ）の部材の表面反射率とあまり差異がない
、又、（ｄ）に示す部材では、非常に薄い膜を蒸着によ
り多層設けることにより、アルミニウム基板の表面反射
率を増加せしめることができるが、アルミニウム基板表
面に於ける散乱成分を減少させることは出来ない、更に
（ｄ）における最大の難点は、蒸着によりアルミニウム
基板上に膜を設ける為に、コストが非常に高くなり、量
産向きでないこと、蒸着槽の大きさの関係上、表面の大
きな部材には、膜を施すことが困難であることが挙げら
れる。
いた場合、所望の照明領域を正確に照明することが困難
である。換言すれば、所望の照明領域に光束を集中させ
る効率が低下し、高効率な照明が出来ないと言うことで
ある。更に、（ｂ）に示す部材は耐候性も悪い。又、（
ｃ）に示す部材は、（ｂ）に示す部材に比べてＳ ｉ
０２の層３を高純度のアルミニウム層２上にλ／２（但
しλは設計波長）の整数倍の厚さで設けているので、耐
候性の問題は改善されるが、前記散乱性の問題は充分に
は改善されない、更には、表面反射率も８５％〜８７％
程度で、（ｂ）の部材の表面反射率とあまり差異がない
、又、（ｄ）に示す部材では、非常に薄い膜を蒸着によ
り多層設けることにより、アルミニウム基板の表面反射
率を増加せしめることができるが、アルミニウム基板表
面に於ける散乱成分を減少させることは出来ない、更に
（ｄ）における最大の難点は、蒸着によりアルミニウム
基板上に膜を設ける為に、コストが非常に高くなり、量
産向きでないこと、蒸着槽の大きさの関係上、表面の大
きな部材には、膜を施すことが困難であることが挙げら
れる。
本発明の目的は、アルミニウムを基板とする反射体に於
いて、容易な量産向けの手段で、アルミニウム表面の反
射率を増加せしめる様な反射体を提供することにある。
いて、容易な量産向けの手段で、アルミニウム表面の反
射率を増加せしめる様な反射体を提供することにある。
本発明の更なる目的は、従来のアルミニウムを基板とす
る反射体に比して、アルミニウム基板の表面での反射の
際に、散乱光束成分の割合が、正反射光束の成分に対し
て小さい反射体を提供することにある。
る反射体に比して、アルミニウム基板の表面での反射の
際に、散乱光束成分の割合が、正反射光束の成分に対し
て小さい反射体を提供することにある。
本発明の更なる目的は、アルミニウム基板表面の耐候性
に優れた反射体を提供することにある。
に優れた反射体を提供することにある。
本発明に係る反射体に於いては、Ｔ ｉ 、 Ｚ ｒ
。
。
Ｔａ、Ｉｎの如き金属の有機化合物の溶液又は金属水酸
化物の溶液と、Ｓｉの如き金属の有機化合物の溶液を、
ディッピング、スピナーの様な溶液塗布法によりアルミ
ニウム基板上に交互に設け。
化物の溶液と、Ｓｉの如き金属の有機化合物の溶液を、
ディッピング、スピナーの様な溶液塗布法によりアルミ
ニウム基板上に交互に設け。
しかる後に加熱して焼成することにより、アルミニウム
基板上に高屈折率誘電体の層と低屈折率誘電体の層の交
互層を形成することにより上記目的を達成したものであ
る。
基板上に高屈折率誘電体の層と低屈折率誘電体の層の交
互層を形成することにより上記目的を達成したものであ
る。
従って、本発明による反射体に於いては、最終的にはア
ルミニウム基板上に、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２。
ルミニウム基板上に、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２。
Ｔａ２ＯＳ 、Ｉ ｎ７ ｏ３の如き高屈折率の誘電体
層とＳｉＯ２の如き低屈折率の誘電体層の交互層が形成
されるもにであるが、溶液塗布法により形成する為に、
表面反射率も基板のアルミニウム表面自身の反射率に比
して５％〜ｌＯ％程増加させることが出来ると共に、大
幅に反射光束の散乱性を低下させることが出来たもので
ある。一本発明に於いて用いる有機金属化合物としては
、 （ａ）金属ハロゲン化物とカルボン酸を反応させ、必要
に応じて減圧法によりハロゲンの除去を行い、更にこの
反応正成物とアルコールとを反応させ適宜有機溶媒によ
り調整稀釈してなる溶液、（ｂ）金属アルコラードと低
級脂肪酸とを触媒の存在の下、有機溶媒中に於いて反応
させ適宜有機溶媒で稀釈してなる溶液。
層とＳｉＯ２の如き低屈折率の誘電体層の交互層が形成
されるもにであるが、溶液塗布法により形成する為に、
表面反射率も基板のアルミニウム表面自身の反射率に比
して５％〜ｌＯ％程増加させることが出来ると共に、大
幅に反射光束の散乱性を低下させることが出来たもので
ある。一本発明に於いて用いる有機金属化合物としては
、 （ａ）金属ハロゲン化物とカルボン酸を反応させ、必要
に応じて減圧法によりハロゲンの除去を行い、更にこの
反応正成物とアルコールとを反応させ適宜有機溶媒によ
り調整稀釈してなる溶液、（ｂ）金属アルコラードと低
級脂肪酸とを触媒の存在の下、有機溶媒中に於いて反応
させ適宜有機溶媒で稀釈してなる溶液。
等を用いることができる。以下、本発明について詳述す
る。
る。
第１図は１本発明に係る反射体の一実施例を示す断面図
である。第１図に於いて１１はその表面反射率が８０％
程度の比較的純度の低いアルミニラム基板、１２は５０
ｎｍ〜８０ｎｍの幾何学的膜厚を有する３ｉ０２（７）
層、１３は５０ ｎｍ〜８０ ｒ＋ｍｃ７）幾何学的膜
厚を有するＴｉＯ２の層である。各層（１２，１３）の
光学的膜厚は設計波長を入とすると、はぼλ／４の厚さ
又はほぼλ／４の（２ｎ −１）倍の厚さである。但し
ｎは自然数である。第１図で示される反射体上に設けら
れた反射増加膜（１２，１３）は、溶液塗布法によって
形成されたもので、まずアルミニウム基板ｌｌ上にＳｉ
の有機化合物の溶液を塗布し、更にその上にＴｉの有機
化合物の溶液を塗布した後に、１５０℃〜３８０℃、望
ましくは２５０℃位の温度で、約３０分間加熱すること
により形成されるものである。この反射増加膜を設けた
場合のアルミニウム基板１１の反射率は５％〜ｌＯ％程
度反射率が増加され、従ってアルミニウム基板１１の反
射率はおよそ８５％〜８７％程になる。
である。第１図に於いて１１はその表面反射率が８０％
程度の比較的純度の低いアルミニラム基板、１２は５０
ｎｍ〜８０ｎｍの幾何学的膜厚を有する３ｉ０２（７）
層、１３は５０ ｎｍ〜８０ ｒ＋ｍｃ７）幾何学的膜
厚を有するＴｉＯ２の層である。各層（１２，１３）の
光学的膜厚は設計波長を入とすると、はぼλ／４の厚さ
又はほぼλ／４の（２ｎ −１）倍の厚さである。但し
ｎは自然数である。第１図で示される反射体上に設けら
れた反射増加膜（１２，１３）は、溶液塗布法によって
形成されたもので、まずアルミニウム基板ｌｌ上にＳｉ
の有機化合物の溶液を塗布し、更にその上にＴｉの有機
化合物の溶液を塗布した後に、１５０℃〜３８０℃、望
ましくは２５０℃位の温度で、約３０分間加熱すること
により形成されるものである。この反射増加膜を設けた
場合のアルミニウム基板１１の反射率は５％〜ｌＯ％程
度反射率が増加され、従ってアルミニウム基板１１の反
射率はおよそ８５％〜８７％程になる。
第２図は、本発明に係る反射体の他の実施例を示す断面
図である。第２図において、２１は比較的純度の低いア
ルミニウム基板、２２は高純度でその表面反射率も８５
％〜８７％程度のアルミニウム層で、前記アルミニウム
基板２１上に高純度アルミニウム層２２をラミネート処
理により設けたものである。２３及び２５は、３０ｎｍ
〜７０ｎｍの幾何学的膜厚を有するＴｉＯ２の層、２４
は３０ｎｍ〜７０ｎｍの幾何学的膜厚を有するＳｉＯ２
の層である。これ等の層（２３，２４，２５）の光学的
膜厚も設計波長入のほぼ（２ｎ−１）・λ／４の厚さに
設けることが反射増加をさせる為には望ましい。又、こ
れ等の反射増加膜（２３，２４，２５）は、第１図で示
した反射増加膜と同様の過程を経て形成されるものであ
り、ここでは説明を省く。第２図に示す反射増加膜を設
けることにより、アルミニウム層２２の表面反射率を５
％〜１０％程度増すことが可能であり、従って８５％〜
８７％程度のアルミニウム層２２の反射率を９３％〜９
５％程度まで増すことが出来、真空蒸着で達成される反
射率とほぼ同等の反射率を得ることが出来る。
図である。第２図において、２１は比較的純度の低いア
ルミニウム基板、２２は高純度でその表面反射率も８５
％〜８７％程度のアルミニウム層で、前記アルミニウム
基板２１上に高純度アルミニウム層２２をラミネート処
理により設けたものである。２３及び２５は、３０ｎｍ
〜７０ｎｍの幾何学的膜厚を有するＴｉＯ２の層、２４
は３０ｎｍ〜７０ｎｍの幾何学的膜厚を有するＳｉＯ２
の層である。これ等の層（２３，２４，２５）の光学的
膜厚も設計波長入のほぼ（２ｎ−１）・λ／４の厚さに
設けることが反射増加をさせる為には望ましい。又、こ
れ等の反射増加膜（２３，２４，２５）は、第１図で示
した反射増加膜と同様の過程を経て形成されるものであ
り、ここでは説明を省く。第２図に示す反射増加膜を設
けることにより、アルミニウム層２２の表面反射率を５
％〜１０％程度増すことが可能であり、従って８５％〜
８７％程度のアルミニウム層２２の反射率を９３％〜９
５％程度まで増すことが出来、真空蒸着で達成される反
射率とほぼ同等の反射率を得ることが出来る。
又、第１図及び第２図で示す反射体は、表面反射する全
ての反射光束中に占める正反射光束の割合を、従来の反
射体に於ける正反肚光束の割合に比して高めることが出
来た。換言すれば、全ての反射光束中に占める散乱反射
光束の割合を減少させることが出来たもので、例えば、
第４図に示す反射体では散乱反射光束の割合がおよそ８
％であったものが、第１図及び第２図に示す反射体では
、散乱反射光束の割合をおよそ３％まで低下させること
が出来た。
ての反射光束中に占める正反射光束の割合を、従来の反
射体に於ける正反肚光束の割合に比して高めることが出
来た。換言すれば、全ての反射光束中に占める散乱反射
光束の割合を減少させることが出来たもので、例えば、
第４図に示す反射体では散乱反射光束の割合がおよそ８
％であったものが、第１図及び第２図に示す反射体では
、散乱反射光束の割合をおよそ３％まで低下させること
が出来た。
上述した効果の外にも、本願で示す反射体は高温、高温
、更にはオゾンの様な外部環境の対する対候性にすぐれ
、又、デ゛イピングの際の塗布量の調整により容易に反
射増加膜を形成する誘電体層の膜厚を調整でき１反射増
加すべき波長領域を自由に選択することが出来る。更に
言うまでもなく、低コストで且つ量産性に適するもので
ある。
、更にはオゾンの様な外部環境の対する対候性にすぐれ
、又、デ゛イピングの際の塗布量の調整により容易に反
射増加膜を形成する誘電体層の膜厚を調整でき１反射増
加すべき波長領域を自由に選択することが出来る。更に
言うまでもなく、低コストで且つ量産性に適するもので
ある。
第１図及び第２図は、本発明に係る反射体の構成を示す
図、第３図及び第４図は、従来の反射体の構成を示す図
。 ［１，２１・・魯アルミニウム基板。 １２．２４１１・・ＳｉＯ２層、 １３．２３．２５＠・・ＴｉＯ２層、 ２２・・・高純度アルミニウム層。
図、第３図及び第４図は、従来の反射体の構成を示す図
。 ［１，２１・・魯アルミニウム基板。 １２．２４１１・・ＳｉＯ２層、 １３．２３．２５＠・・ＴｉＯ２層、 ２２・・・高純度アルミニウム層。
Claims (5)
- （１）アルミニウム基板上に、有機金属化合物の溶液又
は金属水酸化物の溶液を塗布した後にこれを焼成するプ
ロセスを用いて形成した高屈折率の誘電体層と低屈折率
の誘電体層の交互層より成る薄膜を設けることにより、
アルミニウム基板の表面反射率を増加せしめると共にア
ルミニウム基板表面の散乱性を低下せしめることを特徴
とする反射体。 - （２）前記交互層より成る薄膜は、λを設計波長、ｎを
自然数とすると、アルミニウム基板側より、光学的膜厚
がおおよそ（２ｎ−１）λ／４の低屈折率誘電体層、光
学的膜厚がおおよそ（２ｎ−１）λ／４の高屈折率誘電
体層が順次積層して成る特許請求の範囲第１項記載の反
射体。 - （３）前記交互層より成る薄膜は、λを設計波長、ｎを
自然数とすると、アルミニウム基板側より、光学的膜厚
がおおよそ（２ｎ−１）λ／４の高屈折率誘電体層、光
学的膜厚がおおよそ（２ｎ−１）λ／４の低屈折率誘電
体層、光学的膜厚がおおよそ（２ｎ−１）λ／４の高屈
折率誘電体層が順次積層して成る特許請求の範囲第１項
記載の反射体。 - （４）前記高屈折率誘電体層は、ＴｉＯ＿２、ＺｒＯ＿
２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｉｎ＿２Ｏ＿３のいずれかの物質
より成る特許請求の範囲第２項又は第３項記載の反射体
。 - （５）前記低屈折率誘電体層はＳｉＯ＿２より成る特許
請求の範囲第２項又は第３項記載の反射体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150520A JPS6128903A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 反射体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59150520A JPS6128903A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 反射体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6128903A true JPS6128903A (ja) | 1986-02-08 |
Family
ID=15498654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59150520A Pending JPS6128903A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 反射体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6128903A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62257102A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Kyocera Corp | セラミツクスミラ− |
| JPS6314102A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 反射板 |
| JPS63204222A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 光ビ−ム走査装置 |
| JPH0222523U (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-15 | ||
| US6005715A (en) * | 1996-09-17 | 1999-12-21 | Dielectric Coating Industries | Reflectors |
| KR100323440B1 (ko) * | 1995-09-12 | 2002-06-20 | 부르크하르트 한스, 게르네트 자무엘 | 복합반사율증진표면층을가진알루미늄반사기 |
| WO2016006691A1 (ja) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | イビデン株式会社 | ミラー |
| KR20170066497A (ko) * | 2014-10-27 | 2017-06-14 | 알메코 게엠베하 | 온도 및 부식 안정 표면 반사체 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5732402A (en) * | 1980-08-04 | 1982-02-22 | Minolta Camera Co Ltd | Reflecting mirror for lighting |
| JPS5926704A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-13 | Hoya Corp | 多層膜反射鏡 |
| JPS60181704A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Canon Inc | 真空紫外用反射ミラー |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP59150520A patent/JPS6128903A/ja active Pending
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| KR20170066497A (ko) * | 2014-10-27 | 2017-06-14 | 알메코 게엠베하 | 온도 및 부식 안정 표면 반사체 |
| JP2017533842A (ja) * | 2014-10-27 | 2017-11-16 | アルメコ・ゲーエムベーハー | 耐温度性及び耐腐食性の表面反射体 |
| US10436955B2 (en) | 2014-10-27 | 2019-10-08 | Almeco Gmbh | Temperature- and corrosion-stable surface reflector |
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