JPS61284357A - 被工作物のカセツト間移送方法と装置 - Google Patents
被工作物のカセツト間移送方法と装置Info
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- JPS61284357A JPS61284357A JP60299646A JP29964685A JPS61284357A JP S61284357 A JPS61284357 A JP S61284357A JP 60299646 A JP60299646 A JP 60299646A JP 29964685 A JP29964685 A JP 29964685A JP S61284357 A JPS61284357 A JP S61284357A
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- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は被工作物のカセット間移送方法と装置に関す
るものであり、更に詳しくは例えばシリコンウェファ−
から半導体などを製造する機械上における被工作物の移
送技術の改良に関するものである。
るものであり、更に詳しくは例えばシリコンウェファ−
から半導体などを製造する機械上における被工作物の移
送技術の改良に関するものである。
(従来技術)
このような被工作物の移送技術としては、アメリカ特許
第4.062.463号に1個のカセットを用いた非常
にユニークな移送システムが開示されており、そこでは
該カセットからシリコンウェファ−などの被工作物が処
理台に移送され、処理の終了後再びカセットに戻される
ようになっている。このシステムの場合2債のカセット
を使用する必要がなく、したがって一方のカセットを被
工作物を処理台に移送する位置に置くとともに他方のカ
セットを処理後の被工作物を受取る位置に置くといった
ような運動の整合上の面倒がない。
第4.062.463号に1個のカセットを用いた非常
にユニークな移送システムが開示されており、そこでは
該カセットからシリコンウェファ−などの被工作物が処
理台に移送され、処理の終了後再びカセットに戻される
ようになっている。このシステムの場合2債のカセット
を使用する必要がなく、したがって一方のカセットを被
工作物を処理台に移送する位置に置くとともに他方のカ
セットを処理後の被工作物を受取る位置に置くといった
ような運動の整合上の面倒がない。
即ち全体として非常に小型の構造とすることができる。
このよううな利点の反面、一度に1個しか被工作物を処
理できないという大きな不利があ。
理できないという大きな不利があ。
2個のカセットを用い、一方でもって被工作物を処理ス
テージ、ンに供給し、他方でもってそこから処理済の被
工作物を受取るようにすれば、複数の被工作物を同時に
迅速に処理することも可能である。しかしこうすると運
動の整合上の面倒が生じ、構造的にも複雑となるのを免
れない、即ちカセット毎に別個の昇降ユニットを設ける
必要が生じてくるのである。
テージ、ンに供給し、他方でもってそこから処理済の被
工作物を受取るようにすれば、複数の被工作物を同時に
迅速に処理することも可能である。しかしこうすると運
動の整合上の面倒が生じ、構造的にも複雑となるのを免
れない、即ちカセット毎に別個の昇降ユニットを設ける
必要が生じてくるのである。
(発明の要旨)
この発明の目的は2個のカセットを用いながらも1(1
fの昇降ユニットだけを用いてのカセット移送を、しか
も運動の整合を容易にしながら、可能とすることにある
。このためこの発明では、xmの昇降ユニットに組付ら
れた2本の移送アームによりそれぞれのカセットを水平
方向および上下にずれを持たせて支持するようにしたも
のである。
fの昇降ユニットだけを用いてのカセット移送を、しか
も運動の整合を容易にしながら、可能とすることにある
。このためこの発明では、xmの昇降ユニットに組付ら
れた2本の移送アームによりそれぞれのカセットを水平
方向および上下にずれを持たせて支持するようにしたも
のである。
(実施態様)
以下この発明を半導体の製造装置に応用した場合につい
て説明するが、この発明はカセット間において被工作物
を移送する処理*a一般に応用できる・ 第1図において半導体製造装置10の昇降ユニッ)12
にはそれぞれカセット18.20を支持する載台14.
16が設けられている。カセットエ日中にはこの例の場
合シリコンウェファ−(SW)が配置されている。この
シリコンウェファ−は移送アーム22によってカセット
18から積下される。また移送アーム22はシリコンウ
ェファ−をカセット20に積上げるためのものである。
て説明するが、この発明はカセット間において被工作物
を移送する処理*a一般に応用できる・ 第1図において半導体製造装置10の昇降ユニッ)12
にはそれぞれカセット18.20を支持する載台14.
16が設けられている。カセットエ日中にはこの例の場
合シリコンウェファ−(SW)が配置されている。この
シリコンウェファ−は移送アーム22によってカセット
18から積下される。また移送アーム22はシリコンウ
ェファ−をカセット20に積上げるためのものである。
カセット18からシリコンウェファ−をm下すのに加え
て、移送アーム22はシリコンウエフγ−を塗装台26
に移送する働きもする。また移送アーム24は、シリコ
ンウェファ−をカセット20に積上げるのに加えて、#
L装台26に並設された焼成台28からシリコンウェフ
ァ−を取除く働きもする。シリコンウェファ−は回転動
する移送アーム30によって塗装台26から焼成台28
に移送される。
て、移送アーム22はシリコンウエフγ−を塗装台26
に移送する働きもする。また移送アーム24は、シリコ
ンウェファ−をカセット20に積上げるのに加えて、#
L装台26に並設された焼成台28からシリコンウェフ
ァ−を取除く働きもする。シリコンウェファ−は回転動
する移送アーム30によって塗装台26から焼成台28
に移送される。
昇降ユニット12は別として、半導体製造*a10の各
構成要素そのものは全て公知のものであり、例えばアメ
リカ特許第4,062.463号に記載されているよう
なものである。したがってその詳細な説明は省略し、以
下昇降ユニット12を中心に説明する。
構成要素そのものは全て公知のものであり、例えばアメ
リカ特許第4,062.463号に記載されているよう
なものである。したがってその詳細な説明は省略し、以
下昇降ユニット12を中心に説明する。
第2.3図において、昇降ユニット12は半導体製造装
置のシャシ34の一部であるIビーム32に架設されて
いる。このIビーム32の下部38を透通して回転自在
なリードネジ36が上方に向けて延在しており、スタン
ド42によって該下部38に取付けられたモーター40
によって回転駆動される。このリードネジ36にはスラ
イド44が螺合しており、リードネジ36の回転にとも
なって上下する。Iビーム32の下部38と上部48と
の間にはロッド46が延在しており、これがリードネジ
36に沿ってのスライド44の上下動を導くmきをして
いる。スライド44からは上方外側に向けて1対のブラ
ケット50.52が延在しており、それぞれ載台14.
16を支持している。即ち載台14、と載台16とは互
いに並在し、かつスライド44とともに同時に上下動す
るようになっている。したがってそれらに支持されたカ
セッ)18.20も一緒にかつスライド44とともに上
下動する。
置のシャシ34の一部であるIビーム32に架設されて
いる。このIビーム32の下部38を透通して回転自在
なリードネジ36が上方に向けて延在しており、スタン
ド42によって該下部38に取付けられたモーター40
によって回転駆動される。このリードネジ36にはスラ
イド44が螺合しており、リードネジ36の回転にとも
なって上下する。Iビーム32の下部38と上部48と
の間にはロッド46が延在しており、これがリードネジ
36に沿ってのスライド44の上下動を導くmきをして
いる。スライド44からは上方外側に向けて1対のブラ
ケット50.52が延在しており、それぞれ載台14.
16を支持している。即ち載台14、と載台16とは互
いに並在し、かつスライド44とともに同時に上下動す
るようになっている。したがってそれらに支持されたカ
セッ)18.20も一緒にかつスライド44とともに上
下動する。
第2図において、載台16は載台14より所定の距離C
a)だけ上方に支持されており、したがってカセット2
0もカセッ)18に対して該所定の距離(a)だけ上方
に支持されている。
a)だけ上方に支持されており、したがってカセット2
0もカセッ)18に対して該所定の距離(a)だけ上方
に支持されている。
この所定の距離(a)はカセッ)18.20のピッチ(
即ちカセット18の長孔54°、54”、54”’ と
カセット20の長孔56°〜5B”’ との間の距離)
に等しい、この距離の持つ意義については後述する。
即ちカセット18の長孔54°、54”、54”’ と
カセット20の長孔56°〜5B”’ との間の距離)
に等しい、この距離の持つ意義については後述する。
更に@3図に示すように載台14と載台16とは距a(
b)だけ互いに水平方向にずれている。
b)だけ互いに水平方向にずれている。
この距# (b)は、移送アーム22が後退位置にある
ときにその吸引管58がカセット18の長孔54゛〜5
4°1中のシリコンウェファ−60′〜80”’ の真
下に来るように、また移送アーム24が後退位置にある
ときにその吸引管62がカセット20中の長孔56゛〜
561゛に移送されたシリコンウェファ−60°〜60
”’ をクリアするように、定める。この水平方向にず
れの持つ意義については後述する。移送アーム22.2
4が後退位置にあるとき(この位置において吸引管58
.62の端部64.66は同一垂直面内にある)吸引管
58.62は互いに交差する位置にある。
ときにその吸引管58がカセット18の長孔54゛〜5
4°1中のシリコンウェファ−60′〜80”’ の真
下に来るように、また移送アーム24が後退位置にある
ときにその吸引管62がカセット20中の長孔56゛〜
561゛に移送されたシリコンウェファ−60°〜60
”’ をクリアするように、定める。この水平方向にず
れの持つ意義については後述する。移送アーム22.2
4が後退位置にあるとき(この位置において吸引管58
.62の端部64.66は同一垂直面内にある)吸引管
58.62は互いに交差する位置にある。
次に動作について説明する。まず昇降ユニット12が第
2図に示す初期姿勢をとるとき、カセッ)1B中一番下
側のシリコンウェファ−60°が移送アーム22の真上
に位置している。またカセット20はその移送アーム2
4が長孔56°より距離(a)だけ下になる位置にあり
、移送アーム24はカセット20を積上げることができ
ない。
2図に示す初期姿勢をとるとき、カセッ)1B中一番下
側のシリコンウェファ−60°が移送アーム22の真上
に位置している。またカセット20はその移送アーム2
4が長孔56°より距離(a)だけ下になる位置にあり
、移送アーム24はカセット20を積上げることができ
ない。
吸引管58の吸引作用によってシリコンウェファ−60
°が移送アーム22上に保持されると、移送アーム22
はその後退位置からカセット18を通って前進位置に移
り(第1図中点線で示す)塗装台26の上に来る。公知
の方法によりシリコンウエファ−60′が移送アーム2
2から塗装台26に移された後、移送アーム22はその
後退位置に戻る。
°が移送アーム22上に保持されると、移送アーム22
はその後退位置からカセット18を通って前進位置に移
り(第1図中点線で示す)塗装台26の上に来る。公知
の方法によりシリコンウエファ−60′が移送アーム2
2から塗装台26に移された後、移送アーム22はその
後退位置に戻る。
塗装処理が完了すると、移送アーム30により塗装台2
6から焼成台へとシリコンウエフγ−60゛が移送され
、昇降ユニット12がカセット18.20のピッチに等
しい距離だけ位置決めされる(!IIち下げられる)、
このとき、カセット18はそのシリコンウェファ−60
”(即ち下から2番目のシリコンウェファ−)が移送ア
ーム22の吸引管5日の真上になる位置にあり、カセッ
ト20はその長孔56°が移送アーム24によって積上
げられる位置に来る。
6から焼成台へとシリコンウエフγ−60゛が移送され
、昇降ユニット12がカセット18.20のピッチに等
しい距離だけ位置決めされる(!IIち下げられる)、
このとき、カセット18はそのシリコンウェファ−60
”(即ち下から2番目のシリコンウェファ−)が移送ア
ーム22の吸引管5日の真上になる位置にあり、カセッ
ト20はその長孔56°が移送アーム24によって積上
げられる位置に来る。
吸引力によりシリコンウェファ−60°°を保持した状
態〒移送アーム22は再びその後退位置からカセット1
8を通って前進位置に移動する。シリコンウェファ−6
0°°を塗装台26に移送した後、移送アーム22はま
た後退位置に戻る。
態〒移送アーム22は再びその後退位置からカセット1
8を通って前進位置に移動する。シリコンウェファ−6
0°°を塗装台26に移送した後、移送アーム22はま
た後退位置に戻る。
シリコンウェファ−の焼成が完了すると、移送アーム?
4がその後退位置からカセット20を通って前進位gl
(第1図中に点線で示す)に移動し、焼成台28の上に
来る。シリコンウェファ−60“が焼成台28から移送
アーム24に公知の方法で移送された後、移送アーム2
4はその後退位置に向けて戻るが、この後退位置に至る
直前に吸引管62による吸引が解かれ、カセット20の
長孔56’ にシリコンウェファ−60°が自然に放出
される。
4がその後退位置からカセット20を通って前進位gl
(第1図中に点線で示す)に移動し、焼成台28の上に
来る。シリコンウェファ−60“が焼成台28から移送
アーム24に公知の方法で移送された後、移送アーム2
4はその後退位置に向けて戻るが、この後退位置に至る
直前に吸引管62による吸引が解かれ、カセット20の
長孔56’ にシリコンウェファ−60°が自然に放出
される。
塗装作業が完了すると、移送アーム30によりシリコン
ウェファ−601が塗装台26から焼成台28に移送さ
れ、昇降ユニット12がカセット18.20のピッチに
等い距離だけ再び位置決めされ、カセット18はそのシ
リコンウェファ−60°゛が移送アーム22の吸引管5
8の真上にくる位置に来、カセット20はその長孔56
°°が移送7−ム24によって積上げられる位置に来。
ウェファ−601が塗装台26から焼成台28に移送さ
れ、昇降ユニット12がカセット18.20のピッチに
等い距離だけ再び位置決めされ、カセット18はそのシ
リコンウェファ−60°゛が移送アーム22の吸引管5
8の真上にくる位置に来、カセット20はその長孔56
°°が移送7−ム24によって積上げられる位置に来。
移送アーム24はその後退位置においてはシリコンウェ
ファ−60′をクリアしているので、移送アーム24は
昇降ユニット12の位置決めとは干渉しない、吸引力に
よってシリコンウェファ−so”’ を保持した状態で
移送アーム22な再びその後退位置からカセッ)18を
通って前進位置に移動す る。シリコンウェファ−6oT11 を塗装台26に移
送した後、移送アーム22は後退位置に戻る。
ファ−60′をクリアしているので、移送アーム24は
昇降ユニット12の位置決めとは干渉しない、吸引力に
よってシリコンウェファ−so”’ を保持した状態で
移送アーム22な再びその後退位置からカセッ)18を
通って前進位置に移動す る。シリコンウェファ−6oT11 を塗装台26に移
送した後、移送アーム22は後退位置に戻る。
シリコンウェファ−60゛°に焼成が施された後。
移送アーム24はその後退位置からカセット20を通っ
て焼成台28上の前進位置に移動する。シリコンウェフ
ァ−601が移送アーム24に移送された後移送アーム
24はその後退位置に向けて戻るが、後退位置に到着す
る直前に吸引管62による吸引が解かれ、シリコンウェ
ファ−60°°が自然に長孔561中のシリコンウェフ
ァ−60°の上に放出される。
て焼成台28上の前進位置に移動する。シリコンウェフ
ァ−601が移送アーム24に移送された後移送アーム
24はその後退位置に向けて戻るが、後退位置に到着す
る直前に吸引管62による吸引が解かれ、シリコンウェ
ファ−60°°が自然に長孔561中のシリコンウェフ
ァ−60°の上に放出される。
シリコンウエフγ−60”’ に対する塗装処理が完了
すると、シリコンウェファ−601°は塗装台26から
焼成台28へと移送アーム30によって移送される。こ
のシリコンウェファ−60°°°の移送が終ると、昇降
ユニット12がカセット18.20のピッチに等しい距
離だけ位置決めされ、カセッ)20はその長孔5 B
”’が移送アーム24によって積上げられる位置に来る
。
すると、シリコンウェファ−601°は塗装台26から
焼成台28へと移送アーム30によって移送される。こ
のシリコンウェファ−60°°°の移送が終ると、昇降
ユニット12がカセット18.20のピッチに等しい距
離だけ位置決めされ、カセッ)20はその長孔5 B
”’が移送アーム24によって積上げられる位置に来る
。
以上述べた作業により、シリコンウェファ−60〜60
″′はカセット18の長孔54゛〜54°°゛からカセ
ット20の長孔56゛〜561′へと移送される。カセ
、ト18が3@以上(通常は25個)のシリコンウェフ
ァ−を含んでいるときには、全てのシリコンウェファ−
がカセット18からカセット20へと移送されるまで上
記の作業が繰返される。
″′はカセット18の長孔54゛〜54°°゛からカセ
ット20の長孔56゛〜561′へと移送される。カセ
、ト18が3@以上(通常は25個)のシリコンウェフ
ァ−を含んでいるときには、全てのシリコンウェファ−
がカセット18からカセット20へと移送されるまで上
記の作業が繰返される。
カセット18とカセッ)20とが垂直方向にずれていな
いと、シリコンウェファ−がカセット18とカセット2
0の対応する長孔間を移送され得ないから(即ちシリコ
ンウェファ−60°が長孔54°から引き出されて、カ
セット20の長孔56゛よりも、長孔56°°の方に引
き渡されてしまうから)昇降ユニット12と移送アーム
22と移送アーム24とを用いて全てのシリコンウェフ
ァ−をカセット18からカセッ)20に移送することが
出来ないことになる。
いと、シリコンウェファ−がカセット18とカセット2
0の対応する長孔間を移送され得ないから(即ちシリコ
ンウェファ−60°が長孔54°から引き出されて、カ
セット20の長孔56゛よりも、長孔56°°の方に引
き渡されてしまうから)昇降ユニット12と移送アーム
22と移送アーム24とを用いて全てのシリコンウェフ
ァ−をカセット18からカセッ)20に移送することが
出来ないことになる。
第1図はこの発明の装置を紹込んだ半導体製造l!II
IAの一例を示す平面図。 第2図はその昇降ユニット周りを示す前面図、第3図は
その平面図である。
IAの一例を示す平面図。 第2図はその昇降ユニット周りを示す前面図、第3図は
その平面図である。
Claims (21)
- (1)第1のカセットから第1の被工作物を積下げ、 第1のカセットから第2の被工作物が積下げできかつ第
2のカセットに第1の被工作物が積上げできる如くに、
第1と第2のカセットを同時に位置決めし、 第1のカセットから第2の被工作物を積下げ、第2のカ
セットに第1の被工作物を積上げ、第2のカセットに第
2の被工作物が積上げできる如くに、第1と第2のカセ
ットを同時に位置決めする如き被工作物のカセット間移
送方法。 - (2)第1のカセット中の被工作物の全てが第2のカセ
ットに移送される迄第1のカセット中の連続被工作物に
上記の手順を繰返す 如き特許請求の範囲第(1)項に記載の方法。 - (3)第1の被工作物が第1のカセット中の一番下の被
工作物であり第2の被工作物が下から二番目の被工作物
である 如き特許請求の範囲第(1)または(2)項に記載の方
法。 - (4)第1と第2のカセットが同じピッチを有しており
、両カセットが位置決めされたときに第2のカセットが
所定の距離だけ第1のカセットより上に位置し、かつこ
の所定の距離が上記のピッチに等しい 如き特許請求の範囲第(1)〜(3)のいずれかの項に
記載の方法。 - (5)両カセットがこれらを下降させることにより位置
決めされる如き特許請求の範囲第(4)項に記載の方法
。 - (6)第1のカセットを通って後退位置と前進位置間を
移動可能な第1の移送アームによって被工作物が第1の
カセットから積下げられ、第2のカセットを通って後退
位置と前進位置間を移動可能な第2の移送アームによっ
て被工作物が第2のカセットに積上げられる如き特許請
求の範囲第(5)項に記載の方法。 - (7)後退位置にあるときに第1の移送アームが被工作
物の真下に位置し、後退位置にあるときに第2の移送ア
ームが被工作物をクリアした位置にある如き特許請求の
範囲第(6)項に記載の方法。 - (8)第1と第2のカセットが並設されている如き特許
請求の範囲第(7)項に記載の方法。 - (9)後退位置にあるときに第1の移送アームが第1の
カセット中の被工作物の真下にあり、後退位置にあると
きに第2の移送アームが第2のカセット中の被工作物を
クリアしておりかつ第1のカセットが第2のカセットに
対してずれている如き特許請求の範囲第(8)項に記載
の方法。 - (10)第1のカセットがそこから第1の被工作物が積
下げできる位置にあるときに第2のカセットがそこに被
工作物が積上げできない位置にあり、第2のカセットが
そこに第2の被工作物が積上げできる位置にあるときに
第1のカセットがそこから第3の被工作物が積下げでき
る位置にある如き特許請求の範囲第(1)〜(9)のい
ずれかの項に記載の方法。 - (11)被工作物が半導体装置製造用のシリコンウエフ
ァーである如き特許請求の範囲第(1)〜(10)項に
記載の方法。 - (12)第1と第2のカセットがそれぞれの被工作物を
上下に収容しており、 積下げ機構によって第1のカセットから被工作物が連続
的に積下げられ、 積上げ機構によって第2のカセットに被工作物が連続的
に積上げられ、 位置決め機構により第1と第2のカセットが同時に位置
決めされ、 これにより、積下げ機構が第1のカセットから第1の被
工作物を積下げた後に、第1のカセットがそこから第2
の被工作物が積下げられ得る位置に位置決めされるとと
もに、第2のカセットがそこに第1の被工作物が積上げ
られ得る位置に位置決めされる如き被工作物のカセット
間移送装置。 - (13)第1のカセットから第2のカセットへの移送中
に処理機構によって各被工作物に処理が施される如き特
許請求の範囲第(12)項に記載の装置。 - (14)第1のカセット中において第1の被工作物が一
番下の被工作物であり、第2の被工作物が下から二番目
の被工作物である 如き特許請求の範囲第(12)または(13)項に記載
の装置。 - (15)第1と第2のカセットが同じピッチを有してお
り、位置決め機構が第1のカセットを支持する第1の載
台と第2のカセットを支持する第2の載台とを有してお
り、第1と第2のカセットが位置決めされたときに第2
の載台が所定距離だけ第1の載台の上方に保持され、か
つこの所定の距離が第1と第2のカセットのピッチに等
しい如き特許請求の範囲第(14)項に記載の装置。 - (16)積下げ機構が第1のカセットを通って後退位置
と前進位置間を移動可能な第1の移送アームを有してお
り、積上げ機構が第2のカセットを通って後退位置と前
進位置間を移動可能な第2の移送アームを有しており、
後退位置にあるときに第1の移送アームが第1のカセッ
ト中の被工作物の真下に位置し、後退位置にあるときに
第2の移送アームが第2のカセット中の被工作物をクリ
アしている 如き特許請求の範囲第(12)〜(15)のいずれかの
項に記載の装置。 - (17)第1と第2の移送アームが同じ高さに配置され
ており、第1の移送アームの後退位置が第2の移送アー
ムの後退位置に対して横に交叉しており、第1の載台が
第2の載台に対して水平方向にずれており、第1のカセ
ットが第2のカセットに対して水平方向にずれており、
これにより後退位置にある第1の移送アームが第1のカ
セット中の被工作物の真下に位置し、かつ後退位置にあ
る第2の移送アームが第2のカセット中の被工作物をク
リアしている如き特許請求の範囲第(16)項に記載の
装置。 - (18)第1と第2の載台が共通の昇降機構により上下
される如き特許請求の範囲第(12)〜(17)のいず
れかの項に記載の装置。 - (19)昇降機構がリードネジとこれに螺合されてその
回転に伴なって上下するスライドとを有しており、この
スライドに第1と第2の載台が固定されてスライドとと
もにかつ同時に移動する如き特許請求の範囲第(18)
項に記載の装置。 - (20)被工作物が半導体製造装置用のシリコンウエフ
ァーである如き特許請求の範囲第(12)〜(19)の
いずれかの項に記載の装置。 - (21)第1のカセットから第1の被工作物が積下げら
れた後、第1のカセットがそこから第2の被工作物が積
下げられ得る位置に位置決めされるとともに、第2のカ
セットがそこに第1の被工作物が積上げれ得る位置に位
置決めされるように第1と第2のカセットを位置決めす
る位置決め機構を有したカセット用昇降ユニット。
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