JPS61281527A - 半導体ウエハ加熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ加熱処理装置Info
- Publication number
- JPS61281527A JPS61281527A JP12314985A JP12314985A JPS61281527A JP S61281527 A JPS61281527 A JP S61281527A JP 12314985 A JP12314985 A JP 12314985A JP 12314985 A JP12314985 A JP 12314985A JP S61281527 A JPS61281527 A JP S61281527A
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- Japan
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- plate
- semiconductor wafer
- upper plate
- wafer
- heat
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造の際用いられる半導体ウェハ加熱
処理装置に関するものである。
処理装置に関するものである。
ＩＣ，）ランジスタ、サイリスタ等の半導体装置は１．
シリコンウェハに拡散・写真製版などの処理を繰り返し
施すことにより形成される。その写真製版工程において
は、ウェハ上に必要なパターンを転写・描画するために
レジストを塗布し、強制乾燥固着させている。本発明の
半導体ウェハ加熱処理装置はそのウェハ上に塗布された
レジストを強制乾燥固着させるために使用するものであ
る。
シリコンウェハに拡散・写真製版などの処理を繰り返し
施すことにより形成される。その写真製版工程において
は、ウェハ上に必要なパターンを転写・描画するために
レジストを塗布し、強制乾燥固着させている。本発明の
半導体ウェハ加熱処理装置はそのウェハ上に塗布された
レジストを強制乾燥固着させるために使用するものであ
る。
その従来装置の概略構造は第９図の如く、主に、うエバ
をのせて吸着させた後加熱するための−Ｌ板１と、円筒
状馬蹄形発熱体３ａ、３ｂ等を有した下板２によ′ｉ構
成鼻れる。 “ ・ “□この従来の
半導体ウェハ加熱処理装置をより詳細に説明すると、該
装置は二鎖９図、第１０図の如く、処理プレート表面温
度暴走防１Ｌ用温度ヒユーズ６、及びウェハを吸着及び
吸着解除加圧の際使用する吸着用孔７ｂを有し、ウェハ
をのせ吸着及び加熱するための−Ｌ板１と、円筒状馬蹄
形発熱体３ａ、３ｂ、吸着及び吸着解除加圧用金具及び
ホース４、処理プレートの表面温度を測定維持管４、す
るために使用する熱電対５、及びウェハ吸着力を全面均
一にするための円筒状の穴である吸着用チャンバ８を有
する下板２乞から、なる構造中なっている。
をのせて吸着させた後加熱するための−Ｌ板１と、円筒
状馬蹄形発熱体３ａ、３ｂ等を有した下板２によ′ｉ構
成鼻れる。 “ ・ “□この従来の
半導体ウェハ加熱処理装置をより詳細に説明すると、該
装置は二鎖９図、第１０図の如く、処理プレート表面温
度暴走防１Ｌ用温度ヒユーズ６、及びウェハを吸着及び
吸着解除加圧の際使用する吸着用孔７ｂを有し、ウェハ
をのせ吸着及び加熱するための−Ｌ板１と、円筒状馬蹄
形発熱体３ａ、３ｂ、吸着及び吸着解除加圧用金具及び
ホース４、処理プレートの表面温度を測定維持管４、す
るために使用する熱電対５、及びウェハ吸着力を全面均
一にするための円筒状の穴である吸着用チャンバ８を有
する下板２乞から、なる構造中なっている。
従来の半導体ウェハ加熱処理プレートは前記のように構
成され、ウェハは前処理ユニットにおいてレジストを塗
布された後、第９図、第１０図の如く、前もって下板２
に組込まれた、処理プレート表面１の表面の中央部から
端部への熱傾斜を考−の吸着用チャンバ８の空気層を介
して加熱され、その処理プレート表面の温度バラツキが
大である状態の上板１のプレート表面に搬送される。そ
して下板２の吸着及び吸着解除′加圧用金具及びホース
４、吸着用チャンバ８、及び上板１の吸着穴７ｂを介し
て真空引きを行ない、ウェハを加熱された処理プレート
へ強制吸着することにより、レジストをウェハ上に強制
乾燥固着させる。
成され、ウェハは前処理ユニットにおいてレジストを塗
布された後、第９図、第１０図の如く、前もって下板２
に組込まれた、処理プレート表面１の表面の中央部から
端部への熱傾斜を考−の吸着用チャンバ８の空気層を介
して加熱され、その処理プレート表面の温度バラツキが
大である状態の上板１のプレート表面に搬送される。そ
して下板２の吸着及び吸着解除′加圧用金具及びホース
４、吸着用チャンバ８、及び上板１の吸着穴７ｂを介し
て真空引きを行ない、ウェハを加熱された処理プレート
へ強制吸着することにより、レジストをウェハ上に強制
乾燥固着させる。
、 上記のような従来の半導体ウェハ加熱処理プレー
トは第９図、第１０図の如く処理プレート上板１を介し
てウェハを全面均一に吸着し、均一に加熱することを必
要とするが、下板２内の加熱のための構造が円筒状馬Ｍ
ｌの発熱体３ａ、３ｂからなり限られた場所で一定の発
熱量を生ずるものであるため、処理プレート表面の温度
勾配が生じていると同時に、下板２がチャンバ８を有し
ているためさらに温度勾配を生じる構造となっている。
トは第９図、第１０図の如く処理プレート上板１を介し
てウェハを全面均一に吸着し、均一に加熱することを必
要とするが、下板２内の加熱のための構造が円筒状馬Ｍ
ｌの発熱体３ａ、３ｂからなり限られた場所で一定の発
熱量を生ずるものであるため、処理プレート表面の温度
勾配が生じていると同時に、下板２がチャンバ８を有し
ているためさらに温度勾配を生じる構造となっている。
そのためウェハの製造歩留りが低下するという欠点があ
うた。 −° ・−゛この発明は上記のよう
な従来の欠点を解消する・ためになされたもので、゛処
理プレート表面に温度勾配が生じず、ウェハの製造歩留
りのよい半導体ウェハ加熱処理装置を得ることを目的と
する゛。゛〔問題点を解決するための手゛段〕 ゛ ・
・この発明に係る半導体ウェハ゛加熱処理装置は、処
理プレート表面の温度勾配を考慮し才場所毎に発熱量を
変化させて面内表部め温度を均一にする面状発熱体を使
用すると共に、全面均一吸着及び吸着解除加圧とするた
め、上板側及び下板側の両方もしくは一方に必讐最゛小
限のチャンバを有す墨□構造としたものである。
″ 〔作用〕パ この発明においては、加熱処理プβ゛−ドめ′中央部か
ら端部にかげての熱分布の熱ｆ−斜を考−じて、処理プ
レート表面を均一な温度分布にモぎるよる場所毎の発熱
弁す冨装置を菱化させ不ことの□で錘、る面状廃熱体を
採用し、去れ−ど共β全面均一吸着を維持しながら、処
理プレート全面の表面温度のバラツキの影響の出ない範
囲で、上板側にもチャンバ機能を持たせるため北、上板
下面側の全吸着孔付近に必要最小限のチャンバを設けた
ので、従来構造より大幅な熱伝導率の向」二ができ、処
理プレートの表面の温度バラツキがなくなると共に、゛
全面が均一吸着されるからウェハ１枚内及びウェハ間で
のバラツキがなくなり、スループットが向上し、ウェハ
製造歩留りを向上できる。
うた。 −° ・−゛この発明は上記のよう
な従来の欠点を解消する・ためになされたもので、゛処
理プレート表面に温度勾配が生じず、ウェハの製造歩留
りのよい半導体ウェハ加熱処理装置を得ることを目的と
する゛。゛〔問題点を解決するための手゛段〕 ゛ ・
・この発明に係る半導体ウェハ゛加熱処理装置は、処
理プレート表面の温度勾配を考慮し才場所毎に発熱量を
変化させて面内表部め温度を均一にする面状発熱体を使
用すると共に、全面均一吸着及び吸着解除加圧とするた
め、上板側及び下板側の両方もしくは一方に必讐最゛小
限のチャンバを有す墨□構造としたものである。
″ 〔作用〕パ この発明においては、加熱処理プβ゛−ドめ′中央部か
ら端部にかげての熱分布の熱ｆ−斜を考−じて、処理プ
レート表面を均一な温度分布にモぎるよる場所毎の発熱
弁す冨装置を菱化させ不ことの□で錘、る面状廃熱体を
採用し、去れ−ど共β全面均一吸着を維持しながら、処
理プレート全面の表面温度のバラツキの影響の出ない範
囲で、上板側にもチャンバ機能を持たせるため北、上板
下面側の全吸着孔付近に必要最小限のチャンバを設けた
ので、従来構造より大幅な熱伝導率の向」二ができ、処
理プレートの表面の温度バラツキがなくなると共に、゛
全面が均一吸着されるからウェハ１枚内及びウェハ間で
のバラツキがなくなり、スループットが向上し、ウェハ
製造歩留りを向上できる。
２図は上記実施例の処理プレートの断面図、第３図は処
理プレート上板の下面図及び断面図である。
理プレート上板の下面図及び断面図である。
これらの図において、前記第９図〜第１１図の符号と同
一符号は同−文は相当部分を示してい墨。
一符号は同−文は相当部分を示してい墨。
図において、９は下板２全域にわたり配置した、板、１
０は上板Ｉと下板２とを結合させる際め吸着力及び吸着
解除圧の漏れを防止するためのリングもしくはパツキン
、１１は面状発熱板９の保護及び発塵防止のための耐熱
無発塵耐食板、５は処理プレート表面の温度を維持管理
するための熱電対、４は吸着力及び吸着解除圧を伝える
ための金具及びホース、１２は下板２の面状発熱板９及
び耐熱無発塵耐食Ｆｉ１１との中央結合部からの発塵を
防止するための発塵防１トリング、８はウェハを全面均
一に吸着させるために下板２と面状発熱板９、耐熱無発
塵耐食板１１、発塵防止リング１２を組合せた時形成さ
れる必要最小限の大きさの円筒状の第１の吸着用チャン
バであり、これらのものから下板２が構成されている。
０は上板Ｉと下板２とを結合させる際め吸着力及び吸着
解除圧の漏れを防止するためのリングもしくはパツキン
、１１は面状発熱板９の保護及び発塵防止のための耐熱
無発塵耐食板、５は処理プレート表面の温度を維持管理
するための熱電対、４は吸着力及び吸着解除圧を伝える
ための金具及びホース、１２は下板２の面状発熱板９及
び耐熱無発塵耐食Ｆｉ１１との中央結合部からの発塵を
防止するための発塵防１トリング、８はウェハを全面均
一に吸着させるために下板２と面状発熱板９、耐熱無発
塵耐食板１１、発塵防止リング１２を組合せた時形成さ
れる必要最小限の大きさの円筒状の第１の吸着用チャン
バであり、これらのものから下板２が構成されている。
また７ｂはウェハに吸着及び吸着解除圧を伝えるための
吸着孔、８０は熱伝導率を下げない範囲で必要最小限の
大きさで、しかもウェハを全面均一に吸着可能とする、
処理プレート」二板ｌの下面側の吸着用穴７ｂ付近を全
部細く浅い溝で連結した第２の吸着用チャンバ、６は表
面温度暴走防止の管理をするための温度ヒユーズであり
、これらのものから上板１が構成されている。
吸着孔、８０は熱伝導率を下げない範囲で必要最小限の
大きさで、しかもウェハを全面均一に吸着可能とする、
処理プレート」二板ｌの下面側の吸着用穴７ｂ付近を全
部細く浅い溝で連結した第２の吸着用チャンバ、６は表
面温度暴走防止の管理をするための温度ヒユーズであり
、これらのものから上板１が構成されている。
また第８図は本処理プレート用の、温度勾配を考慮し、
中央部より端部の発熱蓋を多くした面状発熱板９を示す
。この面状発熱板９の発熱体パターン９０は本実施例で
はカギ形形状であるが、他にスパイラル形状、円形状等
の種々の形状であってもよい。
中央部より端部の発熱蓋を多くした面状発熱板９を示す
。この面状発熱板９の発熱体パターン９０は本実施例で
はカギ形形状であるが、他にスパイラル形状、円形状等
の種々の形状であってもよい。
次に作用効果について述べる。
このような実施例においては、プレート表叩上板１の中
央部から端部への熱傾斜を考慮して発熱体パターン９０
を変化させた面状発熱板９を用い、かつ上板１と下板２
とのチャング体積を必要最小限まで極力小さくして熱伝
導率を向上させるようにしたので、上板１のプレート表
面温度のノ〆ラッキがなくなって均一な温度状態となる
。従ってこのように均一な温度状態となったプレート表
面にウェハを搬送した後、下板２の吸着及び吸着解除加
圧用ホース４．第１．第２の吸着用チャンバ８゜８０を
通り、かつ上板ｌの吸着用孔７ｂを介して真空引きを行
ない、処理プレート表面ヘウェハを強制吸着することに
より、均一にウェハを加熱し、ウニハートのレジストを
ウェハに強制乾燥固着させることができる。
央部から端部への熱傾斜を考慮して発熱体パターン９０
を変化させた面状発熱板９を用い、かつ上板１と下板２
とのチャング体積を必要最小限まで極力小さくして熱伝
導率を向上させるようにしたので、上板１のプレート表
面温度のノ〆ラッキがなくなって均一な温度状態となる
。従ってこのように均一な温度状態となったプレート表
面にウェハを搬送した後、下板２の吸着及び吸着解除加
圧用ホース４．第１．第２の吸着用チャンバ８゜８０を
通り、かつ上板ｌの吸着用孔７ｂを介して真空引きを行
ない、処理プレート表面ヘウェハを強制吸着することに
より、均一にウェハを加熱し、ウニハートのレジストを
ウェハに強制乾燥固着させることができる。
なお、上記第１の実施例では、上記処理プレートは上記
上板１と上記下板２の間に円筒状の第１の吸着用チャン
バ８を有しているが、これを有しないものであってもよ
い。
上板１と上記下板２の間に円筒状の第１の吸着用チャン
バ８を有しているが、これを有しないものであってもよ
い。
また、第４図、第５図は本発明の第２の実施例を説明す
るための図であり゛、この実施例では、発熱源として面
状発熱板９を使用するとともに、吸着能力を維持しなが
ら、上板・ｌ側へさらに発熱体を近づけるために、該上
板、１側の第２の吸着用チャンバ８０はその底面断面ケ
、中心で高くなるよう１に半径方向に傾斜した構造・ど
力っている。このためこの実施例では−Ｅ記第１あ°警
前例の効果に加えて、半導体ウェハをより均一に加熱で
き、加熱時間を早くできる。
るための図であり゛、この実施例では、発熱源として面
状発熱板９を使用するとともに、吸着能力を維持しなが
ら、上板・ｌ側へさらに発熱体を近づけるために、該上
板、１側の第２の吸着用チャンバ８０はその底面断面ケ
、中心で高くなるよう１に半径方向に傾斜した構造・ど
力っている。このためこの実施例では−Ｅ記第１あ°警
前例の効果に加えて、半導体ウェハをより均一に加熱で
き、加熱時間を早くできる。
また、第６図、第７図は第３の実施例を説明するための
図であり、この実施例では上記上板ｌ側の第２の吸着用
チャンバ８０はその底面断面が中心で低くなるように半
径方向に（１斜した構造となってお幻、この場合も上記
第２の実施例と同様の効果を奏する。
図であり、この実施例では上記上板ｌ側の第２の吸着用
チャンバ８０はその底面断面が中心で低くなるように半
径方向に（１斜した構造となってお幻、この場合も上記
第２の実施例と同様の効果を奏する。
また、上記第１〜第３の実施例では面状発熱板９の発熱
体パターン９０をその各部における発熱量が上記′処理
プレートの温度勾配を考慮して設定されたものとしてい
たが、これは該発熱体パターン９・０を内側部分より外
側部分の発熱量が多いものとしてもよく、さらに大きな
効県を奏する。 ゛〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、半導体ウェハ加熱処
理プレートにおいて、−上板表面温度を均一にすること
のできる面状発熱体構造を採用し、かつ−上板と下板と
の間の空気層を少なくし熱伝達率を向上させるた”めに
、下板の吸着用チャンバを浅くし、上板側の吸着′Ｉ！
付近だけを連結させた浅く細く長い溝を上板側に有した
構造としたので、゛均一な吸着、均一な加熱ができ、ウ
ニハトの膜厚が均一にできると共に、加熱時間も早くな
るので、スルーブツトが向上し、製造の歩留りも同時に
向上できるなどの効果が得られる。
体パターン９０をその各部における発熱量が上記′処理
プレートの温度勾配を考慮して設定されたものとしてい
たが、これは該発熱体パターン９・０を内側部分より外
側部分の発熱量が多いものとしてもよく、さらに大きな
効県を奏する。 ゛〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、半導体ウェハ加熱処
理プレートにおいて、−上板表面温度を均一にすること
のできる面状発熱体構造を採用し、かつ−上板と下板と
の間の空気層を少なくし熱伝達率を向上させるた”めに
、下板の吸着用チャンバを浅くし、上板側の吸着′Ｉ！
付近だけを連結させた浅く細く長い溝を上板側に有した
構造としたので、゛均一な吸着、均一な加熱ができ、ウ
ニハトの膜厚が均一にできると共に、加熱時間も早くな
るので、スルーブツトが向上し、製造の歩留りも同時に
向上できるなどの効果が得られる。
第１図は本発明の第！の実施例による処理プレートの概
略構造し１及び縦断面図、第２図はに記処理プレー１の
詳細縦断面図、第３図は前記１１４にの下面図及び断面
図、第４１凹は本発明の第２の実施例の処理プレートの
縦断面図、第５図は上記上板の下面図及び断面図、第６
図は本発明の第３の実施例の処理プレートの縦断面図、
第７図は前記り板の下面図及び断面図、第８図はト紀各
実施例の面状発熱板の平面図、第９図は従来例による処
理プレートの概略構造及び縦断面図、第１０図は前記処
理プレー１の詳細縦断面図、第１Ｉ図はＭｉｔ記上板上
板面図及び断面図である。 ｌ・・・上板、２・・・Ｆ板、４・・・吸着及び吸着解
除用ホース、５・・・熱電対、６・・・温度ヒユーズ、
７ｂ・・・手板における吸着ｆし、８・・・第１の吸着
用チャンバ、８ａ、８ｂ・・・傾斜函、９・・・面状発
熱板、８０・・・第２の吸着用チャンバ、９０・・・発
熱体パターン。 なお図中間−符号目同一又は相当部分を示す。 第９図 （Ｃ）
略構造し１及び縦断面図、第２図はに記処理プレー１の
詳細縦断面図、第３図は前記１１４にの下面図及び断面
図、第４１凹は本発明の第２の実施例の処理プレートの
縦断面図、第５図は上記上板の下面図及び断面図、第６
図は本発明の第３の実施例の処理プレートの縦断面図、
第７図は前記り板の下面図及び断面図、第８図はト紀各
実施例の面状発熱板の平面図、第９図は従来例による処
理プレートの概略構造及び縦断面図、第１０図は前記処
理プレー１の詳細縦断面図、第１Ｉ図はＭｉｔ記上板上
板面図及び断面図である。 ｌ・・・上板、２・・・Ｆ板、４・・・吸着及び吸着解
除用ホース、５・・・熱電対、６・・・温度ヒユーズ、
７ｂ・・・手板における吸着ｆし、８・・・第１の吸着
用チャンバ、８ａ、８ｂ・・・傾斜函、９・・・面状発
熱板、８０・・・第２の吸着用チャンバ、９０・・・発
熱体パターン。 なお図中間−符号目同一又は相当部分を示す。 第９図 （Ｃ）
Claims (5)
- （１）半導体ウェハを加熱処理するプレートを有する半
導体ウェハ加熱処理装置において、 上記処理プレートはその内部に該処理プレートをその表
面温度が均一になるよう加熱する面状発熱体を有するこ
とを特徴とする半導体ウェハ加熱処理装置。 - （２）上記上板には処理プレート表面におけるウェハの
吸着力を均一にするウェハ吸着用溝が形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェ
ハ加熱処理装置。 - （３）上記処理プレートはその上板と下板との間に薄い
空気層を有することを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の半導体ウェハ加熱処理装置。 - （４）上記上板のウエハ吸着用溝はその底面断面が半径
方向に傾斜していることを特徴とする特許請求の範囲第
２項又は第３項記載の半導体ウェハ加熱処理装置。 - （５）上記面状発熱体の発熱体パターンを、内側部分よ
り外側部分の発熱量が多い発熱体パターンとしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれ
かに記載の半導体ウェハ加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12314985A JPS61281527A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 半導体ウエハ加熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12314985A JPS61281527A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 半導体ウエハ加熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281527A true JPS61281527A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14853397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12314985A Pending JPS61281527A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | 半導体ウエハ加熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281527A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170935U (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | ||
| JPH02103550A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP12314985A patent/JPS61281527A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170935U (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | ||
| JPH02103550A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
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