JPS61263984A - β−ラクタム誘導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、β−ラクタム誘導体の製造方法に関Ｊる。

従】（四退Ｊゾ 抗生物質とじて使用されるβ−ラクタム誘導体は、通常
カルボキシル基を分子内に持ら、多くの場合その遊頗１
のカルボン酸又１１１その医薬品上ｉｉＴ容される塩の
形態で用いられる。しかしながら、β−ラクタム抗生物
買を合成する工程にｄ３いて多くの場合、それらカルボ
キシル基は適当な保護基にＪ：つて保護されており、最
終的にその保護基を分子内の仙の部分を破壊することな
く収串良＜ｔｕｂ離する必要がある。

従来、一般式 ％式％（） 〔式中Ａはβ−ラクタム誘導体残基を示？１−ｏＸ１．
Ｊ、）王ニル環十に６１換星として電子供与１ノ１基を
有り−るベンジル基、フェニル環上に直換基として電子
供与性基を有することのあるジフェニルメチル基又は１
ｅ「１−ブチル基を示す。〕 で表わされるカルボキシル基が保護されたβ−ラクタム
誘導体のカル小ン酸保護基Ｘを脱離して、一般式 ％式％（） 〔式中へは前記に同じ、、〕 で表わされるβ−ラクタム誘導体を得る方法としては、
例えば一般式（ＩＴ）のβ−ラクタム誘導体を欝金属触
媒を用いて接触還元する方法、一般式（ＴＩ＞のβ−ラ
クタム誘導体を酸で処理する方法等が知られている。更
に後者の方法には、１〜リフルオロ酎酸を使用り−る方
法（ジ１７−〕−ル　オブザ　アメリカン　ケミカル　
ソリイアティー。

旦ユ、５６７４　（１９６９））、蟻酸を使用する方法
〔ケミカル　ファーマシ−Ｉ−ディカル　ブリティン、
３０．　／１！７＋／ｌｂ　（１９８２））、アニソー
ルの存在下に塩化アルミニウムと反応させる方法（テ］
〜ラヘドロン　レターズ、２７９３（１９７９））等が
ある。然るにこれら従来の方法には以下に示す欠点があ
る。

白金属触媒を用いて接触還元り−る方法Ｃは、通常β−
ラクタム抗生物質はスルフィド結合を分子内に有してお
り、それが触’ＩＮどなるために高価な白金属触媒を多
事に使用覆る必要がある。しがも該方法は、同じ分子内
にニド１］基又は炭素−炭素多重結合のようイｆ還元さ
れ得る基を有しているβ−ラクタム誘導体には適用する
ことがてぎず、またこの方法では、保護基がｔｅｒｔ−
ブチル基である場合には該阜を脱離することができす、
更に保護基ノ〕クフ丁ニル環十に置ＪＡ基として電子供
ち１／１基を有するベンジル基もしくはフェニル環子に
直換基として電子供与↑１１基を有するジフェニルメチ
ル基である場合にもこれらの里を脱離できイ【い場合が
多い。

酸を使用り−る方法では、該方法で得られる一般式（１
）のβ−ラクタム誘導体が酸に対して不安定であるにも
拘らず、強酸を少なくとも化学量論的４Ｔ量使用づ−る
ことが必要であり、ぞのため該方法で生成した一般式（
Ｉ＞のβ−ラクタム誘導体が分解されて該誘導体の収率
が低下Ｊるという欠点がある。

例えば下記式（ＩＩＩ）で表わされるレフアロスポリン
のカルボン酸保Ｆｒ”ｉ　Ｍであるｐ−メトキシベンジ
ル基をトリフルア１［１酢酸を用いてｆＢ２　Ｉｌｌす
る場合、通常高価な１〜リフルＡ口酢酸が式（ＩＩＩ）
のセファＩＩスポリンに対して５倍［ル以上必要である
。例えば等モルのトリフルオロ酢酸を使用した場合には
、上記反応は殆／υど進行しない。こうして多量のトリ
フルオロ酢酸Ｗ酸を使用して式（ＩＩＩ）の１？フアロ
スポリンの脱保護を行ない、反応終了後１〜リフルオー
酢酸を回収し再使用しようとしても多量の［１スを児込
まねばならず、また回収を行なっている間に酸に不安定
な下記式（ＩＶ）の化合物が分解されるために該化合物
の収率が更に低下するという欠点がある。

（ＩＶ） また蟻酸を使用する方法でも、上記と同様であり、高価
＜＞　９８〜１００％蟻酸を反応溶媒どして大過剰に使
用する必要がある。そしてこれを回収、再使用するため
に例えば減圧留去を行なうと、酸に不安定な上記式（Ｉ
Ｖ）の化合物が分解し、該化合物の収率か低下Ｊる。

またアニソールの存在下塩化アルミニウムと反応さＩＩ
る方法では、空気中の水分と発熱反応し塩酸が発生覆る
という取扱上問題のある塩化アルミニウムの使用か必須
であるうえ、反応中文ＩＪ、後処即中に反応混合物が強
酸↑４どなるために酸に不安定な上記式（ＩＶ）の化合
物が分解し、該化合物の収率が低下覆る。更に反応後の
処理において大量の水酸化アルミニウムを処理する必要
が生じてくる。

このように従来の方法では、上記一般式（ｉ）で表わさ
れるカルボキシル基が保護されたβ−ラクタム誘導体の
カルボン酸保護基Ｘを脱離して、上記一般式＜Ｔ＞で表
わされるβ−ラクタム誘導体を収率良く製造でき、しか
も］二葉内に実施覆る上にも何等問題のない方法は未だ
確立されていないのか現状である。

胛跪証（１決するための手段 本発明は、上記一般式（ＩＩ）で表わされるカルボキシ
ル基が保護されたβ＝プラクム誘導体のカルボン酸保護
基Ｘを脱１１３１１Ｌ、て、−り記一般式（１）で表わ
されるβ−ラクタム誘導体を収率良く製造でき、しか・
ｂＴ業内的１実施する上にも何等問題のない方法を提供
するものである。

即ち本発明は、上記一般式（ＴＩ＞で表わされるカルボ
キシル基が保護されたβ−ラクタム誘導体をフェノール
類と反応さけて、上記一般式（Ｉ＞で表わされるβ−ラ
クタム誘導体を得ることを特徴とするβ−ラクタム誘導
体のｔＪ＆方法に係る。

本明細出において、Ａで示されるβ−ラクタム誘導体残
塁としては、下記一般式 で表わされる基を例示できる。より具体的には以下に示
す基を例示できる。

上記において、Ｒ１としては、公知のセファロスポリン
の７位の置換基を例示でき、より具体的には例えば水素
原子、メ１−キシ基、Ｔ１〜４−シ基等の低扱アル］キ
シ星、ホルムアミド基等を挙げることができる。

また、１テ２としては、マーリイ　シー　グリフイス著
（Ｗａｒｙ　Ｃ，Ｇｒｉｆｆｉｔｈｓ）ｔ−Ｊｒス−丁
−Ｔメアンド　量ア　コー１スピー　ディクショナリー
オブ　ドラッグズ　ネームズ（ＩＩｓＡＮ　ｃｌｎｄ　
ｔｈｅ　ｌｌ５Ｐｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ　ｏｆ　ｄｒｌ
ｌｊｌｓ　ｎａｍｅｓ）に記載の公知のペニシリンの６
位又はレファ］］スポリンの７位の置換基を例示でき、
より具体的には例えば水素原子、ハ［１ゲン原子、アミ
ノ基、アミド基等を挙げることができる。ここでハ１］
ゲン原子としては、例えば弗素、塩素、臭素、沃素原子
等を挙げることができる。またアミド基と（ッては、例
えばベンズアミド基、）丁二ルアｔ＝　１〜アミド′阜
、フェノキシア１＝　ｔ−アミド基、フェニルグリシル
アミド基、アミノ基が保護されたフェニルグリシルアミ
ド基、［）−ヒドロキシフェニルグリシルレアミド基、
ヒドロ＝　１１− キシリ及びアミ７ノ桔か保愚され！二Ｆ＞　−ｊ　ｊ；
’　ｉｌ　４ニジフエニルグリシルアミＦ基、チオール
アセ１〜アミド、α−カルボキシフェニルアゼ ボキシル基が保護されたαーカルボキシフＴニルア１＝
　ｔ〜ルアミドα−ヒト［］］キシフ］ーニルアｌ″！
１〜アミド基ｌでドロキシも↓が保護されたαーｒドロ
＋シフェニルア１″！ドアミド早、２−（２−アミノ−
４−チアゾリル）−２−メトキシイミノ７セ１〜アミド
、アミノ基が保護された２−（２−アミノ−４−デアゾ
リル）−２−メ１〜キシイミノアｔ？１〜アミド、２−
（２−フリル）−　２−メトキシ−イミノアセトアミド
阜、□２−（２−アミノ−４−チアゾリル）−２−（カ
ルボニ１ーシメ１ヘキシイミノ）アレドアミド基、アミ
ノ基及びカルボキシル基が保護された２−（２−アミノ
−４−チアゾリル）−２＝（カルボキシメ１ーキシイミ
ノ）アｔ−　１ヘアミド阜、α−アラニルオキシフェニ
ルアセトアミド基、テ１ーラゾリルアレトアミド基、α
−（４−エチル−２、３−ジＡ４：ソー１ーピペラジノ
カル小ニルアミド’＞−ｐ−　ヒドロキシフェニルアセ
１〜アミド基、ヒドロキシ基が保護されたα−（７１−
エチール−２。

３−ジオキソ−１−ピペラジノカル小ニルアミド）−ｐ
−ヒドロキシ基−「ニルアセトアミド基、０−フノミノ
メヂルフ丁ニルアセｉ〜フッミド′基、アミノ基が保護
された０−アミノメチルフ丁ニルアセｌヘアミＦ基、２
’−　（５−カルボキシイミダゾール−４−力ルボキシ
）７ミド）−２−フェニルアセ］・アミド基、カルホキ
シル基が保護された２−（５−＝カルボキシイミダゾー
ルシー４−カルボキシアミド）−２−フコ−二ルアゼｉ
〜プ７ミト基、２−　（７１−ヒドロキシ−６−メチル
ニコチンアミド）−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）７
１？ドアミド阜、ヒト［１キシ基が保護された２−（４
−ヒドロキシ−６−メチルニコチンアミド）−２−（１
）−ヒドロキシフェニル）アレドアミド基、α−スルホ
フェニルアレ１〜アミＦ閣、２−（２−アミノ−４−チ
アゾリル）−２−（１−カルホキシー１−メチルエヂル
オキシイミノ〉アセトアミド基、アミノ基及びカルボキ
シル基が保護された２−　（２−アミノ−４−ブーアゾ
リル１２−（１−カルボキシ−１−メチルオキシイミノ
）アＩ？　ｉ−アミド基、２−（６。

７ージじト「１キシ−４−オキソ−１−ベンゾピラン−
３−カルボキシアミド）−２−（［）−ヒドロキシフェ
ニル）アセトアミド基、ヒドロキシ基が保護された２−
（６．７ージじドロキシ−４−７１キソ−１−ベンゾピ
ラン−３−カルボキシ）７ミド）−２−（ｐ−ヒト１］
キシフエニル）アレドアミド基、シアツメデルチオアセ
トアミド基、２−アミノカル小ニルー２ーフルオロビニ
ルチＡアセトアミド基、アミノ基が保護された２−アミ
ノカルボニル−２−フルオ［１ビニルチオアセトアミド
基、ジフルオ口メチ−ルチオアｐドアミド基、α−カル
ボキシ−α−（ｐ−ヒドロキシフェニル）アセトアミド
基、ヒドロキシ基及びカルボキシル基が保誰されたα−
力シルホキシーα−（ｐ−ヒトｎ　ｍ％Ｔシフ−「ニル
）アセ１〜）アミド基等を挙げることができる。上記ア
ミド基、じドロキシ基及びカル小：）シル基が保護基ど
しＣは、従来公λ１１の保護基を広く例示でき、具体的
にはベンジル、ｐ−メトキシベンジル基基−二１〜［１
ペンシル、ａ、４．ｂ−ｒ−リフ１〜４ニジベンジル、
３，５−ツメ１〜キシ−４−じド１１１−ジベンジル、
２．、＝’１．６ｉ〜リメヂルベンジル、シフ丁二ルメ
ブル、ジトリルメチルプル、ピベロニル、ナノデルメチ
ル、９−アントリル、メチル、ｔ’ｃｒｔ−エチル、ト
リク［］１Ｆ「プル基等を例示できる。

１＜３としてＩＪ、、コーエスＬ−丁ヌ　アンド　ザユ
ーエスピー　ディクショナリー　、ｔＪ　ドラッグズ　
ネームズに記載の公知のゼノ）ノ１］スポリンの３位の
置換Ｎｌを例示でき、より具体的にＬＪＩ例えば水素原
子、ヒト１］キシ基、塩素原子、臭素原子、弗素原子等
のハ［−１ゲン）皇子、メト４”シ、Ｔト４ニジ等の低
級アルコキシ基、ビニル、２，２−ジブローしビニル等
の置換及び非置換ビニル基、エヂニル棋、メチル、エチ
ル等の低級アルキル基、メトキシメブール、二「１〜キ
シメチル等のイ氏級アル］　、ｌニルメチル基、アセト
キシメチル基、カルバモイルオキシメチル基、１，２．
３＝１〜リアゾール−４−イルチオメチル、５−メチル
−１．３，＝ｌデアジアゾールー　２−イルチオメチル
、１−メチルテ１〜ラゾールー５ーイルヂオメブル、１
−スルホメチルテトラゾール− 小キシメチルテトラゾール−５−イルチオメチル、１−
（２〜ジメチルアミノエチル）テトラゾール＝５ーイル
チオメチル、１．２．３−デアジアゾール−５−イルチ
オメチル、１−１２−じト［１」−シ］ニチル）テトラ
ゾール−５−イルチオメチル等のへゾロ環チオメチル基
、５−メチルテトラゾール−２−イルメブール以、１−
メブールピロリジノメチル基、ピリジニウムメチル基等
を挙げることができる。

Ｒ４としては、公知の１−カルバセフェムの２位の置換
基を例示でき、より具体的には例えば水素原子、ヒドロ
」−シ基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、メト
キシ、エトキシ等の低級アルコキシ基、小ルミルオキシ
、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ等の低級アシル
オキシ基、メチルチオ、エチルチオ等の低級アルキルチ
オ基、１。

３、４−チアジアゾール−２−イルチオ、５−メチル−
１．３．−４１−デアジアゾール−２−イルチオ、１−
メチルデ１〜ラゾールー５ーイルチ′Ａ基等のへテロ環
チＡ基等を挙げることができる。

ｎは０，１又は２を示す。

本明細出においで、Ｘで示されるベンジル基及びシフ−
［ニルメチル基のフェニル環上に置換されている電子供
与ｔ４基どしては、例えばヒドロ４ニジ基、メチル、エ
チル、ｔｅｒｔ−ブチル等の低級アルキル基、メＩ・キ
シ、エトキシ等の低級アル１キシ基等を挙げ′ることが
できる。このジノ丁ニルメチル基に（Ｊ、置換又は非置
換のノエニル基かメチレン鎖或はヘアロ原子を介して分
子内で結合しているタイプのものも包含される。本発明
におりる保護基の具体例としては、例えばｐ−メトキシ
ベンジル基、ジノＪニルメチル、３．４．５−トリメｌ
−４ニジベンジル棋、３，５−ラメ１〜キシー４ーヒド
ロキシベンジル基、２．４．６−ドリメチルベンジル基
、ピペ１］ニル基、ジトリルメチル基、シフチルメチル
基、９−アンｉーリル基、ｔｅｒｔ−７１デル基等を挙
げることができる。

本発明で使用される上記一般式（ＩＴ）のβ−ラクタム
誘導体としては、−上記一般式に包含されている限り従
来公知のものをいすれも使用できる。

本発明で用いられるフェノール類は、置換又は非置換の
フェノールであり、フェニル環上の置換基としては、例
えば塩素原子、臭素原子等のハ［１ゲン原子、メチル、
エチル等の低級ア）Ｉ，、　＝ｔシル基メトキシ、Ｔ１
〜キシ等の低級アルＴ１４ニジ基等を挙げることができ
る。置換フェノールの例としては、例えばＯ−り［ｌル
フＴノール、ｍ−りｌ］ルノエノール、ｐ−り■ルフニ
Ｌノール、０−クレゾール、ｍ−タレゾール、［）−ク
レゾール、ｍ−メトニ１ニジフェノール等が挙げられる
。

本発明では、上記一般式（１１）のβ−ラクタム誘導体
とフェノール類とを反応さＵる。フェノールは試薬とし
てのみではなく、溶媒としても使用できるので、フコ−
ノール類の使用量としては、特に限定がなく広い範囲内
から適宜選択することができるが、通常一般式（Ｈ）の
β−ラクタム誘導体に対して０．５〜５００重間倍程度
、好ましくは１〜２００重聞イ八程度とへるのがよい。

本発明の反応は、通常使用するフェノール類が溶融した
状態で行なうのがよく、特に溶媒を必要としないが、水
又は四塩化炭素、クロロホルム、塩化メブーレン、ジク
ロロエタン、ｉ〜リク［１０エタン、ジクＩＩ　ＩＩ　
Ｌチレン等のハ１−１ゲン化炭化水素簀の有機溶媒を共
溶媒として使用り−ることしできる。

しかし、これらの溶媒の使用量が多いと、十＾ｉ４反応
を凹１害するので好ましく　４．い。水又は（１機溶媒
の使用量は、ＩＩいせい使用する７丁ノール類と同早稈
１αまでである。

上記反応の反応温度どしては、使用される一般式（ＩＩ
）のβ−ラクタム誘導体の種類、使用されるフェノール
類の種類等により責なり一概には言えないが、反応系が
固化しく【い温度へ一１００ＴＣ程石、好ましくは反応
系が固化しない渇［α〜７０°Ｏ稈度とするのかよい。

本発明では、反応系内に触媒−の酸を存在ざｔ！ること
も可能である。これによりβ−ラクタム誘導体の種類に
よってし１．上記反応をＪ、り低い反応温度、にり短い
反応時間で完結さ１！ることが可能となる。触媒部は使
用されるβ−ラクタム誘導体の種類又は酸の種類により
変化り−るが、通常一般式％式％ （■）のβ−ラクタム誘導体に対してＱ、Ｑｌ〜１００
モル％、好ましくは０．０１〜５０モル％程険である。

触媒として使用される酸の例としＴ１．１１、例えば塩
酸、硫酸、過塩素酸、燐Ｍ等の鉱酸類、蟻酸、酢酸、七
ツクＩＴＩル酢酸、ジクロル醋酸、１ヘリク■ル酢酸、
七ノノルＡ口酢酸、ジ−ノル３口酢酸、ｌ〜リフルオ］
］酢醸等のカルボン酸類、ペンピンスルホン酸、Ｄ−１
〜ルエンスルホン酸、メタスルホン酸等のスルホン酸類
、メルドラム酸、スクエアリック酸等の酸′ｌ’ｌエノ
ール化合物、塩化アルミニウム等のルイス酸、硫酸水素
ナトリウム、硫酸水素カリウム、酸１ノ［イオン交換樹
脂等の固体酸等が挙げられる。

上記反応の終了後、生成する一般式（１）のβ−ラクタ
ム誘導体を単離づるには通常の後処理を行なえばＪζい
が、例えば炭酸水素ナトリウム又は炭酸ナトリウムと疎
水ｌｌｌＴｉ機溶媒とを加え、一般式（Ｔ）のβ−ラク
タム誘導体を水層に抽出するか又は貧有機溶媒を用いて
結晶を析出さけ、次いで通常の後処理を行なうことにま
り高収率で一般式（１）のβ−ラクタム１体を収得し得
る。また、有機層を蒸留することにより、抽出溶媒及び
使用したフェノール類を回収し、再使用することができ
る。

光用の効果 本発明の方法によれば、カルボキシル基の保護されたβ
−ラクタム誘導体（１７）から該保護基を簡便な操作で
ｆｌＲ１ｔ５１１することができる。また、本発明では
、従来法の如く多量の酸を使用する必要はないので、上
記反応で生成するβ−ラクタム誘導体（Ｉ＞が分解され
ること：ｂ殆んどなく、ぞの結束β−ラクタム誘導体（
Ｉ＞を高収率で製造し１ｑる。しかも本発明では、使用
したフェノール類、抽出溶媒等を効率よく回収し得るの
で、経済面でも優れている。尚、本発明で処理されるβ
−ラクタム誘導体（ＩＴ）中のＡにも保護されたカルホ
キシル早が存在する揚台には、これ−ｂ同時にｌｌＧ２
頗１されることもある。

火−庵−例 以下に比較例及び実施例を掲げて本発明をより一層明ら
かにり−る。

比較例１ 上記一般式（ＴＩ＞の化合物（Ａか１２ファ１］スポリ
ン誘導体残基、Ｘが［）−メト４−ジベンジル基、Ｒ１
が水素原子、［く２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３か
５−メブール−１，３，４−チーアジアゾール−２−イ
ルチオメチル基、ｎがＯ）コＯＯ１塩化メチレン１００
ｍＧ及び］・リフルオｎｉ酸６．６１ｍＱを混合（ハ室
温で２時間反応さゼた。反応終了後、塩化メチレン及び
トリフルオロ酢酸を減圧留去した。得られた濃縮残渣に
５％炭酸ナトリウム水溶＃１００ｍＧ及び酢酸エチル１
５　（’）　ｍＱを加えて抽出した。このようにして得
られた水層を水浴で冷却しながら塩酸を加えてＩ）　Ｈ
＝　１〜２に調整し、酢酸エチル３００ｍ［？で抽出、
得られた酢酸エチル層を減圧濃縮すると、上記一般式（
１）の化合物（八がセファロスポリン誘導体残基、Ｒ１
が水素原子、Ｒ２がフェニルアセ１〜アミド基、Ｒ３が
５−メチル−１，３，＝１−チアジアゾール−２−イル
チオメチル基、ｎがＯ）が６１％の１１ソ率で得られた
。このもののＮＭＲスペクトルは、後記実施例１で得ら
れた化合物のそれと一致した。尚、減圧留去したトリフ
ルオロ酢酸は液体窒素でトラップし、滴定法により定量
した結果３．４４ｍＧの回収であった。

比較例２ 上記一般式（Ｉ）の化合物（Ａがセファ［ｌスポリン誘
導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素原
子、Ｒ２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３が５−メチル
−１，３，’ｌ−チアジアゾールー２−イルヂオメチル
基、ｎがＯ）１０ｇ、塩化メチレン１００ｍＱ及びトリ
フルオ「１酢ｗ！１．３２＝　２４− ＩＩＩＱを混合し、室温で５時間反応ざ１！だが、該反
応は殆んど進行していなかった。

比較例３ 上記一般式（１■）の化合物（Ａ　ｈ’ｉ　１″！フア
［ｌスポリン誘導体残基、Ｘが１）−メトキシベンジル
基、Ｒ１が水素原子、Ｒ２がフＴニルア１＝　１〜アミ
Ｆ基、Ｒ３が５−メチル−１，３，４−デアジアゾール
−２−イルチオメチル基、ｎが０）１００及び９９％蟻
酸１００ｍ［？を混合し、室温で３時間反応さ１１だ。

反応終了後！ＩＩｉ酸を減圧留去した。得られた濃縮残
漬を比較例１ど同様の方法で侵処理すると、−１−記一
般式（Ｉ）の化合物（八がセファロスポリン誘導体残基
、Ｒ１が水素原子、Ｒ２が）Ｔニルアセ１ヘアミド基、
［（３が５−メチル−１，３゜４＝−デアジアゾール−
２−イルチオメチル基、ｎがＯ）が５５％の収率で得ら
れた。このもののＮＭ　Ｒスペク１−ルは、後記実施例
１で得られた化合物のそれと−・致した。

比較例４ 上記一般式（ＩＩ）の化合物（Ａがセファロスポリン誘
導体残塁、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１か水素原
子、［＜２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３が５−メチ
ル−１，３，４−チアジアゾール−２−イルチオメチル
基、ｎが０）ＩＱをテトラヘドロン　レターズ第２７９
３頁（１９７９年）に記載の方法と同様に塩化アルミニ
ウムと反応さ「、上記一般式（１）の化合物（八がセフ
ァロスポリン誘導体残基、Ｒ１が水素原子、Ｒ２が）１
１ニルアセ１〜アミド基、Ｒ３が５−メチル−１，３゜
４−デアジアゾール−２−イルチオメチル基、ｎがＯ）
を６２％の収率で得た。このもののＮＭＲスペクトルは
、後記実施例１で得られた化合物のそれと一致した 実施例１ 上記一般式（ＩＩ　）の化合物（八がレフアロスポリン
誘導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素
原子、［（２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３が５−メ
チル−１，３，４−デアジアゾール−２−イルチオメチ
ル基、ｎが０）２０及びフェノール６．５回を）捏合し
て６０°Ｃに加熱、３時間反応さｌだ。反応終了後室温
まで放冷し、酢酸にデル１９．５ｍ□及び５％炭酸す１
〜リウム水溶液１５１１１Ｑで抽出した。水層を水浴で
冷却しながら塩酸を加え−（’Ｉ）Ｌｌ＝１〜２に調整
し、酢酸エチル３０ｍＱで抽出し、得られた酢酸エチル
層を減斤濃縮すると、上記一般式（１）の化合物（Ａか
レファ［ｌスポリン誘導体残基、Ｒ１が水素原子、［ゼ
が）−Ｔニルア１′！１〜アミＦ基、Ｒ３か５−メチル
−１，３，４−デアジアゾール−２−イルチオメチル基
、ｎがＯ）を８５％の収率で得た。このもののＮＭＲス
ペク１ヘルは、ぞの構造ど一致した。

ＮＭＲ（アセトン−（」ｂ）　δｐｐｍ２、、７０　（
ｓ、　３ｔ−１＞ ３、　　６５　　（’ｓ、　　　２　　ト１　〉３．７
５　（ｂｓ、２１１＞ ４．３５及び４．５３（八Ｒ（１，２１−１゜、ノー　
１　４　１−Ｉ　Ｚ　　） ５．０ε３’　（ｄ、　　１　Ｈ，Ｊ　＝５１１ｚ　＞
５、　７８　　（ｄｄ、　　１　　Ｎ、　　、ノー５１
−１　ｔ　、　　９　Ｌｌ　、７　　）７．２７　（ｂ
Ｓ、５１１＞ ７、ε３７　（ｄ、ＩＮ、Ｊ−５ｔｉｚ）実施例２ 上記一般式（ｎ）の化合物（八がセファ１］スポリン誘
導体残塁、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素１
電子、Ｒ２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３が５−メチ
ル−１，３，４−チアジアゾール−２−イルチオメチル
基、ｎが０）２０ｑ及びフェノールｌＩＯｍＱを混合し
て４０’Ｃに加熱し、次にこれに濃塩酸０．２５ｍＧを
加えて１時間反応さ一１！た。反応終了後室温まで放冷
し、メチルイソブチルケ１〜ン１６０ｍＱ及び５％炭酸
ノーｉ−リウム水溶液７５ｍＱで抽出した。水層を水浴
で冷却しながら塩酸を加λて［）＋１＝１〜２に調整し
、酢ｌｌ！Ｔチル３００ｍ（ｌ？で抽出し、１すられた
ガ１酸］デル層を減斤淵縮Ｊると、１：記一般式（１）
の化合物（Ａがセファロスポリン誘導体残基、［く１が
水素原子、］く２が７１−ニル）ノ１′７１〜アミド基
、［く３が５−メチル−１，３，４−ヂ）フジアゾニル
−２−イルヂＡメヂル祉、ｎが０）が９０％の収率で得
た。このもののＮ　Ｍ　Ｒスペク１〜ルは、実施例１で
得られた化合物のぞれと一致した。

実ｈｆｌｔ例３ 上記一般式（ＩＩ＞の化合物（Ａがセファロスポリン誘
導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素原
子、［く２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３が１−メチ
ルナ１〜ラゾールー５−イルチオメチル基、ｎが０）２
００及びフェノール４０ｍ０を混合して４５℃に加熱し
、次にこれに濃塩酸８５ＩＩ　Ｑを加えて１時間反応さ
せた。反応終了後、実施例２と同様の後処理を行ない、
」−記一般式（１）％式％ の化合物（Ａがセファロスポリン誘導体残基、Ｒ１が水
素原子、Ｒ２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３ｈ’ｉ１
−メチルテ１〜ラゾールー５−イルチＡメチル塁、ｎが
Ｏ）を９２％の収率で得た。このもののＮＭＲスペク］
ヘルは、ぞの構造と一致した。

ＮＭＲ（アセ１〜ンー（Ｊｓ　）　　δｐｐｍ３、　　
６５　　（Ｓ、　　　２　　ト１　）３．７５　（ｓ、
２ｔｌ＞ ３．９８　（ｓ、３ｔ−１＞ ４、　　３７　　（Ｓ、　　　２　　ト１　）５、０６
　（ｄ、　１　ｔｌ、　Ｊ−−５１−１２＞５．７４　
（ｄｄ、１１−１．Ｊ＝５）１ｚ、９Ｈｚ＞７．２７　
（ｂｓ、５１１） ７．９０　（ｄ、ＩＨ，Ｊ＝９１−１ｚ＞実施例４ 十記一般式（ＩＩ）の化合物（八がセファロスポリン誘
導体残基、Ｘがジフェニルメチル基、Ｒ１が水素原子、
Ｒ２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３が１−メブルテ１
〜ラゾールー５−イルチΔメチル基、「）が０）２００
及びフ［ノール＝１０ｍＱを混合して４５°Ｃ（こ加熱
し、次にこれに濃塩酸ε３０ＡＩ　Ｑを７１１１えて１
時間反応ざｌた。反応終了後、実施例２と同様の後処理
を行イ’ｚい、上記一般式（−■）の化合物（Ａか【３
−ノアロスボリン誘導体残基、Ｒ１か水素１京子、］〈
２がフェニルア１？ドアミド基、Ｒ３が１−メチルｊ□
　ｈラゾール−巳−）−イルチＡメブル塁、「）がＯ）
を９５％の収率′（１１）Ｉこ。このしののＮ　Ｍ　Ｒ
スベク１ヘル（，１１、実施１９１に３で得られた化合
物のそれど一致した。

実施例５ −１−記一般式（１１）の化合物（Δがレファ「Ｉスポ
リン誘導体残基、Ｘがｒ）−メ１〜：Ｉニジベンジル早
、Ｒ１が水素原子、［＜２か）丁二ルア１？１〜アミ１
基、１−＜３がアｉ′！ｌ−キシメチル星、ｒ＋／）’
ｉ０＞２００及びフコノール／１０回を混合して１１５
℃に加熱し、次にこれに）胎塩醸１００　Ｉｔ　Ｑを加
えて１時間反応さ１４た。及応終了後、実箱例２と同様
の後処理を行ない、−ト記一般式（Ｉ＞の化合物（Ａが
セファロスポリン誘導体残基、Ｒ１か水素原子、Ｒ２が
〕Ｔニルアｌ？　ドアミド基、Ｒ３がアセ１〜キシメブ
ル基、ｎがＯ）を９３％の収率で得た。このもののＮ　
Ｍ　Ｒスペク１〜ルは、ぞの構）告と一致した。

ＮＭＲ（アセｌ〜ンーＣｊｓ　）　　δｐｐｍ２．０４
　（ｓ、３ｌ−ｌ） ３．５２及び３．６１　（ＡＢ（１，２１−１゜Ｊ−１
７目Ｚ） ３．６７　（ｓ、２ｌ−１） ４．８６及び５．０４　（ＡＢ（１，２Ｈ。

Ｊ　　＝−１４Ｈｚ　　＞ ５、　０８　　（６，１１−１，、ノー５　＋−Ｉ　Ｚ
　）５．３５〜６．５０　（ｂｓ、３ｌ−ｌ）５．８０
　（（ｉｄ、ＩＨ，Ｊ＝５１−Ｉｚ、８ｌ−１ｚ＞７．
２７　（ｂｓ、５ｌ−１） ７、８７　（ｄ、　１１−１．　Ｊ＝８１１ｚ　＞　３
２　一 実施例６ 下記に示す名種Ｘを右する」−記一般式（Ｉ）の化合物
（△がＩＺ）７０スポリン誘導体残星、Ｒ１が水素原子
、Ｒ２がフェニルアセ１〜アミド基、Ｒ３がアセ１〜キ
シメチル基、ｎがＯ）を使用する以外は、実施例５と同
様にして対応Ｊる一般式（Ｔ）の化合物を下記に示す収
率で得た。

Ｘが３．４．り−１−リメｌ〜キシベンジル基で゛ある
一般式（ＩＴ）の化合物・・・・・・収率９０％Ｘが３
．５−ジメ］ヘキシー４−ヒドロキシベンジル基である
一般式（Ｉ）の化合物・・・・・・収率８５％ Ｘが２．４．６−ドリメチルベンジル基である一般式（
ＴＩ）の化合物・・・・・・収率８８％Ｘが３，４−メ
チレンジンキシベンジル基で′ある一般式（Ｉ）の化合
物・旧・・収率９０％Ｘがシフ］−ニルメチル基である
一般式（■［〉の化合物・・・・・・収率９４％ ＝　３３− Ｘがジ］〜リルメブル星であるー・般式（ＴＩ　＞　＜
：／’：化合物・・・・・・収率９（３％ Ｘがｔｅｒｔ−ブブル基である一般式（１■〉の化合物
・・・・・・収率８７１昆６ 実施例７ 下記第１表に示す酸を触媒として使用し、第１表に示Ｊ
反応条（！１以外１．ｊ、実施例３ど同様にして上記一
般式（Ｉ【）の化合物（Ａがレノア１］スポリン誘導体
残棋、Ｘがｐ−メトキシベンジル早、Ｒ１が水素原子、
Ｒ２がノエニルアセトアミＦ基、Ｒ３が１−メチルテト
ラゾール−ｂ−イルチオメチル基、ｎがＯ）を処理して
ス・１応する一般式（Ｔ）の化合物（Ａがセファロスポ
リン誘導体残塁、Ｒ１が水素１京子、Ｒ２がフェニルア
セ１〜アミド基、Ｒ３が１−メチルテトラゾール−５−
イルヂＡメチル基、ｎｈ′ＮＯ）を１ｎた。

−３４＝ 第　　１　　表 実施例８ 上記一般式（１１）の化合物（八がセファロスポリン誘
導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素原
子、Ｒ２が′フェニルアセトアミド基、Ｒ３が１−メチ
ルナ１〜ラゾールー５−イルヂＡメチル基、ｎが０）２
００ｒｒ＋ｏ及びｍ−クロロフェノール０．６ｂｍｌ−
４ｆｆｆｉ合して６０℃に加熱し、１０）間反応さけた
。反応終了後、実施例１と同様の後処理を行ない、手記
一般式（１＞の化合物（Ａがセファロスポリン誘導体残
基、Ｒ１が水素原子、Ｒ２がフェニルアセトアミド基、
Ｒ３が１−メチルテトラゾール−５−イルヂΔメチル基
、ｎがＯ）を９０％の収率で得た。このもののＮ　Ｍ　
Ｒスペク］・ル１ユ、実加例３で得られる化合物のそれ
と一致した。

実施例９ 上記一般式（ＩＩ）の化合物（八がセファロスポリン誘
導体残塁、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素原
子、Ｒ２がフェニルアセト）７ミド阜、Ｒ３が１−メチ
ルテトラゾール−５−イルチＡメチル阜、ｎが０）２０
．ｍ−クロロ−フェノール６．５ｍ１２及び濃塩酸１７
１を混合し、室温で３時間反応させた。反応終了後、実
施例２と同様の後処理を行ない、上記一般式（Ｉ＞の化
合物（八がセファロスポリン誘導体残基、Ｒ１が水素原
子、Ｒ２がフェニルアセトアミド基、Ｒ３が１−メチル
ナ１〜ラゾールー５−イルチオメチル基、ｎがＯ）を８
９％の収率で得た。このもののＮ　Ｍ　Ｒスペクトルは
、実施例３で得られる化合物のそれと一致しＩこ　。

実施例１０ 上記−・般式四■）の化合物（Ａがセファロスポリン誘
導体残り、Ｘがジフェニルメチル基、Ｒ１が水素１量了
、［く２が）丁ノキシアレ１〜アミド基、Ｒ３がアセ１
〜キシメチル基、ｎがＯ）を実施例２と同様に処理して
上記−・般式（Ｔ　）の化合物（Ａがレフアロスポリン
誘導体残基、１（１が水素原子、１＜２がフェノキシア
ゼ１−アミド基、Ｒ３がアセ１〜キシメチル基、ｎがＯ
）を９３％の収率でｊｑだ。

このもののＮ　Ｍ　Ｒスペクトルは、その構造と一致し
た。

ＮＭＲ（ＣＩ）Ｃ９３）　　δｐｐｍ ２、　１０　（ｓ、　３ｌ−Ｉ） ３、／１３及び３．５３（△Ｂｑ、２ｔ−ｌ。

Ｊ＝１９１−ＩＺ） ４．５７　（ｓ、２１−１＞ ４．９２及び５．０８　（ＡＢｑ、２１−１゜Ｊ＝１５
１１＞ ５、　　０２　　（ｄ、　　　１　　Ｆ＋、　　　Ｊ＝
５　　ト１７　）５．８７　（ｄｄ、Ｉ　Ｎ、Ｊ−５１
−１ｚ、９ｔ−１２＞６．７５〜７．５０　（ｍ、６ｌ
−Ｉ）実施例１１ 上記一般式（’ＩＩ＞の化合物（Δがセファロスポリン
誘導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素
原子、Ｒ２がテトラゾリルアセトアミド基、Ｒ３が５−
メチル−１，３，＝１−デアジアゾール−２−イルチＡ
−メチル基、「１が０）を実施例２と同様に処理して上
記一般式（Ｉ）の化合物（Ａがセファロスポリン誘導体
残基、Ｒ１が水素原子、Ｒ２がテトラゾリルアセトアミ
ド基、Ｒ３か５−メチル−１，３，＝１−デアジアゾー
ル−２−イルチオメチル基、ｎがＯ）を８６％の収率て
得た。この・ｂののＮＭＲスペクトルは、その構造と一
致した。

ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｓ　）　　δｐｐｍ２．７０　（
ｓ、３１１） ３．００　・〜５．　　００　　（ｂｓ、　　　ＩＨ）
３．６３及び３．７６　（ＡＢｏ、２１−ｌ。

Ｊ　＝　１８１−ｌ　ｚ　） ４．２３及びＩｌ、５０　（ＡＦ３ｑ、２Ｈ。

Ｊ＝１４　　ト（２＞ ５．１０　（ｄ、１ｆ−１，Ｊ＝５１〜ＩＺ）５．３６
　（ｓ、２ｌ−ｌ） ５、　　７０　　（ｄｄ、　　　１　　ｔ−１，Ｊ−５
ｔ−ｌｚ、　　　８　　ト１７　）９．３１　（Ｓ、６
１−１＞ ９、　　４３　　（ｄ、　　　１　　ト１．Ｊ＝８Ｌｌ
ｚ）実施例１２ −に記一般式（Ｉｆ）の化合物（Ａがセファロスポリン
誘導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素
原子、Ｒ２がα−（ｔｅｒｔ−エチルＡキジカルボニル
アミ、〕）フフェニルアレドアアミド、Ｒ３が５−メチ
ル−１，３，４−チアジアゾール−２−イルチオメチル
基、ｎがＯ）を実施例２と同様に処理して上記一般式（
Ｔ＞の化合物（Ａがｔ？ファロスポリン誘導体残塁、Ｒ
１が水素原子、Ｒ２がα−（ｔｅｒｔ−ブチールオキシ
力ルポニルアミノ）フェニルアセトアミド基、Ｒ３が５
−メチル−１，３，４−チアジアゾール−２−イルチオ
メチル基、ｎがＯ）を８９％の収率で得た。このものの
Ｎ　Ｍ　Ｒスペクトルは、その構造と一致した。

ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｓ　）　　δｐｐｍ１．３６　（
ｓ、９Ｈ） ３　、　２５〜４．　　５０　　（ｂｓ、　　　１　　
ト１　）３、　　５６　　（ｂｓ、　　　２　　トｌ　
）３．９１　（ｓ、３Ｌｌ） ４、００　（ｄ、　１１−１．　Ｊ＝８ｉ−１ｚ　）４
．２２　（ｂｓ、２Ｈ＞ ４、　９４　　（ｄ、　　　ＩＨ，Ｊ＝５１−１ｚ＞５
．２６　＜ｄ、ｎ−＋、　　Ｊ＝ａ＋−ｔｚ＞５、、　
６５　　（ｄｄ、　　　ｌ　　トｌ、　　Ｊ＝５１−１
ｚ、　　８ｔ−１ｚ＞７、　　１０−７．　　５５　　
（ｍ、　　　５　　ト１　）９．０７　（ｄ、１１−１
．Ｊ＝８Ｈｚ＞実施例１３ 上記一般式（ＩＩ）の化合物（八がセファロスポリン誘
導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素原
子、Ｒ２がアミノ基、Ｒ３が５−メヂルー１．３．４−
チアジアゾール−２−イルチオメチル基、ｎがＯ）を実
施例２と同様に反応ざ１！′、反応終了後撹拌しながら
酢酸ＥＩＩチルを加えていくと、」−記一般式（１゛）
の化合物（Ａがヒフアロスポリン誘導体残基、Ｒ１が水
素原子、Ｒ２がアミノ基、Ｒ３が５−メチル−１，３，
４−チアジアゾール−２−イルチオメチル基、ｎかＯ）
が析出してぎた。これをン戸別し、常法に従い精製して
上記目的化合物を８４％の収率で得た。このもののＮＭ
Ｒスペクトルは、既知のＮＭＲスペクトルと一致した。

実施例１４ 上記一般式（ＩＩ）の化合物（Ａが３−■キソメヂレン
セーノアム誘導体残基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、
Ｒ１が水素原子、Ｒ２が）■ニルアセトアミド基、ｎが
０）１００及びフェノール２０ｍ０を混合して４５℃に
加熱した。次いでこれに製塩Ｉ！０．３７ｍＱを加えて
１時間反応さｌ！た。反応終了後室温まで放冷し、酢酸
エチル１５０ｍＱ及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１
００ｍＧで抽出した。水層を水浴で冷却しながら塩酸を
加えてｐＩＩ−１〜２に調整し、酢酸エチル２００　ｍ
Ｑで抽出し、得られた酢酸エチル層を減圧濃縮覆ると、
上記一般式（１）の化合物（Ａが３−エキソメチレンセ
ファム誘導体残塁、Ｒ１が水素原子、Ｒ２が）Ｔニルア
セトアミド基１、ｎがＯ）を８５％の収率で得た。この
もののＮＭＲスペク］〜ルは、その構造と一致した。

ＮＩＶｔＲ（７１７トンーｄ６）　　δｐｐｍ３　、３
　ｔ”）及び３．６９　（Ａｌ１（：１．２１−１゜Ｊ
　＝’　１４１−１　ｚ　＞ ３．６５　（ｓ、２ｔｌ） ５　、　　Ｏε３（Ｓ、１　　ト１　）５．２Ｆ３　（
ｓ、２ｌ−Ｉ） ５、　３４　　（ｄ、　　Ｉ　　Ｈ’、　　Ｌ）−ｂ　
Ｈｚ　　＞５、　　５７　　（ｄｄ、　　　１　１１．
　　　、、Ｊ＝５　　トＩＺ、９１−１７＞７．０５へ
７．４５　（ｍ、５Ｎ＞ ７、”ｉ’５　（ｄ、Ｉｌｌ、Ｊ＝９ｔ−１ｚ＞実施例
１５ 上記一般式（ＴＩ＞の化合物（Ａが３−エキソメチレン
セーノアム誘導体残阜、Ｘがｐ−メ１〜キシベンジル基
、Ｒ１が水素原子、Ｒ２がフェノキシアセ１〜アミド措
、ｎが１）を実施例１４と同様に処理して、十記一般式
（１〉の化合物（Ａが３−エキソメヂレンセファム誘導
体残塁、Ｒ１が水素原子、Ｒ２が〕二［ノコ１：シアセ
トフ′ミド基、ｎが１）を８７％の収率で得た。このも
ののＮ　Ｍ　Ｒスペク１〜ルは、その構造と一致した。

ＮＭＲ（ｆ）ＭＳＯ−ｄ６／ＣＤＣ９３）δｐｐｍ３．
８０　（ｓ、２１−１＞ ４．５３　（ｓ、２ｌ−ｌ） ’：＞、０５　（ｓ、１ｔ−１） ５、　１　０　　（ｄ、　　Ｉ　　Ｌｌ、　　、ノー５
１−Ｉ　ｚ　）５、４０　（ｓ、　Ｉ　Ｈ） ５．７０　（ｓ、ＩＮ＞ ５．９０　（ｄｄ、１）−１，Ｊ＝５１−１ｚ、９ｌ−
ｌＺ）６．８５〜７．５０　（ｍ、５ｔ−１＞９．６５
　（ｄ、ｌｌ−１，Ｊ−９１−１ｚ）実施例１６ 上記一般式（ＩＩ）の化合物（△がセファロスポリン誘
導体残基、Ｘがジフェニルメチル基、Ｒ１が水素原子、
Ｒ２がチオールアｔ′Ｘ／１〜アミド基、１＜３か１−
メチルテ］へラブ−ルー５−イルチΔメチル阜、ｒ）が
１〉を実施例２と同様に処理して−に配一般式（Ｔ＞の
化合物（△がレファ］］スポリン誘導体残基、［で１が
水素原子、Ｒ２がチＡ−ルアセトアミＦ塁、Ｒ３が１−
メチルテトラゾール−５−イルヂオメチル呈、ｎが１）
を８９％の収率で１ｑた。このｂののＮＭＲスペクトル
は、その構造と一致した。

ＮＭＲ（アセトン−（１６／メタノール−ｄ４）δｐｐ
ｍ ３．８４及び４．３７　（ＡＢ（１；　２１＋。

Ｊ＝１６１−１２＞ ３．９２　（Ｓ、３１−１＞ ４、−　０１　　　（Ｓ、　　　２　　ト１　）４．３
０及びＩｌ、７３　（ＡＢｑ、２ｔ−１゜Ｊ−１４１−
１ｚ　） ４．６０　（ｄ、’１ｔ−１．Ｊ＝５ｔ−１２＞５．５
６　（ｄ、１　ｔｌ、Ｊ＝５Ｈｚ＞６．８５〜７．７１
５　（ｍ、　３１−１＞実施例１７ 上記一般式（ｎ）の化合物（△が１−オキリ゛セフェム
誘導体残塁、Ｘがジフェニルメチル基、Ｒ１がメトキシ
基、Ｒ２がα−（ｐ−メ１〜キシベンジルＡキシカルボ
ニル）フェニルアレドアミド基、Ｒ３が１−メチルテト
ラゾール−５−イルチオメチル基）を実施例１４と同様
に処理して上記一般式（Ｔ＞の化合物（Ａが１−オキザ
セフエム誘導体残塁、Ｒ１がメトキシ基、Ｒ２がα−カ
ルボキシフェニルアセトアミド基、Ｒ３が１−メチルテ
トラゾール−５−イルチオメチル基）を８５％の収率で
得た。このもののＮＭＲスペクトルは、既知のＮＭＲス
ペク１〜ルと一致した。

実施例１Ｂ 上記一般式（ＩＴ）の化合物（八がペニシリン誘導体残
塁、Ｘがジフェニルメチル基、Ｒ１が水素原子、Ｒ２が
フェニルアセトアミド基、ｎが１）を実施例２と同様に
処理して上記一般式（Ｉ）の化合物（Ａがペニシリン誘
導体残基、Ｒ１が水素原子、［く２か７−１ニルアセｉ
〜アミド星、ｎか１）を８６％の収率で得た。この−ｂ
ののＮＭＲスペクｌ〜ル（ｊｌ、既知のＮＩＶｔＲスペ
クトルと一致した。

実施例１９ 上記一般式（ＴＩ　＞の化合物（Ａがペニシリン誘導体
残基、Ｘがジフェニルメチル基、Ｒ１が水素゛１京子、
Ｒ２かノエノニ１シア１２ドアミド基、「）がＯ）を実
施例２と同様に処理して十記一般式（１）の化合物（八
がペニシリン誘導体残基、Ｒ１が水素原子、Ｒ２か）−
Ｌノキシアセ１〜アミド基、ｎかＯ）を９０％の収率で
得た。このもののＮＭＲスペクｉ〜ルは、既知のＮ　Ｍ
　Ｒスペク１〜ルと一致した。

実施例２０ 上記一般式（１）の化合物（Ａが１−カルバセフェム誘
導体残基、Ｘがジフェニルメチル基、Ｒ１か水素原子、
Ｒ２がチΔ−ルアｌ？ドアミド阜、Ｒ３及びＲ３が共に
水素原子）を実施例２と同様に処理して上記一般式（１
）の化合物（Ａが１−カルバレアエム誘導体残り、Ｕ？
、′が水素原子、１（２かヂＡ−ル７ノセ１〜アミＦ基
、Ｒ３及びＲ３が共に水素原子）を９４％の収率で得た
。このもののＮＭＲスペクトルは、既知のＮＭＲスペク
トルと一致した 実施例２１ 十記一般式（１■）の化合物（△がペニシリン誘導体残
基、Ｘがｐ−メトキシベンジル基、Ｒ１が水素原子、Ｒ
２が臭素原子、ｎがＯ）を実施例２と同様に処理して上
記一般式（］）の化合物（Ａがペニシリン誘導体残塁、
Ｒ１が水素原子、［＜２が臭素原子、ｎがＯ〉を８９％
の収率で得た。このもののＮＭＲスペク１ヘルは、その
構造と一致した。

ＮＭＲ（ＣＤＣ９３）　　δｐｐｍ １．５７　（Ｓ、３１−１＞ １．６５　（Ｓ、３Ｈ） ４．５８（ｓ、１ｔｌ） ４、　８４　　（（ｊ、　　１１−１．　　、ノー’！
、　　５Ｈｚ＞５．４０　（ｄ、１１−１．Ｊ＝１．５
）−１ｚ　＞（以　上）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ａはβ−ラクタム誘導体残基を示す。Ｘはフェニ
   ル環上に置換基として電子供与性基を有するベンジル基
   、フェニル環上に置換基として電子供与性基を有するこ
   とのあるジフェニルメチル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を
   示す。〕で表わされるカルボキシル基が保護されたβ−
   ラクタム誘導体をフェノール類と反応させて、一般式 Ａ−ＣＯＯＨ 〔式中Ａは前記に同じ。〕 で表わされるβ−ラクタム誘導体を得ることを特徴とす
   るβ−ラクタム誘導体の製造方法。
2. （２）Ａで示されるβ−ラクタム誘導体残基がセフアロ
   スポリン誘導体残基、３−エキソメチレンセファム誘導
   体残基、１−オキサセフエム誘導体残基、１−カルバセ
   フエム誘導体残基又はペニシリン誘導体残基である特許
   請求の範囲第１項記載の方法。