JPS61258348A - 光デイスク - Google Patents

光デイスク

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JPS61258348A
JPS61258348A JP60100726A JP10072685A JPS61258348A JP S61258348 A JPS61258348 A JP S61258348A JP 60100726 A JP60100726 A JP 60100726A JP 10072685 A JP10072685 A JP 10072685A JP S61258348 A JPS61258348 A JP S61258348A
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JP
Japan
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film
substrate
resin
tracking
recording
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JP60100726A
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JPH0553023B2 (ja
Inventor
Yoshihiko Kudo
工藤 嘉彦
Kiyoshi Uchida
清 内田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光等の光を用いて情報の記録再生を行
なう光ディスクに関するものである。
従来の技術 近年、情報処理システムにおける処理情報量の急速な増
加に伴い、特に画像情報処理システムおヨヒオフィスオ
ートメーション等の分野において記録容量の大きい記録
媒体、とりわけ光ディスクが注目されている。光ディス
クでは、記録膜上に光ビームを照射し、光吸収による局
部的な温度上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行な
う。
従来の光ディスクは例えば第3図に示すように構成され
る。すなわち、トラッキング溝が形成されたプラスチッ
ク、ガラス等の透明基板31上に、基板の熱損傷防止あ
るいは記録特性の改善のための下地層32を形成し、こ
の下地層32の上に記録膜33として希土類−遷移金属
系フェリ磁性膜。
テ/I//L/糸合金膜、熱可塑性樹脂膜等を形成し、
保護被覆用基板34を接着剤35によって接着した構造
になっている。
光デイスク表面のじんあいによる記録再生特性の劣化を
防止するために、記録再生は前記光ディスクのトラッキ
ング溝を有する透明基板31側よシ矢印Aで示すレーザ
光等の光ビームを記録膜に照射して行なう。この時、透
明基板31の光入射端で光ビーム径を充分大きくし、じ
んあいによる影響を除くために透明基板の厚さは1 m
1m1前後に設定される。
また、透明基板上に下地層、記録膜を形成したもの2枚
を記録膜が向い合うように接着剤で貼9合わせ、両面に
おいて記録可能な構造として用いる場合もある。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、前記のような構成の光ディスクでは、光
入射用の透明基板自身にトラッキング溝が形成されてい
るため、透明基板は光学特性、耐湿性、耐熱性に加えて
溝成形性に優れていることが要求され、そのような要求
を充分に満たす透明基板が得られていない。すなわち、
従来の光ディスクの溝付透明基板として用いられている
アクリル樹脂の場合は溝成形性、光学特性に優れている
が耐湿性、耐熱性に劣っており、ポリカーボネイト樹脂
の場合は耐熱性、溝成形性に優れているが、複屈折など
の光学特性に劣っており、エポキシ樹脂およびガラスの
場合は光学特性、耐熱性に優れているが、溝成形性に劣
っているという問題点を有していた。
問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の光ディスクは、記録
膜をその上に形成するトラッキング溝付基板と光入射用
の透明板を別に設け、それぞれ機能分担させた構成にな
っている。
作用 トラッキング溝の成形性に優れたアクリル樹脂。
ポリスチロール樹脂、アクリルスチロール樹脂(ムS樹
脂)、アクリルブタジェンスチロール樹脂(ムBS樹脂
)、ポリアミド樹脂、ポリカーボネイト樹脂のいずれか
を記録膜形成用溝付基板として用い、複屈折などの光学
特性、耐湿性、耐熱性に優れたシリコーンゴム、エポキ
ン樹脂、ガラスのいずれかを光入射用の透明板として用
いることによって機能分担させ、成形性の良いトラッキ
ング溝を有し、光学特性、信頼性に優れた光ディスクを
実現するものである。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第1図は本発明の一実施例における光ディスク
の構成図である。第1図において、11はアクリル樹脂
で形成され、トラッキングの溝を有する溝付基板、12
は下地層および保護被覆層を形成する3i0膜、13は
記録膜のTbFa 。
GdTbFe 、 TbFeCo などの希土類−遷移
金属系フェリ磁性膜、14はシリコーンゴムからなる光
入射用透明板である。
アクリル樹脂の溝付基板11上に蒸着法およびスパッタ
法によりSiO膜12 (30〜200nm)、希土類
−遷移金属系フェリ磁性膜1s (2oonm)、Si
O膜12 (30〜1 oonm )の順に形成後、透
明液状のシリコーンゴムを光入射側の厚さが1.2mm
になるよう平板状に成形固化させた構成になっている。
第1図に示した本実施例による光ディスクは、トラッキ
ング溝形成に成形性の良いアクリル樹脂を用いているの
で、トラッキング安定性、信号品質に優れており、一方
、光投入側に複屈折が小さく、耐湿性、耐熱性の良いシ
リコーンゴムを用いているので信号品質、信頼性に優れ
ている。これによって、トラッキング溝付透明基板側か
ら光を入射して記録再生を行なう従来の光ディスクに比
較してSN比が約3dB向上した。また、温度60′C
9湿度90%の環境試験の結果、従来の光ディスクは5
00時間以内にソリなどの変形や記録膜の劣化などによ
るディフェクトの増加などが発生したが、本実施例によ
る光ディスクでは1ooO時間経過も不良発生はなかっ
た。
なお、本実施例では記録形成用の溝付基板11をアクリ
ル樹脂、下地層および保護被覆層をSiO膜12.記録
膜を希土類−遷移金属系フエリ磁性膜13.光入射用透
明板14をシリコーンゴムで形成したが、記録膜形成用
の溝げ基板11はポリスチレンm脂、As樹脂、五BS
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネイト樹脂のいずれ
か、下地層および保護被覆層は各種の窒化膜や酸化膜、
記録膜はテルル系合金膜または熱可塑性樹脂膜、光入射
用透明板は光入射側の厚さがO0Bmm〜1.6mmの
範囲、材質がエポキシ樹脂またはガラスでもよい。ガラ
スを光入射用透明板とした場合は、記録膜および溝付基
板を両側からガラスで挟む形にエポキシ系接着剤で接着
するか、ハーメチックシールなどの方法で封着する。
尚、第2図は本発明の第2の実施例を示すもので、トラ
ッキング溝付基板210両面に、下地層22&および保
護被覆層22bを設け、下地層22&と保護被覆層22
bの間に記録膜23を設け、これらに光入射用透明板2
4を平板状に成形固化させた構成とし、両面記録再生可
能な光ディスクとすることもできる。尚、材料等につい
ては第1の実施例の材料を用いて構成できる。
尚、各図において、矢印ムはレーザ光を示す。
発明の効果 本発明は記録膜形成用のトラッキング溝付基板と光入射
用の透明板を別に設けることによって機能分担させ、ト
ラッキング安定性、信号品質および信頼性に優れた光デ
ィスクを実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光ディスクの断面図
、第2図は本発明の他の実施例における光ディスクの断
面図、第3図は従来の光ディスクの断面図である。 11・・・・・・溝付基板、12・・・・・・SiO膜
、13・・・・・・希土類−遷移金属系フェリ磁性膜、
14・・・・・・光入射用透明板、21・・・・・・ト
ラッキング溝付基板、22&・・・・・・下地層、22
b・・・・・・保護被覆層、23・・・・・・記録膜、
24・・・・・・光入射用透明板。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)トラッキング溝を有する基板上に記録膜を形成し
    、前記記録膜に対して前記基板の反対側、若しくは、前
    記基板と前記記録膜を包囲するように透明板を設け、前
    記記録膜に対して前記基板の反対側から光を入射して記
    録再生を行なうように構成したことを特徴とする光ディ
    スク。
  2. (2)透明板としてシリコーンゴム、エポキシ樹脂、ガ
    ラスのいずれかを用いたことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の光ディスク。
  3. (3)基板としてアクリル樹脂、ポリスチロール樹脂、
    アクリルスチロール樹脂、アクリルブタジエンスチロー
    ル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネイト樹脂のいず
    れかを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の光ディスク。
JP60100726A 1985-05-13 1985-05-13 光デイスク Granted JPS61258348A (ja)

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JP60100726A JPS61258348A (ja) 1985-05-13 1985-05-13 光デイスク

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JP60100726A JPS61258348A (ja) 1985-05-13 1985-05-13 光デイスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61258348A true JPS61258348A (ja) 1986-11-15
JPH0553023B2 JPH0553023B2 (ja) 1993-08-09

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ID=14281621

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JP60100726A Granted JPS61258348A (ja) 1985-05-13 1985-05-13 光デイスク

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