JPS61248490A - 半導体レ−ザ−測定装置 - Google Patents
半導体レ−ザ−測定装置Info
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- JPS61248490A JPS61248490A JP8856885A JP8856885A JPS61248490A JP S61248490 A JPS61248490 A JP S61248490A JP 8856885 A JP8856885 A JP 8856885A JP 8856885 A JP8856885 A JP 8856885A JP S61248490 A JPS61248490 A JP S61248490A
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- Japan
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- semiconductor laser
- gaussian distribution
- filter
- gaussian
- optical fiber
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光フアイバ通信用の半導体レーザー測定装置
に係り、特に半導体レーザービームのうちのガウス分布
成分の特性測定に好適な半導体レーザー測定装置に関す
る。
に係り、特に半導体レーザービームのうちのガウス分布
成分の特性測定に好適な半導体レーザー測定装置に関す
る。
半導体レーザーは、光通信用光源として、光ファイバと
のカップリングにより用いられるが、伝送特性、素子寿
命等の面から、光ファイバとの、より高いカップリング
効率が望まれている。従来。
のカップリングにより用いられるが、伝送特性、素子寿
命等の面から、光ファイバとの、より高いカップリング
効率が望まれている。従来。
ファイバの先端をテーパー状にする方法（エイチ・カワ
ムラ他； ［テーパ状へミスフェリカル端部による半導
体レーザと単モードファイバの有効な結合」応用光学第
１９巻、第２５７８頁、 １９８０年（Ｈ、Ｈａｗａｍ
ｕｒａ他：“Ｅｆｆｉｃｉｓｎｔ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ
ｆｒｏ＋ｎＳｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓ
１ｎｔｏ Ｓｉｎｇｌｅ−ｍｏｄｅ ｆｉｂｅｒｓｗ
ｉｔｈ ｔａｐｅｒｅｄ ｈｅ＋５ｉｓｐｈｅｒｉｃａ
ｌ ｅｎｄｓ” Ａｐｐｌ、、ＯＰｔ、＋Ｖｏ１．］、
９． ｐ２５７８．１９８０ ） ）やまた、カップリ
ング効率が良い半導体レーザを出荷前に簡易に選別する
方法として、レーザービームの遠視野像を用いたり、光
ファイバのＮＡに合うようにディテクタを半導体レーザ
一端面より遠ざけ、光特性を測定して、レーザーの前選
別を行う方法が用いられていた。しかし、半導体レーザ
ーの遠視野像が複雑な形状になると充分な精度で選別で
きないという欠点があった。選別の精度向上を図るため
には。
ムラ他； ［テーパ状へミスフェリカル端部による半導
体レーザと単モードファイバの有効な結合」応用光学第
１９巻、第２５７８頁、 １９８０年（Ｈ、Ｈａｗａｍ
ｕｒａ他：“Ｅｆｆｉｃｉｓｎｔ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ
ｆｒｏ＋ｎＳｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａ５ｅｒｓ
１ｎｔｏ Ｓｉｎｇｌｅ−ｍｏｄｅ ｆｉｂｅｒｓｗ
ｉｔｈ ｔａｐｅｒｅｄ ｈｅ＋５ｉｓｐｈｅｒｉｃａ
ｌ ｅｎｄｓ” Ａｐｐｌ、、ＯＰｔ、＋Ｖｏ１．］、
９． ｐ２５７８．１９８０ ） ）やまた、カップリ
ング効率が良い半導体レーザを出荷前に簡易に選別する
方法として、レーザービームの遠視野像を用いたり、光
ファイバのＮＡに合うようにディテクタを半導体レーザ
一端面より遠ざけ、光特性を測定して、レーザーの前選
別を行う方法が用いられていた。しかし、半導体レーザ
ーの遠視野像が複雑な形状になると充分な精度で選別で
きないという欠点があった。選別の精度向上を図るため
には。
光ファイバとカップリングしやすい光成分が半導体レー
ザー中にどれだけ存在するかを測定し、特性選別を行う
必要がある。光フアイバ中を伝送する光の電界分布は、
コア、クラッド部の屈折率差、及びコア径をパラメータ
としたほぼガウス分布となっており、半導体レーザービ
ーム中のガウス分布成分のみが光ファイバとカップリン
グする。よって、このガウス成分がどれだけ存在するか
測定可能な装置が必要である。
ザー中にどれだけ存在するかを測定し、特性選別を行う
必要がある。光フアイバ中を伝送する光の電界分布は、
コア、クラッド部の屈折率差、及びコア径をパラメータ
としたほぼガウス分布となっており、半導体レーザービ
ーム中のガウス分布成分のみが光ファイバとカップリン
グする。よって、このガウス成分がどれだけ存在するか
測定可能な装置が必要である。
本発明の目的は、半導体レーザービー１１から。
光ファイバとカップリングする光成分だけを透過するよ
うなフィルタを用いた半導体レーザー測定装置を提供す
ることにある。
うなフィルタを用いた半導体レーザー測定装置を提供す
ることにある。
従来、半導体レーザーの光特性は、レーザービームをレ
ンズ等を介してフォトディテクタで検出して光−電気特
性や遠視野像を得ていた。しかし。
ンズ等を介してフォトディテクタで検出して光−電気特
性や遠視野像を得ていた。しかし。
半導体レーザービームのガウス分布成分だけが、光ファ
イバとカップリングするため、従来方法で測定された光
特性は光フアイバ通信用光源としての素子の情報として
は必要充分なものとはいえない。本発明は従来測定装置
の半導体レーザー及びディテクタ間にガウス分布成分だ
けが通過するようなガウスモードフィルタを挿入しフィ
ルタを通過する光パワーを測定するだけで光ファイバと
結合効率のよい半導体レーザを高歩留で選別できる測定
装置に関するものである７ガウスモードフイルターとは
、光の電界分布の中からガウス成分のみを透過するフィ
ルターである。
イバとカップリングするため、従来方法で測定された光
特性は光フアイバ通信用光源としての素子の情報として
は必要充分なものとはいえない。本発明は従来測定装置
の半導体レーザー及びディテクタ間にガウス分布成分だ
けが通過するようなガウスモードフィルタを挿入しフィ
ルタを通過する光パワーを測定するだけで光ファイバと
結合効率のよい半導体レーザを高歩留で選別できる測定
装置に関するものである７ガウスモードフイルターとは
、光の電界分布の中からガウス成分のみを透過するフィ
ルターである。
以下１本発明の一実施例を第１および２図を用いて説明
する０本装置は半導体レーザー１、ガウス分布フィルタ
２、ディテクタ３よりなる。必要に応じ、１と２の間、
又は２と３の間にレンズ４を挿入する。ここで２のガウ
ス分布フィルタの構造を第２図に示す。これは屈曲率１
．４７０１のガラス板５の中心部に屈折率１．４７０２
で半径２８．８μｍの部分６をイオン交換法で形成した
ものである。
する０本装置は半導体レーザー１、ガウス分布フィルタ
２、ディテクタ３よりなる。必要に応じ、１と２の間、
又は２と３の間にレンズ４を挿入する。ここで２のガウ
ス分布フィルタの構造を第２図に示す。これは屈曲率１
．４７０１のガラス板５の中心部に屈折率１．４７０２
で半径２８．８μｍの部分６をイオン交換法で形成した
ものである。
この状態で波長１．３μｍの光を入射し透過光の強度分
布を測定した所ガウスビームとなっていた。
布を測定した所ガウスビームとなっていた。
次にガウスフィルタの開口数を光ファイバの開口数（Ｎ
Ａ＝０．１） に合わせるため、同フィルタの表面に
金属膜７を蒸着し、これにガラス部６と同心円となるよ
うに半径５０μｍの窓を設け、半導体レーザー１とガウ
ス分布フィルタ２の表面までの距離を５００μｍとした
。
Ａ＝０．１） に合わせるため、同フィルタの表面に
金属膜７を蒸着し、これにガラス部６と同心円となるよ
うに半径５０μｍの窓を設け、半導体レーザー１とガウ
ス分布フィルタ２の表面までの距離を５００μｍとした
。
本実施例により、ディテクタ３により測定された効率は
、開口数０．１ のシングルモード光ファイバとのカ
ップリング効率と良く一致し、半導体レーザー評価装置
として効果があった。
、開口数０．１ のシングルモード光ファイバとのカ
ップリング効率と良く一致し、半導体レーザー評価装置
として効果があった。
本発明によれば、測定装置にガウス分布フィルタを挿入
することにより、半導体レーザーのレーザービームのガ
ウス成分のみを取出すことができるため次のような効果
がある。すなわち、半導体レーザーの遠視野像がガウス
分布に整形され、この半値全角をθとすると、光ファイ
バとレーザービームとのカップリング効率は、θをパラ
メータとして表わされ、カップリング効率は、この光フ
ァイバのコア径、クラッドとコア部の屈折率差により決
まる極大値を持ちファイバ出力は、 Ｉ−Ｌ特性とカッ
プリング効率により求められるので。
することにより、半導体レーザーのレーザービームのガ
ウス成分のみを取出すことができるため次のような効果
がある。すなわち、半導体レーザーの遠視野像がガウス
分布に整形され、この半値全角をθとすると、光ファイ
バとレーザービームとのカップリング効率は、θをパラ
メータとして表わされ、カップリング効率は、この光フ
ァイバのコア径、クラッドとコア部の屈折率差により決
まる極大値を持ちファイバ出力は、 Ｉ−Ｌ特性とカッ
プリング効率により求められるので。
ある光ファイバのコア径や屈折率差等のデータがあれば
、その光ファイバと直接カップリングさせずとも、半導
体レーザー毎にカップリング効率。
、その光ファイバと直接カップリングさせずとも、半導
体レーザー毎にカップリング効率。
ファイバ出力が推測でき、選別は容易で、精度の高いも
のとなるため、半導体レーザー及びこれを用いたシステ
ムの信頼性向上を図り得る。
のとなるため、半導体レーザー及びこれを用いたシステ
ムの信頼性向上を図り得る。
第１図は９本半導体レーザー測定装置の一例を示す図、
第２図はガウス分布フィルタの構造を示す図である。
第２図はガウス分布フィルタの構造を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザーとディテクタより成る半導体レーザ
ー測定装置において、半導体レーザーとディテクタ間に
ガウス分布フィルタを挿入したことを特徴とする半導体
レーザー測定装置。 ２、上記ガウス分布フィルターが半導体レーザーおよび
光ファイバと光学的に有効に結合する開口数（ＮＡ）を
もつことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体レーザー測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8856885A JPS61248490A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 半導体レ−ザ−測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8856885A JPS61248490A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 半導体レ−ザ−測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248490A true JPS61248490A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=13946463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8856885A Pending JPS61248490A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 半導体レ−ザ−測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999015926A1 (de) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Infineon Technologies Ag | Optisches system zum einkoppeln von laserstrahlung in einen lichtwellenleiter und verfahren zu dessen herstellung |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP8856885A patent/JPS61248490A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999015926A1 (de) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Infineon Technologies Ag | Optisches system zum einkoppeln von laserstrahlung in einen lichtwellenleiter und verfahren zu dessen herstellung |
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