JPS61248430A - 化合物半導体基板の薄層化法 - Google Patents

化合物半導体基板の薄層化法

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JPS61248430A
JPS61248430A JP8854885A JP8854885A JPS61248430A JP S61248430 A JPS61248430 A JP S61248430A JP 8854885 A JP8854885 A JP 8854885A JP 8854885 A JP8854885 A JP 8854885A JP S61248430 A JPS61248430 A JP S61248430A
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JP
Japan
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semiconductor substrate
etching
compound semiconductor
glass plate
etched
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Pending
Application number
JP8854885A
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English (en)
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Eiji Yanokura
矢ノ倉　栄二
Akisada Watanabe
渡辺　明禎
Mitsuhiro Mori
森　光廣
Susumu Takahashi
進 高橋
Takao Miyazaki
隆雄 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体基板の薄層化法に係わる。特に簡便に
かつ均一にエツチングするための化合物半導体基板の薄
層化法に関する。
〔発明の背景〕
Ｇ　ａ　Ａ　ｓ高周波、高出力Ｆ　Ｅ　Ｔ　（Ｆｉｅｌ
ｄ　ＥｆｆａｃｔＴｒａｎｃｉｓｔｏｒ　）ではソース
・インダクタンスを小さくシ、熱の放出を促すために、
ヴイア　ホール（１／１ａ−Ｈｏｌｅ）　　が多く採用
されている。ヴイアホール（Ｖｉａ　−１４ｏｌｅ　）
　　を形成するためには化合物半導体基板表面に素子を
形成した後裏面をエッチして１０〜５０μｍ厚みの均一
な化合物半導体基板を得なければならない。
半導体基板を傾体てエツチングする例を示すものとして
公開公報特開昭４９−３５７５号が挙げられる。
この公知例ではエツチング液を流下させて均一なエツチ
ングを行なっているが１本発明によれば、後述するよう
に半導体基板を傾斜させ、ゆっくり回転させることによ
って簡便にかつ均一にエツチングできる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は化合物半導体基板を１０〜５０μｍの厚
さまで簡便にかつ均一に薄くする方法を提供することに
ある。
〔発明の概要〕
半導体基板の裏面をエツチングして１０〜５０μｍに薄
くする方法としては１機械的なもの、化学的なもの、そ
してこれらを組み合わせてものとがある。化学的な方法
は結晶にひずみが入ることも少なく、エツチング速度も
かなり大きくすることができ、短時間で薄くすることが
可能である。
化学的なエツチングの問題は、特にエツチング速度を大
きくした時、化合物半導体基板全体にわたって均一な厚
みにエツチングすることが難しいことである。
本発明は、半導体基板のエツチングする面以外の主表面
を当該エツチング液に対し保護し、該半導体基板を傾け
て（その傾斜角度が６０〜７５度の範囲になるように傾
けてるのが良い）、且回転させながらエツチングするも
のである。
本発明の方法によれば、化合物半導体基板を傾けること
により反応生成物が化合物半導体基板の表面に沿って流
れるため水平に静置するより均一にエツチングできる。
回転を加えることにより厚みのばらつきが平均化されさ
らに均一性よくエツチングできる。
〔発明の実施例〕 以下本発明の実施例を第１図、第２図により説明する。
第２図は第１図の直面の方向からの断面図である。
第１図に示すように、ガラス板（２）にはりっけたＧ　
ａ　Ａ　ｓ半導体基板（３）をエツチング治具（１）に
７０度傾けてビー力（４）内に立て。
Ｈ，ＳＯ，：Ｈ２Ｏ，：Ｈ２０＝１：８：４　４０℃の
エツチング液（５）中で毎分０．１　回転の速さで辺（
６）が辺（７）の位置になるように回転させる。エツチ
ングする以外の主面は、ガラス板（２）にはりつけられ
保護されている０本実施例によれば、４００μｍ厚みの
２インチＧ　ａ　Ａ　ｓ半導体基板が第４図の厚み分布
でエツチングできる。
第４図のＡ、Ｂ、Ｃは第３図に示したウェハ内の位置を
示している。また第５図に示すように半導体基板の傾斜
角度は６０〜７５度の時が厚みばらつきが最も小さくな
る。厚みばらつきは、ＧａＡｓ半導体基板の端がなくな
るまでエツチングした時の最も厚い部分の厚みである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、化合物半導体基板を、欠陥を導入する
ことなく、Ｓ便に７！！１つ均一に薄層化できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、ガラス板にはりつけた化合物半導体を６０〜
７５度傾けてエツチング液中に置いた時の横断面図、第
２図は第１図の正面図、第３図は第４図の測定点の２イ
ンチ半導体基板中での代表点位置を摺示する図、第５図
は傾斜角度と厚みばらつきの関係を示す図である。 １・・・エツチング治具、２・・・ガラス板、３・・・
化合物半導体基板、４・・・ピー力、５・・・エツチン
グ液、６・・・ガラス板の一辺、７・・・ガラス板の一
辺。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　化合物半導体基板の一主表面をエッチングするにあた
    り、他の主表面を当該エッチング液に対して保護しエッ
    チング液中で該化合物半導体基板を傾けて、かつ回転さ
    せながらエッチングする化合物半導体基板の薄層化法。
JP8854885A 1985-04-26 1985-04-26 化合物半導体基板の薄層化法 Pending JPS61248430A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109698123A (zh) * 2017-10-24 2019-04-30 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109698123A (zh) * 2017-10-24 2019-04-30 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法
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