JPS61248253A - 光磁気デイスクの信号検出方法 - Google Patents
光磁気デイスクの信号検出方法Info
- Publication number
- JPS61248253A JPS61248253A JP9049685A JP9049685A JPS61248253A JP S61248253 A JPS61248253 A JP S61248253A JP 9049685 A JP9049685 A JP 9049685A JP 9049685 A JP9049685 A JP 9049685A JP S61248253 A JPS61248253 A JP S61248253A
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- Japan
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- signal
- light
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- magneto
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスクの信号検出方法に関する。
本発明の光磁気ディスクの信号検出方法は、光源である
半導体レーザーへの戻り光による誘起雑音の抑制を目的
としており、対物レンズにフォーカスオフセットを与え
ることによって僅かをデフォーカス状態で再生し、半導
体レーザーへの戻り光量を制限し、戻り光誘起雑音を抑
制することができる。これＫよってＣ／Ｈの大幅な向上
が可能になる。
半導体レーザーへの戻り光による誘起雑音の抑制を目的
としており、対物レンズにフォーカスオフセットを与え
ることによって僅かをデフォーカス状態で再生し、半導
体レーザーへの戻り光量を制限し、戻り光誘起雑音を抑
制することができる。これＫよってＣ／Ｈの大幅な向上
が可能になる。
従来、第２図に示すように光磁気ディスク＆の信号検出
する際に、対物レンズ４．０焦点位置に光磁気ディスク
５．の記録面＆が収束するように、フォーカスサーボを
かけることによって、信号再生を行なっている。しかし
、この場合、光源１．である半導体レーザーへの戻り光
量が非常に多い比め戻り光誘起雑音が増大し、高いＣ／
Ｎが得られ々い。そこで、半導体レーザーに高周波を重
畳することに二って戻り光誘起雑音を抑制する方法があ
る。
する際に、対物レンズ４．０焦点位置に光磁気ディスク
５．の記録面＆が収束するように、フォーカスサーボを
かけることによって、信号再生を行なっている。しかし
、この場合、光源１．である半導体レーザーへの戻り光
量が非常に多い比め戻り光誘起雑音が増大し、高いＣ／
Ｎが得られ々い。そこで、半導体レーザーに高周波を重
畳することに二って戻り光誘起雑音を抑制する方法があ
る。
しかし、従来の高周波重畳法では、回路が複雑になり、
高価なものになる。さらに、重畳する周波数をディスク
の反射率によって選択しなければならないなどの問題点
かあつ几。
高価なものになる。さらに、重畳する周波数をディスク
の反射率によって選択しなければならないなどの問題点
かあつ几。
そこで、本発明は従来のこのような欠点を解決する几め
、簡単な方法によって、戻り光誘起雑音を抑制し、高Ｃ
／Ｎ 比を得ることを目的としている。
、簡単な方法によって、戻り光誘起雑音を抑制し、高Ｃ
／Ｎ 比を得ることを目的としている。
上記問題点を解決する几めに本発明は、光磁気ディスク
の信号記録面に、対物レンズによって、半導体レーザー
からの光線束を集光させて信号再生するのであるが、こ
の時、フォーカスエラー信号にオフセットを加えること
によって、フォーカスサーボを閉じ九時に、ある一定の
デフォーカス状態全保持させて、信号再生し高Ｃ／Ｎ
比を得るようにした。
の信号記録面に、対物レンズによって、半導体レーザー
からの光線束を集光させて信号再生するのであるが、こ
の時、フォーカスエラー信号にオフセットを加えること
によって、フォーカスサーボを閉じ九時に、ある一定の
デフォーカス状態全保持させて、信号再生し高Ｃ／Ｎ
比を得るようにした。
（作用〕
上記のように、ある一定のデフォーカス状態で信号再生
すると、ディスク面で反射され定光線束は、対物レンズ
に再入射することになるが、この時の広がり角と対物レ
ンズ出射時の広がり角が一致しないことになる。すなわ
ち、半導体レーザーの出射端面における戻り光のスポッ
ト径は大きくなり、半導体レーザーの活性層に入射しに
くぐなる。し友がって、活性層内での干渉効果が低下し
戻り光誘起雑音が抑制されるのである。
すると、ディスク面で反射され定光線束は、対物レンズ
に再入射することになるが、この時の広がり角と対物レ
ンズ出射時の広がり角が一致しないことになる。すなわ
ち、半導体レーザーの出射端面における戻り光のスポッ
ト径は大きくなり、半導体レーザーの活性層に入射しに
くぐなる。し友がって、活性層内での干渉効果が低下し
戻り光誘起雑音が抑制されるのである。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図において、半導体レーザー１から出射し九光線はコ
リメーターレンズ２に入射し、平行光になる。次に、ビ
ームスプリッタ−５で一部の光量は反射され光学系外に
出射し、残りはそのまま通過し、対物レンズ４に入射し
、光磁気ディスク５に集束する。ここで、対物レンズ４
のフォーカスエラー信号を非点収差方式で検出し、フォ
ーカスニラ−信号にＤＣオフセットを加え几状態でフォ
ーカスサーボを閉じると、対物レンズ４の焦点位煮には
光磁気ディスク＆の記録面＆は収束しないことになる。
１図において、半導体レーザー１から出射し九光線はコ
リメーターレンズ２に入射し、平行光になる。次に、ビ
ームスプリッタ−５で一部の光量は反射され光学系外に
出射し、残りはそのまま通過し、対物レンズ４に入射し
、光磁気ディスク５に集束する。ここで、対物レンズ４
のフォーカスエラー信号を非点収差方式で検出し、フォ
ーカスニラ−信号にＤＣオフセットを加え几状態でフォ
ーカスサーボを閉じると、対物レンズ４の焦点位煮には
光磁気ディスク＆の記録面＆は収束しないことになる。
すなわち、デフォーカス状態が作り出され几ことになる
。ここで、フォーカスエラー検出方式はナイフェツジ方
式、臨界角方式でも同様である。次に、記録面６で反射
され再び対物レンズ４．に入射する光線は、対物レンズ
４．を出射する際の広がり角と一致しない几めに、対物
レンズ４に再入射し、半導体レーザー１の端面に戻る光
線のスポット径は大きくなる。し九がって、半導体レー
ザー５の活性層内に入り込む光量が減少し、干渉効果が
小さくなり、戻り光誘起雑音が抑制される。これによっ
て、ビームスプリッタ−五で分離された偏波面信号を有
する反射光は検光子ｌを通過することによって偏波面検
波され、強変変換されｔ信号になり集束レンズａに入射
し、フオ゛トダイオード９で信号検出され、高いＣ／Ｎ
比を得ることができる。この時、フォーカスエラー信号
にＤＣオフセット±５μｒｎを加えｔ場合とオフセット
ゼロの場合ではＩ ＭＨｚ 単一周波数のＣ／Ｎ 比
で最大１５ ｄＢ（ＲＢＷ５０ＫＨｚ）もの差が現われ
、ＤＣＣオフセラトラえ九時のＣ／Ｎ 比の向上は著し
い。以上のように本発明は、非常に簡単な方法で、戻り
光誘起雑音を抑制子ることができ、光磁気ディスクの再
生において、高いＣ／Ｎ比を得ることができる。
。ここで、フォーカスエラー検出方式はナイフェツジ方
式、臨界角方式でも同様である。次に、記録面６で反射
され再び対物レンズ４．に入射する光線は、対物レンズ
４．を出射する際の広がり角と一致しない几めに、対物
レンズ４に再入射し、半導体レーザー１の端面に戻る光
線のスポット径は大きくなる。し九がって、半導体レー
ザー５の活性層内に入り込む光量が減少し、干渉効果が
小さくなり、戻り光誘起雑音が抑制される。これによっ
て、ビームスプリッタ−五で分離された偏波面信号を有
する反射光は検光子ｌを通過することによって偏波面検
波され、強変変換されｔ信号になり集束レンズａに入射
し、フオ゛トダイオード９で信号検出され、高いＣ／Ｎ
比を得ることができる。この時、フォーカスエラー信号
にＤＣオフセット±５μｒｎを加えｔ場合とオフセット
ゼロの場合ではＩ ＭＨｚ 単一周波数のＣ／Ｎ 比
で最大１５ ｄＢ（ＲＢＷ５０ＫＨｚ）もの差が現われ
、ＤＣＣオフセラトラえ九時のＣ／Ｎ 比の向上は著し
い。以上のように本発明は、非常に簡単な方法で、戻り
光誘起雑音を抑制子ることができ、光磁気ディスクの再
生において、高いＣ／Ｎ比を得ることができる。
本発明は以上説明し７？、ように、対物レンズのフォー
カスエラー信号にＤＣオフセットを加えるという簡単な
方法により、半導体レーザーへの戻り光を制限すること
によって戻り光誘起雑音を抑制し、光磁気ディスクの再
生において、高いＣ／Ｎ比を得る効果がある。
カスエラー信号にＤＣオフセットを加えるという簡単な
方法により、半導体レーザーへの戻り光を制限すること
によって戻り光誘起雑音を抑制し、光磁気ディスクの再
生において、高いＣ／Ｎ比を得る効果がある。
第１図は、本発明にかかる光磁気ディスクの信号検出方
法を示す光学系の略図である。 第２図は、従来・の光磁気ディスクの信号検出方法を示
す光学膜の略図である。 １・・・半導体レーザー ２・・・コリメータレンズ
５・・・ビームスプリッタ−４・・・対物レンズ５・・
・光磁気ディスク ６・・・記録面７・・・検光子
８・・・集束レンズ９・・・フォトダイ
オード 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図 第２図
法を示す光学系の略図である。 第２図は、従来・の光磁気ディスクの信号検出方法を示
す光学膜の略図である。 １・・・半導体レーザー ２・・・コリメータレンズ
５・・・ビームスプリッタ−４・・・対物レンズ５・・
・光磁気ディスク ６・・・記録面７・・・検光子
８・・・集束レンズ９・・・フォトダイ
オード 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- 光源から出射した光線束を対物レンジによつて光磁気
ディスクの信号記録面上に集光し、記録された磁区反転
による信号を読み出す際に前記対物レンズの焦平面上か
ら前記光磁気ディスクの記録面が僅にずれるように前記
対物レンズのフォーカスエラー信号にＤＣオフセットを
加えることを特徴とする光磁気ディスクの信号検出方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049685A JPS61248253A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光磁気デイスクの信号検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049685A JPS61248253A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光磁気デイスクの信号検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248253A true JPS61248253A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=14000113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9049685A Pending JPS61248253A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 光磁気デイスクの信号検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248253A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06215438A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ記録装置 |
| US7397734B2 (en) * | 2002-12-06 | 2008-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for recording an information on a recordable optical record carrier using oval spot profile |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP9049685A patent/JPS61248253A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06215438A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-08-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザ記録装置 |
| US7397734B2 (en) * | 2002-12-06 | 2008-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for recording an information on a recordable optical record carrier using oval spot profile |
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