JPS61245413A - 導電性高分子複合膜の製造方法 - Google Patents
導電性高分子複合膜の製造方法Info
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- JPS61245413A JPS61245413A JP8649085A JP8649085A JPS61245413A JP S61245413 A JPS61245413 A JP S61245413A JP 8649085 A JP8649085 A JP 8649085A JP 8649085 A JP8649085 A JP 8649085A JP S61245413 A JPS61245413 A JP S61245413A
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- Pending
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- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は導電性高分子膜の製造方法に関し、さらに詳し
くは、高分子膜を、予め形成された導電性高分子薄膜に
一体的に積層して導電性高分子複合膜を得る方法に関す
る。
くは、高分子膜を、予め形成された導電性高分子薄膜に
一体的に積層して導電性高分子複合膜を得る方法に関す
る。
従来の技術
従来、高分子による導電性複合体の製造方法として、導
電性フィラーを高分子マトリックス中に一定量以上添加
する方法が用いられていた。しかし、この方法ではフィ
ラーの添加によって複合体の物性が著しく低下し、使用
するフィラーによって、その導電性が成る範囲内でしか
コントロールできないという欠点があった。また、エレ
クトロニクス関連に使用する際において、フィルム表面
に複雑な形状のパターンを形成することが困難であり、
また、フィラーの脱落するおそれもあった。
電性フィラーを高分子マトリックス中に一定量以上添加
する方法が用いられていた。しかし、この方法ではフィ
ラーの添加によって複合体の物性が著しく低下し、使用
するフィラーによって、その導電性が成る範囲内でしか
コントロールできないという欠点があった。また、エレ
クトロニクス関連に使用する際において、フィルム表面
に複雑な形状のパターンを形成することが困難であり、
また、フィラーの脱落するおそれもあった。
また、日本電信電話株式会社、ＩＢＭから発表されてい
る電解重合による高分子膜の導電化技術、例えば、ボリ
マーブレブリンツ、ジャパン、３３巻第９号２５１５〜
１８頁（１９８４年）等では陽極上にポリ塩化ビニル（
ＰＶＯ）溶液を塗布、乾燥して電極面にＰＶＯ薄、膜を
形成せしめた後。
る電解重合による高分子膜の導電化技術、例えば、ボリ
マーブレブリンツ、ジャパン、３３巻第９号２５１５〜
１８頁（１９８４年）等では陽極上にポリ塩化ビニル（
ＰＶＯ）溶液を塗布、乾燥して電極面にＰＶＯ薄、膜を
形成せしめた後。
ピロール、テトラエチルアンモニウムバークロレート及
びアセトニトリルからなる電解質溶液中で電解重合を行
なうことによってＰＶＯ薄膜を導電化するものであり、
上記欠点を解決するものではあるが、しかしながら、こ
の方法では、電解重合条件上の制約によって、使用可能
な高分子が限られ、また厚膜のものが得難い等の欠点が
あった。
びアセトニトリルからなる電解質溶液中で電解重合を行
なうことによってＰＶＯ薄膜を導電化するものであり、
上記欠点を解決するものではあるが、しかしながら、こ
の方法では、電解重合条件上の制約によって、使用可能
な高分子が限られ、また厚膜のものが得難い等の欠点が
あった。
発明が解決しようとする問題点
本発明者は、前記欠点を解決すべく鋭意研究の結果、導
電性高分子薄膜を予め形成させ、しかる後に、他の高分
子膜を前記導電性薄膜上に一体的に積層し、複合膜とし
て形成せしめれば、導電性高分子薄膜は他の高分子膜に
転写され、前記欠点のない加工性に優れた導電性高分子
複合膜が形成されることを見い出し、この知見に基いて
本発明を完成Ｔるに到った。
電性高分子薄膜を予め形成させ、しかる後に、他の高分
子膜を前記導電性薄膜上に一体的に積層し、複合膜とし
て形成せしめれば、導電性高分子薄膜は他の高分子膜に
転写され、前記欠点のない加工性に優れた導電性高分子
複合膜が形成されることを見い出し、この知見に基いて
本発明を完成Ｔるに到った。
問題点を解決するだめの手段
本発明のかかる目的は、予め電極面に電解重合によって
導電性高分子の薄膜を形成せしめ、該薄膜上に他の高分
子膜を一体的に積層し、該複合膜を電極から剥離して導
電性高分子薄膜を表面層とすることによって達成される
。
導電性高分子の薄膜を形成せしめ、該薄膜上に他の高分
子膜を一体的に積層し、該複合膜を電極から剥離して導
電性高分子薄膜を表面層とすることによって達成される
。
ここで述べる導電性高分子薄膜とは、導電性高分子重合
体を形成する能力のある芳香族化合物。
体を形成する能力のある芳香族化合物。
ヘテロ環式化合物及びこれらの誘導体の一厘以上をモノ
マー成分として含む電解質溶液中で電解重合により電極
面上に形成されるものを指す。
マー成分として含む電解質溶液中で電解重合により電極
面上に形成されるものを指す。
前記芳香族化合物としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、アニリン等が挙げられ、ヘテロ環式化合物として
は、とロール、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−フェニルピロ
ール、 ２，３．２’、３’ピロロビロール、インドー
ル、プリン、アズレン、インドリジン、イミダゾール、
チオフェン、フラン。
レン、アニリン等が挙げられ、ヘテロ環式化合物として
は、とロール、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−フェニルピロ
ール、 ２，３．２’、３’ピロロビロール、インドー
ル、プリン、アズレン、インドリジン、イミダゾール、
チオフェン、フラン。
オキサゾール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン。
チェノチオフェン、ジベンゾフラン、チェピン。
１、３．４チアダイアゾール等を挙げることができる。
一般に高分子材料は、電気絶縁性が高く、１０Ｓ ／ｃ
ｍ程度以下の電導度を有Ｔる。本発明の他の高分子とは
、かかる電導度を有する高分子材料を指称し、これに属
する高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等
オレフィン系高分子；ポリブタジェン、ポリイソプレン
、スチレン・ブタジェンゴム、アクリロニトリル・ブタ
ジェンゴムスチレン・ブタジェン・スチレン、スチレン
・イソプレン・スチレン、アクリロニトリル・ブタジェ
ン・スチレンｍ脂等のジエン系高分子；ポリ塩化ビニル
、エチレン・酢酸ビニル共重合体−塩化ビニルグラフト
重合体、ポリスチレン等ビニル。
ｍ程度以下の電導度を有Ｔる。本発明の他の高分子とは
、かかる電導度を有する高分子材料を指称し、これに属
する高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン等
オレフィン系高分子；ポリブタジェン、ポリイソプレン
、スチレン・ブタジェンゴム、アクリロニトリル・ブタ
ジェンゴムスチレン・ブタジェン・スチレン、スチレン
・イソプレン・スチレン、アクリロニトリル・ブタジェ
ン・スチレンｍ脂等のジエン系高分子；ポリ塩化ビニル
、エチレン・酢酸ビニル共重合体−塩化ビニルグラフト
重合体、ポリスチレン等ビニル。
ビニリデン系高分子；ポリウレタン、ポリアミド。
ポリウレア、ポリイミド等含窒素系高分子；ポリアクリ
レート、ポリアクリロニトリル等のアクリル系高分子等
の重合体又はこれらのポリマーブレンド物を挙げること
ができる。
レート、ポリアクリロニトリル等のアクリル系高分子等
の重合体又はこれらのポリマーブレンド物を挙げること
ができる。
本発明における他の高分子には、所望により、導電性フ
ィラー、導電性ｍ＃、及び帯電防止剤等を添加すること
ができる。導電性フィラーとしてはカーボンブラックや
Ａｇ、Ｏｕ等の金属粉、 ＩｎＯ２゜ＳｎＯ３等の金属
酸化物粉、又はガラスピーズ等の担体に上記金属粉、金
属酸化物粉を担持させたものを言い、導電性繊維とはカ
ーボン繊維、金属繊維または導電性ウィスカーを言う。
ィラー、導電性ｍ＃、及び帯電防止剤等を添加すること
ができる。導電性フィラーとしてはカーボンブラックや
Ａｇ、Ｏｕ等の金属粉、 ＩｎＯ２゜ＳｎＯ３等の金属
酸化物粉、又はガラスピーズ等の担体に上記金属粉、金
属酸化物粉を担持させたものを言い、導電性繊維とはカ
ーボン繊維、金属繊維または導電性ウィスカーを言う。
また、帯電防止剤としては、アニオン、カチオン系界面
活性剤が挙げられる。
活性剤が挙げられる。
電極材料としては、金属、金属酸化物、炭素等が考えら
れるが、陽極に金属、金属酸化物を用いる場合、又は陰
極に金属酸化物を用いる場合には重合電位とそれぞれの
１！極材料のイオン化電位に詔意する必要がある。特に
陽極において金属及び金属酸化物がイオンとして溶出す
るような系では高分子は生成しない。
れるが、陽極に金属、金属酸化物を用いる場合、又は陰
極に金属酸化物を用いる場合には重合電位とそれぞれの
１！極材料のイオン化電位に詔意する必要がある。特に
陽極において金属及び金属酸化物がイオンとして溶出す
るような系では高分子は生成しない。
本発明方法の手順について述べると、前述の導電性高分
子重合体を形成し得るモノマー、電解質及び溶媒からな
る電解質溶液を調製し１例えば陽極にネサガラス（ガラ
ス表面にＳｎＯ２１ＩｎＯ２を蒸着せしめたもの）、陰
極に白金電極を用いて電圧。
子重合体を形成し得るモノマー、電解質及び溶媒からな
る電解質溶液を調製し１例えば陽極にネサガラス（ガラ
ス表面にＳｎＯ２１ＩｎＯ２を蒸着せしめたもの）、陰
極に白金電極を用いて電圧。
電解液温度、電解時間等電解条件を設定して電解重合反
応を行ない、陽極上に導電性高分子′！ＩＪＭを形成せ
しめる。
応を行ない、陽極上に導電性高分子′！ＩＪＭを形成せ
しめる。
電解終了後、重合体の析出した陽極を洗浄乾燥し、次に
この高分子薄膜上に他の高分子膜を一体的に積層する。
この高分子薄膜上に他の高分子膜を一体的に積層する。
この一体的に積層する方法としては、他の高分子を溶媒
に溶解して得た溶液を薄膜上に塗布し、溶媒を揮散せし
めて高分子膜を形成せしめる方法、または予め作成した
他の高分子薄膜を酌記導電性薄膜上に、接着、熱融着等
の方法により一体的に積層する方法があり、目的に応じ
て適宜選定ずれはよい、このようにして得られた複合膜
を５８ｉｉから剥離し、導電性高分子膜を表面層とする
複合膜を得ることができる。
に溶解して得た溶液を薄膜上に塗布し、溶媒を揮散せし
めて高分子膜を形成せしめる方法、または予め作成した
他の高分子薄膜を酌記導電性薄膜上に、接着、熱融着等
の方法により一体的に積層する方法があり、目的に応じ
て適宜選定ずれはよい、このようにして得られた複合膜
を５８ｉｉから剥離し、導電性高分子膜を表面層とする
複合膜を得ることができる。
発明の効果
かくして、本発明によれば、従来技術に比重して、他の
高分子の物性を低下せしめることなく、透明で電導度が
１００８７ｃｍから絶縁体に至るほぼ全ての範囲にわた
り導電性を付与することが可能であり、電極の形状を工
夫することによって複雑な形状のものを容易に得ること
ができ、導電膜の脱落のおそれがない。
高分子の物性を低下せしめることなく、透明で電導度が
１００８７ｃｍから絶縁体に至るほぼ全ての範囲にわた
り導電性を付与することが可能であり、電極の形状を工
夫することによって複雑な形状のものを容易に得ること
ができ、導電膜の脱落のおそれがない。
また、更に導電性高分子の形成、他の高分子膜の形成は
それぞれ別個の工程となるため、他の高。
それぞれ別個の工程となるため、他の高。
分子の種類によって電解重合条件を変更する必要もなく
、広い範囲の膜厚の導電性高分子複合膜を得ることがで
きる。
、広い範囲の膜厚の導電性高分子複合膜を得ることがで
きる。
実施例
以下、実施例、比較例により、本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
ビロール００６モル、テトラエチルアンモニウムバーク
ロレートα１モル、アセトニトリル１１・よりなる電解
質溶液で、ネサガラス電極を陽極及び対極に用い、２０
℃、２．５Ｖで２分間電解重合反応を行なったのち、洗
浄、乾燥した。これにポリ塩化ビニル（ゼオン１０３既
日本ゼオン（株）ｌ！３１０ｇ、テトラヒドロフラン９
０ｇよりなるポリ塩化ビニル溶液をＬＯｆｉ厚に塗布乾
燥した後、電極面から高分子膜を剥離した。
ロレートα１モル、アセトニトリル１１・よりなる電解
質溶液で、ネサガラス電極を陽極及び対極に用い、２０
℃、２．５Ｖで２分間電解重合反応を行なったのち、洗
浄、乾燥した。これにポリ塩化ビニル（ゼオン１０３既
日本ゼオン（株）ｌ！３１０ｇ、テトラヒドロフラン９
０ｇよりなるポリ塩化ビニル溶液をＬＯｆｉ厚に塗布乾
燥した後、電極面から高分子膜を剥離した。
膜厚は１００μｍ’Ｃ’、表面基導度ｔｆｉ １０−”
Ｓ ７ｃｍの導電性複合膜が得られた。
Ｓ ７ｃｍの導電性複合膜が得られた。
実施例 ２
実施例１と同様の電解重合反応を行なった後、電極を洗
浄、乾燥し、ポリウレタン溶液（レザミンＭＥ ３６１
２ ＬＰ、大日精化（株）製）をα２５ｍ厚に塗布し乾
燥した後、電極面から高分子膜を剥離した。
浄、乾燥し、ポリウレタン溶液（レザミンＭＥ ３６１
２ ＬＰ、大日精化（株）製）をα２５ｍ厚に塗布し乾
燥した後、電極面から高分子膜を剥離した。
膜厚８０μｍで、表面基導度がＩＱ−２ｓ／ｃｍの実用
に適する導電性ポリウレタン複合膜が得られた。
に適する導電性ポリウレタン複合膜が得られた。
比較例 １−
実施例１で用いたポリ塩化ビニル溶液をネサガラス上に
０１簡厚に塗布乾燥し、膜厚１０μｍとした電極を用い
て、２０℃で２ＶＣ’２分間電解重合反応を行ない、１
Ｏ−２Ｓ／Ｃｍの表面基導度を有する導電性複合膜が得
られたが、この程度の膜厚では、薄く、機械的強度に問
題がある。
０１簡厚に塗布乾燥し、膜厚１０μｍとした電極を用い
て、２０℃で２ＶＣ’２分間電解重合反応を行ない、１
Ｏ−２Ｓ／Ｃｍの表面基導度を有する導電性複合膜が得
られたが、この程度の膜厚では、薄く、機械的強度に問
題がある。
比較例 ２
実施例１で用いたと同じポリ塩化ビニル溶液をα５閣厚
にネサガラス上に塗布乾燥し、膜厚５０μｍの塩化ビニ
ル薄膜を形成せしめた。
にネサガラス上に塗布乾燥し、膜厚５０μｍの塩化ビニ
ル薄膜を形成せしめた。
このものを試料電極とし、対極に無処理のネサガラスを
用いて実施例１と同一の電解質溶液を用いて２０°Ｃ’
ｔ’Ｚ５Ｖで２時間の長時間にわたり電解を行なったが
、ポリピロール複合体の生成は認められなかった。
用いて実施例１と同一の電解質溶液を用いて２０°Ｃ’
ｔ’Ｚ５Ｖで２時間の長時間にわたり電解を行なったが
、ポリピロール複合体の生成は認められなかった。
実施例 ３
チオフェン０１モル、リチウムテトラフロロボレート０
１モル、アセトニトリル１１よりなる電解質溶液で陽極
にネサガラス、対極に白金電極を用い、２０ｖで２分間
電解重合反応を行ない、乾燥後、ポリ塩化ビニル（ゼオ
ン１０３ ＥＰ 、日本ゼオン（株）製）１０ｇ、テト
ラヒドロフラン９０ｇよりなるポリ塩化ビニル溶液を１
．０閣厚に塗布乾燥した後、電極面から高分子膜を剥離
した。
１モル、アセトニトリル１１よりなる電解質溶液で陽極
にネサガラス、対極に白金電極を用い、２０ｖで２分間
電解重合反応を行ない、乾燥後、ポリ塩化ビニル（ゼオ
ン１０３ ＥＰ 、日本ゼオン（株）製）１０ｇ、テト
ラヒドロフラン９０ｇよりなるポリ塩化ビニル溶液を１
．０閣厚に塗布乾燥した後、電極面から高分子膜を剥離
した。
膜厚は１００ ｕｍｔ’、表面基導度が１０−２８７ｃ
ｍの導電性ポリ塩化ビニル複合膜が得られた。
ｍの導電性ポリ塩化ビニル複合膜が得られた。
Claims (1)
- １、予め電極面に電解重合によって導電性高分子の薄膜
を形成せしめ、該薄膜上に他の高分子膜を一体的に積層
し、該複合膜を電極から剥離して導電性高分子薄膜を表
面層とする複合膜を製造することを特徴とする導電性高
分子複合膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8649085A JPS61245413A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 導電性高分子複合膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8649085A JPS61245413A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 導電性高分子複合膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245413A true JPS61245413A (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=13888422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8649085A Pending JPS61245413A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 導電性高分子複合膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245413A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415115U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-06 | ||
| WO2013080908A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | 東レ株式会社 | 導電積層体およびそれを用いてなる表示体 |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8649085A patent/JPS61245413A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415115U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-06 | ||
| WO2013080908A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | 東レ株式会社 | 導電積層体およびそれを用いてなる表示体 |
| JP5273325B1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-08-28 | 東レ株式会社 | 導電積層体およびそれを用いてなる表示体 |
| US9398688B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-19 | Toray Industries, Inc. | Electroconductive stack body and display body employing the same |
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