JPS61245140A - 液晶装置 - Google Patents
液晶装置Info
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- JPS61245140A JPS61245140A JP8667885A JP8667885A JPS61245140A JP S61245140 A JPS61245140 A JP S61245140A JP 8667885 A JP8667885 A JP 8667885A JP 8667885 A JP8667885 A JP 8667885A JP S61245140 A JPS61245140 A JP S61245140A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は表示駆動装置、特に閾値の温度依存性の大きい
表示素子を駆動制御する駆動装置に関する。
表示素子を駆動制御する駆動装置に関する。
従来Ｎｅｍａｔｉｃ液晶を用いた、Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ型もしくは、ＤＳＭ型のものさらには、
Ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ−Ｎｅｍａｔ ｉ ｃ相転移型
のＧｅ５ｔ−Ｈｏｓｔ液晶表紙素子の動作温度領域は、
技術の進歩に伴い、飛躍的に広がり、温度補償の問題を
かなり少なくすることに成功している。
Ｎｅｍａｔｉｃ型もしくは、ＤＳＭ型のものさらには、
Ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ−Ｎｅｍａｔ ｉ ｃ相転移型
のＧｅ５ｔ−Ｈｏｓｔ液晶表紙素子の動作温度領域は、
技術の進歩に伴い、飛躍的に広がり、温度補償の問題を
かなり少なくすることに成功している。
しかしながら５強誘電液晶素子の場合は第２図に示す様
に閾値の温度依存性が大きい。
に閾値の温度依存性が大きい。
このような特性を有する強誘電液晶素子を駆動する場合
において従来は、セル自体の温度コントロールをする他
はなく、装置的にも大きくなり、消費電力等も無視でき
ない状況であった。
において従来は、セル自体の温度コントロールをする他
はなく、装置的にも大きくなり、消費電力等も無視でき
ない状況であった。
本発明の目的は上述従来例の欠点を除去し、温度コント
ローラ等の設備を用いることなく、温度依存性のある表
示素子の表示を行うための駆動制御を行う駆動装置を提
供することにある。
ローラ等の設備を用いることなく、温度依存性のある表
示素子の表示を行うための駆動制御を行う駆動装置を提
供することにある。
本実施例の表示駆動装置で閾値が温度依存性の大きい表
示素子として用いている強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
示素子として用いている強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状態と第二の光学的
安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対する双
安定状態を有する物質、特にこのような性質を有する液
晶が用いられる。
本実施例で用いている双安定性を有する強誘電性液晶と
しては、強誘電性を有するカイラルスメクチックＣ相が
最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ＊）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶が適している。この
強誘電性液晶については、”ＬＥ ＬＯＵＲＮＡＬＤ
Ｅ ＰＨＹＳＩＯＵＥ ＬＥＴＴＥＲ５”３６
（Ｌ−６９） １９７５．ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ ｓ ｔａｌｓに
“Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ａｒｓ″ ３６ （１１）１９８０、 ｒＳｕｂｍｉ
ｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄＢｉｓｔａｂｌｅＥｌｅｃｔ
ｒｏｏｐｔｉｃＳｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ Ｌｉ
ｑｕｉｄ ＣｒｙｓｔａｌｓＪ ；“固体物理Ｎ
±６ （１４１）１９８１ ｒ液晶」等に記載されてお
り、本実施例ではこれらに開示された強誘電性液晶を用
いることができる。
しては、強誘電性を有するカイラルスメクチックＣ相が
最も好ましく、そのうちカイラルスメクチックＣ相（Ｓ
ｍＣ＊）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶が適している。この
強誘電性液晶については、”ＬＥ ＬＯＵＲＮＡＬＤ
Ｅ ＰＨＹＳＩＯＵＥ ＬＥＴＴＥＲ５”３６
（Ｌ−６９） １９７５．ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ ｓ ｔａｌｓに
“Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔ
ａｒｓ″ ３６ （１１）１９８０、 ｒＳｕｂｍｉ
ｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄＢｉｓｔａｂｌｅＥｌｅｃｔ
ｒｏｏｐｔｉｃＳｗｉｔｃｈｉｎｇｉｎ Ｌｉ
ｑｕｉｄ ＣｒｙｓｔａｌｓＪ ；“固体物理Ｎ
±６ （１４１）１９８１ ｒ液晶」等に記載されてお
り、本実施例ではこれらに開示された強誘電性液晶を用
いることができる。
より具体的には、本実施例に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｙ−アミ
ノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
、ヘキシルオキシヘンシリテン−ｙ−アミノ−２−クロ
ロプロビルシンナ／Ｌ−） （ＨＯＢＡＣＰＣ）８よび
４−Ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
合物の例としては、デシロキシベンジリデン−ｙ−アミ
ノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
、ヘキシルオキシヘンシリテン−ｙ−アミノ−２−クロ
ロプロビルシンナ／Ｌ−） （ＨＯＢＡＣＰＣ）８よび
４−Ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリテン−４′
−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合においては
、液晶化合物が温度によって異る液晶相を取る。これは
例えばＤＯＢＡＭＢＣの場合は相転移は、約１１７℃で
等Ａ相からスメクチックＡ相へ相転移して約９３℃でカ
イラルスメクチックＣ相へ相転移する。このカイラルス
メクチックＣ相において、強誘電性を呈するが、約６１
℃において、さらに下方の相へ転移してしまう。
、液晶化合物が温度によって異る液晶相を取る。これは
例えばＤＯＢＡＭＢＣの場合は相転移は、約１１７℃で
等Ａ相からスメクチックＡ相へ相転移して約９３℃でカ
イラルスメクチックＣ相へ相転移する。このカイラルス
メクチックＣ相において、強誘電性を呈するが、約６１
℃において、さらに下方の相へ転移してしまう。
カイラルスメクチックＣ相の下位の相は、カイラルスメ
クチック！相であるとか、カイラルスメクチックＦ相、
もしくは、カイラルスメクチックＨ相とする文献がある
が、いずれにしてもその相においても、強誘電性を示す
ことが確認されている。
クチック！相であるとか、カイラルスメクチックＦ相、
もしくは、カイラルスメクチックＨ相とする文献がある
が、いずれにしてもその相においても、強誘電性を示す
ことが確認されている。
スメクチックＡ相から、カイラルスメクチックＣ相への
転移温度がキューリ一点となる。このキューリ一点以下
では、ＤＯＢＡＭＢＣは、分子双極子の向きがそろい、
自発分極を持つのであるが、その物性値は温度によって
かなり差があることが知られている。たとえば、液晶分
子と１層の法線との角度をチルト角θと定義すると（層
は、スメクチック相における定義と同じ）θは、キュー
リ一点より温度が下がるにしたがって、増大する傾向に
ある。自発分極値Ｐｓも温度による依存性がある。（温
度が下がるにしたがって増大する）ことが確認されてい
る。
転移温度がキューリ一点となる。このキューリ一点以下
では、ＤＯＢＡＭＢＣは、分子双極子の向きがそろい、
自発分極を持つのであるが、その物性値は温度によって
かなり差があることが知られている。たとえば、液晶分
子と１層の法線との角度をチルト角θと定義すると（層
は、スメクチック相における定義と同じ）θは、キュー
リ一点より温度が下がるにしたがって、増大する傾向に
ある。自発分極値Ｐｓも温度による依存性がある。（温
度が下がるにしたがって増大する）ことが確認されてい
る。
弾性定数や、粘性係数も、温度の関数であることが知ら
れているし、応答速度（外部電界に対する分子双極子の
反応）や、らせんピッチを解くに必要な臨界電界も異っ
てくる。
れているし、応答速度（外部電界に対する分子双極子の
反応）や、らせんピッチを解くに必要な臨界電界も異っ
てくる。
これらは、相が異ると、大巾に異ることが知られている
が、同じ相の中（たとえば、カイラルスメクチックＣ相
内で９１℃から約６１’０までの約３０℃の温度範囲に
おいて）でも物性定数が異なり、それゆえに電気的応答
にも差異が生じる。
が、同じ相の中（たとえば、カイラルスメクチックＣ相
内で９１℃から約６１’０までの約３０℃の温度範囲に
おいて）でも物性定数が異なり、それゆえに電気的応答
にも差異が生じる。
これらは、ＤＯＢＡＭＢＣに限らず、いゎゆる強誘電液
晶に共通な問題である。
晶に共通な問題である。
又、これらの現象は、双安定性が生じるような薄いギャ
ップ（たとえば１４ｍ〜２ｇｍ）においても同じで、安
定な２つの状態間を。
ップ（たとえば１４ｍ〜２ｇｍ）においても同じで、安
定な２つの状態間を。
スイッチングするしきい値の変化となって表われる。ス
イッチングのしきい値は、単に直流的な波高値で与えら
れ°るものでなく、パルス巾と波高値に依って与えられ
ることを我々は発見した。
イッチングのしきい値は、単に直流的な波高値で与えら
れ°るものでなく、パルス巾と波高値に依って与えられ
ることを我々は発見した。
そこでこのような場合には、温度変化を表示駆動信号の
パルス巾を変化させることによって補償しようというの
が１本発明の主旨である。
パルス巾を変化させることによって補償しようというの
が１本発明の主旨である。
強誘電性液晶のセル内での配列に関する説明を次に述べ
る。
る。
本実施例においては、セル基板は、ポリイミド樹脂をコ
ーティングしラビング処理を行ったものを使用している
。
ーティングしラビング処理を行ったものを使用している
。
第７図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノ
テある。ｌと１′は、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２やＩＴＯ（
Ｉ ｎｄ ｉ ｕｎ−Ｔ Ｌ ｎＯｗ ｉ ｄ ｅ）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、そ
の間に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向し
たＳｍＣ）ｋ相の液晶が封入されている。太線で示した
線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、そ
の分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ上）４を
有している。基板１と１′上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ
、双極子モーメン）（Ｐ上）４はすべて電界方向に向く
よう、液晶分子３の配向方向を変えることができる。液
晶分子３は細長い形状を有しており、その長軸方向と短
軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の
上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子
を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶
光学変調素子となることは、容易に理解される。さらに
液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩＬ）
には、第８図に示すように電界を印加していない状態で
も液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、
その双極子モーメントＰ又はｙは上向き（４ａ）又は下
向（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようにセルに
第８図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ
又Ｅ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂと向き変え、それに応じて液晶分子は第一の
配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方
に配向する。
テある。ｌと１′は、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２やＩＴＯ（
Ｉ ｎｄ ｉ ｕｎ−Ｔ Ｌ ｎＯｗ ｉ ｄ ｅ）等
の透明電極がコートされた基板（ガラス板）であり、そ
の間に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう配向し
たＳｍＣ）ｋ相の液晶が封入されている。太線で示した
線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は、そ
の分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ上）４を
有している。基板１と１′上の電極間に一定の閾値以上
の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほどけ
、双極子モーメン）（Ｐ上）４はすべて電界方向に向く
よう、液晶分子３の配向方向を変えることができる。液
晶分子３は細長い形状を有しており、その長軸方向と短
軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の
上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した偏光子
を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液晶
光学変調素子となることは、容易に理解される。さらに
液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えばＩＩＬ）
には、第８図に示すように電界を印加していない状態で
も液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん構造）、
その双極子モーメントＰ又はｙは上向き（４ａ）又は下
向（４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようにセルに
第８図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ
又Ｅ′を所定時間付与すると、双極子モーメントは電界
Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き４ａ又は、
下向き４ｂと向き変え、それに応じて液晶分子は第一の
配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れか一方
に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第８図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第８図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状態は電界を切っても安定である。
又、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の
配向状態５′に配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向
状態にやはり維持されている。このような応答速度の速
さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては
出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５終〜
２０ＩＬ、特に１ル〜５ＩＬが適している。この種の強
誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−
電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米
国特許第４３８７９２４号明細書で提案されている。
配向状態５′に配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向
状態にやはり維持されている。このような応答速度の速
さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては
出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５終〜
２０ＩＬ、特に１ル〜５ＩＬが適している。この種の強
誘電性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−
電気光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米
国特許第４３８７９２４号明細書で提案されている。
以下１本実施例における強誘電液晶の駆動制御について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
まず第１図は本実施例の強誘電液晶の駆動装置の全体構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
第１図において１０は制御用Ａ／Ｄコンバータ内蔵のワ
ンチップマイクロコンピュータ（以下ＣＰＵと呼ぶ）で
あり、該ＣＰＵｌ０は、Ａ／Ｄコンバータ、ＲＡＭ 、
ＲＯＭ等のコンピュータの周辺機器より構成されている
。
ンチップマイクロコンピュータ（以下ＣＰＵと呼ぶ）で
あり、該ＣＰＵｌ０は、Ａ／Ｄコンバータ、ＲＡＭ 、
ＲＯＭ等のコンピュータの周辺機器より構成されている
。
１１は文字情報入力用のキーボード或いは、文字情報が
所定モードで送出される外部機器等の文字情報入力部で
ある。
所定モードで送出される外部機器等の文字情報入力部で
ある。
１２は、液晶ディスプレイに表示されるキャラクタ情報
を記憶する為の外部ＲＡＭで、ディスプレイキャラクタ
メモリである。
を記憶する為の外部ＲＡＭで、ディスプレイキャラクタ
メモリである。
１３は強誘電液晶を駆動するドライバ一部である。
１４は強誘電液晶ディスプレイ部である。
又図示しないがＣＰＵ用電源と強誘電液晶駆動用電源は
別電源であり、同じく図示しないメインＳＷのＯＮによ
り、ＣＰＵ用電源、強誘電液晶駆動用電源の順で各々へ
供給されるものである。
別電源であり、同じく図示しないメインＳＷのＯＮによ
り、ＣＰＵ用電源、強誘電液晶駆動用電源の順で各々へ
供給されるものである。
第３図はドライバ部１３の構成を示すブロック図である
。
。
１３−１は強誘電液晶ディスプレイ１４のドライバー１
３−３．１３−４のアドレスを決定するアドレスドライ
バである。
３−３．１３−４のアドレスを決定するアドレスドライ
バである。
１３−２はイメージのドツトデータであるコラムデータ
をドライバー１３−３に出力するコラムデータ回路であ
る。該コラムデータは。
をドライバー１３−３に出力するコラムデータ回路であ
る。該コラムデータは。
ＣＰＵｌ０よりコラムデータ回路１３−２に出力される
。
。
次に第４図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はＣＰＵ１０内部メ
モリであるＲＯＭ、ＲＡＭのメモリマツプを示した図で
ある。第４図（ｄ）は。
モリであるＲＯＭ、ＲＡＭのメモリマツプを示した図で
ある。第４図（ｄ）は。
ディスプレイキャラクタメモリ１２のメモリマツプを示
した図である。
した図である。
第５図（ａ）、（ｂ）、第６図は本実施例におけるＣＰ
Ｕｌ０の制御動作を示すフローチャート図であり、以下
第５図（ａ）、（ｂ）、第６図を参照して説明する。
Ｕｌ０の制御動作を示すフローチャート図であり、以下
第５図（ａ）、（ｂ）、第６図を参照して説明する。
まず第５図（ａ）の５ｔｅｐ５０１において、不図示の
電源がオンされるにともない工１０ボート、内部ＲＡＭ
、ディスプレイキャラクタメモリ１２の初期化を行い、
第４図（ｂ）。
電源がオンされるにともない工１０ボート、内部ＲＡＭ
、ディスプレイキャラクタメモリ１２の初期化を行い、
第４図（ｂ）。
（Ｃ）、（ｄ）に示すメモリ領域がクリアされ初期化さ
れる。
れる。
次に５ｔｅｐ５０２においてＣＰＵ内蔵の８チヤンネル
（入力）８ｂｉｔのＡ／Ｄコンバータの起動をかける。
（入力）８ｂｉｔのＡ／Ｄコンバータの起動をかける。
ところで本実施例のＣＰＵｌ０はＡ／Ｄ変換変換動自動
的果を保持するレジスターは４個であり、自動的にＡ／
Ｄ変換を行ない保持されるチャンネル数は４チヤンネル
であるため例えばＡｎＯ−Ａｎ３ 、Ａｎ４〜Ａｎ７の
２回に分けてソフト的に処理をしなければならない、そ
こで、５ｔｅｐ５０２においてまずＡｎＯ〜Ａｎ３のＡ
／Ｄ変換を起動するものである。又このＡ／Ｄ変換は４
チヤンネルの変換毎に割込が発生するためｓ ｔ ｅ
ｐ５０３においてＡ／Ｄ割込をＥｎａｂｌｅするもので
ある。
的果を保持するレジスターは４個であり、自動的にＡ／
Ｄ変換を行ない保持されるチャンネル数は４チヤンネル
であるため例えばＡｎＯ−Ａｎ３ 、Ａｎ４〜Ａｎ７の
２回に分けてソフト的に処理をしなければならない、そ
こで、５ｔｅｐ５０２においてまずＡｎＯ〜Ａｎ３のＡ
／Ｄ変換を起動するものである。又このＡ／Ｄ変換は４
チヤンネルの変換毎に割込が発生するためｓ ｔ ｅ
ｐ５０３においてＡ／Ｄ割込をＥｎａｂｌｅするもので
ある。
次に図面上の説明としては少し話は飛ぶが動作としては
連続性があるため第６図のＡ／Ｄ割込処理ルーチンの説
明に入る。２００ｎｓ毎にＡ／Ｄ割込が入って第６図に
示すフローチャートに処理が移行する。そして第６図５
ｔｅｐ６０１においてＡ／Ｄ変換されたチャンネルがＡ
ｎ Ｏ〜Ａ ｎ ３なのかＡ ｎ ４ ｗ Ａ ｎ
７なのかの判定を行なう、初回であれば第５図（ＩＬ）
ｓｔｅｐ５０２において指定されたＡｎＯ〜Ａｎ３のチ
ャンネルであるため、判定はｙｅｓとなり第６図ｓ ｔ
ｅ ｐ６０２へ進む、５ｔｅｐ６０２において保持さ
れているＡｎＯ−Ａｎ３のＡ／Ｄ変換結果を第４図（ｃ
）に示す内部ＲＡＭのメモリ領域ＡＤＲＯＮＡＤＨ２へ
移し変える０次に５ｔｅｐ６０３においてＡｎ４〜Ａｎ
７のＡ／Ｄ変換を起動させ、５ｔｅｐ６０４においてＡ
／Ｄ割込をＥｎａｂｌｅにし、５ｔｅｐ６０５において
リターン命令を実行し。
連続性があるため第６図のＡ／Ｄ割込処理ルーチンの説
明に入る。２００ｎｓ毎にＡ／Ｄ割込が入って第６図に
示すフローチャートに処理が移行する。そして第６図５
ｔｅｐ６０１においてＡ／Ｄ変換されたチャンネルがＡ
ｎ Ｏ〜Ａ ｎ ３なのかＡ ｎ ４ ｗ Ａ ｎ
７なのかの判定を行なう、初回であれば第５図（ＩＬ）
ｓｔｅｐ５０２において指定されたＡｎＯ〜Ａｎ３のチ
ャンネルであるため、判定はｙｅｓとなり第６図ｓ ｔ
ｅ ｐ６０２へ進む、５ｔｅｐ６０２において保持さ
れているＡｎＯ−Ａｎ３のＡ／Ｄ変換結果を第４図（ｃ
）に示す内部ＲＡＭのメモリ領域ＡＤＲＯＮＡＤＨ２へ
移し変える０次に５ｔｅｐ６０３においてＡｎ４〜Ａｎ
７のＡ／Ｄ変換を起動させ、５ｔｅｐ６０４においてＡ
／Ｄ割込をＥｎａｂｌｅにし、５ｔｅｐ６０５において
リターン命令を実行し。
割込がかかる以前のプログラムカウンターの値をインク
リメントする。つまり第５図側のルーチンとしては連続
的に処理が続けられるものである。又第６図５Ｌｅｐ６
０１における判定がＮＯであった場合、つまり偶数回目
の割込になるＡｎ４．〜Ａｎ７がセレクトされていた時
である。この時は５ｔｅｐ６０６へ進み、保持されてい
るＡｎ４〜Ａｎ７のＡ／Ｄ変換結果を第４図（Ｃ）に示
す内部ＲＡＭのメモリ領域ＡＤＲ４〜ＡＤＲ７へ移し変
える。これらの処理により第４図ＣＣ）に示す内部ＲＡ
Ｍのメモリ領域ＡＤＲＯ〜ＡＤＲ７に強誘電液晶パネル
の各ポイントの温度情報が全て保持されたことになり、
それ以降の温度情報を用いた処理が可能となる。従って
５ｔｅｐ６０７においてはこの事を知らせるため第４図
（ｂ）に示す内部ＲＡＭ、アドレスＯのビット０の初期
Ａ ｎ Ｏ〜Ａ ｎ ７のＡ／Ｄ変換終了フラグ（ＡＤ
ＥＦ）を１にする。
リメントする。つまり第５図側のルーチンとしては連続
的に処理が続けられるものである。又第６図５Ｌｅｐ６
０１における判定がＮＯであった場合、つまり偶数回目
の割込になるＡｎ４．〜Ａｎ７がセレクトされていた時
である。この時は５ｔｅｐ６０６へ進み、保持されてい
るＡｎ４〜Ａｎ７のＡ／Ｄ変換結果を第４図（Ｃ）に示
す内部ＲＡＭのメモリ領域ＡＤＲ４〜ＡＤＲ７へ移し変
える。これらの処理により第４図ＣＣ）に示す内部ＲＡ
Ｍのメモリ領域ＡＤＲＯ〜ＡＤＲ７に強誘電液晶パネル
の各ポイントの温度情報が全て保持されたことになり、
それ以降の温度情報を用いた処理が可能となる。従って
５ｔｅｐ６０７においてはこの事を知らせるため第４図
（ｂ）に示す内部ＲＡＭ、アドレスＯのビット０の初期
Ａ ｎ Ｏ〜Ａ ｎ ７のＡ／Ｄ変換終了フラグ（ＡＤ
ＥＦ）を１にする。
次に５ｔｅｐ６０８にいてＡｎＯ〜Ａｎ３のＡ／Ｄ変換
を起動させ、５ｔｅｐ６０４．５ｔｅｐ６０５の各処理
を行なう、これらの事はＣＰＵ用の電源が入っている限
り、繰り返し行なわれる為、第４図（Ｃ）の内部ＲＡＭ
のメモリ領域ＡＤＲＯ〜ＡＤＲ７には常に新しい温度情
報が保持されているものである。
を起動させ、５ｔｅｐ６０４．５ｔｅｐ６０５の各処理
を行なう、これらの事はＣＰＵ用の電源が入っている限
り、繰り返し行なわれる為、第４図（Ｃ）の内部ＲＡＭ
のメモリ領域ＡＤＲＯ〜ＡＤＲ７には常に新しい温度情
報が保持されているものである。
次に再び第５図（ａ）の説明に戻る。まず第５図（ａ）
ｓｔｅｐ５０４においては上記において説明した第４図
（ｂ）の内部ＲＡＭのアドレスＯ、ビットＯに割付けら
れたＡＤＥＦのチェックを行ない、該フラグがセットさ
れるまで繰り返しチェックを行なう、そして該フラグの
セットにより次の５ｔｅｐへ進む。
ｓｔｅｐ５０４においては上記において説明した第４図
（ｂ）の内部ＲＡＭのアドレスＯ、ビットＯに割付けら
れたＡＤＥＦのチェックを行ない、該フラグがセットさ
れるまで繰り返しチェックを行なう、そして該フラグの
セットにより次の５ｔｅｐへ進む。
５ｔｅｐ５０５において第４図（ｂ）内部ＲＡＭのアド
レスＯ、ビット２に割付けられた画面のクリアフラグ（
ＣＬ Ｆ）をセットし、ｓｔ ｅｐ５０６において、第
４図（ｂ） （７）内部ＲＡＭのアドレスＯ，ビットｌ
に割付けられた書込フラグ（ＷＲＦ）のセットを行なう
、この２つのフラグセットにより後述する処理により強
誘電液晶表示素子の初期化が行なわれるものである。
レスＯ、ビット２に割付けられた画面のクリアフラグ（
ＣＬ Ｆ）をセットし、ｓｔ ｅｐ５０６において、第
４図（ｂ） （７）内部ＲＡＭのアドレスＯ，ビットｌ
に割付けられた書込フラグ（ＷＲＦ）のセットを行なう
、この２つのフラグセットにより後述する処理により強
誘電液晶表示素子の初期化が行なわれるものである。
次に５ｔｅｐ５０７〜５ｔｅｐ５１２の間で要求に応じ
て第４図（ｄ）に示す外部ＲＡＭのディスプレイ、キャ
ラクタメモリ１２の内容を書き変える。つまり第５図（
ａ）ｓｔｅｐ５０７において、第１５！Ｊに示すキーボ
ード或は外部機器からの要求を受は所定タイプで文字情
報を入力開始したり、５ｔｅｐ５０５．５ｔｅｐ５０６
の画面の初期化要求を受けるまで待機しているものであ
る。従って第４図（ｂ）内部ＲＡＭ、アドレスＯ、ビッ
ト１の書込フラグのセット状態も含む要求があれば次５
ｔｅｐへ進む、５ｔｅｐ５０８において前述した第４図
（ｂ）内部ＲＡＭ、アドレス０゜ビット２の画面クリア
フラグ（ＣＬＦ）のチェックを行ない、当該ＣＦＬがセ
ットされていれば５ｔｅｐ５０９において文字情報をク
リアするための値０を格納し、上記ＣＦＬがセットされ
ていなければ、所定タイプで入力された文字情報を保持
しつつ５ｔｅｐ５１０へ進む。
て第４図（ｄ）に示す外部ＲＡＭのディスプレイ、キャ
ラクタメモリ１２の内容を書き変える。つまり第５図（
ａ）ｓｔｅｐ５０７において、第１５！Ｊに示すキーボ
ード或は外部機器からの要求を受は所定タイプで文字情
報を入力開始したり、５ｔｅｐ５０５．５ｔｅｐ５０６
の画面の初期化要求を受けるまで待機しているものであ
る。従って第４図（ｂ）内部ＲＡＭ、アドレスＯ、ビッ
ト１の書込フラグのセット状態も含む要求があれば次５
ｔｅｐへ進む、５ｔｅｐ５０８において前述した第４図
（ｂ）内部ＲＡＭ、アドレス０゜ビット２の画面クリア
フラグ（ＣＬＦ）のチェックを行ない、当該ＣＦＬがセ
ットされていれば５ｔｅｐ５０９において文字情報をク
リアするための値０を格納し、上記ＣＦＬがセットされ
ていなければ、所定タイプで入力された文字情報を保持
しつつ５ｔｅｐ５１０へ進む。
５ｔｅｐ５１０においてキャラクタデータの７ドスイデ
ータである第４図（ｅ）の強誘電液晶マトリクスのカラ
ム拳アドレス・データ（Ａ ＣＤ）と強誘電液晶マトリ
クスのロウ拳アドレス・データ（ＡＲＤ）を加え、５ｔ
ｅｐ５１１において、キャラクタ・データをＡＣＤ＋Ａ
ＲＤ番地のディスプレイ・キャラクタ・メモリ１２に記
憶する。なおアドレスデータは１６進法で表わされてい
る。
ータである第４図（ｅ）の強誘電液晶マトリクスのカラ
ム拳アドレス・データ（Ａ ＣＤ）と強誘電液晶マトリ
クスのロウ拳アドレス・データ（ＡＲＤ）を加え、５ｔ
ｅｐ５１１において、キャラクタ・データをＡＣＤ＋Ａ
ＲＤ番地のディスプレイ・キャラクタ・メモリ１２に記
憶する。なおアドレスデータは１６進法で表わされてい
る。
次に５ｔｅｐ５１２においてＡＣＤ＋ＡＲＤを加えた番
地がディスプレイ・キャラクタメモリ１２のエンドアド
レス９Ｃ３（９Ｃ３＝２５００であり５０文字Ｘ５０文
字に相当する）かどうかをチェックしエンドアドレスで
あれば５ｔｅｐ５１７に進み、エンドアドレスでなけれ
ば５ｔｅｐ５１３に進む。
地がディスプレイ・キャラクタメモリ１２のエンドアド
レス９Ｃ３（９Ｃ３＝２５００であり５０文字Ｘ５０文
字に相当する）かどうかをチェックしエンドアドレスで
あれば５ｔｅｐ５１７に進み、エンドアドレスでなけれ
ば５ｔｅｐ５１３に進む。
５ｔｅｐ５１３におい−（ＡＣＤに１を加え、５ｔｅｐ
５１４においてキャラクタデータの入力が５０文字分完
了したかどうかをＡＣＤが３２であるかどうかをチェッ
クすることによって行ない、ＡＣＤが３２であれば５ｔ
ｅｐ５１５に進み、ＡＣＤが３２でなければ５ｔｅｐ５
０７に戻ってキャラクタ・データの入力を行う。
５１４においてキャラクタデータの入力が５０文字分完
了したかどうかをＡＣＤが３２であるかどうかをチェッ
クすることによって行ない、ＡＣＤが３２であれば５ｔ
ｅｐ５１５に進み、ＡＣＤが３２でなければ５ｔｅｐ５
０７に戻ってキャラクタ・データの入力を行う。
５ｔｅｐ５１５においてＡＣＤをＯクリアし、５ｔｅｐ
５１６においてＡＲＤに３２を加えて５ｔｅｐ５０７に
戻る。
５１６においてＡＲＤに３２を加えて５ｔｅｐ５０７に
戻る。
強誘電液晶デスプレイ１４の１画面分のキャラクタ自デ
ータの入力が済んでｓｔｅｐ５１２から５ｔｅｐ５１７
に進むと５ｔｅｐ５１７においｒＡＣＤを５ｔｅｐ５１
８でＡＲＤをＯクリアする。この事はこれ以降の５ｔｅ
ｐにおいて書込を行なう際に第４図（ｄ）外部ＲＡＭの
ディスプレイ・キャラクタ・メモリ１２の参照用アドレ
スとして用いるため先頭アドレスに値を戻すためである
。
ータの入力が済んでｓｔｅｐ５１２から５ｔｅｐ５１７
に進むと５ｔｅｐ５１７においｒＡＣＤを５ｔｅｐ５１
８でＡＲＤをＯクリアする。この事はこれ以降の５ｔｅ
ｐにおいて書込を行なう際に第４図（ｄ）外部ＲＡＭの
ディスプレイ・キャラクタ・メモリ１２の参照用アドレ
スとして用いるため先頭アドレスに値を戻すためである
。
次に５ｔｅｐ５１９において、平均温度を求めるため、
強誘電液晶ディスプレイ１４の周辺温度データである第
４図（ｃ）の内部ＲＡＭのＡＤＲＯ−ＡＤＲ７を用いて
演算処理し、その結果となる平均温度データを第４図（
Ｃ）の内部ＲＡＭのメモリ領域ＦＤへ格納する。又５ｔ
ｅｐ５２０においては上記５ｔｅｐ５１９により求めら
れた平均温度データより、第４図（ａ）に示す内部ＲＯ
Ｍのアドレス８００〜ＢＦＦに割り付けられたΔτ用タ
イマーコードを参照しΔτ用の時間データを抽出し、第
４図（Ｃ）の内部ＲＡＭのメモリ領域６丁へ格納する。
強誘電液晶ディスプレイ１４の周辺温度データである第
４図（ｃ）の内部ＲＡＭのＡＤＲＯ−ＡＤＲ７を用いて
演算処理し、その結果となる平均温度データを第４図（
Ｃ）の内部ＲＡＭのメモリ領域ＦＤへ格納する。又５ｔ
ｅｐ５２０においては上記５ｔｅｐ５１９により求めら
れた平均温度データより、第４図（ａ）に示す内部ＲＯ
Ｍのアドレス８００〜ＢＦＦに割り付けられたΔτ用タ
イマーコードを参照しΔτ用の時間データを抽出し、第
４図（Ｃ）の内部ＲＡＭのメモリ領域６丁へ格納する。
この温度→ΔＴ変換は第２図に示す強誘電液晶の各温度
における駆動周波数・駆動電圧を示す特性図を参照した
ものであり、第２図に示す代表的な変換例を下記のＴａ
ｂｌｅ−１に示す、この例は駆動電圧７０Ｖ一定時の変
換例でＴａｂｌｅ −１ ある、又温度検出の分解能としては０℃〜１００℃まで
を８ビツトのＡ／Ｄ変換をかけるため約０．４℃となり
、駆動信号のパルス巾ΔＴの分解能はｌ、ｐｓｅｃとな
っており、範囲としては１ＩＬｓｅｃ 〜６５．５ｍ５
ｅｃまでをカバーできるものである０次に５ｔｅｐ５２
１ではアドレスデータであるＡＣＤ＋ＡＲＤによって示
される４図（ｄ）外部ＲＡＭのディスプレイ・キャラク
タ・メモリ１２の番地から文字情報を第１４図（ａ）ｃ
ｒ＋内部ＲＯＭ、アドレスｃｏｏｏ〜ＦＦＦに割付けら
れたキャラクタ−コードを参照しながら所定コードへ変
換する。
における駆動周波数・駆動電圧を示す特性図を参照した
ものであり、第２図に示す代表的な変換例を下記のＴａ
ｂｌｅ−１に示す、この例は駆動電圧７０Ｖ一定時の変
換例でＴａｂｌｅ −１ ある、又温度検出の分解能としては０℃〜１００℃まで
を８ビツトのＡ／Ｄ変換をかけるため約０．４℃となり
、駆動信号のパルス巾ΔＴの分解能はｌ、ｐｓｅｃとな
っており、範囲としては１ＩＬｓｅｃ 〜６５．５ｍ５
ｅｃまでをカバーできるものである０次に５ｔｅｐ５２
１ではアドレスデータであるＡＣＤ＋ＡＲＤによって示
される４図（ｄ）外部ＲＡＭのディスプレイ・キャラク
タ・メモリ１２の番地から文字情報を第１４図（ａ）ｃ
ｒ＋内部ＲＯＭ、アドレスｃｏｏｏ〜ＦＦＦに割付けら
れたキャラクタ−コードを参照しながら所定コードへ変
換する。
次に５ｔｅｐ５２２において上記所定コードを、ＣＰＵ
ｌ０に内蔵のキャラクタジェネレータによってドツトデ
ータであるコラムデータに変換し、５ｔｅｐ５２３にお
いて、ＡＣＤ＋ＡＲＤのアドレスデータと上記コラムデ
ータを第３図のアドレスデコーダ１３−１とコラム・デ
ータ回路１３−２に出力する。
ｌ０に内蔵のキャラクタジェネレータによってドツトデ
ータであるコラムデータに変換し、５ｔｅｐ５２３にお
いて、ＡＣＤ＋ＡＲＤのアドレスデータと上記コラムデ
ータを第３図のアドレスデコーダ１３−１とコラム・デ
ータ回路１３−２に出力する。
ここでアドレスデコーダ１３−１に出力されたＡＣＤ＋
ＡＲＤのアドレスデータは、アドレスデコーダ１３−１
によってコラムデータに対応したアドレスデータに変換
される。つまり１文字分のドツトは３２Ｘ３２ドツトで
構成されており、上記ＡＣＤ＋ＡＲＤのアドレスデータ
は、ディスプレイキャラクタメモリ１２のアドレスに対
応した強誘電液晶ディスプレイ１４のドツトのアドレス
データであるドツトロウアドレスデータ（ＡＲＤ”）と
ドツトコラムアドレスデータ（ＡＣＤ ’）に変換され
、ＡＣＤ’がドライバ１３−３、ＡＲＤ′がドライバ１
３−４に出力される。尚、ディスプレイ１４は縦横両方
向に８ドツ） ／ ｍ ｍで構成されている。
ＡＲＤのアドレスデータは、アドレスデコーダ１３−１
によってコラムデータに対応したアドレスデータに変換
される。つまり１文字分のドツトは３２Ｘ３２ドツトで
構成されており、上記ＡＣＤ＋ＡＲＤのアドレスデータ
は、ディスプレイキャラクタメモリ１２のアドレスに対
応した強誘電液晶ディスプレイ１４のドツトのアドレス
データであるドツトロウアドレスデータ（ＡＲＤ”）と
ドツトコラムアドレスデータ（ＡＣＤ ’）に変換され
、ＡＣＤ’がドライバ１３−３、ＡＲＤ′がドライバ１
３−４に出力される。尚、ディスプレイ１４は縦横両方
向に８ドツ） ／ ｍ ｍで構成されている。
次に５ｔｅｐ５２４において書き込み命令パルスがＣＰ
Ｕｌ０よりアドレスデコーダ１３−１にの出力される。
Ｕｌ０よりアドレスデコーダ１３−１にの出力される。
該書き込み命令パルスは上記５ｔｅｐ５２０でΔＴに格
納した時間データに基ツいて４１時間のパルス巾にＣＰ
Ｕ １０によって設定される。
納した時間データに基ツいて４１時間のパルス巾にＣＰ
Ｕ １０によって設定される。
アドレスデコーダ１３−１は書き込み命令パルスに従っ
て４１時間のパルス巾を持った書き込み信号をドライバ
ー１３−３．１３−４に出力し、キャラクタデータの書
き込みを行う。
て４１時間のパルス巾を持った書き込み信号をドライバ
ー１３−３．１３−４に出力し、キャラクタデータの書
き込みを行う。
次に第５図（ｂ）（７）５ｔｅｐ５２５に於て１文字の
コラムデータの書き込みが行われたかどうかを判断し、
１文字の書き込みが終了していなければ５ｔｅｐ５２４
に戻って書き込み命令パルスをアドレスデコーダ１３−
１に出力し。
コラムデータの書き込みが行われたかどうかを判断し、
１文字の書き込みが終了していなければ５ｔｅｐ５２４
に戻って書き込み命令パルスをアドレスデコーダ１３−
１に出力し。
以後１文字の書き込みが終了するまで行い１文字の書き
込みが終了すると５ｔｅｐ５２６に進む。
込みが終了すると５ｔｅｐ５２６に進む。
上記５ｔｅｐ５２５で行う１文字の書き込み終了かどう
かの判断は、１文字分のコラムデータを書き込み終了し
たときにアドレスデコーダからｃｐｕｌｏに出力される
書き込み終了信号をチェックすることによって行われる
。
かの判断は、１文字分のコラムデータを書き込み終了し
たときにアドレスデコーダからｃｐｕｌｏに出力される
書き込み終了信号をチェックすることによって行われる
。
次にｓｔ ｅｐ５２６〜５ｔｅｐ５３０において、前記
の５ｔｅｐ５１２〜５ｔｅｐ５１６と同様にアドレスデ
ータであるＡＣＤ 、ＡＲＤをインクリメントする。
の５ｔｅｐ５１２〜５ｔｅｐ５１６と同様にアドレスデ
ータであるＡＣＤ 、ＡＲＤをインクリメントする。
こうして１画面の全文字が強誘電液晶ディスプレイ１４
に書き込まれまで５ｔｅｐ５１９〜５ｔｅｐ５３０が繰
り返され全文字の書き込みが終了すると５ｔｅｐ５２６
から５ｔｅｐ５３１に進む。
に書き込まれまで５ｔｅｐ５１９〜５ｔｅｐ５３０が繰
り返され全文字の書き込みが終了すると５ｔｅｐ５２６
から５ｔｅｐ５３１に進む。
５ｔｅｐ５３１において、ＣＬＦをリセットし、ｓ ｔ
ｅ ｐ５３２においてＷＲＦをリセツ）、 ５ｔ
ｅｐ５３３，５ｔｅｐ５３４ で ＡＣＤ、ＡＲＤを
それぞれ０クリアし５ｔｅｐ５０７に戻って次の要求が
あるまで待機状態となる。
ｅ ｐ５３２においてＷＲＦをリセツ）、 ５ｔ
ｅｐ５３３，５ｔｅｐ５３４ で ＡＣＤ、ＡＲＤを
それぞれ０クリアし５ｔｅｐ５０７に戻って次の要求が
あるまで待機状態となる。
以上のように本実施例は強誘電液晶ディスプレイ１４の
画面温度を検出しその温度に応じて書き込み信号のパル
ス巾を変え駆動制御を行うので温度コントロールのため
のヒータ等の外部装置を用いる必要がなく装置を簡素化
できコストの低減化を達成できる。
画面温度を検出しその温度に応じて書き込み信号のパル
ス巾を変え駆動制御を行うので温度コントロールのため
のヒータ等の外部装置を用いる必要がなく装置を簡素化
できコストの低減化を達成できる。
又、上述の本実施例の応用として強誘電液晶ディスプレ
イを複数のブロックに分け、そのブロックごとの平均温
度を検出し、その平均温度に応じてパルス巾を変え駆動
制御を行うことも考えられる。そこで以下に他の実施例
としてブロックごとの平均温度による強誘電液晶の駆動
制御について説明する。
イを複数のブロックに分け、そのブロックごとの平均温
度を検出し、その平均温度に応じてパルス巾を変え駆動
制御を行うことも考えられる。そこで以下に他の実施例
としてブロックごとの平均温度による強誘電液晶の駆動
制御について説明する。
全体構成としては第１図と第３図の本実施例の場合と同
じである０本実施例の場合と異なる点は、第４図（ｃ）
のＰＤＡｎＯ〜Ａｎ７の平均温度データが第９図（ａ）
ｃ７）ＢＰＤ ｌ （Ａ ｎＯ，Ａｎ６．Ａｎ７の平
均温度データ）、ＢＰＤ２ （Ａｎ４．Ａｎ５．Ａｎ６
の平均温度データ）、ＢＰＤ３ （Ａｎｄ、Ａｎｔ 、
Ａｎ２の平均温度データ）、ＢＰＤ４ （Ａｎ２ 、Ａ
ｎ３ 。
じである０本実施例の場合と異なる点は、第４図（ｃ）
のＰＤＡｎＯ〜Ａｎ７の平均温度データが第９図（ａ）
ｃ７）ＢＰＤ ｌ （Ａ ｎＯ，Ａｎ６．Ａｎ７の平
均温度データ）、ＢＰＤ２ （Ａｎ４．Ａｎ５．Ａｎ６
の平均温度データ）、ＢＰＤ３ （Ａｎｄ、Ａｎｔ 、
Ａｎ２の平均温度データ）、ＢＰＤ４ （Ａｎ２ 、Ａ
ｎ３ 。
Ａｎ４の平均温度データ）となり、第４図（ｄ）のディ
スプレイφキャラクタメモリが第９図（ｂ）に示すＢＰ
ＤＩ 、ＢＰＤ２ 、ＢＰＤ３、ＢＰＤ４の４つのブロ
ックに分けられる。
スプレイφキャラクタメモリが第９図（ｂ）に示すＢＰ
ＤＩ 、ＢＰＤ２ 、ＢＰＤ３、ＢＰＤ４の４つのブロ
ックに分けられる。
第１０図（１）、（ｂ）は、強誘電液晶ディスプレイを
、複数のブロックに分け、そのブロック毎の平均温度に
応じてパルス巾を変え強電液晶ディスプレイを駆動制御
する場合のＣＰＵｌ０の制御動作を示すフローチャート
図である。
、複数のブロックに分け、そのブロック毎の平均温度に
応じてパルス巾を変え強電液晶ディスプレイを駆動制御
する場合のＣＰＵｌ０の制御動作を示すフローチャート
図である。
５ｔｅｐ’５０１−ｓｔｅｐ′５１８までは第５図（ａ
）の５ｔｅｐ５０１〜５ｔｅｐ５１８までと同じである
ので説明は省略する。又第６図Ａ／Ｄ変換割込みルーチ
ンも、この他の実施例の場合も２００１Ｌｓ単位で割り
込み発生する。
）の５ｔｅｐ５０１〜５ｔｅｐ５１８までと同じである
ので説明は省略する。又第６図Ａ／Ｄ変換割込みルーチ
ンも、この他の実施例の場合も２００１Ｌｓ単位で割り
込み発生する。
５ｔｅｐ′５１９において第９図（ａ）内部ＲＡＭのＡ
ＤＲＯ、ＡＤＲ６、ＡＤＲ７の温度データの平均値をＢ
ＰＤＩへ格納しｓ ｔ ｅ ｐ’５２０において第９図
（ａ）の内部ＲＡＭのＡＤＲ４、ＡＤＲ５、ＡＤＲ６の
温度データの平均値をＢＰＤ２へ格納し５ｔｅｐ５２１
において第９図（ａ）の内部ＲＡＭのＡＤＲＯ。
ＤＲＯ、ＡＤＲ６、ＡＤＲ７の温度データの平均値をＢ
ＰＤＩへ格納しｓ ｔ ｅ ｐ’５２０において第９図
（ａ）の内部ＲＡＭのＡＤＲ４、ＡＤＲ５、ＡＤＲ６の
温度データの平均値をＢＰＤ２へ格納し５ｔｅｐ５２１
において第９図（ａ）の内部ＲＡＭのＡＤＲＯ。
ＡＤＲＩ、ＡＤＲ２の温度データの平均値をＢＰＤ３
へ格納し、５ｔｅ（５２２において第９図（ａ）の内部
ＲＡＭのＡＤＲ２，ＡＤＲ３，ＡＤＲ４の温度データの
平均値をＢＰＤ４へ格納する。
へ格納し、５ｔｅ（５２２において第９図（ａ）の内部
ＲＡＭのＡＤＲ２，ＡＤＲ３，ＡＤＲ４の温度データの
平均値をＢＰＤ４へ格納する。
次に５ｔｅｐ’５２３においてＡＲＤとＡＣＤのアドレ
スデータよりキャラクタデータが上記ＢＰＤＩ −Ｂ
ＰＤ４のどのブロックに存しているかを選択し、５ｔｅ
ｐ’５２４においてキャラクタデータが存しているブロ
ックの平均温度データを本実施例の場合と同様に時間デ
ータに変換してΔＴに格納する。以下のｓｔｅ〆５２５
〜５ｔｅｐ’５３８までは第５図（ａ） 、 （ｂ）の
５ｔｅｐ５２１〜５ｔｅｐ５３４までと同様に行い、そ
のブロックの平均温度データに応じて書き込み信号のパ
ルス巾が変えられ、強誘電液晶ディスプレイの駆動制御
が行われる。
スデータよりキャラクタデータが上記ＢＰＤＩ −Ｂ
ＰＤ４のどのブロックに存しているかを選択し、５ｔｅ
ｐ’５２４においてキャラクタデータが存しているブロ
ックの平均温度データを本実施例の場合と同様に時間デ
ータに変換してΔＴに格納する。以下のｓｔｅ〆５２５
〜５ｔｅｐ’５３８までは第５図（ａ） 、 （ｂ）の
５ｔｅｐ５２１〜５ｔｅｐ５３４までと同様に行い、そ
のブロックの平均温度データに応じて書き込み信号のパ
ルス巾が変えられ、強誘電液晶ディスプレイの駆動制御
が行われる。
この様に表示面の所定領域毎に平均値化された温度デー
タに従って書き込み信号のパルス巾を変えて強誘電液晶
ディスプレイの駆動制御するのでより精度の高い表示駆
動装置を提供できる。
タに従って書き込み信号のパルス巾を変えて強誘電液晶
ディスプレイの駆動制御するのでより精度の高い表示駆
動装置を提供できる。
尚、本実施例においては強誘電液晶を用いた表示素子を
例に説明したが、スイッチングのしきち値が温度依存性
を有し、しかも書き込み駆動信号のパルス幅がスイッチ
ングに寄与する表示素子には全て適用可能である。
例に説明したが、スイッチングのしきち値が温度依存性
を有し、しかも書き込み駆動信号のパルス幅がスイッチ
ングに寄与する表示素子には全て適用可能である。
以上説明した様に本発明によって装置の温度依存性の大
きい表示素子を駆動する際にヒーター等による温度コン
トロールをする必要がなくなり、又、駆動信号の電圧を
変える必要もなくなることによって装置が簡素化できコ
ストの低減化を達成できる。
きい表示素子を駆動する際にヒーター等による温度コン
トロールをする必要がなくなり、又、駆動信号の電圧を
変える必要もなくなることによって装置が簡素化できコ
ストの低減化を達成できる。
第１図は本実施例の全体構成を示すブロック図である。
第２図は強誘電液晶の図示する各温度における駆動周波
数・駆動電圧を示す特性図である。 第３図は強誘電液晶のドライバ一部１３の詳細なブロッ
ク図である。 第４図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はＣＰＵｌ０の
内部ＲＯＭ、ＲＡＭのメモリマツプを示す図である。 第４図（ｄ）はディスプレイキャラクタメモリ１２を示
した図である。 第５図（ａ）、（ｂ）は本実施例（７）ＣＰＵＩＯの制
御を示すフローチャート図である。 第６図はＡ／Ｄ変換割込処理ルーチンを示した図である
。 第７図、第８図は強誘電液晶の概念図である。 第９図（ａ）は他の実施例のｃｐｔｙｔｏの内部ＲＡＭ
のメモリ内容を示す図である。 第９図（ｂ）は他の実施例のディスプレイキャラクタメ
モリを示した図である。 第１０図（ａ）、（ｂ）は他の実施例のＣＰＵｌ０の制
御を示すフローチャート図である。 １０はＣＰＵ、１１は文字情報入力部。 １２はディスプレイキャラクタメモリ、１３はドライバ
一部、１４は強誘電性液晶ディスプレイ、ＡＮＯ−ＡＮ
７はＡ／Ｄ変換チャンネル、Ｔｈｌ〜Ｔｈ８は温度セン
サである。 糖２図 制旭３匹 劉４Ｋ＜ｂ＞ 第５区］ ｒｂ＞ 脩７図 ！ 栴８図 第９固０：））
数・駆動電圧を示す特性図である。 第３図は強誘電液晶のドライバ一部１３の詳細なブロッ
ク図である。 第４図（ａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はＣＰＵｌ０の
内部ＲＯＭ、ＲＡＭのメモリマツプを示す図である。 第４図（ｄ）はディスプレイキャラクタメモリ１２を示
した図である。 第５図（ａ）、（ｂ）は本実施例（７）ＣＰＵＩＯの制
御を示すフローチャート図である。 第６図はＡ／Ｄ変換割込処理ルーチンを示した図である
。 第７図、第８図は強誘電液晶の概念図である。 第９図（ａ）は他の実施例のｃｐｔｙｔｏの内部ＲＡＭ
のメモリ内容を示す図である。 第９図（ｂ）は他の実施例のディスプレイキャラクタメ
モリを示した図である。 第１０図（ａ）、（ｂ）は他の実施例のＣＰＵｌ０の制
御を示すフローチャート図である。 １０はＣＰＵ、１１は文字情報入力部。 １２はディスプレイキャラクタメモリ、１３はドライバ
一部、１４は強誘電性液晶ディスプレイ、ＡＮＯ−ＡＮ
７はＡ／Ｄ変換チャンネル、Ｔｈｌ〜Ｔｈ８は温度セン
サである。 糖２図 制旭３匹 劉４Ｋ＜ｂ＞ 第５区］ ｒｂ＞ 脩７図 ！ 栴８図 第９固０：））
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）表示素子、前記素子の温度を検出する温度検出手段
、 上記温度検出手段からの出力に応じたパルス巾を有する
駆動信号により上記表示素子を駆動する駆動手段とを有
することを特徴とする駆動装置。 ２）上記表示素子が液晶素子であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の駆動装置。 ３）上記液晶素子が強誘電液晶素子であることを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の駆動装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8667885A JPS61245140A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 液晶装置 |
| US07/287,657 US4923285A (en) | 1985-04-22 | 1988-12-21 | Drive apparatus having a temperature detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8667885A JPS61245140A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245140A true JPS61245140A (ja) | 1986-10-31 |
| JPH0446408B2 JPH0446408B2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=13893677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8667885A Granted JPS61245140A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245140A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243923A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
| JPS63243925A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
| JPS63243924A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
| JPS63243922A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200303001A (en) * | 2001-11-09 | 2003-08-16 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP8667885A patent/JPS61245140A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63243923A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
| JPS63243925A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
| JPS63243924A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
| JPS63243922A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Canon Inc | 表示制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0446408B2 (ja) | 1992-07-29 |
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