JP2507713B2 - 駆動装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は表示駆動装置、特に閾値の温度依存性の大き
い表示素子を駆動制御する駆動装置に関するものであ
る。
い表示素子を駆動制御する駆動装置に関するものであ
る。
従来Nematic液晶を用いた、Twisted Nematic型もしく
は、DSM型のものさらには、Cholesteric-Nematic相転移
型のGest-Host液晶表示素子の動作温度領域は、技術の
進歩に伴い、飛躍的に広がり、温度補償の問題をかなり
少なくすることに成功している。
は、DSM型のものさらには、Cholesteric-Nematic相転移
型のGest-Host液晶表示素子の動作温度領域は、技術の
進歩に伴い、飛躍的に広がり、温度補償の問題をかなり
少なくすることに成功している。
しかしながら、強誘電液晶素子の場合は第２図に示す
様に閾値の温度依存性が大きい。
様に閾値の温度依存性が大きい。
このような特性を有する強誘電液晶素子を駆動する場
合において従来は、セル自体の温度コントロールをする
他はなく、装置的にも大きくなり、消費電力等も無視で
きない状況であった。
合において従来は、セル自体の温度コントロールをする
他はなく、装置的にも大きくなり、消費電力等も無視で
きない状況であった。
本発明の目的は上述従来例の欠点を除去するとともに
温度依存性の大きい表示素子を適正に駆動することの出
来る駆動装置を提供することにある。
温度依存性の大きい表示素子を適正に駆動することの出
来る駆動装置を提供することにある。
以下図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
まず本実施例の表示駆動装置では、閾値が温度依存性
の大きい表示素子である強誘電性液晶が用いられてい
る。
の大きい表示素子である強誘電性液晶が用いられてい
る。
この強誘電性液晶としては、加えられる電界に応じて
第１の光学安定状態と第２の光学的安定状態とのいずれ
かを取る、即ち電界に対する双安定状態を有する物質、
或いはそのような性質を有する液晶が用いられる。
第１の光学安定状態と第２の光学的安定状態とのいずれ
かを取る、即ち電界に対する双安定状態を有する物質、
或いはそのような性質を有する液晶が用いられる。
本実施例で用いている双安定性を有する強誘電液晶と
しては、強誘電性を有するカイラルスメクチツク液晶が
最も好ましい。又、そのカイラルスメクチツク液晶のう
ち、カイラルスメクチツクＣ相（SmC*又Ｈ相（SmH*）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、“LE
LOURNAL DE PHYSIOUE LETTERS"36（Ｌ−69）1975.「Fe
rroelectric Liquid Crystals」；“Applied physics L
etters"36（11）1980、「Submicro Second Bistable El
ectrooptic Switching in Liquid Crystals」；“固体
物理”16（141）1981「液晶」等に記載されており、本
実施例ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いるこ
とができる。
しては、強誘電性を有するカイラルスメクチツク液晶が
最も好ましい。又、そのカイラルスメクチツク液晶のう
ち、カイラルスメクチツクＣ相（SmC*又Ｈ相（SmH*）の
液晶が適している。この強誘電性液晶については、“LE
LOURNAL DE PHYSIOUE LETTERS"36（Ｌ−69）1975.「Fe
rroelectric Liquid Crystals」；“Applied physics L
etters"36（11）1980、「Submicro Second Bistable El
ectrooptic Switching in Liquid Crystals」；“固体
物理”16（141）1981「液晶」等に記載されており、本
実施例ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いるこ
とができる。
より具体的には、本実施例に用いられる強誘電性液晶
化合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、
ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロ
ロプロピルシンナメート（HOBACPC）および４−０−
（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′−オクチ
ルアニリン（MBRA8）等が挙げられる。
化合物の例としては、デシロキシベンジリデン−Ｐ′−
アミノ−２−メチルブチルシンナメート（DOBAMBC）、
ヘキシルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロ
ロプロピルシンナメート（HOBACPC）および４−０−
（２−メチル）−ブチルレゾルシリデン−４′−オクチ
ルアニリン（MBRA8）等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合において
は、液晶化合物が温度によって異る液晶相を取る。これ
は例えばDOBAMBCの場合は相転移は、約117℃で等方相か
らスメクチツクＡ相へ相転移して約93℃でカイラルスメ
クチツクＣ相へ相転移する。このカイラルスメクチツク
Ｃ相において、強誘電性を呈するが、約61℃において、
さらに下方の相へ転移してしまう。
は、液晶化合物が温度によって異る液晶相を取る。これ
は例えばDOBAMBCの場合は相転移は、約117℃で等方相か
らスメクチツクＡ相へ相転移して約93℃でカイラルスメ
クチツクＣ相へ相転移する。このカイラルスメクチツク
Ｃ相において、強誘電性を呈するが、約61℃において、
さらに下方の相へ転移してしまう。
カイラルスメクチツクＣ相の下位の相は、カイラルス
メクチツクＩ相であるとか、言カイラルスメクチツクＦ
相、もしくは、カイラルスメクチツクＨ相とする文献が
あるが、いずれにしてもその相においても、強誘電性を
示すことが確認されている。
メクチツクＩ相であるとか、言カイラルスメクチツクＦ
相、もしくは、カイラルスメクチツクＨ相とする文献が
あるが、いずれにしてもその相においても、強誘電性を
示すことが確認されている。
スメクチツクＡ相から、カイラルスメクチツクＣ相へ
転移温度がキューリー点となる。このキューリー点以下
では、DOBAMBCは、分子双極子の向きがそろい、自発分
極を持つ。
転移温度がキューリー点となる。このキューリー点以下
では、DOBAMBCは、分子双極子の向きがそろい、自発分
極を持つ。
しかし、その物性値は温度によってかなり差があるこ
とが知られている。たとえば、液晶分子と、層の法線と
の角度をチルト角θと定義すると（層は、スメクチツク
相における定義と同じ）θは、キューリー点より温度が
下がるにしたがって、増大する傾向にある。自発分極値
Psも温度による依存性がある。（温度が下がるにしたが
って増大する）ことが確認されている。
とが知られている。たとえば、液晶分子と、層の法線と
の角度をチルト角θと定義すると（層は、スメクチツク
相における定義と同じ）θは、キューリー点より温度が
下がるにしたがって、増大する傾向にある。自発分極値
Psも温度による依存性がある。（温度が下がるにしたが
って増大する）ことが確認されている。
弾性定数や、粘性係数も、温度の関数であることが知
られているし、応答速度（外部電界に対する分子双極子
の反応）や、らせんピツチを解くに必要な臨界電界も異
なってくる。
られているし、応答速度（外部電界に対する分子双極子
の反応）や、らせんピツチを解くに必要な臨界電界も異
なってくる。
これらは、相が異ると、大巾に異ることが知られてい
るが、同じ相の中（たとえば、カイラルスメクチツクＣ
相内で91℃から約61℃までの約30℃の温度範囲におい
て）でも物性定数が異なり、それゆえに電気的応答にも
差異が生じる。
るが、同じ相の中（たとえば、カイラルスメクチツクＣ
相内で91℃から約61℃までの約30℃の温度範囲におい
て）でも物性定数が異なり、それゆえに電気的応答にも
差異が生じる。
これらは、DOBAMBCに限らず、いわゆる強誘電液晶に
共通な問題である。
共通な問題である。
又、これらの現象は、双安定性が生じるような薄いギ
ヤツプ（たとえば１μｍ〜２μｍ）においても同じで、
安定な２つの状態間を、スイツチングするしきい値の変
化となって表われる。スイツチングのしきい値は、単に
直流的な波高値で与えられるものでなく、パルス巾と波
高値に依って与えられることを我々は発見した。
ヤツプ（たとえば１μｍ〜２μｍ）においても同じで、
安定な２つの状態間を、スイツチングするしきい値の変
化となって表われる。スイツチングのしきい値は、単に
直流的な波高値で与えられるものでなく、パルス巾と波
高値に依って与えられることを我々は発見した。
そこでこのような場合には、温度変化を表示駆動信号
のパルス巾を変化させることによって補償しようという
のが、本発明の主旨である。
のパルス巾を変化させることによって補償しようという
のが、本発明の主旨である。
強誘電性液晶のセル内での配列に関する説明を次に述
べる。
べる。
本実施例においては、セル基板は、ポリイミド樹脂を
コーテイングしラビング処理を行なったものを使用して
いる。
コーテイングしラビング処理を行なったものを使用して
いる。
第７図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたも
のである。１と１′は、In2O3、SnO2やITO（Indium-Tin
Oxide）等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）
であり、その間に液晶分子層２がガラス面に垂直になる
よう配向したSmC*相の液晶が封入されている。太線で示
した線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３
は、その分子に直交した方向に双極子モーント（Ｐ⊥）
４を有している。基板１と１′上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）４はすべて電界方向に
向くよう、液晶分子３の配向方向を変えることができ
る。液晶分子３は細長い形状を有しており、その長軸方
向と短軸方向で屈折率異方性を示す。従って例えばガラ
ス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した
偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わ
る液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。
さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１
μｍ）には、第８図に示すように電界を印加してない状
態でも液晶分子のらせん構造は、ほどけ（非らせん構
造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（4a）
又はした向き（4b）のどちらかの状態をとる。このよう
にセルに第８図に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメ
ントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き
4a又は、下向き4bと向き変え、それに応じて液晶分子は
第一の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れ
か一方に配向する。
のである。１と１′は、In2O3、SnO2やITO（Indium-Tin
Oxide）等の透明電極がコートされた基板（ガラス板）
であり、その間に液晶分子層２がガラス面に垂直になる
よう配向したSmC*相の液晶が封入されている。太線で示
した線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３
は、その分子に直交した方向に双極子モーント（Ｐ⊥）
４を有している。基板１と１′上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子３のらせん構造がほ
どけ、双極子モーメント（Ｐ⊥）４はすべて電界方向に
向くよう、液晶分子３の配向方向を変えることができ
る。液晶分子３は細長い形状を有しており、その長軸方
向と短軸方向で屈折率異方性を示す。従って例えばガラ
ス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配置した
偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わ
る液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。
さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例えば１
μｍ）には、第８図に示すように電界を印加してない状
態でも液晶分子のらせん構造は、ほどけ（非らせん構
造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（4a）
又はした向き（4b）のどちらかの状態をとる。このよう
にセルに第８図に示す如く一定の閾値以上の極性の異な
る電界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、双極子モーメ
ントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応して上向き
4a又は、下向き4bと向き変え、それに応じて液晶分子は
第一の配向状態５かあるいは第二の配向状態５′の何れ
か一方に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いる
ことの利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速い
こと、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有すること
である。第２の点を例えば第８図によって説明すると、
電界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向
するが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状
態５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり
電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界
Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来る
だけ薄い方が好ましく、一般的には、0.5μｍ〜20μ
ｍ、特に１μｍ〜５μｍが適している。この種の強誘電
性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気
光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特
許第4,367,924号明細書で提案されている。
ことの利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速い
こと、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有すること
である。第２の点を例えば第８図によって説明すると、
電界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向
するが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配向状
態５′に配向して、その分子の向きを変えるが、やはり
電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電界
Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速さと、
双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出来る
だけ薄い方が好ましく、一般的には、0.5μｍ〜20μ
ｍ、特に１μｍ〜５μｍが適している。この種の強誘電
性液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気
光学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特
許第4,367,924号明細書で提案されている。
以下、本実施例における強誘電性液晶の駆動制御につ
いて図面を参照して詳細に説明する。
いて図面を参照して詳細に説明する。
まず第１図は本実施例の強誘電液晶の駆動装置の全体
構成を示すブロツク図である。
構成を示すブロツク図である。
第１図において10は制御用A/Dコンバータ内蔵のワン
チツプマイクロコンピユータ（以下CPUと呼ぶ）であ
る。該CPU10は、A/Dコンバータ、RAM、ROM等のコンピユ
ータの周辺機器より構成されている。
チツプマイクロコンピユータ（以下CPUと呼ぶ）であ
る。該CPU10は、A/Dコンバータ、RAM、ROM等のコンピユ
ータの周辺機器より構成されている。
11は文字情報入力用のキーボード或いは、文字情報が
所定モードで送出される外部機器等の文字情報入力部で
ある。
所定モードで送出される外部機器等の文字情報入力部で
ある。
12は、液晶デイスプレイに表示されるキヤラクタ情報
を記憶する外部RAMで、デイスプレイキヤラクタメモリ
である。
を記憶する外部RAMで、デイスプレイキヤラクタメモリ
である。
13は強誘電液晶を駆動するドライバー部である。
14は強誘電液晶デイスプレイ部である。
又図示しないがCPU用電源と強誘電液晶駆動用電源は
別電源であり、同じく図示しないメインSWのONにより、
CPU用電源、強誘電液晶駆動用電源の順で各々へ供給さ
れるものである。
別電源であり、同じく図示しないメインSWのONにより、
CPU用電源、強誘電液晶駆動用電源の順で各々へ供給さ
れるものである。
第３図はドライバー部13の構成を示すブロツク図であ
る。
る。
13−１は強誘電液晶デイスプレイ14のドライバー13−
３、13−４のアドレスを決定するアドレスドライバーで
ある。
３、13−４のアドレスを決定するアドレスドライバーで
ある。
13−２はイメージのドツトデータであるコラムデータ
をドライバー13−３に出力するコラムデータ回路であ
る。該コラムデータは、CPU10よりコラムデータ回路13
−２に出力される。
をドライバー13−３に出力するコラムデータ回路であ
る。該コラムデータは、CPU10よりコラムデータ回路13
−２に出力される。
次に第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）はCPU10内部メモ
リであるROM、RAMのメモリマツプを示した図である。第
４図（ｄ）は、デイスプレイキヤラクタメモリ12のメモ
リマツプを示した図である。
リであるROM、RAMのメモリマツプを示した図である。第
４図（ｄ）は、デイスプレイキヤラクタメモリ12のメモ
リマツプを示した図である。
第５図（ａ），（ｂ），第６図は本実施例におけるCP
U10の制御動作を示すフローチヤート図であり、以下第
５図（ａ），（ｂ），第６図を参照して説明する。
U10の制御動作を示すフローチヤート図であり、以下第
５図（ａ），（ｂ），第６図を参照して説明する。
まず第５図（ａ）のstep501において、不図示の電源
がオンされるにともないI/Oポート、内部RAM、デイスプ
レイキヤラクタメモリ12の初期化を行い、そして第４図
（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すメモリ領域がクリアされ
初期化される。
がオンされるにともないI/Oポート、内部RAM、デイスプ
レイキヤラクタメモリ12の初期化を行い、そして第４図
（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すメモリ領域がクリアされ
初期化される。
次にstep502においてCPU内蔵の８チヤンネル（入力）
8bitのA/Dコンバータの起動をかける。
8bitのA/Dコンバータの起動をかける。
ところで本実施例のCPU10はA/D変換後自動的に結果を
保持するレジスターは４個であり、自動的にA/D変換を
行い保持されるチヤンネル数は４チヤンネルであるため
例えばAn0〜An3、An4〜An7の２回に分けてソフト的に処
理をしなければならない（レジスターを８個にしてチヤ
ンネル数を８チヤンネルにすれば２回に分ける必要はな
い）。そこで、step502においてまずAn0〜An3のA/D変換
を起動するものである。又このA/D変換は４チャンネル
の変換毎に割込が発生するためstep503においてA/D割込
をEnableするものである。
保持するレジスターは４個であり、自動的にA/D変換を
行い保持されるチヤンネル数は４チヤンネルであるため
例えばAn0〜An3、An4〜An7の２回に分けてソフト的に処
理をしなければならない（レジスターを８個にしてチヤ
ンネル数を８チヤンネルにすれば２回に分ける必要はな
い）。そこで、step502においてまずAn0〜An3のA/D変換
を起動するものである。又このA/D変換は４チャンネル
の変換毎に割込が発生するためstep503においてA/D割込
をEnableするものである。
次に図面上の説明として少し話は飛ぶが動作としては
連続性があるため第６図のA/D割込処理ルーチンの説明
に入る。200μｓ毎にA/D割込が入って第６図に示すフロ
ーチヤートに処理が移行する。そして第６図step601に
おいてA/D変換されたチヤンネルがAn0〜An3なのかAn4〜
An7なのかの判定を行う。初回であれば第５図（ａ）ste
o502において指定されたAn0〜An3のチャンネルであるた
め、判定はyesとなり第６図step602へ進む。step602に
おいて保持されているAn0〜An3のA/D変換結果を第４図
（ｃ）に示す内部RAMのメモリ領域ADR0〜ADR3へ移し換
える。次にstep603においてAn4〜An7のA/D変換を起動さ
せる。そして、step604においてA/D割込をEnableにし、
step605においてリターン命令を実行し、割込がかかる
以前のプログラムカウンターの値をインクリメントす
る。つまり第５図側のルーチンとしては連続的に処理が
続けられるものである。又第６図step601における判定
がNoであった場合、つまり偶数回目の割込になるAn4〜A
n7がセレクトされていた時である。この時はstep606へ
進み、保持されているAn4〜An7のA/D変換結果を第４図
（ｃ）に示す内部RAMのメモリ領域ADR4〜ADR7へ移し変
える。これらの処理により第４図（ｃ）に示す内部RAM
のメモリ領域ADR0〜ADR7に強誘電液晶パネルの各ポイン
トの温度情報が全て保持されたことになり、それ以降の
温度情報を用いた処理が可能となる。従ってstep607に
おいてはこの事を知らせるため第４図（ｂ）に示す内部
RAM、アドレス０のビツト０の初期An4〜An7のA/D変換終
了フラグ（ADEF）を１にする。
連続性があるため第６図のA/D割込処理ルーチンの説明
に入る。200μｓ毎にA/D割込が入って第６図に示すフロ
ーチヤートに処理が移行する。そして第６図step601に
おいてA/D変換されたチヤンネルがAn0〜An3なのかAn4〜
An7なのかの判定を行う。初回であれば第５図（ａ）ste
o502において指定されたAn0〜An3のチャンネルであるた
め、判定はyesとなり第６図step602へ進む。step602に
おいて保持されているAn0〜An3のA/D変換結果を第４図
（ｃ）に示す内部RAMのメモリ領域ADR0〜ADR3へ移し換
える。次にstep603においてAn4〜An7のA/D変換を起動さ
せる。そして、step604においてA/D割込をEnableにし、
step605においてリターン命令を実行し、割込がかかる
以前のプログラムカウンターの値をインクリメントす
る。つまり第５図側のルーチンとしては連続的に処理が
続けられるものである。又第６図step601における判定
がNoであった場合、つまり偶数回目の割込になるAn4〜A
n7がセレクトされていた時である。この時はstep606へ
進み、保持されているAn4〜An7のA/D変換結果を第４図
（ｃ）に示す内部RAMのメモリ領域ADR4〜ADR7へ移し変
える。これらの処理により第４図（ｃ）に示す内部RAM
のメモリ領域ADR0〜ADR7に強誘電液晶パネルの各ポイン
トの温度情報が全て保持されたことになり、それ以降の
温度情報を用いた処理が可能となる。従ってstep607に
おいてはこの事を知らせるため第４図（ｂ）に示す内部
RAM、アドレス０のビツト０の初期An4〜An7のA/D変換終
了フラグ（ADEF）を１にする。
次にstep608においてAn0〜An3のA/D変換を起動させ、
step604、step605の各処理を行う。これらの事はCPU用
の電源が入っている限り、繰り返し行われる為、第４図
（ｃ）の内部RAMのメモリ領域ADR0〜ADR7には常に新し
い温度情報が保持されているものである。
step604、step605の各処理を行う。これらの事はCPU用
の電源が入っている限り、繰り返し行われる為、第４図
（ｃ）の内部RAMのメモリ領域ADR0〜ADR7には常に新し
い温度情報が保持されているものである。
次に再び第５図（ａ）の説明に戻る。まず第５図
（ａ）step504においては上記において説明した第４図
（ｂ）の内部RAMのアドレス０、ビツト０に割付けられ
たADEFのチエツクを行い、該フラグがセツトされるまで
繰り返しチエツクを行う。そして該フラグのセツトによ
り次のstepへ進む。step505において第４図（ｂ）内部R
AMのアドレス０、ビツト２に割り付けられた画面のクリ
アフラグ（CLF）をセツトし、step506において、第４図
（ｂ）の内部RAMのアドレス０、ビツト１に割り付けら
れた書込フラグ（WRF）のセツトを行なう。この２つの
フラグセツトにより後述する処理により強誘電性液晶表
示素子の初期化が行なわれるものである。
（ａ）step504においては上記において説明した第４図
（ｂ）の内部RAMのアドレス０、ビツト０に割付けられ
たADEFのチエツクを行い、該フラグがセツトされるまで
繰り返しチエツクを行う。そして該フラグのセツトによ
り次のstepへ進む。step505において第４図（ｂ）内部R
AMのアドレス０、ビツト２に割り付けられた画面のクリ
アフラグ（CLF）をセツトし、step506において、第４図
（ｂ）の内部RAMのアドレス０、ビツト１に割り付けら
れた書込フラグ（WRF）のセツトを行なう。この２つの
フラグセツトにより後述する処理により強誘電性液晶表
示素子の初期化が行なわれるものである。
次にstep507〜step512の間で要求に応じて第４図
（ｄ）に示す外部RAMのデイスプレイ、キヤラクタメモ
リ12の内容を書き変える。つまり第５図（ａ）step507
において、第１図に示すキーボード或いは外部機器から
の要求を受け所定タイプで文字情報を入力開始したり、
step505、step506の画面の初期化要求を受けるまで待機
しているものである。従って第４図（ｂ）内部RAM、ア
ドレス０、ビツト１の書込フラグのセツト状態も含む要
求があれば次stepへ進む。step508において前述した第
４図（ｂ）内部RAM、アドレス０、ビツト２の画面クリ
アフラグ（CLF）のチエツクを行う。そして当該CFLがセ
ツトされていればstep509において文字情報をクリアす
るための値０を格納し、上記CFLがセツトされていなけ
れば、所定タイプで入力された文字情報を保持しつつst
ep501へ進む。
（ｄ）に示す外部RAMのデイスプレイ、キヤラクタメモ
リ12の内容を書き変える。つまり第５図（ａ）step507
において、第１図に示すキーボード或いは外部機器から
の要求を受け所定タイプで文字情報を入力開始したり、
step505、step506の画面の初期化要求を受けるまで待機
しているものである。従って第４図（ｂ）内部RAM、ア
ドレス０、ビツト１の書込フラグのセツト状態も含む要
求があれば次stepへ進む。step508において前述した第
４図（ｂ）内部RAM、アドレス０、ビツト２の画面クリ
アフラグ（CLF）のチエツクを行う。そして当該CFLがセ
ツトされていればstep509において文字情報をクリアす
るための値０を格納し、上記CFLがセツトされていなけ
れば、所定タイプで入力された文字情報を保持しつつst
ep501へ進む。
step510においてキヤラクタデータのアドレスデータ
である第４図（ｃ）の強誘電液晶マトリクスのカラム・
アドレス・データ（ACD）と強誘電液晶マトリクスのロ
ウ・アドレス・データ（ARD）を加え、step511におい
て、キヤラクタ・データをACD＋ARD番地のデイスプレイ
・キヤラクタ・メモリ12に記憶する。なおアドレスデー
タは16進法で表わされている。
である第４図（ｃ）の強誘電液晶マトリクスのカラム・
アドレス・データ（ACD）と強誘電液晶マトリクスのロ
ウ・アドレス・データ（ARD）を加え、step511におい
て、キヤラクタ・データをACD＋ARD番地のデイスプレイ
・キヤラクタ・メモリ12に記憶する。なおアドレスデー
タは16進法で表わされている。
次にstep512においてACD＋ARDを加えて番地がデイス
プレイ・キヤラクタメモリ12のエンドアドレス9C3（9C3
＝2500であり50文字×50文字に相当する）かどうかをチ
エツクしエンドアドレスであればstep517に進み、エン
ドアドレスでなければstep513に進む。
プレイ・キヤラクタメモリ12のエンドアドレス9C3（9C3
＝2500であり50文字×50文字に相当する）かどうかをチ
エツクしエンドアドレスであればstep517に進み、エン
ドアドレスでなければstep513に進む。
step513においてACDに１を加え、step514においてキ
ヤラクタデータの入力が50文字分完了したかどうかをAC
Dが32であるかどうかをチエツクすることによって行な
い、ACDが32であればstep515に進み、ACDが32でなけれ
ばstep507に戻ってキヤラクタ・データの入力を行う。
ヤラクタデータの入力が50文字分完了したかどうかをAC
Dが32であるかどうかをチエツクすることによって行な
い、ACDが32であればstep515に進み、ACDが32でなけれ
ばstep507に戻ってキヤラクタ・データの入力を行う。
step515においてACDをクリアし、step516においてARD
に32を加えてstep507に戻る。
に32を加えてstep507に戻る。
強誘電液晶デイスプレイ14の画面分のキヤラクタ・デ
ータの入力が済んでstep512からstep517に進むと、step
517においてACDをstep518でARDを０クリアする。この異
はこれ以降のstepにおいて書込を行う際に第４図（ｄ）
外部RAMのデイスプレイ・キヤラクタ・メモリ12の参照
用アドレスとして用いるため先頭アドレスに値を戻すた
めである。
ータの入力が済んでstep512からstep517に進むと、step
517においてACDをstep518でARDを０クリアする。この異
はこれ以降のstepにおいて書込を行う際に第４図（ｄ）
外部RAMのデイスプレイ・キヤラクタ・メモリ12の参照
用アドレスとして用いるため先頭アドレスに値を戻すた
めである。
次にstep519において、平均温度を求めるため、強誘
電性液晶デイスプレイ14の周辺温度データである第４図
（ｃ）の内部RAMのADR0〜ADR7を用いて演算処理し、そ
の結果となる平均温度データを第４図（ｃ）の内部RAM
のメモリ領域PDへ格納する。又step520においては上記s
tep519により求められた平均温度、データより第４図
（ａ）に示す内部ROMのアドレス800〜BFFに割り付けら
れたΔＴ用タイマーコードを参照しΔＴ用の時間データ
を抽出し、第４図（ｃ）の内部RAMのメモリ領域ΔＴへ
格納する。この温度→ΔＴ変換は第２図（ａ）（ｂ）に
示す強誘電液晶の各温度における駆動周波数・駆動電圧
を示す特性図を参照したものであり、第２図（ａ）に示
す代表的な変換例を下記のTable−１に示す。この例は
駆動電圧70V−定時の変換例である。
電性液晶デイスプレイ14の周辺温度データである第４図
（ｃ）の内部RAMのADR0〜ADR7を用いて演算処理し、そ
の結果となる平均温度データを第４図（ｃ）の内部RAM
のメモリ領域PDへ格納する。又step520においては上記s
tep519により求められた平均温度、データより第４図
（ａ）に示す内部ROMのアドレス800〜BFFに割り付けら
れたΔＴ用タイマーコードを参照しΔＴ用の時間データ
を抽出し、第４図（ｃ）の内部RAMのメモリ領域ΔＴへ
格納する。この温度→ΔＴ変換は第２図（ａ）（ｂ）に
示す強誘電液晶の各温度における駆動周波数・駆動電圧
を示す特性図を参照したものであり、第２図（ａ）に示
す代表的な変換例を下記のTable−１に示す。この例は
駆動電圧70V−定時の変換例である。
又温度検出の分解能としては０℃〜100℃までを８ビ
ツトのA/D変換をかけるため約0.4℃となり、駆動信号の
パルス巾ΔＴの分解能は１μsecとなっており、範囲と
しては１μsec〜65.5msecまでをカバーできるものであ
る。次にstep521ではアドレスデータであるACD＋ARDに
よって示される第４図（ｄ）外部RAMのデイスプレイ・
キヤラクタ・メモリ12の番地から文字情報を第14図
（ａ）の内部ROM、アドレスCOOO〜FFFに割付けられたキ
ヤラクタ・コードを参照しながら所定コードへ変換す
る。
ツトのA/D変換をかけるため約0.4℃となり、駆動信号の
パルス巾ΔＴの分解能は１μsecとなっており、範囲と
しては１μsec〜65.5msecまでをカバーできるものであ
る。次にstep521ではアドレスデータであるACD＋ARDに
よって示される第４図（ｄ）外部RAMのデイスプレイ・
キヤラクタ・メモリ12の番地から文字情報を第14図
（ａ）の内部ROM、アドレスCOOO〜FFFに割付けられたキ
ヤラクタ・コードを参照しながら所定コードへ変換す
る。
次にstep522において上記所定コードを、CPU10に内蔵
のキヤラクタジエネレータによってドツトデータである
コラムデータに変換し、step523において、ACD＋ARDの
アドレスデータと上記コラムデータを第３図のアドレス
デコーダ13−１とコラム・データ回路13−２に出力す
る。
のキヤラクタジエネレータによってドツトデータである
コラムデータに変換し、step523において、ACD＋ARDの
アドレスデータと上記コラムデータを第３図のアドレス
デコーダ13−１とコラム・データ回路13−２に出力す
る。
ここでアドレスデコーダ13−１に出力されたACD＋ARD
のアドレスデータは、アドレスデコーダ13−１によって
コラムデータに対応したアドレスデータに変換される。
つまり１文字分のドツトは32×32ドツトで構成されてお
り、上記ACD＋ARDのアドレスデータは、デイスプレイキ
ヤラクタメモリ12のアドレスに対応した強誘電性液晶デ
イスプレイ14のドツトのアドレスデータであるドツトロ
ウアドレスデータ（ARD′）とドツトコラムアドレスデ
ータ（ACD′）に変換され、ACD′がドライバー13−３、
ARD′がドライバー13−４に出力される。尚、デイスプ
レイ14は縦横両方向に８ドツト/mmで構成されている。
のアドレスデータは、アドレスデコーダ13−１によって
コラムデータに対応したアドレスデータに変換される。
つまり１文字分のドツトは32×32ドツトで構成されてお
り、上記ACD＋ARDのアドレスデータは、デイスプレイキ
ヤラクタメモリ12のアドレスに対応した強誘電性液晶デ
イスプレイ14のドツトのアドレスデータであるドツトロ
ウアドレスデータ（ARD′）とドツトコラムアドレスデ
ータ（ACD′）に変換され、ACD′がドライバー13−３、
ARD′がドライバー13−４に出力される。尚、デイスプ
レイ14は縦横両方向に８ドツト/mmで構成されている。
次にstep524において書き込み命令パルスがCPU10より
アドレスデコーダ13−１に出力される。該書き込み命令
パルスは上記step520でΔＴに格納した時間データに基
づいてΔＴ時間のパルス巾にCPU10によって設定され
る。
アドレスデコーダ13−１に出力される。該書き込み命令
パルスは上記step520でΔＴに格納した時間データに基
づいてΔＴ時間のパルス巾にCPU10によって設定され
る。
アドレスデコーダ13−１は書き込み命令パルスに従っ
てΔＴ時間のパルス巾を持った書き込み信号をドライバ
ー13−3,13−４に出力し、キヤラクタデータの書き込み
を行う。
てΔＴ時間のパルス巾を持った書き込み信号をドライバ
ー13−3,13−４に出力し、キヤラクタデータの書き込み
を行う。
次に第５図（ｂ）のstep525に於いて１文字分のコラ
ムデータの書き込みが行われたかどうか判断し、１文字
の書き込みが終了していなければstep524に戻って書き
込み命令パルスをアドレスデコーダ13−１に出力し、以
後１文字分の書き込みが終了するまで行い１文字の書き
込みが終了するとstep526に進む。
ムデータの書き込みが行われたかどうか判断し、１文字
の書き込みが終了していなければstep524に戻って書き
込み命令パルスをアドレスデコーダ13−１に出力し、以
後１文字分の書き込みが終了するまで行い１文字の書き
込みが終了するとstep526に進む。
上記step525で行う１文字の書き込み終了かどうかの
判断は、１文字分のコラムデータを書き込み終了したと
きにアドレスデコーダからCPU10に出力される書き込み
終了信号をチエツクすることによって行われる。
判断は、１文字分のコラムデータを書き込み終了したと
きにアドレスデコーダからCPU10に出力される書き込み
終了信号をチエツクすることによって行われる。
次にstep526〜step530において、前記のstep512〜ste
p516と同様にアドレスデータであるACD,ARDをインクリ
メントする。
p516と同様にアドレスデータであるACD,ARDをインクリ
メントする。
こうして１画面の全文字が強誘電液晶デイスプレイ14
に書き込まれるまでstep519〜step530が繰り返され全文
字の書き込みが終了するとstep526からstep531に進む。
に書き込まれるまでstep519〜step530が繰り返され全文
字の書き込みが終了するとstep526からstep531に進む。
step531において、CLFをリセツトし、step532におい
てWRFをリセツト、step533,step534でACD,ARDをそれぞ
れ０クリアしstep507に戻って次の要求があるまで待機
状態となる。
てWRFをリセツト、step533,step534でACD,ARDをそれぞ
れ０クリアしstep507に戻って次の要求があるまで待機
状態となる。
以上のように本実施例は強誘電液晶デイスプレイ14の
画面温度を検出し、その温度に応じて書き込み信号のパ
ルス巾を変え駆動制御を行うので温度コントロールのた
めのヒータ等の外部装置を用いる必要がなく装置を簡素
化できコストの低減化を達成できる。
画面温度を検出し、その温度に応じて書き込み信号のパ
ルス巾を変え駆動制御を行うので温度コントロールのた
めのヒータ等の外部装置を用いる必要がなく装置を簡素
化できコストの低減化を達成できる。
又、上述の本実施例の応用として強誘電液晶デイスプ
レイを複数のブロックに分け、そのブロツクごとの平均
温度を検出し、その平均温度に応じてパルス巾を変え駆
動制御を行うことも考えられる。そこで以下に他の実施
例としてブロツクごとの平均温度による強誘電液晶の駆
動制御について説明する。
レイを複数のブロックに分け、そのブロツクごとの平均
温度を検出し、その平均温度に応じてパルス巾を変え駆
動制御を行うことも考えられる。そこで以下に他の実施
例としてブロツクごとの平均温度による強誘電液晶の駆
動制御について説明する。
全体構成としては第１図と第３図の本実施例の場合と
同じである。本実施例の場合と異なる点は、第４図
（ｃ）のPDAn0〜An7の平均温度データが第９図（ａ）の
BPD1（An0,An6,An7の平均温度データ）、BPD2（An4,An
5,An6の平均温度データ）、BPD3（An0,An1,An2の平均温
度データ）、BPD4（An2,An3,An4の平均温度データ）と
なり、第４図（ｄ）のデイスプレイ・キヤラクタメモリ
が第９図（ｂ）に示すBPD1,BPD2,BPD3,BPD4の４つのブ
ロツクに分けられる。
同じである。本実施例の場合と異なる点は、第４図
（ｃ）のPDAn0〜An7の平均温度データが第９図（ａ）の
BPD1（An0,An6,An7の平均温度データ）、BPD2（An4,An
5,An6の平均温度データ）、BPD3（An0,An1,An2の平均温
度データ）、BPD4（An2,An3,An4の平均温度データ）と
なり、第４図（ｄ）のデイスプレイ・キヤラクタメモリ
が第９図（ｂ）に示すBPD1,BPD2,BPD3,BPD4の４つのブ
ロツクに分けられる。
第10図（ａ），（ｂ）は、強誘電液晶デイスプレイ
を、複数のブロツクに分け、そのブロツク毎の平均温度
に応じてパルス巾を変え強誘電液晶デイスプレイを駆動
制御する場合のCPU10の制御動作を示すフローチヤート
図である。
を、複数のブロツクに分け、そのブロツク毎の平均温度
に応じてパルス巾を変え強誘電液晶デイスプレイを駆動
制御する場合のCPU10の制御動作を示すフローチヤート
図である。
step′501〜step′518までは第５図（ａ）のstep501
〜step518までと同じであるので説明は省略する。又第
６図A/D変換割込みルーチンも、この他の実施例の場合
も200μｓ単位で割り込み発生する。
〜step518までと同じであるので説明は省略する。又第
６図A/D変換割込みルーチンも、この他の実施例の場合
も200μｓ単位で割り込み発生する。
step′519において第９図（ａ）内部RAMのADR0,ADR6,
ADR7の温度データの平均値をBPD1へ格納する。step′52
0において第９図（ａ）の内部RAMのADR4,ADR5,ADR6の温
度データの平均地をBPD2へ格納する。step′521におい
て第９図（ａ）の内部RAMのADR0,ADR1,ADR2の温度デー
タの平均値をBPD3へ格納する。そしてstep′522におい
て第９図（ａ）の内部RAMのADR2,ADR3,ADR4の温度デー
タの平均値をBPD4へ格納する。
ADR7の温度データの平均値をBPD1へ格納する。step′52
0において第９図（ａ）の内部RAMのADR4,ADR5,ADR6の温
度データの平均地をBPD2へ格納する。step′521におい
て第９図（ａ）の内部RAMのADR0,ADR1,ADR2の温度デー
タの平均値をBPD3へ格納する。そしてstep′522におい
て第９図（ａ）の内部RAMのADR2,ADR3,ADR4の温度デー
タの平均値をBPD4へ格納する。
次にstep′523においてARDとACDのアドレスデータよ
りキヤラクタデータが上記BPD1〜BPD4のどのブロツクに
存しているかを選択し、step′524においてキヤラクタ
データが存在しているブロツクの平均温度データを本実
施例の場合と同様に時間データに変換してΔＴに格納す
る。以下のstep′525〜step′538までは第５図（ａ），
（ｂ）のstep521〜step534までと同様に行い、そのブロ
ツクの平均温度データに応じて書き込み信号のパルス巾
が変えられ、強誘電液晶デイスプレイの駆動制御が行わ
れる。
りキヤラクタデータが上記BPD1〜BPD4のどのブロツクに
存しているかを選択し、step′524においてキヤラクタ
データが存在しているブロツクの平均温度データを本実
施例の場合と同様に時間データに変換してΔＴに格納す
る。以下のstep′525〜step′538までは第５図（ａ），
（ｂ）のstep521〜step534までと同様に行い、そのブロ
ツクの平均温度データに応じて書き込み信号のパルス巾
が変えられ、強誘電液晶デイスプレイの駆動制御が行わ
れる。
この様に表示面の所定領域毎に平均値化された温度デ
ータに従って書き込み信号のパルス巾を変えて強誘電液
晶デイスプレイの駆動制御するのでより制度の高い表示
駆動装置を提供できる。
ータに従って書き込み信号のパルス巾を変えて強誘電液
晶デイスプレイの駆動制御するのでより制度の高い表示
駆動装置を提供できる。
尚、本実施例においては強誘電液晶を用いた表示素子
を例に説明したが、スイツチングの閾値が温度依存性を
有し、しかも書き込み駆動信号のパルス巾がスイツチン
グに寄与する表示素子には全て適用可能である。
を例に説明したが、スイツチングの閾値が温度依存性を
有し、しかも書き込み駆動信号のパルス巾がスイツチン
グに寄与する表示素子には全て適用可能である。
以上説明した様に本発明によって閾値の温度依存性の
大きい表示素子を駆動する際にヒーター等による温度コ
ントロールをする必要がなくなり、又、駆動信号の電圧
を変える必要もなくなることによって装置が簡素化でき
コストの低減化を達成できる。
大きい表示素子を駆動する際にヒーター等による温度コ
ントロールをする必要がなくなり、又、駆動信号の電圧
を変える必要もなくなることによって装置が簡素化でき
コストの低減化を達成できる。
又、表示素子の駆動回路は本実施例のドライバー部に
限らず、例えば一定周期で走査しその走査に同期いてド
ツトデータを表示させるものでもよい。
限らず、例えば一定周期で走査しその走査に同期いてド
ツトデータを表示させるものでもよい。
以上説明した実施例はCPU10が温度センサーからの温
度データに応じて駆動信号のパルス巾ΔＴを選択するも
のである。
度データに応じて駆動信号のパルス巾ΔＴを選択するも
のである。
次に第３図の実施例として温度に応じて駆動信号のパ
ルス巾、駆動信号の電圧を変えることについてより詳細
に説明する。
ルス巾、駆動信号の電圧を変えることについてより詳細
に説明する。
第11図、第12図は高温（Ｔ＞T0）においてパルス巾Δ
Ｔを250μｓ低温（Ｔ＜T0）においてΔＴを500μｓと２
段階にパルス巾を切換える構成を示したものである。切
換温度T0は以下に述べる基準電圧Vrefにより調整でき
る。本実施例ではT0＝10℃に設定している。
Ｔを250μｓ低温（Ｔ＜T0）においてΔＴを500μｓと２
段階にパルス巾を切換える構成を示したものである。切
換温度T0は以下に述べる基準電圧Vrefにより調整でき
る。本実施例ではT0＝10℃に設定している。
第11図は、切換温度T0以上か、或いはT0以下でパルス
巾ΔＴを切換える場合の構成を示していたブロツク図で
ある。
巾ΔＴを切換える場合の構成を示していたブロツク図で
ある。
第11図において強誘電液晶デイスプレイに取付けた温
度検出器Thの出力がコンパレータ23に入力され、この入
力電圧Vtempが予め設定した電圧Vrefより高ければコン
パレータ23の出力は （Ｔ10℃） Ｖ＝HIGH,＝LOWになり、 Vrefより低ければ（Ｔ10℃） Ｖ＝LOW,＝HIGHになる。
度検出器Thの出力がコンパレータ23に入力され、この入
力電圧Vtempが予め設定した電圧Vrefより高ければコン
パレータ23の出力は （Ｔ10℃） Ｖ＝HIGH,＝LOWになり、 Vrefより低ければ（Ｔ10℃） Ｖ＝LOW,＝HIGHになる。
これに従ってゲート回路24,25,26によりコントロール
回路22の制御クロツクφ0は2KHzまたは1KHzになる。な
おＰ−フリツプフロツプ27は、2KHzのクロツクの分周し
1KHzのクロツクとして出力する為のものである。
回路22の制御クロツクφ0は2KHzまたは1KHzになる。な
おＰ−フリツプフロツプ27は、2KHzのクロツクの分周し
1KHzのクロツクとして出力する為のものである。
コントロール回路22の制御クロツクφ0が2KHzの場合
ドライバー20,21の出力ΔＴが250μｓになり、制御クロ
ツクφ0が1KHzの場合ドライバー20,21の出力ΔＴが500
μになる。
ドライバー20,21の出力ΔＴが250μｓになり、制御クロ
ツクφ0が1KHzの場合ドライバー20,21の出力ΔＴが500
μになる。
次に第12図，第13図に基づいてコントロール回路22に
よるドライバー20,21の制御について説明する。
よるドライバー20,21の制御について説明する。
信号側ドライバー20はシフトレジスタ20−１、ラツチ
20−２、アンプ20−３の３段から構成されており、これ
は通常の液晶ドライバーと大差はない。φIはシフトレ
ジスタ20−１のシフトクロツクであり、これに同期して
画像データがコントロール回路から信号側ドライバー20
にシリアルに転送される。強誘電液晶デイスプレイの１
ライン分のデータ転移が終了した時点でラツチパルスφ
Lがコントロール回路22から出力され、シフトレジスタ2
0−１に蓄積されていた画像データがラツチ20−２にラ
ツチされ、アンプ20−３に伝えられる。これを受けたア
ンプ20−３はコントロール回路22から出力される３相ク
ロツクφA，φB，φCに基づいてIjの駆動パルスをつく
りデイスプレイの信号電極に出力する。この場合φA＝
φB＝φCであり、この３相クロツクφA，φB，φCによ
って駆動パルスのパルス巾が決定されることになる。
20−２、アンプ20−３の３段から構成されており、これ
は通常の液晶ドライバーと大差はない。φIはシフトレ
ジスタ20−１のシフトクロツクであり、これに同期して
画像データがコントロール回路から信号側ドライバー20
にシリアルに転送される。強誘電液晶デイスプレイの１
ライン分のデータ転移が終了した時点でラツチパルスφ
Lがコントロール回路22から出力され、シフトレジスタ2
0−１に蓄積されていた画像データがラツチ20−２にラ
ツチされ、アンプ20−３に伝えられる。これを受けたア
ンプ20−３はコントロール回路22から出力される３相ク
ロツクφA，φB，φCに基づいてIjの駆動パルスをつく
りデイスプレイの信号電極に出力する。この場合φA＝
φB＝φCであり、この３相クロツクφA，φB，φCによ
って駆動パルスのパルス巾が決定されることになる。
一方走査側ドライバー21はシフトレジスタ21−１とア
ンプ21−１の２段から構成されており、これも通常の液
晶ドライバーと基本的に同じである。シフトレジスタ21
−１のシフトクロツクφSは信号側ドライバー20のラツ
チパルスφLと共通であり、データが１ライン分転送さ
れ終ったと同時に選択走査線が１ラインずつシフトす
る。選択走査線のアンプ21−２は信号側ドライバー20と
同じクロツクφA，φB，φCに従ってSiの駆動パルスを
つくりデイスプレイの走査電極に出力する。走査側ドラ
イバー21の駆動パルスも信号側ドライバー20同様に３相
クロツクφA，φB，φCによってパルス巾が決定され
る。
ンプ21−１の２段から構成されており、これも通常の液
晶ドライバーと基本的に同じである。シフトレジスタ21
−１のシフトクロツクφSは信号側ドライバー20のラツ
チパルスφLと共通であり、データが１ライン分転送さ
れ終ったと同時に選択走査線が１ラインずつシフトす
る。選択走査線のアンプ21−２は信号側ドライバー20と
同じクロツクφA，φB，φCに従ってSiの駆動パルスを
つくりデイスプレイの走査電極に出力する。走査側ドラ
イバー21の駆動パルスも信号側ドライバー20同様に３相
クロツクφA，φB，φCによってパルス巾が決定され
る。
なお３相クロツクφA，φB，φCに基づいて駆動信号
を出力する点については、強誘電液晶デイスプレイの温
度に応じて駆動信号の電圧を変える実施例で説明する。
を出力する点については、強誘電液晶デイスプレイの温
度に応じて駆動信号の電圧を変える実施例で説明する。
又、第11図では駆動信号のパルス巾ΔＴを温度に応じ
て２段階に切換える構成を示したが、パルス巾ΔＴを温
度に応じてもっと細かく切換えることもできる。
て２段階に切換える構成を示したが、パルス巾ΔＴを温
度に応じてもっと細かく切換えることもできる。
例えば、第14図は駆動信号のパルス巾を温度に応じて
３段階に切換える構成を示した図である。
３段階に切換える構成を示した図である。
第14図ではＤ−フリツプフロツプ27,34によつてクロ
ツクを２段階に分周する。そして温度検出器Thの電圧値
をA/Dコンバータ28でデジタルデータに変換し、そのデ
ジタルデータをデコーダ29で解読する。そしてその解読
結果に従ってゲート回路30,31,32,33により３種類のク
ロツクを選択する。
ツクを２段階に分周する。そして温度検出器Thの電圧値
をA/Dコンバータ28でデジタルデータに変換し、そのデ
ジタルデータをデコーダ29で解読する。そしてその解読
結果に従ってゲート回路30,31,32,33により３種類のク
ロツクを選択する。
次に、第15図（ａ）（ｂ）は駆動信号のパルス巾を温
度に応じて自動的に連続可変にする構成を示した図であ
る。
度に応じて自動的に連続可変にする構成を示した図であ
る。
第15図（ｂ）は第15図（ａ）の電圧制御発振器VCOの
回路構成を示した図である。
回路構成を示した図である。
第15図（ｃ）は温度Ｔとダイオード順方向電圧VFの関
係を示した図であり、第15図（ｄ）は温度Ｔとクロツク
周波数0の関係を示した図であり、第15図（ｅ）は温
度Ｔと駆動信号のパルス巾ΔＴの関係を示した図であ
る。
係を示した図であり、第15図（ｄ）は温度Ｔとクロツク
周波数0の関係を示した図であり、第15図（ｅ）は温
度Ｔと駆動信号のパルス巾ΔＴの関係を示した図であ
る。
第15図（ａ）（ｂ）では温度検出器Thとしてダイオー
ドを用いており、その温度特性は第15図（ｃ）に示す通
りである。このダイオードの温度特性を利用して電圧制
御発振器VCOによりクロツクをデイスプレイの温度に応
じて自動的に変化させる。
ドを用いており、その温度特性は第15図（ｃ）に示す通
りである。このダイオードの温度特性を利用して電圧制
御発振器VCOによりクロツクをデイスプレイの温度に応
じて自動的に変化させる。
第15図（ｃ）より明らかな様にデイスプレイの温度Ｔ
が上昇するとダイオード（温度検出器Th）の順方向電圧
VFが小さくなる。VFが大きいとトランジスタQ2のコレク
タ電流は増加し抵抗R1での電圧降下が大きくなり、Ａ点
の電位は下っていく。逆にVFが小さくなるとトランジス
タQ2のコレクタ電流が減少しＡ点の電位は上っていく。
が上昇するとダイオード（温度検出器Th）の順方向電圧
VFが小さくなる。VFが大きいとトランジスタQ2のコレク
タ電流は増加し抵抗R1での電圧降下が大きくなり、Ａ点
の電位は下っていく。逆にVFが小さくなるとトランジス
タQ2のコレクタ電流が減少しＡ点の電位は上っていく。
又、この電圧制御発振器VCOは可変容量コンデンサ
（バリキヤツプ）VcとインタクタンスＬの共振周波数で
発振し、このVcとＬの値周波数が定まる。Vcの容量は電
圧依存であり、Ａ点の電位が変化すれば共振周波数が変
わり、従ってクロツク周波数が変化する。このようにし
て得られるクロツクの周波数と温度Ｔとの関係を示した
図が第15図（ｄ）である。
（バリキヤツプ）VcとインタクタンスＬの共振周波数で
発振し、このVcとＬの値周波数が定まる。Vcの容量は電
圧依存であり、Ａ点の電位が変化すれば共振周波数が変
わり、従ってクロツク周波数が変化する。このようにし
て得られるクロツクの周波数と温度Ｔとの関係を示した
図が第15図（ｄ）である。
なお、第15図（ｂ）において抵抗R1、R2は、差動増巾
回路35の差動利得を決定する為の抵抗であり、抵抗R3は
トランジスタQ1、Q2のエミツタ電流制限抵抗、トランジ
スタQ3は定電流源、抵抗R4、R5はトランジスタQ3のバイ
アス抵抗、抵抗R6はダイオード電流制限抵抗、抵抗R7は
コンデンサVcのリーク電流を押える為の抵抗、C1、C2は
PC（直流）カツトコンデンサ、抵抗R8はトランジスタQ4
のバイアス抵抗、抵抗R7はトランジスタQ4の電流制限抵
抗と振幅波形を得る為の抵抗である。
回路35の差動利得を決定する為の抵抗であり、抵抗R3は
トランジスタQ1、Q2のエミツタ電流制限抵抗、トランジ
スタQ3は定電流源、抵抗R4、R5はトランジスタQ3のバイ
アス抵抗、抵抗R6はダイオード電流制限抵抗、抵抗R7は
コンデンサVcのリーク電流を押える為の抵抗、C1、C2は
PC（直流）カツトコンデンサ、抵抗R8はトランジスタQ4
のバイアス抵抗、抵抗R7はトランジスタQ4の電流制限抵
抗と振幅波形を得る為の抵抗である。
次にデイスプレイの温度に応じて駆動信号の電圧を自
動的に可変とする実施例について説明する。
動的に可変とする実施例について説明する。
第16図（ａ）はデイスプレイの温度に応じて駆動信号
の電圧を可変とする構成を示した図である。
の電圧を可変とする構成を示した図である。
第16図（ａ）も第15図（ａ）、（ｂ）と同様に温度検
出器Thにダイオードを用いている。この第16図（ａ）も
第15図（ｃ）のダイオードの温度特性を利用してコンパ
レータA1〜A5にかかる電圧VP-Pの調整器であるトランジ
スタQ4のベース電位を差動増巾回路によって作り出す。
そしてこのベース電位をトランジスタQ4のVP-P調整信号
として用い、デイスプレイの温度変化を駆動パルス電圧
に変換する。
出器Thにダイオードを用いている。この第16図（ａ）も
第15図（ｃ）のダイオードの温度特性を利用してコンパ
レータA1〜A5にかかる電圧VP-Pの調整器であるトランジ
スタQ4のベース電位を差動増巾回路によって作り出す。
そしてこのベース電位をトランジスタQ4のVP-P調整信号
として用い、デイスプレイの温度変化を駆動パルス電圧
に変換する。
第16図（ｂ）はデイスプレイの温度ＴとVP-P（液晶最
大印加電圧）の関係を示した図である。
大印加電圧）の関係を示した図である。
第16図（ａ）において、トランジスタQ4をコレクタ接
地することによって点の電位と点の電位がほぼ同じ
になる。ここでVP-Pが変動してもV1、V3、VC、V4、V2の
比率関係が一定になる様にR9〜R12の抵抗値をR9：R10：
R11：R12＝1:1:1:1の比率に設定する。これによって設
定されたV1、V3、VC、V4、V2をオペアンプA1〜A5でボル
テージフオロワ構成し、走査側ドライバー40のスイツチ
回路40−３、信号側ドライバー41のスイツチ回路41−３
にそれぞれ（V1、VC、V2）（V3、VC、V4）を供給する。
地することによって点の電位と点の電位がほぼ同じ
になる。ここでVP-Pが変動してもV1、V3、VC、V4、V2の
比率関係が一定になる様にR9〜R12の抵抗値をR9：R10：
R11：R12＝1:1:1:1の比率に設定する。これによって設
定されたV1、V3、VC、V4、V2をオペアンプA1〜A5でボル
テージフオロワ構成し、走査側ドライバー40のスイツチ
回路40−３、信号側ドライバー41のスイツチ回路41−３
にそれぞれ（V1、VC、V2）（V3、VC、V4）を供給する。
制御回路42は第16図（ｃ）に示す所要の駆動信号波形
を得るための走査側、信号側のドライバー40、41の出力
波形発生回路40−１、41−１へ制御信号を送る。出力波
形発生回路40−１、41−１では制御回路42からの制御信
号に基づいて出力電位の選択データを作り、これをスイ
ツチ駆動回路40−２、41−２に出力する。スイツチ駆動
回路40−２、41−２は選択データに従ってスイツチ回路
40−３、41−３を駆動しスイツチを選択する。これによ
って第16図（ｃ）の走査線１、２或いは信号線ｎに示す
駆動信号が出力されることになる。なお駆動信号のt1、
t2、t3の時間巾は第11図、第12図、第14図で上述したク
ロツクφA、φB、φCによって決定されるものであり、
本実施例ではt1＝t2＝t3と設定されている。
を得るための走査側、信号側のドライバー40、41の出力
波形発生回路40−１、41−１へ制御信号を送る。出力波
形発生回路40−１、41−１では制御回路42からの制御信
号に基づいて出力電位の選択データを作り、これをスイ
ツチ駆動回路40−２、41−２に出力する。スイツチ駆動
回路40−２、41−２は選択データに従ってスイツチ回路
40−３、41−３を駆動しスイツチを選択する。これによ
って第16図（ｃ）の走査線１、２或いは信号線ｎに示す
駆動信号が出力されることになる。なお駆動信号のt1、
t2、t3の時間巾は第11図、第12図、第14図で上述したク
ロツクφA、φB、φCによって決定されるものであり、
本実施例ではt1＝t2＝t3と設定されている。
また、第16図（ａ）の差動増巾回路43は第15図（ｂ）
の差動増巾回路35と同様の動作を行う。
の差動増巾回路35と同様の動作を行う。
以上説明した様に本実施例ではデイスプレイの温度に
応じて走査側ドライバー、信号側ドライバーの両方の駆
動信号のパルス巾、或いは電圧を可変としている。従っ
て走査側ドライバー或いは信号側ドライバーの片方の駆
動信号のパルス巾や電圧を変えるものに比べて両方のパ
ルス巾を変えるので高速に駆動信号のパルス巾を変える
ことが出来、又、両方の駆動信号の電圧を変えるので高
速にしかも濃度の変化による大きい電圧差にも対応する
ことが出来、デイスプレイの温度に応じた制御が効率的
に行うことが可能となる。
応じて走査側ドライバー、信号側ドライバーの両方の駆
動信号のパルス巾、或いは電圧を可変としている。従っ
て走査側ドライバー或いは信号側ドライバーの片方の駆
動信号のパルス巾や電圧を変えるものに比べて両方のパ
ルス巾を変えるので高速に駆動信号のパルス巾を変える
ことが出来、又、両方の駆動信号の電圧を変えるので高
速にしかも濃度の変化による大きい電圧差にも対応する
ことが出来、デイスプレイの温度に応じた制御が効率的
に行うことが可能となる。
又、本発明は上述した実施例に限らず種々の変形が可
能である。
能である。
［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、温度に応じて走
査側ドライバー、信号側ドライバーの駆動信号のパルス
巾を変更するとき、複数の表示領域毎に温度を検出し、
検出したそれぞれの温度に基づいて、それぞれの領域の
表示を行う為のパルス巾を変更するため、精度の高い駆
動制御を行うことができる。
査側ドライバー、信号側ドライバーの駆動信号のパルス
巾を変更するとき、複数の表示領域毎に温度を検出し、
検出したそれぞれの温度に基づいて、それぞれの領域の
表示を行う為のパルス巾を変更するため、精度の高い駆
動制御を行うことができる。
第１図は本実施例の全体構成を示すブロツク図である。 第２図（ａ），（ｂ）は強誘電液晶の図示する各温度に
おける駆動周波数・駆動電圧を示す特性図である。 第３図は強誘電液晶のドライバー部13の詳細なブロツク
図である。 第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）はCPU10の内部ROM,RAMの
メモリマツプを示す図である。 第４図（ｄ）はデイスプレイキヤラクタメモリ12を示し
た図である。 第５図（ａ），（ｂ）は本実施例のCPU10の制御を示す
フローチヤート図である。 第６図はA/D変換割込処理ルーチンを示した図である。 第７図，第８図は強誘電液晶の概念図である。 第９図（ａ）は他の実施例のCPU10の内部RAMのメモリ内
容を示す図である。 第９図（ｂ）は他の実施例のデイスプレイキヤラクタメ
モリを示した図である。 第10図（ａ），（ｂ）は他の実施例のCPU10の制御を示
すフローチヤート図である。 第11図は温度に応じてパルス巾を変える構成を示したブ
ロツク図である。 第12図，第13図は第11図のタイムチヤートを示した図で
ある。 第14図は第11図の変形例を示した図である。 第15図（ａ），（ｂ）は温度に応じて自動的にクロツク
周波数を変える構成を示した図である。 第15図（ｃ）はダイオードの温度特性図である。 第15図（ｄ）は温度Ｔとクロツク周波数φ0の関係を示
した図である。 第15図（ｅ）は温度Ｔと駆動パルス巾ΔＴの関係を示し
た図である。 第16図（ａ）は温度に応じて駆動信号の電圧を変える構
成を示したブロツク図である。 第16図（ｂ）は温度Ｔと液晶最大印加電圧VP-Pの関係を
示した図である。 第16図（ｃ）は第16図（ａ）のタイムチヤート図であ
る。 10はCPU、11はキーボードor外部機器、12はデイスプレ
イキヤラクタメモリ、13はドライバー、14は強誘電液晶
デイスプレイである。
おける駆動周波数・駆動電圧を示す特性図である。 第３図は強誘電液晶のドライバー部13の詳細なブロツク
図である。 第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）はCPU10の内部ROM,RAMの
メモリマツプを示す図である。 第４図（ｄ）はデイスプレイキヤラクタメモリ12を示し
た図である。 第５図（ａ），（ｂ）は本実施例のCPU10の制御を示す
フローチヤート図である。 第６図はA/D変換割込処理ルーチンを示した図である。 第７図，第８図は強誘電液晶の概念図である。 第９図（ａ）は他の実施例のCPU10の内部RAMのメモリ内
容を示す図である。 第９図（ｂ）は他の実施例のデイスプレイキヤラクタメ
モリを示した図である。 第10図（ａ），（ｂ）は他の実施例のCPU10の制御を示
すフローチヤート図である。 第11図は温度に応じてパルス巾を変える構成を示したブ
ロツク図である。 第12図，第13図は第11図のタイムチヤートを示した図で
ある。 第14図は第11図の変形例を示した図である。 第15図（ａ），（ｂ）は温度に応じて自動的にクロツク
周波数を変える構成を示した図である。 第15図（ｃ）はダイオードの温度特性図である。 第15図（ｄ）は温度Ｔとクロツク周波数φ0の関係を示
した図である。 第15図（ｅ）は温度Ｔと駆動パルス巾ΔＴの関係を示し
た図である。 第16図（ａ）は温度に応じて駆動信号の電圧を変える構
成を示したブロツク図である。 第16図（ｂ）は温度Ｔと液晶最大印加電圧VP-Pの関係を
示した図である。 第16図（ｃ）は第16図（ａ）のタイムチヤート図であ
る。 10はCPU、11はキーボードor外部機器、12はデイスプレ
イキヤラクタメモリ、13はドライバー、14は強誘電液晶
デイスプレイである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭49−11494（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−22156（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−123825（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−296126（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−55491（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】表示を行うための表示手段と、 上記表示手段の複数の領域の温度を、それぞれ検出する
検出手段と、 上記表示手段を走査するための走査信号を出力する走査
手段と、 上記表示手段にデータ信号を出力するための信号出力手
段と、 表示を行うべく上記走査手段と上記信号出力手段とを制
御する制御手段と、 前記複数のそれぞれの領域に対応した温度に基づき、各
領域に表示するための前記走査信号と前記データ信号と
のパルス巾を変更する変更手段と を備えたことを特徴とする駆動装置。 - 【請求項２】前記複数の領域の温度は、複数の箇所の温
度の平均値を求めることにより検出することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212183A JP2507713B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212183A JP2507713B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365425A JPS6365425A (ja) | 1988-03-24 |
| JP2507713B2 true JP2507713B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=16618292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212183A Expired - Fee Related JP2507713B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507713B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007298957A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-11-15 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置、及び画像表示方法 |
| US7420538B2 (en) | 2003-12-03 | 2008-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and driving device thereof, and method for driving liquid crystal display device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903251A (en) * | 1996-01-29 | 1999-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal apparatus that changes a voltage level of a correction pulse based on a detected temperature |
| JP2008191386A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | 表示駆動装置、表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219958B2 (ja) * | 1972-06-16 | 1977-05-31 | ||
| JPS5219956B2 (ja) * | 1972-05-30 | 1977-05-31 | ||
| JPS60123825A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示素子 |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP61212183A patent/JP2507713B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7420538B2 (en) | 2003-12-03 | 2008-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and driving device thereof, and method for driving liquid crystal display device |
| JP2007298957A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-11-15 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置、及び画像表示方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6365425A (ja) | 1988-03-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |