JPS61244094A - 多層配線板の製造方法 - Google Patents
多層配線板の製造方法Info
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- JPS61244094A JPS61244094A JP8442385A JP8442385A JPS61244094A JP S61244094 A JPS61244094 A JP S61244094A JP 8442385 A JP8442385 A JP 8442385A JP 8442385 A JP8442385 A JP 8442385A JP S61244094 A JPS61244094 A JP S61244094A
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- Japan
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- conductor path
- wiring board
- insulating
- multilayer wiring
- coating film
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、配線板の製造方法に係わり、I!#に導体路
を2層以上有する多層配線板の製造方法に関する。
を2層以上有する多層配線板の製造方法に関する。
従来、2層の導電回路を有するプリント配線板としては
、スルーホール両面印刷配線板が広く用いられている。
、スルーホール両面印刷配線板が広く用いられている。
この配線板は第3図(&)〜(f)に示す工程によって
製造される。即ち、第3図(a)に示す如き比較的板厚
の厚い(通常1〜1.60厚)樹脂絶縁板21の雨間に
金属箔22を張シ合せた両面金属箔積層板に、同図(b
)に示す如く導通用穴23を設け、さらに化学鋼メッキ
や電気鋼メッキ等により同図(c)に示す如く両面導通
メッキ層24を形成する。次いで、第3図(d)に示す
如く所定の導電回路の形状にエツチングレジスト25を
印刷すると共に、導通穴23にもエツチングレジスト2
5を圧入して導通用穴23を埋める。続いて、第3図(
e)に示す如く露出している両面導通メッキ層24及び
金属箔22をエツチングし、その後同図(f)に示す如
くエツチングレジスト25を除去して導電回路26.2
6’を形成する。
製造される。即ち、第3図(a)に示す如き比較的板厚
の厚い(通常1〜1.60厚)樹脂絶縁板21の雨間に
金属箔22を張シ合せた両面金属箔積層板に、同図(b
)に示す如く導通用穴23を設け、さらに化学鋼メッキ
や電気鋼メッキ等により同図(c)に示す如く両面導通
メッキ層24を形成する。次いで、第3図(d)に示す
如く所定の導電回路の形状にエツチングレジスト25を
印刷すると共に、導通穴23にもエツチングレジスト2
5を圧入して導通用穴23を埋める。続いて、第3図(
e)に示す如く露出している両面導通メッキ層24及び
金属箔22をエツチングし、その後同図(f)に示す如
くエツチングレジスト25を除去して導電回路26.2
6’を形成する。
しかしながら、この種の配線板にあっては次のような問
題があった。即ち、スルーホール形成、レジストの塗布
及び除去、さらにはメッキ層のエツチング等の工程が必
要となり、その製造工程が複雑である。また、厚い絶縁
板21に両面導通メ゛ ツキ層24を設けるので絶縁板
21の板厚方向の寸法変化、特に熱膨張を考慮してメッ
キ厚は25〔μm3以上にする必要があり、且つ物理的
延性の良好なメッキ層を形成するためには高度なメッキ
技術が要求される。また、導通用穴壁のメッキ層をエツ
チングレジスト25の埋め込みで保護しているが、保護
を確実にするためにエツチングレジスト250種類、埋
め込み法、硬化法等考慮すべき要因が多く、これが性能
及び信頼性を低下させる要因となっている。
題があった。即ち、スルーホール形成、レジストの塗布
及び除去、さらにはメッキ層のエツチング等の工程が必
要となり、その製造工程が複雑である。また、厚い絶縁
板21に両面導通メ゛ ツキ層24を設けるので絶縁板
21の板厚方向の寸法変化、特に熱膨張を考慮してメッ
キ厚は25〔μm3以上にする必要があり、且つ物理的
延性の良好なメッキ層を形成するためには高度なメッキ
技術が要求される。また、導通用穴壁のメッキ層をエツ
チングレジスト25の埋め込みで保護しているが、保護
を確実にするためにエツチングレジスト250種類、埋
め込み法、硬化法等考慮すべき要因が多く、これが性能
及び信頼性を低下させる要因となっている。
本発明の目的は、簡単な工程で信頼性の高い多層配線板
を製造することができ、且つ少量多品種(2)J!11
造にも十分対応できる多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
を製造することができ、且つ少量多品種(2)J!11
造にも十分対応できる多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
本発明の骨子は、金属元素を含む有機高分子からなる絶
縁性塗膜に、エネルギービームに対して透過性のある基
体を通して裏面からエネルギービームを照射することに
より導体路を形成し、この導体路を多層配線板の一つの
導体路として用いることにある。
縁性塗膜に、エネルギービームに対して透過性のある基
体を通して裏面からエネルギービームを照射することに
より導体路を形成し、この導体路を多層配線板の一つの
導体路として用いることにある。
即ち本発明は、多層配線板を製造する方法において、エ
ネルギービームに対して透過性のある基体上に塗布した
金属元素を含む有機高分子からなる絶縁性塗膜上に第一
の導体路を形成し、次いで所望する第2の導体路パター
ンに応じて基体を通して裏面から上記絶縁性IkM裏部
にエネルギービームを照射し、該照射部における金属成
分を相互に融着せしめて、第2の導体路を形成し、且つ
この導体路を前記第1の導体路と接続するようにした方
法である。
ネルギービームに対して透過性のある基体上に塗布した
金属元素を含む有機高分子からなる絶縁性塗膜上に第一
の導体路を形成し、次いで所望する第2の導体路パター
ンに応じて基体を通して裏面から上記絶縁性IkM裏部
にエネルギービームを照射し、該照射部における金属成
分を相互に融着せしめて、第2の導体路を形成し、且つ
この導体路を前記第1の導体路と接続するようにした方
法である。
以下、本発明の詳細を図をもって説明する。
第1図(a)〜(d)及び第2図(a)〜(ωは本発明
の実施例に係わる多層配線板の製造工程を示す断面図で
おる。tず、第1図(a)に示す如く、エネルギービー
ムに対して透過性のある絶縁性基体上11上に金属元素
を含む有機高分子体からなる絶縁性塗膜12を塗布形成
する。ここで、絶縁性基体11には、ガラス、石英サフ
ァイヤ、樹脂系絶縁体等を用いることができる。絶縁性
塗膜12の具体的な組成については後述するが、エネル
ギービームが照射された部位のみ金属層が析出し、他の
部位は絶縁性が確保されているものである。
の実施例に係わる多層配線板の製造工程を示す断面図で
おる。tず、第1図(a)に示す如く、エネルギービー
ムに対して透過性のある絶縁性基体上11上に金属元素
を含む有機高分子体からなる絶縁性塗膜12を塗布形成
する。ここで、絶縁性基体11には、ガラス、石英サフ
ァイヤ、樹脂系絶縁体等を用いることができる。絶縁性
塗膜12の具体的な組成については後述するが、エネル
ギービームが照射された部位のみ金属層が析出し、他の
部位は絶縁性が確保されているものである。
次いで、第1図缶)K示す如く、絶縁性塗膜上に第1の
導体路13を形成する。導体路13の形成方法としては
、樹脂系導体ペースト、例えばAgペースト、Cuペー
スト、N1ペースIt−、印刷し、焼付けする。あるい
は、後述するl1c2の導体形成と同様に、エネルギー
ビーム照射して第2図(b)に示す如く第1の導体路1
4を形成してもよい。
導体路13を形成する。導体路13の形成方法としては
、樹脂系導体ペースト、例えばAgペースト、Cuペー
スト、N1ペースIt−、印刷し、焼付けする。あるい
は、後述するl1c2の導体形成と同様に、エネルギー
ビーム照射して第2図(b)に示す如く第1の導体路1
4を形成してもよい。
次いで、第1図(c)に示す様に形成すべき第2の導体
路パターンに応じて、絶縁性基体11の裏面から、絶縁
性基体を通して、絶縁性塗膜12にエネルギービーム1
5を照射し走査することで%第2の導体路16を形成す
る。第2の導体路16を第1の導体路13と接続すべき
部位では、電気的接続がとれるようになるまで深さ方向
にエネルギービーム15を当てる。ここで、エネルギー
ビーム源としてレーザを用いれば集光性、高速描画の点
で良く、特にNd:YAGレーザを用い波長1.06〔
丸〕のものでは数〔丸〕のパターンが描け、微細パター
ンを形成することができる。なお、第1図(c)中17
は集光レンズ、18はレーザ発振器、19は制御器をそ
れぞれ示している。
路パターンに応じて、絶縁性基体11の裏面から、絶縁
性基体を通して、絶縁性塗膜12にエネルギービーム1
5を照射し走査することで%第2の導体路16を形成す
る。第2の導体路16を第1の導体路13と接続すべき
部位では、電気的接続がとれるようになるまで深さ方向
にエネルギービーム15を当てる。ここで、エネルギー
ビーム源としてレーザを用いれば集光性、高速描画の点
で良く、特にNd:YAGレーザを用い波長1.06〔
丸〕のものでは数〔丸〕のパターンが描け、微細パター
ンを形成することができる。なお、第1図(c)中17
は集光レンズ、18はレーザ発振器、19は制御器をそ
れぞれ示している。
また、エネルギービームを照射して、第1の導体路14
を形成した場合も、第2図に示す如く同様である。
を形成した場合も、第2図に示す如く同様である。
ところで、前記絶縁性塗膜13の材料としては、金属粉
末と有機高分子体との混合物、或いは有機金属化合物を
用いることができる。金属元素として金属粉末等の粉末
を用いた場合、該粉末を融着或いは焼結させるためには
、一般には高温高圧が必要であるが、粉末自身の粒径を
細かくすることにより融着を一層容易に行うことができ
る。本発明者の実験によれば、平均粒径2000 (X
)以下の粉末を有機高分子バインダに分散させた組成物
上にレーザビームを照射することにより、有機高分子体
が極めて容易に熱分解すると同時に含有した粉末が融着
析出するのが判明している。粉末の粒径が大きい場合、
特に現在市販されている粉末はミクロンオータのものが
多く、これらを用いると粒径大きいため、有機樹脂とで
構成した組成物は絶縁性、特に耐圧が十分ではなくなる
虞れがある。
末と有機高分子体との混合物、或いは有機金属化合物を
用いることができる。金属元素として金属粉末等の粉末
を用いた場合、該粉末を融着或いは焼結させるためには
、一般には高温高圧が必要であるが、粉末自身の粒径を
細かくすることにより融着を一層容易に行うことができ
る。本発明者の実験によれば、平均粒径2000 (X
)以下の粉末を有機高分子バインダに分散させた組成物
上にレーザビームを照射することにより、有機高分子体
が極めて容易に熱分解すると同時に含有した粉末が融着
析出するのが判明している。粉末の粒径が大きい場合、
特に現在市販されている粉末はミクロンオータのものが
多く、これらを用いると粒径大きいため、有機樹脂とで
構成した組成物は絶縁性、特に耐圧が十分ではなくなる
虞れがある。
さらに、パターン幅が20(sn)以下というような微
細に形成すると、粉末の粒径が2000 (X)以上で
は連続したパターンの形成が困難となシ、断線状態或い
は隣接導体との短絡等の障害が生じる虞れがある。なお
、ここで用いることのできる粉末としては、鋼、ニッケ
ル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、チタン
、金、銀、白金、鉄等の金属粉末あるいは種々の合金粉
末を使用することができる。
細に形成すると、粉末の粒径が2000 (X)以上で
は連続したパターンの形成が困難となシ、断線状態或い
は隣接導体との短絡等の障害が生じる虞れがある。なお
、ここで用いることのできる粉末としては、鋼、ニッケ
ル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、チタン
、金、銀、白金、鉄等の金属粉末あるいは種々の合金粉
末を使用することができる。
また、有機高分子体としてはエポキシ樹脂、セルローズ
樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂。
樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂。
ポリ塩化ビニル、アクリル系樹脂、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルケトン、ポリアミド樹脂。
ル、ポリビニルケトン、ポリアミド樹脂。
ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミ
ド樹脂、メラミン樹脂等のいずれを用いて4jlL−が
、レーザビームにより容易に熱分解する材料、例えばポ
リアクリル酸、ポリビニルケトン。
ド樹脂、メラミン樹脂等のいずれを用いて4jlL−が
、レーザビームにより容易に熱分解する材料、例えばポ
リアクリル酸、ポリビニルケトン。
ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポ
リブチルアクリレート、ポリメチルメタアクリレート、
ポリエチルメタアクリレート、ポリブチルメタアクリレ
ート、ポリヒドロキシメチルメタアクリレート、ポリエ
チレン、ボリグロビレン、ハラフィン系ワックス、ポリ
エチレングリコール、ポリグロビレングリコール、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルアルコール等が適してい
る。
リブチルアクリレート、ポリメチルメタアクリレート、
ポリエチルメタアクリレート、ポリブチルメタアクリレ
ート、ポリヒドロキシメチルメタアクリレート、ポリエ
チレン、ボリグロビレン、ハラフィン系ワックス、ポリ
エチレングリコール、ポリグロビレングリコール、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルアルコール等が適してい
る。
特にアクリル系樹脂が良く、アクリル系樹脂ではポリメ
チルメタクリレート樹脂或いはそのコーポリマー等が好
適である。
チルメタクリレート樹脂或いはそのコーポリマー等が好
適である。
また、導体路原料としての金属粉末と有機高分子体との
構成比は特に限定しないが、これらを主成分とする膜が
絶縁性であることが必要条件であり、レーザビームの照
射部位以外を高絶縁に保つには、粉末の含有率が絶縁性
基体を構成する有機高分子体(導体路原料を含めたもの
、以下絶縁性組成物という)に対し、35(%)以下が
望ましい。
構成比は特に限定しないが、これらを主成分とする膜が
絶縁性であることが必要条件であり、レーザビームの照
射部位以外を高絶縁に保つには、粉末の含有率が絶縁性
基体を構成する有機高分子体(導体路原料を含めたもの
、以下絶縁性組成物という)に対し、35(%)以下が
望ましい。
また、良好な配線を形成するため実質的に5〔チ〕以上
の含有率が好ましい、さらに、この絶縁性組成物中に基
板材料と同種のものを混入すれば、熱膨張率の差等を緩
和でき、被着強度が大となる。
の含有率が好ましい、さらに、この絶縁性組成物中に基
板材料と同種のものを混入すれば、熱膨張率の差等を緩
和でき、被着強度が大となる。
また、塗膜原料として有機金属化合物を用いた場合は、
無機金属塩が樹脂中に分散しにくいこと。
無機金属塩が樹脂中に分散しにくいこと。
イオン導電性が生じるため例えば樹脂中に分散せしめて
も長期的な負荷状態では電解現象を呈する虞れがあるこ
と、また金属酸化物では導電性が低iものしか得られな
いことがあるのに比べ、有機金属化合物は樹脂への相溶
性を良くすることも可能である。また、加熱時には結局
分解して金属成分の融着となシ、粉末の場合と同様に導
体路を形成することができる。有機金属化合物は高分子
でもよいが、単位分子当シの金属の比率が大きい程良い
。金属に結合する有機基の長いもの、例えばツウロイル
、ステアリル基等の鎖の長いものは光エネルギーによっ
て熱分解を起こした時に組成物中に占める金属の含有量
が低下してしまり、結果的に導電性の低い導体パターン
しか得られないため、金属含有量の高いものが望まし鱒
。また、有機基は熱分解時にカーボン化し難いものが好
ましくフェニル基のような環構造成いは2重結合、また
腐蝕仕のある分°解物の発生を抑えるためハロゲン元素
等を含まないものが望ましい。また、金属の種類として
は導体路にできるものであれば特に限定はないが、銅、
ニッケル、アルミニウム、金。
も長期的な負荷状態では電解現象を呈する虞れがあるこ
と、また金属酸化物では導電性が低iものしか得られな
いことがあるのに比べ、有機金属化合物は樹脂への相溶
性を良くすることも可能である。また、加熱時には結局
分解して金属成分の融着となシ、粉末の場合と同様に導
体路を形成することができる。有機金属化合物は高分子
でもよいが、単位分子当シの金属の比率が大きい程良い
。金属に結合する有機基の長いもの、例えばツウロイル
、ステアリル基等の鎖の長いものは光エネルギーによっ
て熱分解を起こした時に組成物中に占める金属の含有量
が低下してしまり、結果的に導電性の低い導体パターン
しか得られないため、金属含有量の高いものが望まし鱒
。また、有機基は熱分解時にカーボン化し難いものが好
ましくフェニル基のような環構造成いは2重結合、また
腐蝕仕のある分°解物の発生を抑えるためハロゲン元素
等を含まないものが望ましい。また、金属の種類として
は導体路にできるものであれば特に限定はないが、銅、
ニッケル、アルミニウム、金。
銀等が好適である。さらに、2種類の有機金属化合物を
配合してもよい。本発明に好適に使用できる有機金属化
合物としては、ギ酸金属化合物、酢酸金属化合物、アク
リル酸金属化合物或いはメタクリル酸化合物及びそのポ
リマー、アルキル金属化合物でアルキルの炭素数が1〜
5のもの、アルコキシ金属化合物で炭素数が1〜5のも
のが挙げられる。
配合してもよい。本発明に好適に使用できる有機金属化
合物としては、ギ酸金属化合物、酢酸金属化合物、アク
リル酸金属化合物或いはメタクリル酸化合物及びそのポ
リマー、アルキル金属化合物でアルキルの炭素数が1〜
5のもの、アルコキシ金属化合物で炭素数が1〜5のも
のが挙げられる。
本発明によれば、従来のスルーホール形成のような複雑
なプロセスを用いることなく、絶縁性塗膜の塗布と、エ
ネルギービーム照射という簡単なプロセスで多層配線を
製造でき、エネルギービー、 ムを集光して数〔踊〕程
度の微細パターンを描くこともできるため、配線基板の
小型化も達成される。
なプロセスを用いることなく、絶縁性塗膜の塗布と、エ
ネルギービーム照射という簡単なプロセスで多層配線を
製造でき、エネルギービー、 ムを集光して数〔踊〕程
度の微細パターンを描くこともできるため、配線基板の
小型化も達成される。
実施例1
前記絶縁性基体11として石英基板を用い、該石英基板
上に絶縁性量、膜12を塗布形成した。
上に絶縁性量、膜12を塗布形成した。
絶縁性塗膜工2の形成方法として平均粒径0.1〜1(
#m)の銅粉末80(g)、アクリル樹脂(アロン84
060(東亜合成KKII))3s(g)及び1−ブチ
ルカルピトールを混合しペースト化したものを印刷塗布
し、120°(c) 30分間硬化させ九。この塗膜1
2の厚みは20(m)であり、絶縁抵抗は1012〔昨
〕でめった。さらに、銀ペースト、藻食化成製ドータイ
トXA−208をスクリーン印刷法にょシ塗布し、12
0℃、20分乾燥させて、第1の導体路13を形成した
。その後、東芝製(型名LAY−711A−4AA)
Nd :YAG レーザービーム(波長1.06μm)
を所望のパターンに従ってビーム照射を行った。このと
き、第1の導体路13との接続部分はスキャンスピード
5 (sow/see )で行−1llE2の導体路パ
ターンは20(鵡/ sec )で行った。また、レー
ザービームの出力は約6 (W) 、ビーム径ハ50〔
μm〕であった。
#m)の銅粉末80(g)、アクリル樹脂(アロン84
060(東亜合成KKII))3s(g)及び1−ブチ
ルカルピトールを混合しペースト化したものを印刷塗布
し、120°(c) 30分間硬化させ九。この塗膜1
2の厚みは20(m)であり、絶縁抵抗は1012〔昨
〕でめった。さらに、銀ペースト、藻食化成製ドータイ
トXA−208をスクリーン印刷法にょシ塗布し、12
0℃、20分乾燥させて、第1の導体路13を形成した
。その後、東芝製(型名LAY−711A−4AA)
Nd :YAG レーザービーム(波長1.06μm)
を所望のパターンに従ってビーム照射を行った。このと
き、第1の導体路13との接続部分はスキャンスピード
5 (sow/see )で行−1llE2の導体路パ
ターンは20(鵡/ sec )で行った。また、レー
ザービームの出力は約6 (W) 、ビーム径ハ50〔
μm〕であった。
得られた第2の導体路16は巾80〔μm〕でシート抵
抗に換算すると10〔mlνU〕であった。第1及び第
2の導体路13.16の接続はレーザービームのスキャ
ンスピードを変えることにより容易に行うことができた
。
抗に換算すると10〔mlνU〕であった。第1及び第
2の導体路13.16の接続はレーザービームのスキャ
ンスピードを変えることにより容易に行うことができた
。
実施例2
前記絶縁性基体11として、アクリル系樹脂基板を用い
、該アクリル系樹脂基板に絶縁性塗膜12を塗布形成し
た。絶縁性塗膜12の形成方法として、平均粒径0.1
〜1 (μm)のAu粉末4o(g)ニトロセルロース
2o(g)及(J n −7’デルカルピトールを混合
しペースト化したものを印刷塗布し、100(’0)6
0分間硬化させた。該絶縁性塗膜12に表面からNd:
YAGレーザーを照射して、第1の導体路14を形成し
た。このときのスキャンスピードは50 (III/5
ea)であった。次に、絶縁性基体11の裏面からNd
:YAGレーザーをスキャンスピード50 (IEII
/5ea)で所望のパターンに従って照射し第2の導体
路16を形成した。得られたjllの導体路14及び第
2の導体路16を形成した。得られた第1の導体路14
及び第2の導体路16はともに巾70〔μm〕でシート
抵抗に換算すると5〔mΩ7勺〕でめった。接合部分の
スキャンスピードは10 (III/5ec)でアシ、
レーザービームの出力及びビーム径は実施例1と同条件
であった。
、該アクリル系樹脂基板に絶縁性塗膜12を塗布形成し
た。絶縁性塗膜12の形成方法として、平均粒径0.1
〜1 (μm)のAu粉末4o(g)ニトロセルロース
2o(g)及(J n −7’デルカルピトールを混合
しペースト化したものを印刷塗布し、100(’0)6
0分間硬化させた。該絶縁性塗膜12に表面からNd:
YAGレーザーを照射して、第1の導体路14を形成し
た。このときのスキャンスピードは50 (III/5
ea)であった。次に、絶縁性基体11の裏面からNd
:YAGレーザーをスキャンスピード50 (IEII
/5ea)で所望のパターンに従って照射し第2の導体
路16を形成した。得られたjllの導体路14及び第
2の導体路16を形成した。得られた第1の導体路14
及び第2の導体路16はともに巾70〔μm〕でシート
抵抗に換算すると5〔mΩ7勺〕でめった。接合部分の
スキャンスピードは10 (III/5ec)でアシ、
レーザービームの出力及びビーム径は実施例1と同条件
であった。
実施例3゜
前記絶縁性基体11として石英基板を用い、該石英基板
上に絶縁性塗膜12を塗布形成した。
上に絶縁性塗膜12を塗布形成した。
絶縁性塗膜12の形成方法として平均粒径0.1〜1〔
μm〕の銅粉末80(g)、アクリル樹脂(アロン84
060 C東亜合成KK製))35(g)及びn−ブチ
ルカルピトールを混合しペースト化したものを印刷塗布
し、120°(C)30分間硬化させた。
μm〕の銅粉末80(g)、アクリル樹脂(アロン84
060 C東亜合成KK製))35(g)及びn−ブチ
ルカルピトールを混合しペースト化したものを印刷塗布
し、120°(C)30分間硬化させた。
さらに、銀ペースト、藻食化学製ドータイトXA−20
8をスクリーン印刷法により塗布し、120℃、20分
乾燥させて、第1の導体路13を形成した。その後、エ
ネルギービームとして、赤外線ランプ(出力I KW
)の放射光をレンズで集光させたものを用−1所望のパ
ターンに従ってビーム照射を行った。このとき、第1の
導体路13との接続部分はスキャンスピード5(IB/
!I)で行い、第2の導体路パターンはIO(mx/m
)で行った。 ビーム径は200〔μm〕であシ、得ら
れた第2の導体路16は幅220〔μm〕で、シート抵
抗に換算すると5(mΩ/口〕であった。
8をスクリーン印刷法により塗布し、120℃、20分
乾燥させて、第1の導体路13を形成した。その後、エ
ネルギービームとして、赤外線ランプ(出力I KW
)の放射光をレンズで集光させたものを用−1所望のパ
ターンに従ってビーム照射を行った。このとき、第1の
導体路13との接続部分はスキャンスピード5(IB/
!I)で行い、第2の導体路パターンはIO(mx/m
)で行った。 ビーム径は200〔μm〕であシ、得ら
れた第2の導体路16は幅220〔μm〕で、シート抵
抗に換算すると5(mΩ/口〕であった。
第1図及び第2図は本発明の実施例に係わる多層配線板
の製造工程を示す断面図、第3図は従来のスルホール配
線板の製造工程を示す断面図である。 11・・・絶縁性基体、12・・・絶縁性塗膜、13.
14・・・第1の導体路、15・・・レーザービーム、
16・・・第2の導体路、17・・・集光レンズ、18
・・・レーザ発振器、19・・・制御器。 (a) (b) 第1図 (a) 第2図 第3図
の製造工程を示す断面図、第3図は従来のスルホール配
線板の製造工程を示す断面図である。 11・・・絶縁性基体、12・・・絶縁性塗膜、13.
14・・・第1の導体路、15・・・レーザービーム、
16・・・第2の導体路、17・・・集光レンズ、18
・・・レーザ発振器、19・・・制御器。 (a) (b) 第1図 (a) 第2図 第3図
Claims (3)
- (1)絶縁性基体上に金属元素を含む有機高分子体から
なる絶縁性塗膜を形成し、エネルギービームを該絶縁性
塗膜上に選択的に照射し、該照射部における有機高分子
体を分解蒸発せしめると共に該照射部における金属成分
を相互に融着せしめて導体路を形成する方法において、
絶縁性基体として、エネルギービームに対して透過性が
あり、電気的に絶縁性のある基材を用い、さらに該配線
塗膜上第1の導体路を形成した後、絶縁性基体の裏面か
らエネルギービームを照射し、上記の原理により第二の
導体路を析出させるとともに第一の導体路と電気的に接
続する工程とを含むことを特徴とする多層配線板の製造
方法。 - (2)前記エネルギービームに対して透過性のある基体
として、光学的に透明な基体を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の多層配線板の製造方法。 - (3)前記エネルギービームとして、レーザービームを
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の多
層配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8442385A JPS61244094A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8442385A JPS61244094A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61244094A true JPS61244094A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13830175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8442385A Pending JPS61244094A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61244094A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319395A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Hitachi Ltd | 厚膜薄膜混成多層配線基板の製造方法 |
JP5123664B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2013-01-23 | スパンション エルエルシー | 半導体装置およびその製造方法 |
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JP2018163922A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | トッパン・フォームズ株式会社 | 配線パターンシート及びその製造方法 |
US10431358B2 (en) | 2015-04-24 | 2019-10-01 | Stanley Electric Co., Ltd. | Resistor production method, resistor, and electronic device |
JP2020039002A (ja) * | 2019-12-03 | 2020-03-12 | スタンレー電気株式会社 | 電子デバイス |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP8442385A patent/JPS61244094A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10085349B2 (en) | 2015-03-25 | 2018-09-25 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for producing electronic device, and electronic device |
US10383214B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-08-13 | Stanley Electric Co., Ltd. | Electronic device, method for producing same, and circuit substrate |
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