JPS6123347A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6123347A JPS6123347A JP59142397A JP14239784A JPS6123347A JP S6123347 A JPS6123347 A JP S6123347A JP 59142397 A JP59142397 A JP 59142397A JP 14239784 A JP14239784 A JP 14239784A JP S6123347 A JPS6123347 A JP S6123347A
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- tab
- resin
- semiconductor device
- pellet
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕 ・
本発明は、ペレット取付部につき樹脂封止型半導体装置
の信頼性向上に適用して有効な技術に関するものである
。
の信頼性向上に適用して有効な技術に関するものである
。
樹脂封止型半導体装置は、一般に、リードフレームのペ
レット取付部であるタブ上面にペレットを取り付け、該
ペレットのボンデイングパ１ツドと内部リードとをワイ
ヤボンディングした後、エポキシ樹脂等でモールドして
パッケージを形成し、さらに外部リードの成形を経て完
成される。
レット取付部であるタブ上面にペレットを取り付け、該
ペレットのボンデイングパ１ツドと内部リードとをワイ
ヤボンディングした後、エポキシ樹脂等でモールドして
パッケージを形成し、さらに外部リードの成形を経て完
成される。
前記半導体装置においては、４２７０イ等で形成されて
いるリードフレームはモールド樹脂トの接着性が悪い上
に、両者の熱膨張係数が大きく異なるため、該半導体装
置が温度サイクルを受けることにより、両者の接着界面
にはがれが生じ、さらにはパッケージにクラックが生じ
、耐湿性が低下することにより信頼性上程々の問題を生
じることがある。
いるリードフレームはモールド樹脂トの接着性が悪い上
に、両者の熱膨張係数が大きく異なるため、該半導体装
置が温度サイクルを受けることにより、両者の接着界面
にはがれが生じ、さらにはパッケージにクラックが生じ
、耐湿性が低下することにより信頼性上程々の問題を生
じることがある。
前詰問題は、リードフレームの中でも、特に樹脂との接
着面積が広いタブ裏面において深刻であり、温度サイク
ルによりタブ裏面に剥れが生じるとともに、その際に発
生する応力がタブのコーナ一部に集中し、該コーナ一部
のパッケージにクランクを発生させることになる。
着面積が広いタブ裏面において深刻であり、温度サイク
ルによりタブ裏面に剥れが生じるとともに、その際に発
生する応力がタブのコーナ一部に集中し、該コーナ一部
のパッケージにクランクを発生させることになる。
そこで、タブとモールド樹脂との物性の違いから、温度
サイクルに伴ない該タブコーナーに応力が集中すること
を防止するため、予めタブ裏面全体にプレスにてディン
プル（ｄｉｍｐｌｅ ）状の凹部を形成しておき、モー
ルド樹脂を該凹部に嵌合せしめることにより、応力を分
散させることが提案されている（特開昭５６−１０４４
５９号公報）。
サイクルに伴ない該タブコーナーに応力が集中すること
を防止するため、予めタブ裏面全体にプレスにてディン
プル（ｄｉｍｐｌｅ ）状の凹部を形成しておき、モー
ルド樹脂を該凹部に嵌合せしめることにより、応力を分
散させることが提案されている（特開昭５６−１０４４
５９号公報）。
ところが、タブ裏面全体にプレスで前記凹部を形成する
場合、それに対応するタブ表面に凸部が形成されるため
、正確なペレット取付を行なうことができないという問
題が生じることが、本発明者により見い出された。
場合、それに対応するタブ表面に凸部が形成されるため
、正確なペレット取付を行なうことができないという問
題が生じることが、本発明者により見い出された。
本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の信頼性向上に
適用して有効な技術を提供することにある。
適用して有効な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、パッケージクラックの発生を防止
するとともに、ペレットを正確に取り付けることができ
るペレット取付部に関する技術を提供することにある。
するとともに、ペレットを正確に取り付けることができ
るペレット取付部に関する技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ペレット取付部であるタブの周囲裏面に凹部
を形成することにより、該凹部に樹脂を嵌合せしめ、温
度サイクルに伴なうタブコーナ一部への応力集中を防止
することができるので、該コーナ一部よりパッケージに
クラックが発生することが防止できることより、また、
前記凹部をタブ周囲にのみ形成することにより、プレス
成形でも、ペレット取付面の平坦性を保持することカー
できるのでペレットを正確に取り付けることができるこ
とにより、前記目的を達成するものである。
を形成することにより、該凹部に樹脂を嵌合せしめ、温
度サイクルに伴なうタブコーナ一部への応力集中を防止
することができるので、該コーナ一部よりパッケージに
クラックが発生することが防止できることより、また、
前記凹部をタブ周囲にのみ形成することにより、プレス
成形でも、ペレット取付面の平坦性を保持することカー
できるのでペレットを正確に取り付けることができるこ
とにより、前記目的を達成するものである。
第１図は、本発明による一実施例である半導体装置の特
徴を、その部分拡大断面図で示したものである。
徴を、その部分拡大断面図で示したものである。
第２図は、本実施例の樹脂封止型半導体装置を、そのほ
ぼ中心を切る面に′おける断面図で示したものであり、
第１図は、本図のＩ−Ｉ切断面の概略を部分的に拡大し
て示したものに相当する。
ぼ中心を切る面に′おける断面図で示したものであり、
第１図は、本図のＩ−Ｉ切断面の概略を部分的に拡大し
て示したものに相当する。
本実施例の半導体装置は、いわゆるフラノしくッケージ
聾であって、ペレット取付部であるタブ／上面にペレッ
ト２が取り付けられ、該ペレット１はそのポンディング
パッド（図示せず）とり一ド３内端部とを金ワイヤ４で
接続することにより該リードとの電気的導通が達成され
、さらにこれらタブ１．ペレット２１内部リード部およ
びワイヤ４等がエポキシ樹脂５で封止されて形成されて
なるものである。
聾であって、ペレット取付部であるタブ／上面にペレッ
ト２が取り付けられ、該ペレット１はそのポンディング
パッド（図示せず）とり一ド３内端部とを金ワイヤ４で
接続することにより該リードとの電気的導通が達成され
、さらにこれらタブ１．ペレット２１内部リード部およ
びワイヤ４等がエポキシ樹脂５で封止されて形成されて
なるものである。
本実施例の半導体装置は前記の第１図に示す如く、タブ
１の周囲裏面に連続した溝形状の凹部６が、それもプレ
ス成形により形成されて（・ることに特徴があるもので
ある。なお、ペレット２＆言、この方法に限定されない
が、金−シリコン共晶７で取り付けられている。
１の周囲裏面に連続した溝形状の凹部６が、それもプレ
ス成形により形成されて（・ることに特徴があるもので
ある。なお、ペレット２＆言、この方法に限定されない
が、金−シリコン共晶７で取り付けられている。
このように、タブ１の周囲振面に凹部６を形成すること
により、該凹部６に樹脂５を嵌合せしめることができる
ので、温度サイクルを受けた場合、タブ１と樹脂５との
熱膨張率の違（・に基く接着面の剥れを防止することが
でき、さらには、その際に発生する応力をタブ１のコー
ナーに集中することをも防止することができるものであ
る。
により、該凹部６に樹脂５を嵌合せしめることができる
ので、温度サイクルを受けた場合、タブ１と樹脂５との
熱膨張率の違（・に基く接着面の剥れを防止することが
でき、さらには、その際に発生する応力をタブ１のコー
ナーに集中することをも防止することができるものであ
る。
また、前記凹部６をタブ１の周囲のみに設けているため
、簡単な形成方法であるプレス成形によっても、該凹部
に対応する凸部８が同じく周囲に形成されるため、ベレ
ット取付面の平坦性をそこなうことなく、容易に形成で
きるものである。
、簡単な形成方法であるプレス成形によっても、該凹部
に対応する凸部８が同じく周囲に形成されるため、ベレ
ット取付面の平坦性をそこなうことなく、容易に形成で
きるものである。
（１１樹脂封止型半導体装置のタブの周囲裏面に凹部な
設けることにより、樹脂を該凹部に嵌合させることがで
きるので、温度サイクルを受けてもタブ表面と樹脂との
界面に剥れが生じることを防止できる。
設けることにより、樹脂を該凹部に嵌合させることがで
きるので、温度サイクルを受けてもタブ表面と樹脂との
界面に剥れが生じることを防止できる。
（２）前記（１）により、温度サイクルに伴ない発生す
る応力がタブコーナーに集中することを防止できるので
、該コーナ一部が起点となるパッケージクラックの発生
を防止することができる。
る応力がタブコーナーに集中することを防止できるので
、該コーナ一部が起点となるパッケージクラックの発生
を防止することができる。
（３）前記（１）および（２１より、大型タブを備えて
、かつ信頼性の高い半導体装置を製造することができる
。
、かつ信頼性の高い半導体装置を製造することができる
。
（４）前記（１）に示す凹部を、タブの周囲裏面にのみ
設けることより、プレス成形にて形成してもペレット取
付面の平坦性をそこなうことがないので、ペレット取付
を正確に行なうことができる。
設けることより、プレス成形にて形成してもペレット取
付面の平坦性をそこなうことがないので、ペレット取付
を正確に行なうことができる。
（５）前記（１）〜（４）により、大型ペレットを搭載
して、なお信頼性に優れた薄型でかつ小型パッケージか
らなる半導体装置を提供できる。
して、なお信頼性に優れた薄型でかつ小型パッケージか
らなる半導体装置を提供できる。
（６）前記（４）に示すように、凹部をプレス成形で形
成できることより、安価に形成することができる。
成できることより、安価に形成することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな（１゜ たとえば、凹部は連続した溝形状に限るものでなく、断
続的に形成したものであってもよ（、溝形状の場合であ
っても、直線状に限るものでなく波線状に形成しても良
いことは言うまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな（１゜ たとえば、凹部は連続した溝形状に限るものでなく、断
続的に形成したものであってもよ（、溝形状の場合であ
っても、直線状に限るものでなく波線状に形成しても良
いことは言うまでもない。
また、二本以上の溝で形成するものであってもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるフラ、）パンケージ
型半導体装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、樹脂封止型半導
体装置であれば、如何なるものにも有効に適用できる。
をその背景となった利用分野であるフラ、）パンケージ
型半導体装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、樹脂封止型半導
体装置であれば、如何なるものにも有効に適用できる。
第１図は、本発明による一実施例である半導体装置の特
徴を示す第２図のＩ−Ｉ切断面における拡大部分断面図
、 第２図は、本実施例の半導体装置を示す断面図である。 １・・・タブ、２・・・ペレット、３・・・リード、４
・・・ワイヤ、５・・・樹脂、６・・・凹部、７・・・
金−シリコン共晶、８・・・凸部。
徴を示す第２図のＩ−Ｉ切断面における拡大部分断面図
、 第２図は、本実施例の半導体装置を示す断面図である。 １・・・タブ、２・・・ペレット、３・・・リード、４
・・・ワイヤ、５・・・樹脂、６・・・凹部、７・・・
金−シリコン共晶、８・・・凸部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止型半導体装置において、タブ裏面周囲に凹
部を設けたことを特徴とする半導体装置。 ２、凹部が連続して形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、半導体装置が、薄型でかつ小型のパッケージに大型
ペレットを搭載して形成されてなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59142397A JPS6123347A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59142397A JPS6123347A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6123347A true JPS6123347A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15314401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59142397A Pending JPS6123347A (ja) | 1984-07-11 | 1984-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6123347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0771029A3 (en) * | 1995-10-24 | 1997-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device with improved structure to avoid cracks and manufacturing process |
| JP2003031736A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-07-11 JP JP59142397A patent/JPS6123347A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0771029A3 (en) * | 1995-10-24 | 1997-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device with improved structure to avoid cracks and manufacturing process |
| US5864174A (en) * | 1995-10-24 | 1999-01-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a die pad structure for preventing cracks in a molding resin |
| US6177725B1 (en) | 1995-10-24 | 2001-01-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small-sized semiconductor and method of manufacturing the same |
| US6459145B1 (en) | 1995-10-24 | 2002-10-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, and improved small-sized semiconductor |
| US6569755B2 (en) | 1995-10-24 | 2003-05-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having an improved structure for preventing cracks, improved small sized semiconductor and method of manufacturing the same |
| JP2003031736A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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