JPS61230519A - ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路 - Google Patents
ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路Info
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- JPS61230519A JPS61230519A JP60072936A JP7293685A JPS61230519A JP S61230519 A JPS61230519 A JP S61230519A JP 60072936 A JP60072936 A JP 60072936A JP 7293685 A JP7293685 A JP 7293685A JP S61230519 A JPS61230519 A JP S61230519A
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- gate
- winding
- gto
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
- H03K17/73—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
- H03K17/732—Measures for enabling turn-off
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- Power Conversion In General (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はゲートターンオフサイリスタの駆動回路の改
良に関するものである。
良に関するものである。
［従来の技術］
ゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴＯと略称する）
は、ゲート極に負電流を流すことによって主電流をター
ンオフすることができるいわゆる自己消弧形素子であり
、転流回路を必要としないことから装置を小型化できる
利点があるために、チョッパ回路や各種のインバータ装
置などに盛んに使用されるようになってきている。しか
し、ＧＴＯの主電流（陽極電流）をゲート極により遮断
するためには、立上がりが速くて減衰時間ができるだけ
長くかつ陽極遮断電流に見合った十分な大きさの高波値
を有するゲート逆電流を流す必要がある。
は、ゲート極に負電流を流すことによって主電流をター
ンオフすることができるいわゆる自己消弧形素子であり
、転流回路を必要としないことから装置を小型化できる
利点があるために、チョッパ回路や各種のインバータ装
置などに盛んに使用されるようになってきている。しか
し、ＧＴＯの主電流（陽極電流）をゲート極により遮断
するためには、立上がりが速くて減衰時間ができるだけ
長くかつ陽極遮断電流に見合った十分な大きさの高波値
を有するゲート逆電流を流す必要がある。
第４図は従来のＧＴＯの駆動回路の代表的な例を示す図
である。初めに、この回路の構成について説明する。図
において、２はＧＴＯｌを駆動するための駆動回路であ
る。直流電源３の陽極とＧＴＯｌのゲート極Ｇとの間に
、オン・オフ可能なスイッチング素子、たとえばｎｐｎ
トランジスタ４と抵抗５とコンデンサ６とがこの順序
で直列に接続されている。直流電源３の陰極はＧＴＯｌ
の陰極Ｋに接続されている。また、抵抗７とダイオード
８とが直列に接続されており、これらはコンデンサ６に
並列に接続されている。さらに、リアクトル１０とコン
デンサ６の電荷をＧＴＯｌのゲート逆電流として放電す
るためのサイリスタ９とが直列に接続されており、これ
らはコンデンサ６と抵抗７との接続点と、ＧＴＯｌの陰
極に間に接続されている。ＡはＧＴＯｌの陽極である。
である。初めに、この回路の構成について説明する。図
において、２はＧＴＯｌを駆動するための駆動回路であ
る。直流電源３の陽極とＧＴＯｌのゲート極Ｇとの間に
、オン・オフ可能なスイッチング素子、たとえばｎｐｎ
トランジスタ４と抵抗５とコンデンサ６とがこの順序
で直列に接続されている。直流電源３の陰極はＧＴＯｌ
の陰極Ｋに接続されている。また、抵抗７とダイオード
８とが直列に接続されており、これらはコンデンサ６に
並列に接続されている。さらに、リアクトル１０とコン
デンサ６の電荷をＧＴＯｌのゲート逆電流として放電す
るためのサイリスタ９とが直列に接続されており、これ
らはコンデンサ６と抵抗７との接続点と、ＧＴＯｌの陰
極に間に接続されている。ＡはＧＴＯｌの陽極である。
第５図は第４図の回路の動作を説明するための各部の波
形を示す図である。
形を示す図である。
次に、この回路の動作を第５図を参照しながら説明する
。今サイリスタ９がオフ状態にあるとき、時刻１．にお
いて第５図（ａ）のようなベース電流■、を流しｎｕｎ
トランジスタ４をスイッチオンさせると、直流電源３
から抵抗５．コンデンサ６を通って第５図（０）のよう
な立上がりの急峻で尖頭値の大きいパルス電流ｆＧｎが
流れ、続いて抵抗７．ダイオード８を通って第５図（ｄ
）のようなＧＴＯｌの点弧保持に必要なゲート順電流
ｉＧが流れる。すなわちｎｐｎ トランジスタ４の導通
期間に対応して、第５図（ｆ）のような波頭が急峻でか
つ波尾の十分ないわゆるハイゲート電流（ｌａｒ＋＋ｉ
Ｇ）が流れＧＴＯｌは点弧する。次に、時刻ｔ２におい
てｎｐｎ トランジスタ４をオフさせるとともに第５図
（ｂ）のようなゲート電流ＩＧを流してサイリスタ９を
点弧させると、上記ＩＧＭによって図示の極性に充電さ
れたコンデンサ６の電荷がリアクトル１０を通して放電
し、ＧＴＯＩの陰極Ｋからゲート極Ｇに向けて第５図（
ｅ）のようなゲート逆電流ＩＱ麿が流れＧＴＯｌの主電
流（陽極電流）が遮断される。この間の動作を今少し詳
細に説明すると、ＧＴＯｌにゲート逆電流ＩＧｇが流れ
始めてからしばらくの間は蓄積キャリアのためにＧＴＯ
ｌの陰極にとゲート極０間はほぼ短絡状態にあり、リア
クトル１ｏとコンデンサ６の充電電圧によってほぼ定ま
る速さく−ｄｉＧｍ ／ｄｔ） ｒＧＴｏ １ （Ｄケ
−ト逆Ｎｉｌ ａ魔は増加してゆくが、ｔｇ（蓄積時間
）後に陰極にとゲート極０間の接合が回復すると、陰極
にとゲート極０間にアバランシェ電圧が発生しゲート逆
電流ｉＧｍは急激に減衰してすくことになる。
。今サイリスタ９がオフ状態にあるとき、時刻１．にお
いて第５図（ａ）のようなベース電流■、を流しｎｕｎ
トランジスタ４をスイッチオンさせると、直流電源３
から抵抗５．コンデンサ６を通って第５図（０）のよう
な立上がりの急峻で尖頭値の大きいパルス電流ｆＧｎが
流れ、続いて抵抗７．ダイオード８を通って第５図（ｄ
）のようなＧＴＯｌの点弧保持に必要なゲート順電流
ｉＧが流れる。すなわちｎｐｎ トランジスタ４の導通
期間に対応して、第５図（ｆ）のような波頭が急峻でか
つ波尾の十分ないわゆるハイゲート電流（ｌａｒ＋＋ｉ
Ｇ）が流れＧＴＯｌは点弧する。次に、時刻ｔ２におい
てｎｐｎ トランジスタ４をオフさせるとともに第５図
（ｂ）のようなゲート電流ＩＧを流してサイリスタ９を
点弧させると、上記ＩＧＭによって図示の極性に充電さ
れたコンデンサ６の電荷がリアクトル１０を通して放電
し、ＧＴＯＩの陰極Ｋからゲート極Ｇに向けて第５図（
ｅ）のようなゲート逆電流ＩＱ麿が流れＧＴＯｌの主電
流（陽極電流）が遮断される。この間の動作を今少し詳
細に説明すると、ＧＴＯｌにゲート逆電流ＩＧｇが流れ
始めてからしばらくの間は蓄積キャリアのためにＧＴＯ
ｌの陰極にとゲート極０間はほぼ短絡状態にあり、リア
クトル１ｏとコンデンサ６の充電電圧によってほぼ定ま
る速さく−ｄｉＧｍ ／ｄｔ） ｒＧＴｏ １ （Ｄケ
−ト逆Ｎｉｌ ａ魔は増加してゆくが、ｔｇ（蓄積時間
）後に陰極にとゲート極０間の接合が回復すると、陰極
にとゲート極０間にアバランシェ電圧が発生しゲート逆
電流ｉＧｍは急激に減衰してすくことになる。
前述したように、ＧＴ０１ｄ陽極電流をゲートによって
遮断するためにはこのゲート逆電流ＩＧｍの減衰時間を
十分確保する（ＧＴＯｌのテール時間相当以上）必要が
あり、そのためにゲート逆電流ＩＧ、の立上がり（−ｄ
”ｌａ ＊ ／ ｄｔ）を少々犠牲にしてもリアクトル
１０を入れている。
遮断するためにはこのゲート逆電流ＩＧｍの減衰時間を
十分確保する（ＧＴＯｌのテール時間相当以上）必要が
あり、そのためにゲート逆電流ＩＧ、の立上がり（−ｄ
”ｌａ ＊ ／ ｄｔ）を少々犠牲にしてもリアクトル
１０を入れている。
［発明が解決しようとする問題点］
従来のＧＴＯｌの駆動回路は以上のように構成されてい
るので、ゲート逆電流ｉＧｍの減衰時間を確保するため
にはゲート逆電流ｌＧ象の立上がり速さを犠牲にするこ
とになり、このためゲート遮断時の蓄積時間（ｔ、）が
長くなりＧＴＯＩ使用装置の運転性能を阻害するのみな
らず、遮断過渡時の電流集中期間の過大により成るとき
にはＧＴＯＩ自身が破壊するという問題点があった。ま
た、ゲート順電流ｉＧを流すためのｎｐｎ トランジス
タ４とゲート逆電流ｉＧ糞を流すためのサイリスタ９と
の２つのスイッチング素子を互いに反転するように交互
に駆動制御する必要があるため、その制御回路が複雑に
なるなどの問題点もあった。
るので、ゲート逆電流ｉＧｍの減衰時間を確保するため
にはゲート逆電流ｌＧ象の立上がり速さを犠牲にするこ
とになり、このためゲート遮断時の蓄積時間（ｔ、）が
長くなりＧＴＯＩ使用装置の運転性能を阻害するのみな
らず、遮断過渡時の電流集中期間の過大により成るとき
にはＧＴＯＩ自身が破壊するという問題点があった。ま
た、ゲート順電流ｉＧを流すためのｎｐｎ トランジス
タ４とゲート逆電流ｉＧ糞を流すためのサイリスタ９と
の２つのスイッチング素子を互いに反転するように交互
に駆動制御する必要があるため、その制御回路が複雑に
なるなどの問題点もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ゲート逆電流の立上がりが速くて減衰時間も
十分長く、かつ制御が簡単なＧＴＯの駆動回路を得るこ
とを目的とする。
たもので、ゲート逆電流の立上がりが速くて減衰時間も
十分長く、かつ制御が簡単なＧＴＯの駆動回路を得るこ
とを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るＧＴＯの駆動回路は、直流電源の陽極と
ＧＴＯのゲート極との間に第１のスイッチング素子とり
アクドルの１次ｌ＃線とを直列に接続し、上記直流電源
の陰極を上記ＧＴＯの陰極に接続し、上記ＧＴＯのゲー
ト極と陰極との間に上記１次巻纏に磁気的に結合した上
記リアクトルの２次巻輪と一定電圧以上で導通する第２
のスイッチング素子とを直列に接続したものである。
ＧＴＯのゲート極との間に第１のスイッチング素子とり
アクドルの１次ｌ＃線とを直列に接続し、上記直流電源
の陰極を上記ＧＴＯの陰極に接続し、上記ＧＴＯのゲー
ト極と陰極との間に上記１次巻纏に磁気的に結合した上
記リアクトルの２次巻輪と一定電圧以上で導通する第２
のスイッチング素子とを直列に接続したものである。
［作用］
この発明においては、上記第１のスイッチング素子をオ
ンすることによって上記直流電源から上記１次巻線介し
て上記ＧＴＯのゲート順電流を流すことにより、上記Ｇ
ＴＯのゲートが順方向に駆動され、上記第１のスイッチ
ング素子をオフすることによって上記１次巻纏に流れる
電流を遮断した際に上記２次巻線に出てくるりアクドル
電流を上記第２のスイッチング素子を介して上記ＧＴＯ
の陰極からゲート極の方向に流すことにより、上記ＧＴ
Ｏのゲートが逆方向に駆動され、上記ＧＴＯの主回路電
流が遮断される。
ンすることによって上記直流電源から上記１次巻線介し
て上記ＧＴＯのゲート順電流を流すことにより、上記Ｇ
ＴＯのゲートが順方向に駆動され、上記第１のスイッチ
ング素子をオフすることによって上記１次巻纏に流れる
電流を遮断した際に上記２次巻線に出てくるりアクドル
電流を上記第２のスイッチング素子を介して上記ＧＴＯ
の陰極からゲート極の方向に流すことにより、上記ＧＴ
Ｏのゲートが逆方向に駆動され、上記ＧＴＯの主回路電
流が遮断される。
【実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については適宜その説明を省略する。
重複する部分については適宜その説明を省略する。
第１図はこの発明の実施例であるＧＴＯの駆動回路を示
す図である。初めに、この装置の構成について説明する
。図において、２はＧＴＯＩを駆動するための駆動回路
である。リアクトル１１は互いに磁気的に結合した巻数
Ｎ１の１次巻線１２と巻数Ｎ２ （Ｎｌ ＞Ｎ２ ）
の２次巻線１３を有している。直流電源３の陽極とＧＴ
Ｏｌのゲート極Ｇとの間にｎｐｎ トランジスタ４と抵
抗７と１次巻線１２とがこの順序で直列に接続されてい
る。ここでは、オン・オフ可能なスイッチング素子とし
てｎｐｎ トランジスタ４を用いているが、これと同等
な機能を有するものであれば他の素子を用いてもよい。
す図である。初めに、この装置の構成について説明する
。図において、２はＧＴＯＩを駆動するための駆動回路
である。リアクトル１１は互いに磁気的に結合した巻数
Ｎ１の１次巻線１２と巻数Ｎ２ （Ｎｌ ＞Ｎ２ ）
の２次巻線１３を有している。直流電源３の陽極とＧＴ
Ｏｌのゲート極Ｇとの間にｎｐｎ トランジスタ４と抵
抗７と１次巻線１２とがこの順序で直列に接続されてい
る。ここでは、オン・オフ可能なスイッチング素子とし
てｎｐｎ トランジスタ４を用いているが、これと同等
な機能を有するものであれば他の素子を用いてもよい。
直流電１［３の陰極はＧＴＯｌの陰ｍＫに接続されてい
る。また、２次巻線１３と一定電圧で導通するスイッチ
ング素子１４とが直列に接続されており、これらはＧＴ
ＯＩのゲート極Ｇと陰極にとの闇に接続されている。一
定電圧で導通するスイッチング素子１４はたとえばブレ
ークオーバダイオードなどである。さらに、スイッチン
グ素子１４と並列に、この素子と逆極性のダイオード１
５と抵抗５との直列回路が接続されている。
る。また、２次巻線１３と一定電圧で導通するスイッチ
ング素子１４とが直列に接続されており、これらはＧＴ
ＯＩのゲート極Ｇと陰極にとの闇に接続されている。一
定電圧で導通するスイッチング素子１４はたとえばブレ
ークオーバダイオードなどである。さらに、スイッチン
グ素子１４と並列に、この素子と逆極性のダイオード１
５と抵抗５との直列回路が接続されている。
ＡはＧＴＯｌの陽極である。
第２図は第１図の回路の動作を説明するための各部の波
形を示す図である。
形を示す図である。
次に、この回路の動作を第２図を参照しながら説明する
。今、直流電源３よりｎｐｎ トランジスタ４、リアク
トル１１の１次巻線１２を通ってＧＴｏｌのゲート極Ｇ
から陰極Ｋに向けて第２図（ｄ ’）のようなゲート順
電流ＩＧが流れているときに、第２゛図（ａ ）に示す
ように時刻ｔ２においてｎｐｎトランジスタ４をターン
オフさせると、リアクトル１１の２次巻線１３に電圧が
発生してスイッチング素子１４を導通せしめ、これまで
１次巻線１２に流れていたゲート順電流ｉＧは、変流器
作用によりこの電流と同一極性において巻数比（Ｎ。
。今、直流電源３よりｎｐｎ トランジスタ４、リアク
トル１１の１次巻線１２を通ってＧＴｏｌのゲート極Ｇ
から陰極Ｋに向けて第２図（ｄ ’）のようなゲート順
電流ＩＧが流れているときに、第２゛図（ａ ）に示す
ように時刻ｔ２においてｎｐｎトランジスタ４をターン
オフさせると、リアクトル１１の２次巻線１３に電圧が
発生してスイッチング素子１４を導通せしめ、これまで
１次巻線１２に流れていたゲート順電流ｉＧは、変流器
作用によりこの電流と同一極性において巻数比（Ｎ。
／Ｎ２）倍になって２次巻線１３に移り、ＧＴＯｌの陰
極によりゲート極Ｇに向は第２図＜ｅ＞のようなゲート
逆Ｗｉｌｌｉａｍとして流れＧＴＯｌを遮断せしめる。
極によりゲート極Ｇに向は第２図＜ｅ＞のようなゲート
逆Ｗｉｌｌｉａｍとして流れＧＴＯｌを遮断せしめる。
このときの１次巻線１２から２次巻線１３への電流の移
り変わりはｎｐｎ トランジスタ４のターンオフ速度に
よって決まる高速で行なわれるため、ゲート逆電流ｉＧ
ｍの立上がり（−ｄｉＧｔ ／ｄｔ）は急峻になり、ま
たこのゲート逆電流ｉＧｔの立上がりを阻害することな
くリアクトル１３のインダクタンス値を大きくできるた
め、ゲート逆電流ｉ（２よの減衰時間も十分長くとるこ
とができる。また、リアクトル１１の１次巻線１２のゲ
ート順電流ＩＧは１次巻１１１２のインダクタンスのた
めに第２図（ｄ ）のように比較的立上がりは緩やかで
あるが、２次巻１１１３から第２図（Ｃ）のようなパル
ス電流ｆＧｎが加わるために、第２図（ｆ）のような立
上がりが急峻で波高値の十分あるいわゆるハイゲート電
流（ｌＧｒ＋＋ｉｅ）を供給することができる。
り変わりはｎｐｎ トランジスタ４のターンオフ速度に
よって決まる高速で行なわれるため、ゲート逆電流ｉＧ
ｍの立上がり（−ｄｉＧｔ ／ｄｔ）は急峻になり、ま
たこのゲート逆電流ｉＧｔの立上がりを阻害することな
くリアクトル１３のインダクタンス値を大きくできるた
め、ゲート逆電流ｉ（２よの減衰時間も十分長くとるこ
とができる。また、リアクトル１１の１次巻線１２のゲ
ート順電流ＩＧは１次巻１１１２のインダクタンスのた
めに第２図（ｄ ）のように比較的立上がりは緩やかで
あるが、２次巻１１１３から第２図（Ｃ）のようなパル
ス電流ｆＧｎが加わるために、第２図（ｆ）のような立
上がりが急峻で波高値の十分あるいわゆるハイゲート電
流（ｌＧｒ＋＋ｉｅ）を供給することができる。
なお、一定電圧以上で導通するスイッチング素子１４は
ブレークオーバダイオードの他、第３図（Ａ）に示すよ
うなサイリスタ１６と定電圧ダイオード１７を組合わせ
た複合回路であってもよく、また第３図＜８）に示すよ
うな０丁０１のゲート極Ｇと陰極に間の電圧降下をわず
かに越える程度の順方向電圧降下を有するダイオード１
８．１９の直列体を利用してもよく、これらの場合につ
いても上記実施例と同様の効果を得ることができる。
ブレークオーバダイオードの他、第３図（Ａ）に示すよ
うなサイリスタ１６と定電圧ダイオード１７を組合わせ
た複合回路であってもよく、また第３図＜８）に示すよ
うな０丁０１のゲート極Ｇと陰極に間の電圧降下をわず
かに越える程度の順方向電圧降下を有するダイオード１
８．１９の直列体を利用してもよく、これらの場合につ
いても上記実施例と同様の効果を得ることができる。
［発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、互いに磁気的に結合し
た１次および２次巻線を有するリアクトルの１次巻輪電
流でＧＴＯのゲートを順方向に駆動し、該１次轡纏電流
を遮断した際に上記２次巻線に出てくるりアクドル電流
で上記ＧＴＯのゲートを逆方向に駆動し、該ＧＴＯの主
回路電流を遮断するようにしたので、ゲート逆電流の立
上がりが速くて減衰時間も十分長くなり、このためゲー
ト遮断時の蓄積時間が短くなってＧＴＯ使用装置の運転
性能を阻害することが防止されるのみならず、遮断過渡
時の電流集中期間の過大によるＧＴ０自身の破壊が防゛
止される。また、上記リアクトルの上記１次巻線電流を
オン・オフさせるのみで上記ＧＴＯのゲート電流を順・
逆方向に切換えることができるので、その制御回路が簡
単・安価になる効果がある。
た１次および２次巻線を有するリアクトルの１次巻輪電
流でＧＴＯのゲートを順方向に駆動し、該１次轡纏電流
を遮断した際に上記２次巻線に出てくるりアクドル電流
で上記ＧＴＯのゲートを逆方向に駆動し、該ＧＴＯの主
回路電流を遮断するようにしたので、ゲート逆電流の立
上がりが速くて減衰時間も十分長くなり、このためゲー
ト遮断時の蓄積時間が短くなってＧＴＯ使用装置の運転
性能を阻害することが防止されるのみならず、遮断過渡
時の電流集中期間の過大によるＧＴ０自身の破壊が防゛
止される。また、上記リアクトルの上記１次巻線電流を
オン・オフさせるのみで上記ＧＴＯのゲート電流を順・
逆方向に切換えることができるので、その制御回路が簡
単・安価になる効果がある。
第１図はこの発明の実施例であるＧＴＯの駆動回路を示
す図である。 第２図は第１図の回路の動作を説明するための各部の波
形を示す図である。 １３図（Ａ＞、（Ｂ）はこの発明の他の実施例であるＧ
ＴＯの駆動回路の部分回路を示す図である。 第４図は従来のＧＴＯの駆動回路を示す図である。 第５図は第４図の回路の動作を説明するための各部の波
形を示す図である。 図において、１はＧＴｏ、２は駆動回路、３は直流電源
、４はｎｐｎ トランジスタ、５．７は抵抗、６はコン
デンサ、８，１５．１８．１９はダイオード、９．１６
はサイリスタ、ｉｏ、’＋ｉはリアクトル、１２は１次
巻線、１３は２次巻線、１斗はスイッチング素子、１７
は定電圧ダイオードである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第２図 （Ａ）（Ｂ） １６： 丈イソスク ＋ａ、７９： タ
イオードＩ７：見電斥Ｉにオード 第５図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６０−７２９３６号２、発
明の名称 ゲートターンオツサイリスタの駆動回路３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり。 （２） 明細書第７頁第１行ないし第８行の［直流電源
の陽極と〜直列に接続したものである。 」を下記のとおり補正する。 記 ＧＴＯに点弧のためのゲート順電流を供給する直流電源
の陽極をＧＴＯのゲート極に接続し、この直流電源の陰
極をＧＴＯの陰極に接続し、そのオン拳オフによってゲ
ート順電流の供給、遮断を制御するための第１のスイッ
チング素子をゲート順電流の供給経路のいずれかの部分
に介挿し、第１の巻線をゲート順電流の供給経路のいず
れかの部分に介挿し、第１の巻線と磁気的に結合される
第２の巻線の一方端をＧＴＯのゲート極に接続し、この
第２の巻線の他方端をＧＴＯの陰極に接続し、ゲート順
電流の遮断時にこの第２の巻線に生じる誘起電圧によっ
てＧＴＯに消弧のためのゲート逆電流を供給し、一定電
圧以上で導通する第２のスイッチング素子をゲート逆電
流の供給経路のいずかの部分に介挿したものである。 （３） 明細書第７頁第１２行の「１次巻線介して」を
「１次巻線を介して」に補正する。 （４） 明細書第７頁第１３行および第１９行の「ゲー
トが」を「ゲート電極が」に補正する。 （５） 明細書第１１頁第１２行、および第１４行ない
し第１５行の「ゲートを」を「ゲート電極を」に補正す
る。 以上 ２、特許請求の範囲 逆電流を供給する第２の巻線と、
す図である。 第２図は第１図の回路の動作を説明するための各部の波
形を示す図である。 １３図（Ａ＞、（Ｂ）はこの発明の他の実施例であるＧ
ＴＯの駆動回路の部分回路を示す図である。 第４図は従来のＧＴＯの駆動回路を示す図である。 第５図は第４図の回路の動作を説明するための各部の波
形を示す図である。 図において、１はＧＴｏ、２は駆動回路、３は直流電源
、４はｎｐｎ トランジスタ、５．７は抵抗、６はコン
デンサ、８，１５．１８．１９はダイオード、９．１６
はサイリスタ、ｉｏ、’＋ｉはリアクトル、１２は１次
巻線、１３は２次巻線、１斗はスイッチング素子、１７
は定電圧ダイオードである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第２図 （Ａ）（Ｂ） １６： 丈イソスク ＋ａ、７９： タ
イオードＩ７：見電斥Ｉにオード 第５図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭６０−７２９３６号２、発
明の名称 ゲートターンオツサイリスタの駆動回路３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり。 （２） 明細書第７頁第１行ないし第８行の［直流電源
の陽極と〜直列に接続したものである。 」を下記のとおり補正する。 記 ＧＴＯに点弧のためのゲート順電流を供給する直流電源
の陽極をＧＴＯのゲート極に接続し、この直流電源の陰
極をＧＴＯの陰極に接続し、そのオン拳オフによってゲ
ート順電流の供給、遮断を制御するための第１のスイッ
チング素子をゲート順電流の供給経路のいずれかの部分
に介挿し、第１の巻線をゲート順電流の供給経路のいず
れかの部分に介挿し、第１の巻線と磁気的に結合される
第２の巻線の一方端をＧＴＯのゲート極に接続し、この
第２の巻線の他方端をＧＴＯの陰極に接続し、ゲート順
電流の遮断時にこの第２の巻線に生じる誘起電圧によっ
てＧＴＯに消弧のためのゲート逆電流を供給し、一定電
圧以上で導通する第２のスイッチング素子をゲート逆電
流の供給経路のいずかの部分に介挿したものである。 （３） 明細書第７頁第１２行の「１次巻線介して」を
「１次巻線を介して」に補正する。 （４） 明細書第７頁第１３行および第１９行の「ゲー
トが」を「ゲート電極が」に補正する。 （５） 明細書第１１頁第１２行、および第１４行ない
し第１５行の「ゲートを」を「ゲート電極を」に補正す
る。 以上 ２、特許請求の範囲 逆電流を供給する第２の巻線と、
Claims (2)
- （１）直流電源と、 前記直流電源の陽極にその一方の電極が接続される第１
のスイッチング素子と、 互いに磁気的に結合した１次巻線および２次巻線を有す
るリアクトルとを備え、 前記第１のスイッチング素子の他方の電極は前記１次巻
線の一方の端子に接続され、 前記１次巻線の他方の端子にそのゲート極が接続される
ゲートターンオフサイリスタとを備え、前記直流電源の
陰極は前記２次巻線の一方の端子および前記ゲートター
ンオフサイリスタの陰極に接続され、 前記１次巻線の他方の端子と前記ゲート極との接続点に
その陽極が接続され、前記２次巻線の他方の端子にその
陰極が接続される、一定電圧以上で導通する第２のスイ
ッチング素子とを備えたゲートターンオフサイリスタの
駆動回路。 - （２）さらに、前記第２のスイッチング素子の前記陽極
と前記ゲート極との接続点にその陰極が接続される第３
のスイッチング素子と、 前記第３のスイッチング素子の陽極と、前記２次巻線の
前記他方の端子と前記第２のスイッチング素子の前記陰
極との接続点間に接続される抵抗とを備えた特許請求の
範囲第１項記載のゲートターンオフサイリスタの駆動回
路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072936A JPS61230519A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路 |
| US06/839,595 US4675543A (en) | 1985-04-05 | 1986-03-14 | Drive circuit for gate turnoff thyristor |
| DE19863611297 DE3611297A1 (de) | 1985-04-05 | 1986-04-04 | Ansteuerschaltung fuer gto-thyristor |
| FR868604897A FR2580127B1 (ja) | 1985-04-05 | 1986-04-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60072936A JPS61230519A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230519A true JPS61230519A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13503749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60072936A Pending JPS61230519A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | ゲ−トタ−ンオフサイリスタの駆動回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4675543A (ja) |
| JP (1) | JPS61230519A (ja) |
| DE (1) | DE3611297A1 (ja) |
| FR (1) | FR2580127B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022709A (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体スイツチング装置 |
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| DE2907403A1 (de) * | 1979-02-23 | 1980-09-04 | Licentia Gmbh | Anordnung zur erzeugung von loeschimpulsen fuer einen leistungshalbleiter |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP60072936A patent/JPS61230519A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-14 US US06/839,595 patent/US4675543A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-04 FR FR868604897A patent/FR2580127B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1986-04-04 DE DE19863611297 patent/DE3611297A1/de active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022709A (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-08 | Hitachi Ltd | 半導体スイツチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2580127B1 (ja) | 1992-03-27 |
| DE3611297A1 (de) | 1986-10-16 |
| US4675543A (en) | 1987-06-23 |
| FR2580127A1 (ja) | 1986-10-10 |
| DE3611297C2 (ja) | 1989-03-16 |
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