JPH0282517A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0282517A JPH0282517A JP63234017A JP23401788A JPH0282517A JP H0282517 A JPH0282517 A JP H0282517A JP 63234017 A JP63234017 A JP 63234017A JP 23401788 A JP23401788 A JP 23401788A JP H0282517 A JPH0282517 A JP H0282517A
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- Japan
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- wafer
- peripheral part
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- periphery
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、パターン形成方法に関するものである。特に
パターンを形成すべきウェハの全面にフォトレジストを
付したウェハの周辺部を選択的に露光するパターン形成
方法に関するものである。
パターンを形成すべきウェハの全面にフォトレジストを
付したウェハの周辺部を選択的に露光するパターン形成
方法に関するものである。
［従来の技術１
従来の技術は特開昭６１−７９２２７の様にフォトレジ
ストを全面に付したウェハの周辺部３〜５ｍｍを直径３
〜５ｍｍの円形のＵＶ光照射を行ない選択的に露光して
いた。
ストを全面に付したウェハの周辺部３〜５ｍｍを直径３
〜５ｍｍの円形のＵＶ光照射を行ない選択的に露光して
いた。
［発明が解決しようとする課題）
しかし、従来の技術は、固くてもろい樹脂を用いたポジ
タイプフォトレジストに対しての技術であり、ウェハの
周辺部を一様に全周露光するものであった。ウェハに付
したフォトレジストがポジタイプではなくネガタイプフ
ォトレジストの場合でさらにはウェハの周辺部の選択的
な露光を一様ではなくウェハの周辺部の位置によりウェ
ハの周辺部からの距離を変化させなければならない場合
では、適切な処理が不可能であった。それは、第３図に
示した様に、ｌ：１反射投影型露光装置（たとえば、キ
ャノン製ミラープロジェクションアライナ−ＭＰＡ−６
００ＦＡ）の場合、ウェハに付したフォトレジストに所
定のパターン形成を行なうための露光の時、焦点（ＦＯ
ＣＵＳ）を合わすためにウェハな露光装置のウェハディ
スクの３本または４本有るツメ１に押えつける事を行な
っていた。第４図に３本ツメの場合のツメによる未露光
部１３とウェハ１の位置関係を示した。このツメは光を
透過しない金属でできていて決して露光される事がなく
ネガタイプフォトレジストの場合は現象するとツメ１１
が当る部分はネガタイプフォトレジストはなくなるわけ
である。この場合、工程がパッシベーション膜のフォト
エツチングとすると第５図の様にウェハの上に形成され
た半導体装置１４のパターンの一部１５の上のパッシベ
ーション膜をエツチングにより除去する事となり、この
エツチングによって、半導体装置１４の導電配線パター
ンの下にある絶縁膜をもエツチングすることとなり、前
記導電配線パターンがウェハより剥離し、導電性異物が
発生する事になる。この発生した前記導電性異物がウェ
ハに付着すると、導電配線やゲート電極の短絡の原因と
なり半導体装置は不良となる。また、ウェハ上の突起物
となってフォトリソグラフィ工程においてフォトレジス
トの膜厚にむらを生じさせ正常なパターン形成を阻害し
パターン欠陥をもたらし歩留りの低下を引き起こす原因
となる。
タイプフォトレジストに対しての技術であり、ウェハの
周辺部を一様に全周露光するものであった。ウェハに付
したフォトレジストがポジタイプではなくネガタイプフ
ォトレジストの場合でさらにはウェハの周辺部の選択的
な露光を一様ではなくウェハの周辺部の位置によりウェ
ハの周辺部からの距離を変化させなければならない場合
では、適切な処理が不可能であった。それは、第３図に
示した様に、ｌ：１反射投影型露光装置（たとえば、キ
ャノン製ミラープロジェクションアライナ−ＭＰＡ−６
００ＦＡ）の場合、ウェハに付したフォトレジストに所
定のパターン形成を行なうための露光の時、焦点（ＦＯ
ＣＵＳ）を合わすためにウェハな露光装置のウェハディ
スクの３本または４本有るツメ１に押えつける事を行な
っていた。第４図に３本ツメの場合のツメによる未露光
部１３とウェハ１の位置関係を示した。このツメは光を
透過しない金属でできていて決して露光される事がなく
ネガタイプフォトレジストの場合は現象するとツメ１１
が当る部分はネガタイプフォトレジストはなくなるわけ
である。この場合、工程がパッシベーション膜のフォト
エツチングとすると第５図の様にウェハの上に形成され
た半導体装置１４のパターンの一部１５の上のパッシベ
ーション膜をエツチングにより除去する事となり、この
エツチングによって、半導体装置１４の導電配線パター
ンの下にある絶縁膜をもエツチングすることとなり、前
記導電配線パターンがウェハより剥離し、導電性異物が
発生する事になる。この発生した前記導電性異物がウェ
ハに付着すると、導電配線やゲート電極の短絡の原因と
なり半導体装置は不良となる。また、ウェハ上の突起物
となってフォトリソグラフィ工程においてフォトレジス
トの膜厚にむらを生じさせ正常なパターン形成を阻害し
パターン欠陥をもたらし歩留りの低下を引き起こす原因
となる。
また、前記ツメによる未露光部１３の長さはウェハの周
辺端部から５〜６ｍｍあり、従来の技術を使用してウェ
ハ周辺部を５〜６ｍｍ選択的に露光してフォトレジスト
を除去すると、特に４インチ（１００ｍｍ）ウェハの場
合は半導体装置を形成できる領域が８８ｍｍから９０ｍ
ｍという事になり、ウェハ１枚の中に形成できる半導体
装置の数が大きく減少してしまいとても許囲できる値で
はなくなってしまう。
辺端部から５〜６ｍｍあり、従来の技術を使用してウェ
ハ周辺部を５〜６ｍｍ選択的に露光してフォトレジスト
を除去すると、特に４インチ（１００ｍｍ）ウェハの場
合は半導体装置を形成できる領域が８８ｍｍから９０ｍ
ｍという事になり、ウェハ１枚の中に形成できる半導体
装置の数が大きく減少してしまいとても許囲できる値で
はなくなってしまう。
本発明はこのうような従来の技術の問題点を解決するも
ので、その目的は半導体装置のウェハからの取れ数を減
らさずに導電性異物による歩留り低下を防止する技術を
提供する事にある。
ので、その目的は半導体装置のウェハからの取れ数を減
らさずに導電性異物による歩留り低下を防止する技術を
提供する事にある。
［課題を解決するための手段］
本発明のパターン形成方法は、ウェハの周辺部の位置に
よりウェハの周辺部からの距離を変化させて、ウェハの
周辺部を選択的に露光する事により前述の問題点を解決
する。
よりウェハの周辺部からの距離を変化させて、ウェハの
周辺部を選択的に露光する事により前述の問題点を解決
する。
［実 施 例］
第１図は本発明の実施例の構成図である。第２図は本発
明の実施例のウェハ平面図である。
明の実施例のウェハ平面図である。
回転しているウェハ１のファセット部３をファセット検
出部４で検出しその信号を受けたコントロール部９がウ
ェハ１の周辺部２の位置により露光部５を所定の周辺部
からの距離に露光部位置調整部６により移動させながら
ウェハ周辺部にＵＶ光を照射しウェハに付されているネ
ガタイプフォトレジストを露光し現象後においても残る
ようにした。第２図に露光した領域１６を示したように
、第５図の点線で示した従来の技術によるポジタイプフ
ォトレジストのウェハの周辺部３ｍｍの選択的露光によ
り形成されたパターン形成のない領域に対応するように
ウェハの周辺部を露光すると同時にｌ：１反射投影型露
光装置のツメにより未露光部１３となる領域を、露光部
５を露光部位置調整部６によりウェハ周辺部からの距離
が前記１：１反射投影型露光装置のツメの形状より０．
５ｍｍ大きくなる様にコントロールして露光した。この
ようにする事により、ウェハ周辺部のネガタイプフォト
レジストの未露光部となる領域は全くなくなり、その結
果としてパッシベーション膜のエツチング時における前
述の導電性異物の発生を全て防止する事ができた。また
、ウェハからの半導体装置の取れ数も微減少にとどめる
ことができた。
出部４で検出しその信号を受けたコントロール部９がウ
ェハ１の周辺部２の位置により露光部５を所定の周辺部
からの距離に露光部位置調整部６により移動させながら
ウェハ周辺部にＵＶ光を照射しウェハに付されているネ
ガタイプフォトレジストを露光し現象後においても残る
ようにした。第２図に露光した領域１６を示したように
、第５図の点線で示した従来の技術によるポジタイプフ
ォトレジストのウェハの周辺部３ｍｍの選択的露光によ
り形成されたパターン形成のない領域に対応するように
ウェハの周辺部を露光すると同時にｌ：１反射投影型露
光装置のツメにより未露光部１３となる領域を、露光部
５を露光部位置調整部６によりウェハ周辺部からの距離
が前記１：１反射投影型露光装置のツメの形状より０．
５ｍｍ大きくなる様にコントロールして露光した。この
ようにする事により、ウェハ周辺部のネガタイプフォト
レジストの未露光部となる領域は全くなくなり、その結
果としてパッシベーション膜のエツチング時における前
述の導電性異物の発生を全て防止する事ができた。また
、ウェハからの半導体装置の取れ数も微減少にとどめる
ことができた。
〔発明の効果Ｊ
以上述べたように本発明によれば、ウェハ周辺部の位置
によりウェハの周辺部からの距離を変化させてウェハの
周辺部を選択的に露光することにより、導電性異物の発
生を防止し１歩留りの低下はなくなり、さらに、半導体
装置の取れ数の減少も微少に抑えるという効果を有する
ものである。
によりウェハの周辺部からの距離を変化させてウェハの
周辺部を選択的に露光することにより、導電性異物の発
生を防止し１歩留りの低下はなくなり、さらに、半導体
装置の取れ数の減少も微少に抑えるという効果を有する
ものである。
本発明の効果は、前述のように明らかであるが、それは
ウェハの周辺部の選択的な露光を周辺部からの距離を一
様にして行なうのみでなく、必要な箇所には、露光する
距離を変化させて行なおうとするものであり、その方法
は、実施例のみ以外にも各種方法が考えられる。露光部
ではなくウェハを回転させながら回転軸を移動する方法
、２ヶ以上の露光部を有して所定の位置により使用する
露光部を選択する方法等であり、同様の効果を得られる
ものであろう、また、本発明の効果は、半導体装置のみ
ではなく、フォトエツチングを行なう物全てに応用でき
るものである。
ウェハの周辺部の選択的な露光を周辺部からの距離を一
様にして行なうのみでなく、必要な箇所には、露光する
距離を変化させて行なおうとするものであり、その方法
は、実施例のみ以外にも各種方法が考えられる。露光部
ではなくウェハを回転させながら回転軸を移動する方法
、２ヶ以上の露光部を有して所定の位置により使用する
露光部を選択する方法等であり、同様の効果を得られる
ものであろう、また、本発明の効果は、半導体装置のみ
ではなく、フォトエツチングを行なう物全てに応用でき
るものである。
第１図は本発明の実施例の構成図。
第２図は本発明の実施例のウェハ平面図。
第３図は１：１反射投影型露光装置のツメによる未露光
部とウェハの関係概要図。 第４図は１：１反射投影型露光装置のツメのウェハ内配
置例図。 第５図はウェハの周辺部の概要図。 １・・・ウェハ ２・・・周辺部 ３・・・ファセット部 ５ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １１ ・ １２ ・ ｌ ３ ・ １４ ・ ｌ ５ ・ ｌ ６ ・ ファセント検出部 露光部 露光部位置調整部 ＵＶ光源 石英ファイバー コントロール部 ツメ ウェハチャック ツメによる未露光部 半導体装置 パッシベーション膜欠損部 露光領域 以 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）第１図 俤４１￥１ 第２回 第３図 箋 図
部とウェハの関係概要図。 第４図は１：１反射投影型露光装置のツメのウェハ内配
置例図。 第５図はウェハの周辺部の概要図。 １・・・ウェハ ２・・・周辺部 ３・・・ファセット部 ５ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １１ ・ １２ ・ ｌ ３ ・ １４ ・ ｌ ５ ・ ｌ ６ ・ ファセント検出部 露光部 露光部位置調整部 ＵＶ光源 石英ファイバー コントロール部 ツメ ウェハチャック ツメによる未露光部 半導体装置 パッシベーション膜欠損部 露光領域 以 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）第１図 俤４１￥１ 第２回 第３図 箋 図
Claims (1)
- （１）パターンを形成すべきウェハの全面にフォトレジ
ストを付した前記ウェハの周辺部を選択的に露光するパ
ターン形成方法において、前記露光をウェハの周辺部の
位置によりウェハの周辺部からの距離を変化させて行な
う事を特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234017A JPH0282517A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234017A JPH0282517A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282517A true JPH0282517A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16964252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63234017A Pending JPH0282517A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282517A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114629A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
| JP2012089641A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63234017A patent/JPH0282517A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114629A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法 |
| JP2012089641A (ja) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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