JPS61221708A - ジオデシツクレンズの製造方法 - Google Patents
ジオデシツクレンズの製造方法Info
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- JPS61221708A JPS61221708A JP6243385A JP6243385A JPS61221708A JP S61221708 A JPS61221708 A JP S61221708A JP 6243385 A JP6243385 A JP 6243385A JP 6243385 A JP6243385 A JP 6243385A JP S61221708 A JPS61221708 A JP S61221708A
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- light
- optical waveguide
- cavity
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
- G02B6/1245—Geodesic lenses
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明に平面導波光ｉ４内において集束させる機能金有
するジオデシックレンズの製造方法に関する。
するジオデシックレンズの製造方法に関する。
（従来技術］
−ｅ［、コヒーレントな光学処理技術は、並列処理がで
き、高速であるという特徴があるため、コリレーション
などのようｆｘ信号処理装置への応用に適している。こ
の信号処理装置を実現するために、光学ガラスや光学結
晶など全基板とし、この表面に基板よりも屈折率の高い
層を設け、この高屈折率層にエネルギーを集中させて伝
搬する平面導波光の波面やエネルギー伝搬方向を制御し
て光回路を形成するいわゆる平面光回路に工って構成す
る方法が、最近さかんに研究されている。このような平
面光回路に用いられる平面レンズに、結像作用やフーリ
エ変換作用の働き全持ち、平面光回路を構成する重要な
部品である。このような平面レンズにに、ジオデシック
レンズ、ルネプルグレンズ、グレーティングレンズ、平
面フレネルレンズ等のレンズが知られている。
き、高速であるという特徴があるため、コリレーション
などのようｆｘ信号処理装置への応用に適している。こ
の信号処理装置を実現するために、光学ガラスや光学結
晶など全基板とし、この表面に基板よりも屈折率の高い
層を設け、この高屈折率層にエネルギーを集中させて伝
搬する平面導波光の波面やエネルギー伝搬方向を制御し
て光回路を形成するいわゆる平面光回路に工って構成す
る方法が、最近さかんに研究されている。このような平
面光回路に用いられる平面レンズに、結像作用やフーリ
エ変換作用の働き全持ち、平面光回路を構成する重要な
部品である。このような平面レンズにに、ジオデシック
レンズ、ルネプルグレンズ、グレーティングレンズ、平
面フレネルレンズ等のレンズが知られている。
ジオデシックレンズに光導波路中にくぼみ（凹部）を形
成してこの部分をレンズ部としているため、くぼみを所
望の形状に加工することにエリ大口径、短焦点つまりＦ
数の小さなレンズの作成が可能となる。また本質的に色
収差がなく、また焦点距離が導波モードの次数に工らな
い利点がある。
成してこの部分をレンズ部としているため、くぼみを所
望の形状に加工することにエリ大口径、短焦点つまりＦ
数の小さなレンズの作成が可能となる。また本質的に色
収差がなく、また焦点距離が導波モードの次数に工らな
い利点がある。
従来、誘電体基板上にくぼみを設け、このくぼみに光導
波路を形成するジオデシックレンズの製造方法の例がア
イ・イー・イー・イー・トランザクション・オン・コン
ポーネンツ・ハイフリット・アンド・マニファクチャリ
ング・テクノロジー（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ Ｃ（ＪＭＰＯＮＥＮＴＳ。
波路を形成するジオデシックレンズの製造方法の例がア
イ・イー・イー・イー・トランザクション・オン・コン
ポーネンツ・ハイフリット・アンド・マニファクチャリ
ング・テクノロジー（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ Ｃ（ＪＭＰＯＮＥＮＴＳ。
ＨＹＢＲＩＤＳ、ＡＮＤ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ
ＴＥＣＨＮ−ＯＬＯＧＹ、ＶｕＬ ＣＨＭＴ−８，ｈ
２）６月１９８２年２０５〜２０９ページで述べられて
いる。
ＴＥＣＨＮ−ＯＬＯＧＹ、ＶｕＬ ＣＨＭＴ−８，ｈ
２）６月１９８２年２０５〜２０９ページで述べられて
いる。
第４図はこのジオデシックレンズの製造方法を工程順に
示す断面図である。第４図（ａ）において、リチウムナ
イオベイト基板４１の表面にダイヤモンドのバイトｔ−
用いてくぼみ（凹部）ｈ’？切削形成し、切削径研磨す
る１次に第４図（ｂ）に示す工うにリチウムナイオベイ
ト基板４１のくぼみｈ′も含めた全面に膜厚が均一なチ
タン膜４２を設ける。
示す断面図である。第４図（ａ）において、リチウムナ
イオベイト基板４１の表面にダイヤモンドのバイトｔ−
用いてくぼみ（凹部）ｈ’？切削形成し、切削径研磨す
る１次に第４図（ｂ）に示す工うにリチウムナイオベイ
ト基板４１のくぼみｈ′も含めた全面に膜厚が均一なチ
タン膜４２を設ける。
次［１４図（Ｃ）に示す工うにチタン膜４２を熱拡散し
て光導波路４３とジオデシックレンズ部４４ｔ−形成す
る。
て光導波路４３とジオデシックレンズ部４４ｔ−形成す
る。
８ｇ５図（ａ）、 （ｂｌは上記の製造工程にエリ得ら
れたジオデシックレンズを示す平面図と断面図である。
れたジオデシックレンズを示す平面図と断面図である。
この工うなジオデシックレンズに導波光５５が平行に入
射すると、フェル７の原理に従って光路長が最短になる
曲面の測地線に沿って伝搬するので、入射導波光５５が
通過するレンズの位置に工ってその光路長が変化し、入
射導波光５５は集束作用を受は集束点５６に集光される
。
射すると、フェル７の原理に従って光路長が最短になる
曲面の測地線に沿って伝搬するので、入射導波光５５が
通過するレンズの位置に工ってその光路長が変化し、入
射導波光５５は集束作用を受は集束点５６に集光される
。
（発明が解決しエフとする問題点〕
上記のジオデシックレンズに、焦点距離等を設計値通り
にする几めには口径が数ｍｍ、 中心の深さがｌ ｍ
ｍ 程ｆのレンズの場合、１〜５μｍｏ精度でくぼみの
形状を加工する必要がある。従ってジオデシックレンズ
にはくぼみの形状が少しでも設計値からはずれると大幅
に焦点距離が設計値と異なってしまう欠点がある。
にする几めには口径が数ｍｍ、 中心の深さがｌ ｍ
ｍ 程ｆのレンズの場合、１〜５μｍｏ精度でくぼみの
形状を加工する必要がある。従ってジオデシックレンズ
にはくぼみの形状が少しでも設計値からはずれると大幅
に焦点距離が設計値と異なってしまう欠点がある。
本発明の目的に、従来のジオデシックレンズの欠点を除
去し、くぼみ（凹部）の形状が設計通りに加工できなく
ても、焦点距離を調整して設計値に合わせ込むことが可
能なジオデシックレンズの製造方法を提供することにあ
る。
去し、くぼみ（凹部）の形状が設計通りに加工できなく
ても、焦点距離を調整して設計値に合わせ込むことが可
能なジオデシックレンズの製造方法を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明に、誘電体基板表面上に凹部を設け、該凹部に光
導波路全形成するジオデシックレンズの製造方法におい
て、誘電体基板表面上に凹部を設けた後、屈折率が誘電
体基板よりも高く、電子ビームや光を照射することにエ
リ屈折率が増加する感光性の材料を凹部を含む誘電体基
板の表面上に膜厚が均一となるＬうに設けて光導波路を
形成しｔ後、電子ビームまたは光の照射量が凹部の周辺
から中心へ徐々に多く変化する工う電子ビームまたは光
を照射することを特徴とする。
導波路全形成するジオデシックレンズの製造方法におい
て、誘電体基板表面上に凹部を設けた後、屈折率が誘電
体基板よりも高く、電子ビームや光を照射することにエ
リ屈折率が増加する感光性の材料を凹部を含む誘電体基
板の表面上に膜厚が均一となるＬうに設けて光導波路を
形成しｔ後、電子ビームまたは光の照射量が凹部の周辺
から中心へ徐々に多く変化する工う電子ビームまたは光
を照射することを特徴とする。
（作用・原理）
本発明ｒｔｘ、ジオデシックレンズの製造方法において
、上記の製造方法にエリ従来技術の欠点を解決した。
、上記の製造方法にエリ従来技術の欠点を解決した。
本発明に、電子ビームや光の照射に工って屈折率が増加
する感光性で高屈折率な材料をくほみの部分を含む誘電
体基板の表面上に膜厚が一定となる工うに設ける。次に
くぼみの部分に設けた感光性の材料に電子ビームや光全
不均−に照射することにエリ、感光性の材料に導波光に
対して収束作用を持つ工うな屈折率分布を与える。上記
のような製造方法において、電子ビームや光の照射ｆを
変えて、感光性の材料だけｌｌＩＣる収束作用を調整し
、ジオデシックレンズの実際の焦点距離全設計値に一致
させることが可能となる。
する感光性で高屈折率な材料をくほみの部分を含む誘電
体基板の表面上に膜厚が一定となる工うに設ける。次に
くぼみの部分に設けた感光性の材料に電子ビームや光全
不均−に照射することにエリ、感光性の材料に導波光に
対して収束作用を持つ工うな屈折率分布を与える。上記
のような製造方法において、電子ビームや光の照射ｆを
変えて、感光性の材料だけｌｌＩＣる収束作用を調整し
、ジオデシックレンズの実際の焦点距離全設計値に一致
させることが可能となる。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
（実施例１）
第１図は本発明のジオデシックレンズの製Ｒ１５法の４
１の実施例を工程順に示す断面図である。
１の実施例を工程順に示す断面図である。
第１図（ａ）において、リチウムナイオベイト基板１１
の表面の一部にダイヤモンドのバイトｔ−用いて従来同
様にくぼみ（凹部）ｈ’ｔ−切削形成し、切削後表面を
研摩する。次に第１図（ｂｌに示す工うにリチウムナイ
オベイト基板１１０表面に硫化ヒ素全蒸着し、膜厚一定
の硫化ヒ素の光導波路１２．１３全形成する。
の表面の一部にダイヤモンドのバイトｔ−用いて従来同
様にくぼみ（凹部）ｈ’ｔ−切削形成し、切削後表面を
研摩する。次に第１図（ｂｌに示す工うにリチウムナイ
オベイト基板１１０表面に硫化ヒ素全蒸着し、膜厚一定
の硫化ヒ素の光導波路１２．１３全形成する。
次にｉ１図（Ｃ）に示す工うに紫外線の透過率が円の中
心で最大で周辺に行くに従って小さくなっていく分布金
持った露光用マスク１４を通して前記くぼみｈ′の上に
設けた硫化ヒ素１３に紫外線１５を照射する。このよう
に紫外線１５全照射することにエリ、硫化ヒ累の光導波
路１３は、レンズ部を透過する導波光に対してルネブル
クレンズの場合と同様な等側屈折率分布を与える工うな
屈折率分布を持つ。
心で最大で周辺に行くに従って小さくなっていく分布金
持った露光用マスク１４を通して前記くぼみｈ′の上に
設けた硫化ヒ素１３に紫外線１５を照射する。このよう
に紫外線１５全照射することにエリ、硫化ヒ累の光導波
路１３は、レンズ部を透過する導波光に対してルネブル
クレンズの場合と同様な等側屈折率分布を与える工うな
屈折率分布を持つ。
上記の工うな製造方法によるジオデシックレンズの平面
図と断面図を第２図ｔａ１． （ｂ）に示す。上記のよ
うにして製造した硫化ヒ素の光導波路１３の屈折率分布
はレンズの中心で最大で周辺に行くに従って小さくなっ
て行く回転対称の分布になっている。従って上記の工り
な硫化ヒ素の光導波路１３は導波光に対して収束作用を
有しレンズ効果を持つ、ここでは上記のようなレンズを
屈折率分布型レンズと呼ぶ。
図と断面図を第２図ｔａ１． （ｂ）に示す。上記のよ
うにして製造した硫化ヒ素の光導波路１３の屈折率分布
はレンズの中心で最大で周辺に行くに従って小さくなっ
て行く回転対称の分布になっている。従って上記の工り
な硫化ヒ素の光導波路１３は導波光に対して収束作用を
有しレンズ効果を持つ、ここでは上記のようなレンズを
屈折率分布型レンズと呼ぶ。
従って本発明の製造方法によるジオデシックレンズでは
くばみの部分を横切る導波光が異なる入射位置測地線全
伝搬すること、そしてくぼみ上に設けた硫化ヒ素の光導
波路１３による等側屈折率の変化との２つの要因に工っ
て、くぼみの中心に近いほど光路長が長く等側屈折率の
変化分も大きいので導波光の位相面は中心部はど遅れる
ことにな９、レンズに平行に入射した導波光２５は集束
点２６に集光される。
くばみの部分を横切る導波光が異なる入射位置測地線全
伝搬すること、そしてくぼみ上に設けた硫化ヒ素の光導
波路１３による等側屈折率の変化との２つの要因に工っ
て、くぼみの中心に近いほど光路長が長く等側屈折率の
変化分も大きいので導波光の位相面は中心部はど遅れる
ことにな９、レンズに平行に入射した導波光２５は集束
点２６に集光される。
（実施例２）
第３図に、本発明によるジオデシックレンズの製造方法
の第２の実施例を工程順に示した断面図である。第３図
（ａ）、 （ｂ）は、第１図（ａｌ、 （ｂ）の工程と
同じである。まず、リチウムナイオベイト基板１１の表
面にくぼみ（凹部）ｈ”ｋ加工し次に基板表面に硫化ヒ
素を蒸着し、膜厚一定の硫化ヒ素の光導波路１２．１３
’ｅ形成する。次に第３図（ｃｌに示す工うに硫化ヒ素
の光導波路１３に対して電子ビーム３４を照射する。電
子ビーム３４の照射はコンビエータ制御された直接描画
で行う。電子ビーム３４の照射量はくぼみの中心で最大
で周辺に行くに従って減少する工うに変化させる。ここ
で電子ビーム３４の全体の照射量を変えることに１９、
本発明によるジオデシックレンズの焦点距離の調整を行
う。上記の工うな製造方法によっても第２図（ａ）、
（ｂ）に示したジオデシックレンズを完成することがで
きる。
の第２の実施例を工程順に示した断面図である。第３図
（ａ）、 （ｂ）は、第１図（ａｌ、 （ｂ）の工程と
同じである。まず、リチウムナイオベイト基板１１の表
面にくぼみ（凹部）ｈ”ｋ加工し次に基板表面に硫化ヒ
素を蒸着し、膜厚一定の硫化ヒ素の光導波路１２．１３
’ｅ形成する。次に第３図（ｃｌに示す工うに硫化ヒ素
の光導波路１３に対して電子ビーム３４を照射する。電
子ビーム３４の照射はコンビエータ制御された直接描画
で行う。電子ビーム３４の照射量はくぼみの中心で最大
で周辺に行くに従って減少する工うに変化させる。ここ
で電子ビーム３４の全体の照射量を変えることに１９、
本発明によるジオデシックレンズの焦点距離の調整を行
う。上記の工うな製造方法によっても第２図（ａ）、
（ｂ）に示したジオデシックレンズを完成することがで
きる。
（発明の効果）
第２図（ａ）、 （ｂ）に示した本発明の製造方法によ
るジオデシックレンズでは、従来のジオデシックレンズ
とくぼみの部分に設けた硫化ヒ素の収束作用による屈折
率分布型レンズの２つのレンズヲ接着させて配置するこ
とになり、本発明によるジオデシックレンズの焦点距離
Ｆｉ、＜はみに工って光路差を与える従来のジオデシッ
クレンズの焦点圧＊ｆｘ と屈折率分布型レンズの焦点
距離ｆ２とから（１）式のようになる。
るジオデシックレンズでは、従来のジオデシックレンズ
とくぼみの部分に設けた硫化ヒ素の収束作用による屈折
率分布型レンズの２つのレンズヲ接着させて配置するこ
とになり、本発明によるジオデシックレンズの焦点距離
Ｆｉ、＜はみに工って光路差を与える従来のジオデシッ
クレンズの焦点圧＊ｆｘ と屈折率分布型レンズの焦点
距離ｆ２とから（１）式のようになる。
ここで屈折率分布型レンズの焦点距離ｆ雪に、硫化ヒ素
の薄膜への紫外線または電子ビームの照射量を変えて屈
折率の増加分を変えることにエリ、調整することができ
る。
の薄膜への紫外線または電子ビームの照射量を変えて屈
折率の増加分を変えることにエリ、調整することができ
る。
従ってくぼみの形状が設計値からはずれて従来のジオデ
シックレンズの焦点距離ｆ１が設計値工り長くなった場
合、硫化ヒ素に照射する紫外線量ま友は電子ビームの照
射量を変えて屈折率分布型レンズの焦点距離ｆｓｋ調整
することに工って合成した焦点距離Ｆｔ−ジオデシック
レンズの設計ｆ［ｉと一致させることができる。
シックレンズの焦点距離ｆ１が設計値工り長くなった場
合、硫化ヒ素に照射する紫外線量ま友は電子ビームの照
射量を変えて屈折率分布型レンズの焦点距離ｆｓｋ調整
することに工って合成した焦点距離Ｆｔ−ジオデシック
レンズの設計ｆ［ｉと一致させることができる。
具体例として、２ｍｍ厚のリチウムナイオベイト基板に
設計値の口径と焦点距離がそれぞれ２．５ｍｍ。
設計値の口径と焦点距離がそれぞれ２．５ｍｍ。
６、Ｏｒｒｌｍのジオデシックレンズのくぼみを形成し
、このくぼみを含むリチウムナイオベイト基板の表面に
膜厚が０，８７μｍで均一な硫化ヒ素の薄膜を設けて光
導波路とする。ここで硫化ヒ素の光導波路は２．４６
で均一な屈折率を持つ。この工うなジオデシックレンズ
の形状が設計からずれて焦点距離が５．４ｍｍとなる場
合がある。この時、くぼみの部分に設けた硫化ヒ素の光
導波路に前記透過率分布を持った露光用マスクを通して
波長４００ｎｍの紫外線を照射し、くぼみの中心部での
照射量を３３Ｊ／ｃｍ２とする。
、このくぼみを含むリチウムナイオベイト基板の表面に
膜厚が０，８７μｍで均一な硫化ヒ素の薄膜を設けて光
導波路とする。ここで硫化ヒ素の光導波路は２．４６
で均一な屈折率を持つ。この工うなジオデシックレンズ
の形状が設計からずれて焦点距離が５．４ｍｍとなる場
合がある。この時、くぼみの部分に設けた硫化ヒ素の光
導波路に前記透過率分布を持った露光用マスクを通して
波長４００ｎｍの紫外線を照射し、くぼみの中心部での
照射量を３３Ｊ／ｃｍ２とする。
上記の工うに紫外線を照射することにエリ、レンズの中
心部での硫化ヒ素の屈折率！２．４６ から２．５８へ
増加し、屈折率分布型レンズの焦点距離ＨＨｅ−Ｎｅレ
ーザー光のＴＥ、モードに対してｌＱＱｍｍとなる。従
って（１）式にエリ合成した焦点距離Ｆに、５、Ｑｍｍ
ｉｃなり設計値と一致させることができる。
心部での硫化ヒ素の屈折率！２．４６ から２．５８へ
増加し、屈折率分布型レンズの焦点距離ＨＨｅ−Ｎｅレ
ーザー光のＴＥ、モードに対してｌＱＱｍｍとなる。従
って（１）式にエリ合成した焦点距離Ｆに、５、Ｑｍｍ
ｉｃなり設計値と一致させることができる。
以上のように本発明によるときににくぼみ（凹部）の加
工精贋に左右されることなく、レンズの焦点距離を目標
とする設計値に調整することができ、したがって、その
生産性を著るしく向上できる効果を有するものである。
工精贋に左右されることなく、レンズの焦点距離を目標
とする設計値に調整することができ、したがって、その
生産性を著るしく向上できる効果を有するものである。
第１図（ａ）〜ｆｃｌ ｌｄ本発明のジオデシックレン
ズの製造方法を工程順に示す断面図、第２図［ａｌはｗ
Ｅ１図の製造方法によるジオデシックレンズの平面図、
ｔｂ＋ ｉ同断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）ｔｉ本発明
のジオデシックレンズの第２の製造方法を工程順に示す
断面図、第４図（ａｌ〜（Ｃ）１４従来のジオデシック
レンズの製造方法を工程順に示す断面図、第５図（ａ）
は従来のジオデシックレンズを示す平面図、（ｂ）は同
断面図である。 １１・・・・・・リチウムナイオベイト基板、１２・・
・・・・硫化ヒ素の光導波路、１３・・・・・・くぼみ
の上に設けた硫化ヒ素の光導波路、１４・・・・・・露
光用マスク、１５・・・・・・紫外線％２４・・・・・
・ジオデシックレンズ部、２５・・・・−・入射導波光
、２６・・・・・・入射導波光が集束される集束点、３
４・・・・・・電子ビーム。 第１ 図 ん′ ｌｚ：１ノテシムナイオベ゛イト基オ反、ｌｚ：禾丸止
し索の）ヒ摺１２支輝（ ｙ３ ： ／ ｔ：Ｌ−棚上）、ま乏１すた鑓イｉＦニ
ーＦ＝’ｒ牧ゆｊ憂撃４少工４１４：露光用７スク ／４： 紫 ブト 線 Ｎ Ｚ 図 ／／： リテサムナイトオベイト」」叉１２： ｉ
Ａ：−ヒ素力光１１Ｊ］＆ｔ、ｓ：＜ｒｓ−ｈの上１て
談けた烟回とと素の米中１）ｂそ（Ｚ４： ジオテ゛
′シックレ〉ス゛部筋３図 ん′ ３４−↓圃ｊ１１ １１； リテシムナイオへイ）１（拒／２：１蓬化ヒ
赤の光導彼１獣 ｔ、、５：＜ｒｆｐ力上１て賎げへ基丸止ヒ李Ｊ老１Ｃ
波ヌ逮ｙ−，電了ビーム ４２ニテダン＃
ズの製造方法を工程順に示す断面図、第２図［ａｌはｗ
Ｅ１図の製造方法によるジオデシックレンズの平面図、
ｔｂ＋ ｉ同断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）ｔｉ本発明
のジオデシックレンズの第２の製造方法を工程順に示す
断面図、第４図（ａｌ〜（Ｃ）１４従来のジオデシック
レンズの製造方法を工程順に示す断面図、第５図（ａ）
は従来のジオデシックレンズを示す平面図、（ｂ）は同
断面図である。 １１・・・・・・リチウムナイオベイト基板、１２・・
・・・・硫化ヒ素の光導波路、１３・・・・・・くぼみ
の上に設けた硫化ヒ素の光導波路、１４・・・・・・露
光用マスク、１５・・・・・・紫外線％２４・・・・・
・ジオデシックレンズ部、２５・・・・−・入射導波光
、２６・・・・・・入射導波光が集束される集束点、３
４・・・・・・電子ビーム。 第１ 図 ん′ ｌｚ：１ノテシムナイオベ゛イト基オ反、ｌｚ：禾丸止
し索の）ヒ摺１２支輝（ ｙ３ ： ／ ｔ：Ｌ−棚上）、ま乏１すた鑓イｉＦニ
ーＦ＝’ｒ牧ゆｊ憂撃４少工４１４：露光用７スク ／４： 紫 ブト 線 Ｎ Ｚ 図 ／／： リテサムナイトオベイト」」叉１２： ｉ
Ａ：−ヒ素力光１１Ｊ］＆ｔ、ｓ：＜ｒｓ−ｈの上１て
談けた烟回とと素の米中１）ｂそ（Ｚ４： ジオテ゛
′シックレ〉ス゛部筋３図 ん′ ３４−↓圃ｊ１１ １１； リテシムナイオへイ）１（拒／２：１蓬化ヒ
赤の光導彼１獣 ｔ、、５：＜ｒｆｐ力上１て賎げへ基丸止ヒ李Ｊ老１Ｃ
波ヌ逮ｙ−，電了ビーム ４２ニテダン＃
Claims (1)
- 誘電体基板表面上に凹部を設け、該凹部に光導波路を形
成するジオデシックレンズの製造方法において、前記誘
電体基板表面上に凹部を設けた後、屈折率が前記誘電体
基板よりも高く、電子ビームや光を照射することにより
屈折率が増加する感光性の材料を前記凹部を含む前記誘
電体基板の表面上に膜厚が均一となるように設けて光導
波路を形成した後、電子ビームまたは光の照射量が前記
凹部の周辺から中心へ徐々に多くなるよう前記電子ビー
ムまたは光を照射することを特徴とするジオデシックレ
ンズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243385A JPS61221708A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | ジオデシツクレンズの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243385A JPS61221708A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | ジオデシツクレンズの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61221708A true JPS61221708A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13200041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6243385A Pending JPS61221708A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | ジオデシツクレンズの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61221708A (ja) |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP6243385A patent/JPS61221708A/ja active Pending
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