JPS61217287A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS61217287A JPS61217287A JP60060202A JP6020285A JPS61217287A JP S61217287 A JPS61217287 A JP S61217287A JP 60060202 A JP60060202 A JP 60060202A JP 6020285 A JP6020285 A JP 6020285A JP S61217287 A JPS61217287 A JP S61217287A
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Classifications
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
不発明は、レーザ光の熱エネルギーによ乙ｆ４変態によ
って光学的特性を変化爆ぜ、情報を記録すＡ記録膜會基
板に被着させた、元情報記録媒体に関するものであｚＯ （従来の技術） 従来、光りＨ報記録媒体としては、カルコゲン化＋ｍ
ｔＮ膜、Ｔｅ低酸化物薄膜、ＳｂｔＳｅｇ ＋ Ｂ１１
Ｔｅ＋＋ ２層薄膜等の他、ＧｅＴｅ薄膜があり、レー
ザ光の熱エネルギーによって、アモルファスから結晶（
またはその逆）の相変化を起こさせて、光学的！１′１
性（屈折率、反射率）を変化させることによって、記録
が行われる。
って光学的特性を変化爆ぜ、情報を記録すＡ記録膜會基
板に被着させた、元情報記録媒体に関するものであｚＯ （従来の技術） 従来、光りＨ報記録媒体としては、カルコゲン化＋ｍ
ｔＮ膜、Ｔｅ低酸化物薄膜、ＳｂｔＳｅｇ ＋ Ｂ１１
Ｔｅ＋＋ ２層薄膜等の他、ＧｅＴｅ薄膜があり、レー
ザ光の熱エネルギーによって、アモルファスから結晶（
またはその逆）の相変化を起こさせて、光学的！１′１
性（屈折率、反射率）を変化させることによって、記録
が行われる。
（発明が解決しようとす１間頓点）
しかし、これらのうちＧｅＴｅ薄膜では、記録の際に、
アモルファスから結晶に相変化゛Ｊ−４時の体／ｌ青収
縮によってビット内にクラック（ひび割れ）が発生する
ことがあＺｏ （目的） 不発明は、上記ＧｅＴｅ ｔａ暎の、ピット内の状態を
安定させ、再生時のノイズｋ ｔｌＫ少させること全目
的としたものであ４゜ ｐｂ ｔたはＳｎ？１５％以下の比率で冷加し、相変化
の際の体積変化をおさえたものであＡ。
アモルファスから結晶に相変化゛Ｊ−４時の体／ｌ青収
縮によってビット内にクラック（ひび割れ）が発生する
ことがあＺｏ （目的） 不発明は、上記ＧｅＴｅ ｔａ暎の、ピット内の状態を
安定させ、再生時のノイズｋ ｔｌＫ少させること全目
的としたものであ４゜ ｐｂ ｔたはＳｎ？１５％以下の比率で冷加し、相変化
の際の体積変化をおさえたものであＡ。
（英施例）
以下、１凶によって本発明の一実施例を説明する０第１
図は、不発明の一実施例で、基板２としてガラス板、ポ
リメチルメタクリレート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂、
ポリカーボネート樹脂等を用い、これに記録膜として、
′ＧｅＴｅにｐｂまたはＳｎを添加したものを蒸着する
。この場合ＧｅＴｅとＰｂ捷たはＳｎ全混合して蒸着ｊ
−４か、またはＧｅＴｅとｐｂまたはＳｎの二元蒸着法
によって被着させて記録膜１を形成すＺｏ こうして出来た光情報記録媒体で記録再生を行うには、
第１図の様に、基板２側からレーザ３會照射する。この
場合、強力なレーザ光全照射すえと、露光部分はレーザ
元照射の熱により、アモルファスから結晶へと相変化し
、反射率が孕太し記録が行わｔ′ＬＺ。再生は、反射率
の浸で信号を読み取え。なおこの物質は、記録前の状態
でｆｄ ８００ Ａ〜１２００Ａの膜厚の間で反射率が
低くなるので、この範囲の膜厚において最も大きなコン
トラストが得られＺ。
図は、不発明の一実施例で、基板２としてガラス板、ポ
リメチルメタクリレート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂、
ポリカーボネート樹脂等を用い、これに記録膜として、
′ＧｅＴｅにｐｂまたはＳｎを添加したものを蒸着する
。この場合ＧｅＴｅとＰｂ捷たはＳｎ全混合して蒸着ｊ
−４か、またはＧｅＴｅとｐｂまたはＳｎの二元蒸着法
によって被着させて記録膜１を形成すＺｏ こうして出来た光情報記録媒体で記録再生を行うには、
第１図の様に、基板２側からレーザ３會照射する。この
場合、強力なレーザ光全照射すえと、露光部分はレーザ
元照射の熱により、アモルファスから結晶へと相変化し
、反射率が孕太し記録が行わｔ′ＬＺ。再生は、反射率
の浸で信号を読み取え。なおこの物質は、記録前の状態
でｆｄ ８００ Ａ〜１２００Ａの膜厚の間で反射率が
低くなるので、この範囲の膜厚において最も大きなコン
トラストが得られＺ。
ここで、ピッ） ｆＪ分の状態を従来例と比較してみる
。まず、ＰｂＸＳｎ′ｆｒ：加えないＧｅＴｅのみの薄
膜（膜厚１０５０Ａ） ’ｆポリメチルメタクリレート
板に被着させたものについて、？、尿速２．Ｏｍ／ｓで
回転させ、半導体レーザを使い、２．０〜７．５ ｍ
ｗの範囲において０．５ ｍｗステップで記録すると、
３．０ｍｗ以上のパワーでは、形成したピット内にクラ
ック（ひび割れ）がはいる。しかし、Ｐｂ’ｉ例えば１
０％加えた薄膜について同様に記録を行なうと、４．５
ｒｍｙのパワーまでクラックがはいらない安定したピッ
トが得られる７（それ以上のパワーでは溶融、蒸発して
穴があく）６また、Ｓｎを例えば５チ加えた薄膜につい
ても同様に記録を行うと、５．０ｍｗのパワーまで安定
１−だピットが得られ乙。つまシ、ＰｂまたはＳｎｋ加
えることによって、アモルファスから結晶へ相変化する
際の体積変化が少なくなり、クラックがはいシにくくな
えため、ピット内の状態がＧｅＴｅのみの場合より安定
し再生時のノイズが減少す４゜ 第２図に、ＧｅＴｅに約１０チのｐｂ’４添加した（Ｇ
ｅＴｅ ） 、。Ｐｂ１ｏを１０５ＯＡの膜厚でガラス
基板に被着させたものについて、元の波長８３０ｎｒｎ
での基板側の反射率と透過率の熱処理温度依存性を示す
。各測定点での熱処理時間は約１０分である。この図を
見ると、１６０°Ｃ〜２２０°Ｃの間で反射率、透過率
ともに変化していえことがわがＺ。一方、ＧｅＴｅのみ
の混合の反射率変化温度範囲は１６００Ｃ〜１７００Ｃ
であえから、ｐｂ’２添加することにより、反射率変化
の幅が広くな４ことがわかふ。
。まず、ＰｂＸＳｎ′ｆｒ：加えないＧｅＴｅのみの薄
膜（膜厚１０５０Ａ） ’ｆポリメチルメタクリレート
板に被着させたものについて、？、尿速２．Ｏｍ／ｓで
回転させ、半導体レーザを使い、２．０〜７．５ ｍ
ｗの範囲において０．５ ｍｗステップで記録すると、
３．０ｍｗ以上のパワーでは、形成したピット内にクラ
ック（ひび割れ）がはいる。しかし、Ｐｂ’ｉ例えば１
０％加えた薄膜について同様に記録を行なうと、４．５
ｒｍｙのパワーまでクラックがはいらない安定したピッ
トが得られる７（それ以上のパワーでは溶融、蒸発して
穴があく）６また、Ｓｎを例えば５チ加えた薄膜につい
ても同様に記録を行うと、５．０ｍｗのパワーまで安定
１−だピットが得られ乙。つまシ、ＰｂまたはＳｎｋ加
えることによって、アモルファスから結晶へ相変化する
際の体積変化が少なくなり、クラックがはいシにくくな
えため、ピット内の状態がＧｅＴｅのみの場合より安定
し再生時のノイズが減少す４゜ 第２図に、ＧｅＴｅに約１０チのｐｂ’４添加した（Ｇ
ｅＴｅ ） 、。Ｐｂ１ｏを１０５ＯＡの膜厚でガラス
基板に被着させたものについて、元の波長８３０ｎｒｎ
での基板側の反射率と透過率の熱処理温度依存性を示す
。各測定点での熱処理時間は約１０分である。この図を
見ると、１６０°Ｃ〜２２０°Ｃの間で反射率、透過率
ともに変化していえことがわがＺ。一方、ＧｅＴｅのみ
の混合の反射率変化温度範囲は１６００Ｃ〜１７００Ｃ
であえから、ｐｂ’２添加することにより、反射率変化
の幅が広くな４ことがわかふ。
第３図は、ＧｅＴｅに約５チのＳｎを添加した（ＧｅＴ
ｅ、） １ｓｓｎａ 會１０５ＯＡの膜厚でガラス基板
如被着させたものについてｐｂの場合と同様に示したも
のであ４゜ 上述の記録媒体を以下の如く熱処理することにより、記
録消去可能な記録媒体を得ることが出来ふ。即ち、１ず
反射率変化（結晶化）が完全に行は２００°Ｃ前後であ
り、第３図の場合は１９０°Ｃ前後であｚｏこの様な熱
処理により得られた記録媒体に強力なレーザ光全照射す
ると記録が行われる。
ｅ、） １ｓｓｎａ 會１０５ＯＡの膜厚でガラス基板
如被着させたものについてｐｂの場合と同様に示したも
のであ４゜ 上述の記録媒体を以下の如く熱処理することにより、記
録消去可能な記録媒体を得ることが出来ふ。即ち、１ず
反射率変化（結晶化）が完全に行は２００°Ｃ前後であ
り、第３図の場合は１９０°Ｃ前後であｚｏこの様な熱
処理により得られた記録媒体に強力なレーザ光全照射す
ると記録が行われる。
この場合は冷却が急なので、この露光部が結晶からアモ
ルファスに相変化し、反射率が減少す４゜即ち記録が行
われる。次に１７一ザ元の強度會弱め、露光時間を長く
して前の露光部分にあて芝ことによって、加熱、徐冷の
状態を作り出し、アモルファスから結晶に相変化させ、
再び反射率を増大させ２ことができる。つ゛まり、消去
が可能であ２゜（効果） 以上の様に、不発明によＡ元情報記録媒体は、ＧｅＴｅ
Ｐｂ及びＧｅＴｅＳｎの＃膜ヲ使用したので、ＧｅＴｅ
薄膜にくらべてピットが安定であり、従ってノイズが少
ないという優れた効果がある。
ルファスに相変化し、反射率が減少す４゜即ち記録が行
われる。次に１７一ザ元の強度會弱め、露光時間を長く
して前の露光部分にあて芝ことによって、加熱、徐冷の
状態を作り出し、アモルファスから結晶に相変化させ、
再び反射率を増大させ２ことができる。つ゛まり、消去
が可能であ２゜（効果） 以上の様に、不発明によＡ元情報記録媒体は、ＧｅＴｅ
Ｐｂ及びＧｅＴｅＳｎの＃膜ヲ使用したので、ＧｅＴｅ
薄膜にくらべてピットが安定であり、従ってノイズが少
ないという優れた効果がある。
第１１凶は不発明による記録媒体の一実施例を示す断面
図、第２図、第３図はそれぞれ不発明による記録媒体の
特性全説明す２線図であえ。
図、第２図、第３図はそれぞれ不発明による記録媒体の
特性全説明す２線図であえ。
Claims (1)
- 基板上に薄膜を形成し、光、熱等のエネルギーによつて
上記薄膜に光学的特性の変化部分を形成して情報を記録
する光情報記録媒体において、上記薄膜の主成分をテル
ル化ゲルマニュームとし、錫または鉛を１５％以下（ア
トミック％）の比率で含有させたことを特徴とする光情
報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060202A JPS61217287A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060202A JPS61217287A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61217287A true JPS61217287A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13135327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60060202A Pending JPS61217287A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61217287A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256241A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5042841A (ja) * | 1973-08-20 | 1975-04-18 | ||
| JPS5346090A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-25 | Oriental Yeast Co Ltd | Fraction determination of lactic dehydrogen enzyme isozyme |
| JPS59188856A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | レ−ザ−記録媒体 |
| JPS6034897A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替可能光記録媒体 |
| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS60112490A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造法 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP60060202A patent/JPS61217287A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5042841A (ja) * | 1973-08-20 | 1975-04-18 | ||
| JPS5346090A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-25 | Oriental Yeast Co Ltd | Fraction determination of lactic dehydrogen enzyme isozyme |
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| JPS60107744A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS60112490A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62256241A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-07 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0444330B2 (ja) * | 1986-04-28 | 1992-07-21 | Nippon Columbia |
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