JPS63228433A - 光学情報記録再生消去部材 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材Info
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- JPS63228433A JPS63228433A JP62061604A JP6160487A JPS63228433A JP S63228433 A JPS63228433 A JP S63228433A JP 62061604 A JP62061604 A JP 62061604A JP 6160487 A JP6160487 A JP 6160487A JP S63228433 A JPS63228433 A JP S63228433A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザビーム等により、情報を、高密度、大
容量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去
部材に関するものである。
容量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去
部材に関するものである。
従・来の技術
光デイスクメモリに関しては、ＴｏとＴ ｅ Ｏ２を主
成分とするＴ ｅ Ｏｘ （０＜ ｘ ＜ ２−０ ）
薄膜を用いた追記型のディスクがある。さらに、レーザ
光により、薄膜を加熱し、溶融し、急冷することにより
、非晶質化し、情報を記録し又これを加熱し、徐冷する
ことにより結晶化し、消去することができる材料として
は、Ｓ、Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ（ｘス−アール・オプ
シンスキー）氏等の、カルコゲン材料Ｇ ｅ １５Ｔｅ
８１Ｓｂ２Ｓ２等が知られている。又、Ａ８２Ｓ３や、
Ａｓ Ｓｅ あるいは、Ｓｂ２Ｓｅ３等カルコゲン
元素と、周期律表第Ｖ族あるいは、Ｇｏ等の第■族元素
等の組合せからなる薄膜等が広く知られている。これら
の薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報を消去する
方法としては、あらかじめ、薄膜を結晶化させておき、
これに夕φ１μｍｉ絞ったレーザ光を、情報に応じて強
度変調を施こし、例えば、円盤状の記録ディスクを回転
せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜の融点
以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したドツトとして
情報の記録が行える。この情報を消去するに際しては、
ディスクの回転トラック方向に長いスポット光を照射す
ることにより、薄膜を加熱昇温させ、長いスポット光に
よる徐冷効果によって再び、結晶化させる方法が知られ
ている。
成分とするＴ ｅ Ｏｘ （０＜ ｘ ＜ ２−０ ）
薄膜を用いた追記型のディスクがある。さらに、レーザ
光により、薄膜を加熱し、溶融し、急冷することにより
、非晶質化し、情報を記録し又これを加熱し、徐冷する
ことにより結晶化し、消去することができる材料として
は、Ｓ、Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ（ｘス−アール・オプ
シンスキー）氏等の、カルコゲン材料Ｇ ｅ １５Ｔｅ
８１Ｓｂ２Ｓ２等が知られている。又、Ａ８２Ｓ３や、
Ａｓ Ｓｅ あるいは、Ｓｂ２Ｓｅ３等カルコゲン
元素と、周期律表第Ｖ族あるいは、Ｇｏ等の第■族元素
等の組合せからなる薄膜等が広く知られている。これら
の薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報を消去する
方法としては、あらかじめ、薄膜を結晶化させておき、
これに夕φ１μｍｉ絞ったレーザ光を、情報に応じて強
度変調を施こし、例えば、円盤状の記録ディスクを回転
せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜の融点
以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したドツトとして
情報の記録が行える。この情報を消去するに際しては、
ディスクの回転トラック方向に長いスポット光を照射す
ることにより、薄膜を加熱昇温させ、長いスポット光に
よる徐冷効果によって再び、結晶化させる方法が知られ
ている。
発明が解決しようとする間過点
薄膜を加熱昇温し、溶融急冷および、加熱昇温徐冷等の
手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体におい
ては、加熱サイクルに対応して、信号品質が変動する場
合がある。この変動要因としては、記録スポット光およ
び、消去スポット光による４００’Ｃ以上の急速な加熱
、冷却の多数回のくりかえし刺激による基板材質の熱的
機械的な損傷が考えられる。さらに、記録薄膜の熱的１
機械的な損傷が生ずる場合もある。記録薄膜については
、その構成組成によっては、膜中の組成、成分の場所的
な変化いわゆる偏析が発生する場合もある。
手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体におい
ては、加熱サイクルに対応して、信号品質が変動する場
合がある。この変動要因としては、記録スポット光およ
び、消去スポット光による４００’Ｃ以上の急速な加熱
、冷却の多数回のくりかえし刺激による基板材質の熱的
機械的な損傷が考えられる。さらに、記録薄膜の熱的１
機械的な損傷が生ずる場合もある。記録薄膜については
、その構成組成によっては、膜中の組成、成分の場所的
な変化いわゆる偏析が発生する場合もある。
基板あるいは、記録膜が、以上のような変化を生じた場
合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイ、ズの増
大を生じ、サイクル特性の劣化が発生するという問題点
があった。
合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイ、ズの増
大を生じ、サイクル特性の劣化が発生するという問題点
があった。
問題点を解決するための手段
本発明は、レーザ光等の照射により熱的に薄膜の状態を
変化させて情報を記録および消去する部材において、記
録と消去のサイクル特性を向上させることを目的として
、薄膜材料として、Ｇ ｏ Ｔ 。
変化させて情報を記録および消去する部材において、記
録と消去のサイクル特性を向上させることを目的として
、薄膜材料として、Ｇ ｏ Ｔ 。
と、Ｓｂ２Ｔ０３からなる混合体に過剰なＳｂを含ませ
てなる材料を選び、これを基板に形成してなることを特
徴とする光学情報記録再生消去部材を提供するものであ
る。
てなる材料を選び、これを基板に形成してなることを特
徴とする光学情報記録再生消去部材を提供するものであ
る。
作 用
Ｓｂ２Ｔ０３（融点６２２℃）は、薄膜化することによ
り、非晶質膜が得られ、非晶質化、結晶化の記録作用を
有する。しかしながら、その黒化（結晶化を伴う）温度
は、〜１ｏｏ℃と低く、熱的な安定性は低い。そこで、
融点の高いＴｍ＝ ７２５℃のＧ ｏ Ｔ ｏを混合す
ることにより、この黒化（結晶化）温度を、１８０℃以
上に上げることができる。
り、非晶質膜が得られ、非晶質化、結晶化の記録作用を
有する。しかしながら、その黒化（結晶化を伴う）温度
は、〜１ｏｏ℃と低く、熱的な安定性は低い。そこで、
融点の高いＴｍ＝ ７２５℃のＧ ｏ Ｔ ｏを混合す
ることにより、この黒化（結晶化）温度を、１８０℃以
上に上げることができる。
この混合膜は、熱的安定性がすぐれるものの、加熱記録
（非晶質化）消去（結晶化）あるいはその逆モードの記
録消去のサイクルにおいて、信号品質の低下が発生しや
すい。
（非晶質化）消去（結晶化）あるいはその逆モードの記
録消去のサイクルにおいて、信号品質の低下が発生しや
すい。
そこで本発明では、過剰なＳｂを含ませて、Ｓｂ２Ｔｅ
３−ＧｏＴｏ−３ｂからなる混合体を用いることを特徴
とするものである。この過剰なｓｂは、結晶化、非晶質
化の過程において、ＧｏＴｏ成分とＳｂ２Ｔｅ３成分の
相分離に対する阻止効果を有し、サイクルの向上をもた
らす。同時に、結晶化に対して、結晶化核のはたらきが
期待でき、記録および、消去に対する感度向上をもたら
す。
３−ＧｏＴｏ−３ｂからなる混合体を用いることを特徴
とするものである。この過剰なｓｂは、結晶化、非晶質
化の過程において、ＧｏＴｏ成分とＳｂ２Ｔｅ３成分の
相分離に対する阻止効果を有し、サイクルの向上をもた
らす。同時に、結晶化に対して、結晶化核のはたらきが
期待でき、記録および、消去に対する感度向上をもたら
す。
実施例
記録層である薄膜を形成する基板としては、あらかじめ
、レーザ光案内溝を形成した樹脂基板を用い、この表面
にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳあるいはＳ ｔ
Ｏ２等の無機誘電体層を形成しておく。この誘電体層と
しては、Ｓ １０２を１６モル係以上含ませたＺｎＳ誘
電体層が好ましい。
、レーザ光案内溝を形成した樹脂基板を用い、この表面
にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳあるいはＳ ｔ
Ｏ２等の無機誘電体層を形成しておく。この誘電体層と
しては、Ｓ １０２を１６モル係以上含ませたＺｎＳ誘
電体層が好ましい。
この上に、Ｓｂ２Ｔｅ３．ＧｅＴｅおよび過剰ｓｂから
なる混合薄膜を形成する。
なる混合薄膜を形成する。
薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは、スパッタ
法が使用できる。この薄膜の組成としては第１図に示す
Ｓｂ２Ｔｅ３．ＧｅＴｅ 、およびｓｂからなる３角ダ
イアグラムにおいて、ＡＡｓ ｂ２Ｔｅ３（３６％）、
ＧｅＴｅ（４１％）、Ｓｂ（２４％）。
法が使用できる。この薄膜の組成としては第１図に示す
Ｓｂ２Ｔｅ３．ＧｅＴｅ 、およびｓｂからなる３角ダ
イアグラムにおいて、ＡＡｓ ｂ２Ｔｅ３（３６％）、
ＧｅＴｅ（４１％）、Ｓｂ（２４％）。
８点 Ｓｂ２Ｔｅ３ （２７％ ） 、ＧｏＴｏ （５
１％ ） 、 Ｓｂ （２２％ ）、ＣＡ Ｓｂ２
Ｔｅ ３（４２％ ）−ＧｏＴｏ （２９％）。
１％ ） 、 Ｓｂ （２２％ ）、ＣＡ Ｓｂ２
Ｔｅ ３（４２％ ）−ＧｏＴｏ （２９％）。
Ｓｂ （２９％）を含む領域１の中を選ぶことが望まし
い。
い。
これを、Ｓｂ２Ｔθ３に対するそれぞれＧ ｅ Ｔ ｅ
。
。
比および、過剰なＳｂの比で表わすと、０．５＜ＧｏＴ
ｅ／Ｓｂ２Ｔｅ３＜２．０ および、１ｏ〈過剰Ｓｂ
チ／Ｓｂ２Ｔｅ３く３０に選フコとになる。３角ダイア
グラムにおいては、過剰Ｓｂのモルチが約２５％のライ
ン２を中心とする組成領域になる。この２６多ラインの
組成点群が最も重要である。
ｅ／Ｓｂ２Ｔｅ３＜２．０ および、１ｏ〈過剰Ｓｂ
チ／Ｓｂ２Ｔｅ３く３０に選フコとになる。３角ダイア
グラムにおいては、過剰Ｓｂのモルチが約２５％のライ
ン２を中心とする組成領域になる。この２６多ラインの
組成点群が最も重要である。
第２図に、それぞれ膜の感度と組成の関係を示す。この
図では、Ｇ ｅ Ｔ ｅ ／Ｓ ｂ ２Ｔ ｅ ３中１
．２において、過剰Ｓ ｂ／Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ３の
値を、１０，１８．３０のものについて示している。過
剰Ｓｂの増加に伴い、レーザパワー６ｍＷの低パワー領
域でのＣ／Ｎ比、曲線３は増大してゆき、感度の向上が
みられる。ただしレーザパワー９ｍＷでは曲線４に示す
ようにいずれの組成点においても、Ｃ／Ｎ比は、約５５
ｄＢの値になっている。
図では、Ｇ ｅ Ｔ ｅ ／Ｓ ｂ ２Ｔ ｅ ３中１
．２において、過剰Ｓ ｂ／Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ３の
値を、１０，１８．３０のものについて示している。過
剰Ｓｂの増加に伴い、レーザパワー６ｍＷの低パワー領
域でのＣ／Ｎ比、曲線３は増大してゆき、感度の向上が
みられる。ただしレーザパワー９ｍＷでは曲線４に示す
ようにいずれの組成点においても、Ｃ／Ｎ比は、約５５
ｄＢの値になっている。
Ｇ ｏ Ｔ ｅ ／ Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ３の比が大
きくなり、ＧｏＴ。
きくなり、ＧｏＴ。
リッチになるほど、感度は低下する。さらにサイクル特
性と組成の関係は、サイクルに対するＣハの変化量とｄ
ｃ／Ｎとし、過剰Ｓｂ／Ｓｂ２Ｔθ３の値についてｄｃ
／Ｈの大きさは、次の順序になる。
性と組成の関係は、サイクルに対するＣハの変化量とｄ
ｃ／Ｎとし、過剰Ｓｂ／Ｓｂ２Ｔθ３の値についてｄｃ
／Ｈの大きさは、次の順序になる。
ｄＣ／Ｎ１゜〈ｄＣ／Ｎ１８≦ｄＣハ。。となり、望ま
しくはＳｂ／Ｓｂ２Ｔｅ３〉２０に選ぶことが好ましい
。
しくはＳｂ／Ｓｂ２Ｔｅ３〉２０に選ぶことが好ましい
。
第１図の３角ダイアグラムにおいて、Ｓｂ２ｓ％ライン
よりも、過剰ｓｂが少いポイントＥ、Ｈでは、サイクル
特性の劣化が大きく、さらに、過剰ｓｂが２５％ライン
よりもＳｂ側つまり、多い領域の１点ではサイクル特性
の劣化が再び増大する。
よりも、過剰ｓｂが少いポイントＥ、Ｈでは、サイクル
特性の劣化が大きく、さらに、過剰ｓｂが２５％ライン
よりもＳｂ側つまり、多い領域の１点ではサイクル特性
の劣化が再び増大する。
又、さらにｓｂが多い組成点り点では、記録感度。
Ｃ／Ｎ比の低下が発生する。
発・明の効果
レーザ光による記録再生消去する記録部材において、Ｇ
ｅ Ｔ ｅ Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ３−過剰ｓｂか
らなる組成の記録薄膜は、次の効果を有する。すなわち
、薄膜中の安定合金の種類が減少するとともに、過剰Ｓ
ｂのはたらきにより、記録、消去のサイクルにおける薄
膜中の組成分離が生じにくくなり、サイクル特性が向上
する。また、過剰Ｓｂの量により、高感度化、サイクル
特性安定化を同時に満足する記録部材を得ることができ
る。
ｅ Ｔ ｅ Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ３−過剰ｓｂか
らなる組成の記録薄膜は、次の効果を有する。すなわち
、薄膜中の安定合金の種類が減少するとともに、過剰Ｓ
ｂのはたらきにより、記録、消去のサイクルにおける薄
膜中の組成分離が生じにくくなり、サイクル特性が向上
する。また、過剰Ｓｂの量により、高感度化、サイクル
特性安定化を同時に満足する記録部材を得ることができ
る。
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材に用いる記録薄膜の組成の３角ダイアグラム、第
２図は同部材の記録感度（Ｃ／Ｎ比）の、過剰Ｓｂ／Ｓ
ｂ２Ｔｅ３比依存性を示す特性図である。 １・・・・・・特性が良好な組成領域、２・・・・・・
Ｓｂ２５％ライン、３・・・・・・レーザノくワー６．
６ ｍＷにおけるＣ／Ｎ比、４・・・・・・レーザパワ
ー９ｍＷにおけるＣハ比。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ６Ｑ丁ε第２図
去部材に用いる記録薄膜の組成の３角ダイアグラム、第
２図は同部材の記録感度（Ｃ／Ｎ比）の、過剰Ｓｂ／Ｓ
ｂ２Ｔｅ３比依存性を示す特性図である。 １・・・・・・特性が良好な組成領域、２・・・・・・
Ｓｂ２５％ライン、３・・・・・・レーザノくワー６．
６ ｍＷにおけるＣ／Ｎ比、４・・・・・・レーザパワ
ー９ｍＷにおけるＣハ比。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 ６Ｑ丁ε第２図
Claims (5)
- （１）レーザ光等の照射により、熱的に状態を変化させ
る薄膜をＧｅＴｅとＳｂ＿２Ｔｅ＿３からなる混合体に
、過剰のＳｂを含ませて基板上に形成してなる光学情報
記録再生消去部材。 - （２）過剰のＳｂの量を、＋Ｓｂａｔ％とし、Ｓｂ＿２
Ｔｅ＿３ｍｏｌ％との比を、１０＜＋Ｓｂａｔ％／Ｓｂ
＿２Ｔｅ＿３ｍｏｌ％＜３０に選ぶことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部材。 - （３）ＧｅＴｅの量を、０．６＜ＧｅＴｅｍｏｌ％／Ｓ
ｂ＿２Ｔｅ＿３ｍｏｌ％＜２．０に選ぶことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部
材。 - （４）あらかじめ基板の上に誘電体層を形成し、その上
に、ＧｅＴｅ−Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３−Ｓｂからなる薄膜を
形成し、さらにその上に誘電体層を形成し、さらにその
誘電体層の上に反射層を形成してなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部材
。 - （５）Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３−ＧｅＴｅ−過剰Ｓｂからなる
薄膜を、熱伝導率の小なるＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合体
誘電体層で、少くとも１方の面を接することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061604A JP2629696B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 光学情報記録再生消去部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061604A JP2629696B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 光学情報記録再生消去部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228433A true JPS63228433A (ja) | 1988-09-22 |
| JP2629696B2 JP2629696B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=13175933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62061604A Expired - Lifetime JP2629696B2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 光学情報記録再生消去部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2629696B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06171234A (ja) * | 1991-03-12 | 1994-06-21 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 光情報記録媒体 |
| EP0717404A1 (en) | 1994-12-13 | 1996-06-19 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
| US6388978B1 (en) | 1998-04-16 | 2002-05-14 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording method for a rewritable phase-change optical recording medium |
| US7422838B1 (en) | 1999-06-01 | 2008-09-09 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium |
| US7507523B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62061604A patent/JP2629696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06171234A (ja) * | 1991-03-12 | 1994-06-21 | Hisankabutsu Glass Kenkyu Kaihatsu Kk | 光情報記録媒体 |
| EP0717404A1 (en) | 1994-12-13 | 1996-06-19 | Ricoh Company, Ltd | Sputtering target, method of producing the target, optical recording medium fabricated by using the sputtering target, and method of fabricating the optical recording medium |
| US6388978B1 (en) | 1998-04-16 | 2002-05-14 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording method for a rewritable phase-change optical recording medium |
| US7422838B1 (en) | 1999-06-01 | 2008-09-09 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change optical recording medium |
| US7507523B2 (en) | 2000-09-28 | 2009-03-24 | Ricoh Company, Ltd | Optical information recording medium, method of manufacturing the optical information recording medium, and method of and apparatus for recording/reproducing optical information |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2629696B2 (ja) | 1997-07-09 |
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