JPS61215259A - スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 - Google Patents

スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法

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JPS61215259A
JPS61215259A JP60053277A JP5327785A JPS61215259A JP S61215259 A JPS61215259 A JP S61215259A JP 60053277 A JP60053277 A JP 60053277A JP 5327785 A JP5327785 A JP 5327785A JP S61215259 A JPS61215259 A JP S61215259A
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JP
Japan
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silicon nitride
target
sputtering
manufacture
silicon
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JP60053277A
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JPH04948B2 (ja
Inventor
溝口 繁夫
吉永 安伸
和夫 阿部
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SHINKU ZAIRYO KK
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SHINKU ZAIRYO KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はスパッタリングにより保護膜を形成する場合等
に使用される窒化ケイ素ターゲットの製法に関する。
(従来の技術) 従来、窒化ケイ素ターゲットは焼結して製造されるが、
焼結性を持たせるためにイツトリアや酸化カルシウムを
数%添加して焼結することを一般としている。
(発明が解決しようとする問題点)゛ 前記のようにイツトリア等を添加したターゲラトラスパ
ッタリングして基板に保護膜管形成するに使用すると、
保護膜が色彩を帯びたり或は密着性が不良にな・る欠点
が発生ずる。またイツトリアは高価であり安価な窒化ケ
イ素ターゲットヲ得らnない欠点がある。
こうした欠点の改善のために反応焼結法により該ターゲ
ットを製造することも提案さnたが、未反応のケイ素が
保護膜の形成を阻害する欠点がなお存Tる。
本発明はこうした欠点を解決し安価で成膜性の良い窒化
ケイ素ターゲットヲ得る製法を提供Tることを目的とす
るものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明では、窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末を、重量
比で70=30乃至9585の割合で混合したのち焼成
するよう(した。
(作用) 窒化ケイ素と共通の元素(シリコン)f:有する二酸化
ケイ素はバインダーとして作用し、両者t?70:30
乃至95:5の割合で混合して焼成して得らnた窒化ケ
イ素ターゲットは、窒化ケイ素にイツトリア又は酸化カ
ルシウムを添加して焼成した従来のターゲットよりも密
度は低いが反応焼結法によるターゲットとほぼ同等の密
度が得らn比較的焼結性が良好であった。
また本発明による窒化ケイ素ターゲットはスパッタ電力
も十分にと01スパツタリングレートも満足するもので
あった。さらに形成さnた薄膜は着色がなく、保護膜と
しての性能も従来のイツトリア等を混入したターゲット
によるものと変りがなかった。
(実施例) 本発明の実施例は次の通りである。
実施例1 窒化ケイ素粉末70部に対し二酸化ケイ素粉末30部を
混合し、こnを金型く入nて焼結成形した。これによっ
て得たテストピースについて密度を測定した結果2表1
に示すようにLsF/iで、後記の比較例1による従来
の製法くよるテストピースよりも密度は小さいが比較例
2による従来の製法によるテストピースの密度と略同等
であった。
さらに直径4インチ、厚さ6Mのターゲット疋ついて、
一定条件下でメタルボンデングを行なった後、膜形成率
を測定し、形成膜の密着性、着色の具合を肉眼で観察し
た結果1表2に示すヨ’31c膜形成率はαa (am
 / h )/ (V−A/d )で密着性も良く無色
の保護膜が得られた。
実施例2 窒化ケイ素粉末80部に対し、二酸化ケイ素粉末り0部
全混合し、こnt−金型に入れ焼結成形した。こnによ
って得たテストピースの密度を測定した結果、表1に示
すようにz2り/c!tで後記の比較例2の場合と余り
変わりがなかった。さらに直径4インチ厚さ6IIJl
のターゲットについて一定条件下でのメタルボンディン
グ金石なった後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性及
び着色の具合を肉眼で観察したところ表2に示すように
実施例1と同様であった。
実施例3 窒化ケイ素粉末95部に対し、二酸化ケイ素粉末5部を
混合し、金型に入n焼結成形した。
こELKよって得たテストピースについての密度の測定
の結果は表1の如くであり、直径4インチ、厚さ61m
のターゲットについて一定条件下でメタルボンディング
を行なった後、膜形成率を測定し、密着性、着色の具合
を肉眼で観察した結果は表2の通り実施例1と同様であ
った。
比較例1 窒化ケイ素粉末95部酸化力ルシウム粉末3部イツトリ
ア粉末2部を混合し、金型に入n焼結成形する従来の製
法によりテストピースを形成し、こnの密度を測定した
結果を表1に示す。
さら〈直径4インチ、厚さ6鴎のターゲットについて、
一定条件下でのメタルボンディングを行なった後、膜形
成率を測定し、形成膜の密着性や着色の具合を肉眼で観
察した結果は表2の通りである。
比較例2 金属ケイ素粉末を金型に入れ、高温条件下で窒素ガスを
反応させる従来公知の反応焼結法により製作したテスト
ピースの密度は表1に示Tように2.4り/dであり、
比較例1と同様に直径4インチ、厚さ61のターゲラト
ラ製作してこnf一定条件下でメタルボンディングを行
なった径、膜形成率を測定し、形成膜の密着性、着色の
具合全肉眼で観察した結果は表2の通りである。
表−1窒化ケイ素テストピースの密度 表−2窒化ケイ素ターゲットによる膜形成率、薄膜の特
性及び着色の具合 (発明の効果) このように本発明に於ては、窒化ケイ素と二酸化ケイ素
の粉末を重量比で70:30乃至95:5の割合で混合
したのち焼成してスパッタリング用窒化ケイ素ターゲッ
トを製作するようにしたので、安価で焼結性の良いター
ゲットが得られ、こnf使用して形成した保護膜は無色
で遊離ケイ素の突起などが無く、さらに膜形成率も良く
、良好な保護膜を迅速に形成出来る等の効果がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末を、重量比で70:3
    0乃至95:5の割合で混合したのち焼成することを特
    徴とするスパッタリング用窒化ケイ素ターゲットの製法
JP60053277A 1985-03-19 1985-03-19 スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 Granted JPS61215259A (ja)

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JP60053277A JPS61215259A (ja) 1985-03-19 1985-03-19 スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法

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JP60053277A JPS61215259A (ja) 1985-03-19 1985-03-19 スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法

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JPS61215259A true JPS61215259A (ja) 1986-09-25
JPH04948B2 JPH04948B2 (ja) 1992-01-09

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JPH04948B2 (ja) 1992-01-09

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