JPS61215259A - スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 - Google Patents
スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法Info
- Publication number
- JPS61215259A JPS61215259A JP60053277A JP5327785A JPS61215259A JP S61215259 A JPS61215259 A JP S61215259A JP 60053277 A JP60053277 A JP 60053277A JP 5327785 A JP5327785 A JP 5327785A JP S61215259 A JPS61215259 A JP S61215259A
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- JP
- Japan
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- silicon nitride
- target
- sputtering
- manufacture
- silicon
- Prior art date
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- Granted
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- Ceramic Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はスパッタリングにより保護膜を形成する場合等
に使用される窒化ケイ素ターゲットの製法に関する。
に使用される窒化ケイ素ターゲットの製法に関する。
(従来の技術)
従来、窒化ケイ素ターゲットは焼結して製造されるが、
焼結性を持たせるためにイツトリアや酸化カルシウムを
数%添加して焼結することを一般としている。
焼結性を持たせるためにイツトリアや酸化カルシウムを
数%添加して焼結することを一般としている。
(発明が解決しようとする問題点)゛
前記のようにイツトリア等を添加したターゲラトラスパ
ッタリングして基板に保護膜管形成するに使用すると、
保護膜が色彩を帯びたり或は密着性が不良にな・る欠点
が発生ずる。またイツトリアは高価であり安価な窒化ケ
イ素ターゲットヲ得らnない欠点がある。
ッタリングして基板に保護膜管形成するに使用すると、
保護膜が色彩を帯びたり或は密着性が不良にな・る欠点
が発生ずる。またイツトリアは高価であり安価な窒化ケ
イ素ターゲットヲ得らnない欠点がある。
こうした欠点の改善のために反応焼結法により該ターゲ
ットを製造することも提案さnたが、未反応のケイ素が
保護膜の形成を阻害する欠点がなお存Tる。
ットを製造することも提案さnたが、未反応のケイ素が
保護膜の形成を阻害する欠点がなお存Tる。
本発明はこうした欠点を解決し安価で成膜性の良い窒化
ケイ素ターゲットヲ得る製法を提供Tることを目的とす
るものである。
ケイ素ターゲットヲ得る製法を提供Tることを目的とす
るものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明では、窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末を、重量
比で70=30乃至9585の割合で混合したのち焼成
するよう(した。
比で70=30乃至9585の割合で混合したのち焼成
するよう(した。
(作用)
窒化ケイ素と共通の元素(シリコン)f:有する二酸化
ケイ素はバインダーとして作用し、両者t?70:30
乃至95:5の割合で混合して焼成して得らnた窒化ケ
イ素ターゲットは、窒化ケイ素にイツトリア又は酸化カ
ルシウムを添加して焼成した従来のターゲットよりも密
度は低いが反応焼結法によるターゲットとほぼ同等の密
度が得らn比較的焼結性が良好であった。
ケイ素はバインダーとして作用し、両者t?70:30
乃至95:5の割合で混合して焼成して得らnた窒化ケ
イ素ターゲットは、窒化ケイ素にイツトリア又は酸化カ
ルシウムを添加して焼成した従来のターゲットよりも密
度は低いが反応焼結法によるターゲットとほぼ同等の密
度が得らn比較的焼結性が良好であった。
また本発明による窒化ケイ素ターゲットはスパッタ電力
も十分にと01スパツタリングレートも満足するもので
あった。さらに形成さnた薄膜は着色がなく、保護膜と
しての性能も従来のイツトリア等を混入したターゲット
によるものと変りがなかった。
も十分にと01スパツタリングレートも満足するもので
あった。さらに形成さnた薄膜は着色がなく、保護膜と
しての性能も従来のイツトリア等を混入したターゲット
によるものと変りがなかった。
(実施例)
本発明の実施例は次の通りである。
実施例1
窒化ケイ素粉末70部に対し二酸化ケイ素粉末30部を
混合し、こnを金型く入nて焼結成形した。これによっ
て得たテストピースについて密度を測定した結果2表1
に示すようにLsF/iで、後記の比較例1による従来
の製法くよるテストピースよりも密度は小さいが比較例
2による従来の製法によるテストピースの密度と略同等
であった。
混合し、こnを金型く入nて焼結成形した。これによっ
て得たテストピースについて密度を測定した結果2表1
に示すようにLsF/iで、後記の比較例1による従来
の製法くよるテストピースよりも密度は小さいが比較例
2による従来の製法によるテストピースの密度と略同等
であった。
さらに直径4インチ、厚さ6Mのターゲット疋ついて、
一定条件下でメタルボンデングを行なった後、膜形成率
を測定し、形成膜の密着性、着色の具合を肉眼で観察し
た結果1表2に示すヨ’31c膜形成率はαa (am
/ h )/ (V−A/d )で密着性も良く無色
の保護膜が得られた。
一定条件下でメタルボンデングを行なった後、膜形成率
を測定し、形成膜の密着性、着色の具合を肉眼で観察し
た結果1表2に示すヨ’31c膜形成率はαa (am
/ h )/ (V−A/d )で密着性も良く無色
の保護膜が得られた。
実施例2
窒化ケイ素粉末80部に対し、二酸化ケイ素粉末り0部
全混合し、こnt−金型に入れ焼結成形した。こnによ
って得たテストピースの密度を測定した結果、表1に示
すようにz2り/c!tで後記の比較例2の場合と余り
変わりがなかった。さらに直径4インチ厚さ6IIJl
のターゲットについて一定条件下でのメタルボンディン
グ金石なった後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性及
び着色の具合を肉眼で観察したところ表2に示すように
実施例1と同様であった。
全混合し、こnt−金型に入れ焼結成形した。こnによ
って得たテストピースの密度を測定した結果、表1に示
すようにz2り/c!tで後記の比較例2の場合と余り
変わりがなかった。さらに直径4インチ厚さ6IIJl
のターゲットについて一定条件下でのメタルボンディン
グ金石なった後、膜形成率を測定し、形成膜の密着性及
び着色の具合を肉眼で観察したところ表2に示すように
実施例1と同様であった。
実施例3
窒化ケイ素粉末95部に対し、二酸化ケイ素粉末5部を
混合し、金型に入n焼結成形した。
混合し、金型に入n焼結成形した。
こELKよって得たテストピースについての密度の測定
の結果は表1の如くであり、直径4インチ、厚さ61m
のターゲットについて一定条件下でメタルボンディング
を行なった後、膜形成率を測定し、密着性、着色の具合
を肉眼で観察した結果は表2の通り実施例1と同様であ
った。
の結果は表1の如くであり、直径4インチ、厚さ61m
のターゲットについて一定条件下でメタルボンディング
を行なった後、膜形成率を測定し、密着性、着色の具合
を肉眼で観察した結果は表2の通り実施例1と同様であ
った。
比較例1
窒化ケイ素粉末95部酸化力ルシウム粉末3部イツトリ
ア粉末2部を混合し、金型に入n焼結成形する従来の製
法によりテストピースを形成し、こnの密度を測定した
結果を表1に示す。
ア粉末2部を混合し、金型に入n焼結成形する従来の製
法によりテストピースを形成し、こnの密度を測定した
結果を表1に示す。
さら〈直径4インチ、厚さ6鴎のターゲットについて、
一定条件下でのメタルボンディングを行なった後、膜形
成率を測定し、形成膜の密着性や着色の具合を肉眼で観
察した結果は表2の通りである。
一定条件下でのメタルボンディングを行なった後、膜形
成率を測定し、形成膜の密着性や着色の具合を肉眼で観
察した結果は表2の通りである。
比較例2
金属ケイ素粉末を金型に入れ、高温条件下で窒素ガスを
反応させる従来公知の反応焼結法により製作したテスト
ピースの密度は表1に示Tように2.4り/dであり、
比較例1と同様に直径4インチ、厚さ61のターゲラト
ラ製作してこnf一定条件下でメタルボンディングを行
なった径、膜形成率を測定し、形成膜の密着性、着色の
具合全肉眼で観察した結果は表2の通りである。
反応させる従来公知の反応焼結法により製作したテスト
ピースの密度は表1に示Tように2.4り/dであり、
比較例1と同様に直径4インチ、厚さ61のターゲラト
ラ製作してこnf一定条件下でメタルボンディングを行
なった径、膜形成率を測定し、形成膜の密着性、着色の
具合全肉眼で観察した結果は表2の通りである。
表−1窒化ケイ素テストピースの密度
表−2窒化ケイ素ターゲットによる膜形成率、薄膜の特
性及び着色の具合 (発明の効果) このように本発明に於ては、窒化ケイ素と二酸化ケイ素
の粉末を重量比で70:30乃至95:5の割合で混合
したのち焼成してスパッタリング用窒化ケイ素ターゲッ
トを製作するようにしたので、安価で焼結性の良いター
ゲットが得られ、こnf使用して形成した保護膜は無色
で遊離ケイ素の突起などが無く、さらに膜形成率も良く
、良好な保護膜を迅速に形成出来る等の効果がある。
性及び着色の具合 (発明の効果) このように本発明に於ては、窒化ケイ素と二酸化ケイ素
の粉末を重量比で70:30乃至95:5の割合で混合
したのち焼成してスパッタリング用窒化ケイ素ターゲッ
トを製作するようにしたので、安価で焼結性の良いター
ゲットが得られ、こnf使用して形成した保護膜は無色
で遊離ケイ素の突起などが無く、さらに膜形成率も良く
、良好な保護膜を迅速に形成出来る等の効果がある。
Claims (1)
- 窒化ケイ素と二酸化ケイ素の粉末を、重量比で70:3
0乃至95:5の割合で混合したのち焼成することを特
徴とするスパッタリング用窒化ケイ素ターゲットの製法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60053277A JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60053277A JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61215259A true JPS61215259A (ja) | 1986-09-25 |
JPH04948B2 JPH04948B2 (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=12938241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60053277A Granted JPS61215259A (ja) | 1985-03-19 | 1985-03-19 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61215259A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283261A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタリング用窒化珪素系ターゲット材料 |
JP2009280832A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54123110A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of siliconee ceramics |
JPS56141153A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Target for x-ray tube |
JPS56169773A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Sharp Corp | Target for spattering by plenar magnetron |
JPS5774177A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
JPS5874585A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高速切削用表面被覆窒化けい素基焼結部材 |
JPS58118273A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
JPS58161975A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
JPS58204451A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-29 | Seiko Epson Corp | X線発生装置 |
-
1985
- 1985-03-19 JP JP60053277A patent/JPS61215259A/ja active Granted
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54123110A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | Production of siliconee ceramics |
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JPS5874585A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高速切削用表面被覆窒化けい素基焼結部材 |
JPS58118273A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | 感熱記録ヘツド |
JPS58161975A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
JPS58204451A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-29 | Seiko Epson Corp | X線発生装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0283261A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スパッタリング用窒化珪素系ターゲット材料 |
JP2009280832A (ja) * | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Dainippon Printing Co Ltd | イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04948B2 (ja) | 1992-01-09 |
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